「あいばしり」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

原子ステップおよびテラス構造が形成されたアニールシリコン基板上、または、複数の結晶性シリコンからなる突起が形成されたアニールシリコン基板上に、ＳｉＧｅ層、または、ＳｉＧｅ層とＳｉ層を形成することを特徴とする半導体基板の製造方法を用いる。例文帳に追加

This method for manufacturing a semiconductor substrate has a step for forming an SiGe layer or an SiGe layer and an Si layer on an anneal silicon substrate where an atom step and a terrace structure are formed, or on an anneal silicon substrate where a plurality of protrusions made of crystalline silicon are formed. - 特許庁

２　前項の規定にかかわらず、組合契約書において又は総組合員の過半数をもって帳簿資料を保存する者を定めた場合には、その者は、清算中の組合の主たる事務所の所在地における清算結了の登記の時から十年間、帳簿資料を保存しなければならない。例文帳に追加

(2) Notwithstanding the preceding paragraph, if a person who is to preserve the Financial Books is provided for in the Written Partnership Agreement or by a majority of all partners, such person shall preserve the Financial Books for ten (10) years from the registration of the conclusion of liquidation in the district in which the principal office of the Partnership in liquidation is located.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

さらに、ＩＧＢＴが形成されたシリコンチップ１０５を直接ＨＩＣ基板１０２に接続することにより、ヒートシンク部材等を介してシリコンチップをＨＩＣ基板に接続する場合と比べて、放電灯装置の小型化を図ることもできる。例文帳に追加

In addition, this discharge lamp device can be miniaturized by directly connecting the silicon chip 105 having the IGBT formed to the HIC board 102 as compared with the case that the silicon chip is connected to the HIC board through a heat sink member or the like. - 特許庁

シリコン基板表面にスパッタ装置で金属膜を成膜する場合に、予め加熱処理によりシリコン基板１表面の水分を除去しその後に、シリコン基板１をスパッタ装置内に搬送する。例文帳に追加

When a metal film is formed on the surface of a silicon substrate by the use of a sputtering apparatus, moisture is removed in advance from the surface of a silicon substrate 1 through thermal treatment, and then the silicon substrate 1 is transferred into the sputtering device. - 特許庁

この実施形態では、ＳｉＯ_2 膜１０上にバリアメタルとしてＴｉ層１１、ＴｉＮ層１２、その上に実質的なアルミニウム層１３が形成されているが、Ｔｉ層１１とＳｉＯ_2 膜１０の間にチタンシリサイド層（Ｔｉ_2 Ｓｉ_3 層）１４が形成されている。例文帳に追加

In this example of implementation, a Ti layer 11 and a TiN layer 12 are formed as barrier metal on an SiO2 film 10 and a substantial aluminum layer 13 is formed thereupon, but a titanium silicide layer (Ti2Si3 layer) 14 is formed between the Ti layer 11 and SiO2 film 10. - 特許庁

シリコンとゲルマニウムの比率が略均一に制御された単結晶のシリコン・ゲルマニウム混晶より成るシリコン・ゲルマニウム(ＳｉＧｅ)基板１上に、シリコン層(歪Ｓｉ層５)をエピタキシャル成長して構成する。例文帳に追加

A silicon layer (a strain Si layer 5)is epitaxially grown on the silicon-germanium (SiGe) substrate 1, comprising a single crystal silicon-germanium mixed crystal with the ratio of silicon to germanium being controlled approximately uniformly. - 特許庁

基板表面上の二酸化シリコン領域の高さは、二酸化シリコンのアイランドと、二酸化シリコンのアイランド上に形成されたシリコンとの結合した厚さを画定する。例文帳に追加

The height of a silicon dioxide region on a substrate surface defines the coupled thickness of the island of silicon dioxide and a silicon formed thereon. - 特許庁

Ｓｉ／ＳｉＧｅ光検知器用のシリコン（１１０）基板上の垂直側壁の製造方法には、下層のシリコンウェハー表面に対してシリコン（１１０）面が平行であるシリコン（１１０）層を準備する工程を含んでいる。例文帳に追加

A method of producing a vertical sidewall on a silicon substrate (110) for an Si/SiGe photodetector comprises a process of preparing a silicon layer (110) in which a silicon surface (110) lies in parallel with an underlying silicon wafer surface. - 特許庁

シリンダ１００を特定するためのシリンダ番号を含むＩＤ情報を非接触にて読取り／書込み可能なシリンダＩＤタグ１０がシリンダの内壁側に貼り付けられる。例文帳に追加

A cylinder ID tag 10 in which ID information containing a cylinder number for specifying a cylinder 100 can be read and written in a non-contact way is stuck on the inner wall side of the cylinder. - 特許庁

一方、無線基地局１−ｉを移設／撤去する場合には、ＤＨＣＰサーバ６−１は、リース期間が有限の同一のＩＰアドレスを再配布し、リース期間が経過すると、当該ＩＰアドレスを監視対象エントリから削除する。例文帳に追加

Meanwhile, when moving or deleting the radio base station 1-i, the DHCP server 6-1 redistributes an identical IP address having a limited lease period, and when the lease period elapses, the above IP address is deleted from an entry to be monitored. - 特許庁

そして、フッ素化ケイ酸塩ガラス膜３とシリコン窒化膜５との間に、例えばＰ−ＳｉＯ膜、Ｐ−ＳｉＯＮ膜、またはＰＥ−ＳｉＯ膜からなる接着層４が形成される。例文帳に追加

An adhesive layer 4, constituted of, for example, a P-SiO film, a P-SiON film or PE-SiO film, is formed between the fluorinated silicate glass film 3 and the silicon nitride film 5. - 特許庁

Ｎｉ及びＳｉが用いられて構成されるシリサイト膜を形成する為の膜形成材料であって、 Ｎｉ源が下記の一般式［Ｉ］の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である膜形成材料。例文帳に追加

The film formation material is used to form a silicide film by using Ni and Si, and an Ni source is one or more than two compounds selected from a group represented by a general formula [I]. - 特許庁

回転角検出装置１において、軸受機能を担う軸受部材（ハウジング１３）や軸部材３に関し、両方の素材を樹脂とする場合の不具合、および一方の素材を金属とする場合の不具合を同時に低減する。例文帳に追加

To simultaneously reduce faults when using resin as both materials and faults when using metal as one material, regarding a shaft member 3 and a bearing member (a housing 13) which bears bearing function in a rotation angle detector 1. - 特許庁

下地基板（Ｓｉ基板）上に半導体結晶Ａよりも融点又は耐熱性が高い例えばＳｉＣやＡｌＮ等より成る反応防止層を成膜すれば、結晶Ａを長時間高温で結晶成長させる場合においても、シリコン界面付近に高温反応部が形成されない。例文帳に追加

By filming the reaction-proofing layer composed of SiC or AlN, for example, having a fusing point or thermal resistance higher than that of the semiconductor crystal A on the base wafer (Si wafer), even if the crystal A is grown at a high temperature for a long time, the high temperature reaction part is not formed near a silicon interface. - 特許庁

添付資料が閲覧できない場合、下記リンクから閲覧ソフトを入手する必要がございます。メールで書く場合 例文帳に追加

If you cannot view the attached file, please use a viewing software downloadable from the below link.  - Weblio Email例文集

添付資料が閲覧できない場合、下記リンクから閲覧ソフトを入手する必要がございます。メールで書く場合 例文帳に追加

If you cannot view the attached files, please use a viewing software downloadable from the below link.  - Weblio Email例文集

3340の場合,1シリンダーにつき12トラックではなく,11トラックを基準にして算出する例文帳に追加

Assuming a 3340, calculate based on 11 tracks per cylinder rather than 12  - コンピューター用語辞典

認めるときは、原子力災害を拡大させる結果となるおそれがない場合に限り例文帳に追加

when he/she finds ..., unless a nuclear disaster is likely to be progressed (expanded) thereby,  - 日本法令外国語訳データベースシステム

お持ちのハードディスクが 1024シリンダを越えない場合は、 起動時の問題はありません。例文帳に追加

As long as your hard disk does not have 1024 cylinders you should not have a problem booting.  - FreeBSD

シリアルポートにプリンタを接続した場合は、 lprpsをインストールすることをお勧めします。例文帳に追加

If you have got a serial printer, a great way to do it is to install lprps.  - FreeBSD

これらの単語について詳しく知りたい場合にはKerberos のマニュアルページをご覧ください。例文帳に追加

For further explanation of these terms, please consult the Kerberos manual pages.  - FreeBSD

マルチポートのシリアルカードの場合は、RJ-12 や RJ-45 のポートを搭載しているかもし れません。例文帳に追加

If you have a multiport serial card for your PC, you may have RJ-12 or RJ-45 ports.  - FreeBSD

質問があるかサポートが必要で、NetBeans IDE の機能の最新の開発状況を知りたい場合は、例文帳に追加

If you have questions or need support,and want to keep yourself informed on the latest developments on the NetBeans IDE features,join the - NetBeans

ただし、旅行予約サービスサンプルの場合は、次の追加の手順を実行してください。例文帳に追加

In case of the Travel Reservation Service sample, however, you haveto take these additional steps:  - NetBeans

もし利用可能な場合、PHP拡張モジュールを使用するように"強く"勧められます。例文帳に追加

If available you are STRONGLY recommended to use the PHP extensions.  - PEAR

塗りつぶし領域が重なっている場合、重なっているピクセルは複数回描画される。例文帳に追加

If regions intersect, the intersecting pixels are drawn multiple times. - XFree86

この法難における裁判では、当初は信徒の知り合いなどの弁護士がついた。例文帳に追加

In a trial over this religious persecution, his lawyers were at first acquaintances of followers.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

中国で鬼（グウェイ）という場合、死霊、死者の霊魂中国の宗教（道教など）のことを指す。例文帳に追加

In China, Oni (Guei) indicates a ghost, the spirit of a dead person and Chinese religion (Taoism).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

吉田当流（新発田藩、熊本藩）、豊秀流（会津藩）、太子流（姫路藩）など。例文帳に追加

Yoshida-to school (domain of Shibata, domain of Kumamoto), Toyohide school (豊秀流) (domain of Aizu), Taishi school (domain of Himeji), etc.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

理由として、（落語の場合は）過去の資料が存在していない時代があることが挙げられる。例文帳に追加

In the case of rakugo (storytelling) the reasons for the above are there are several periods where no documentary records remain.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

兵学校時代に島田三郎と知り合い、中根塾では伊庭想太郎らと交友している。例文帳に追加

While at the officer academy he became acquainted with Saburo SHIMADA, and at Nakane's school became friends with people such as Sotaro IBA.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

明治5年（1872年）、陸軍少将になり、翌年から暫くの間熊本鎮台司令長官となる。例文帳に追加

In 1872, he became Army Major General, and from the following year, he served as General of the Kumamoto Chindai Army for some time.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

愛蔵の商業道徳は、無意味なお世辞を排し良品の廉価販売に徹したことにある。例文帳に追加

Aizo's commercial morality has consisted in the fact that he excluded meaningless compliments, and thoroughly practiced selling good products at cheaper prices.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

1995年（平成7年）12月27日1番ホームの待合室が移動しリニューアル冷暖房完備。例文帳に追加

December 27, 1995: The waiting room on Platform 1 was moved, and an air conditioner was installed at the new location.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

出願が微生物素材の試料を伴っている場合は，この事実を公告に記載する。例文帳に追加

If the application includes a deposit of a sample of biological material, this shall be stated in the advertisement.  - 特許庁

この場合は，試料分譲請求人自体は宣言することを要求されない。例文帳に追加

In those cases the person making the request shall not be required to make any declaration himself.  - 特許庁

(2) 異議申立の理由書は，適用可能な場合は，その裏付資料をも2部添付すべきものとする。例文帳に追加

2. The brief of opposition shall, if applicable, be accompanied by the corresponding supporting documents, all in duplicate. - 特許庁

出願が生物学的材料の試料の寄託を含んでいる場合は，その事実も公告に記載する。例文帳に追加

If the application comprises the deposit of a sample of biological material, that shall be stated in the advertisement.  - 特許庁

特許が生物学的材料の試料の寄託を伴っている場合は，それについての情報例文帳に追加

if the patent comprises the deposit of a sample of biological material, information to that effect,  - 特許庁

商標出願は，それらが登録された場合にのみ，[1]に基づく取消理由を構成する。例文帳に追加

Applications for trade marks constitute grounds for refusal within the meaning of subsection (1) only if they are registered.  - 特許庁

年金の滞納の場合に納付を要する割増料金の額は，600フランと定める。例文帳に追加

The amount of the additional charge due in case of delay in the payment of an annual fee shall be fixed at 600 francs. - 特許庁

半導体パターンの形成にシリル化処理を用いる場合に微細パターンを正確に形成する。例文帳に追加

To precisely form fine patterns when a silylation is used in forming semiconductor patterns. - 特許庁

また、従来のシリコンウェハにより製造する場合に比して大きな強度を得ることができる。例文帳に追加

An enhancement in strength can also be obtained as compared with cases manufacturing with conventional silicon wafer. - 特許庁

その後、基板１上にＴｉを形成し熱処理を施して、チタンシリサイド膜６７を形成する。例文帳に追加

After that, Ti is formed on the substrate 1 and heat treatment is executed to form a titanium silicide film 67. - 特許庁

半導体素子が、導電基板上の絶縁層上にシリコン本体を含むＳＯＩ ＦＥＴを有する。例文帳に追加

A semiconductor device includes SOI FETs which include silicon bodies on an insulating layer on a conductive substrate. - 特許庁