「えちぐん」に関連した英語例文の一覧と使い方(1000ページ目) - Weblio英語例文検索

小鼻を挟み込む装着具本体２と、該装着具本体２の鼻孔内部に位置する一端部２ａに設けられる被吸入源３とを備えていることを特徴とする吸入用鼻部装着具１を提供する。例文帳に追加

The inhalation nasal fitting implement 1 is characterized by providing a fitting implement main body 2 for holding the wings of the nose and a source to be inhales 3 which is arranged at one end part 2a to be positioned inside the nostril in the fitting implement main body 2. - 特許庁

回転駆動羽根近傍のスプレーガン本体壁部に二液型発泡ポリウレタン樹脂塗料の主剤注入口10、硬化剤注入口11およびエアミックス用圧縮空気注入口12を設ける。例文帳に追加

A principle agent injecting port 10 for the two packed type foamable polyurethane resin coating material, a curing agent injecting port 11 and an air mixing compressed air injecting port 12 are provided on the wall part of the spray gun main body in the vicinity of the rotary driven blade. - 特許庁

上記絞り部１３は、挿入口１４からボード７を挿入する際に、挿入口近傍における不活性ガスの一部の流れを、挿入口近傍をカーテン状に覆うように変えるものである。例文帳に追加

The restriction part 13 changes a part of flow of an inert gas in the area near the insertion port to cover an area near the insertion port in a curtain forms when the board 7 is inserted from the insertion port 14. - 特許庁

このように構成された高周波スイッチ回路において、入力端子１から出力端子２に向かう高周波信号は、スイッチング素子４ａ〜４ｎ，５ａ〜５ｎがオフ制御される場合に遮断され、スイッチング素子４ａ〜４ｎ，５ａ〜５ｎがオン制御される場合に伝送される。例文帳に追加

In the high frequency switch circuit configured in such a manner, high frequency signals from the input terminal 1 to the output terminal 2 are interrupted when the switching elements 4a-4n and 5a-5n are controlled to be off and are transmitted when the switching elements 4a-4n and 5a-5n are controlled to be on. - 特許庁

ＭＰＥＧ音声再生部（１５）で再生された音声信号のレベルが、予め設定された制限レベルを超えた状態で、ＭＰＥＧ音声再生部（１５）で再生された音声信号のうち、制限レベルを超えた部分に対して、例えばクリッピングやミューティング等のレベル制限を施している。例文帳に追加

In a state that the level of a voice signal reproduced at an MPEG voice reproducing section (15) exceeds a preset limit level, the part of the voice signal reproduced at the MPEG voice reproducing section (15) and exceeding the limit level is subjected to level limitation, e.g. clipping or muting. - 特許庁

ラック３の近傍で、薄肉鋼管の露出外表面から、ＳＨ波探触子５より、ラック隠蔽部位にＳＨ波を伝播させ、この部位から反射して来るＳＨ波を、そのＳＨ波探触子５により受信し、反射信号に基づいて腐食を検査する。例文帳に追加

An SH wave is propagated to a rack concealed portion from the exposed outer surface of the thin-walled steel pipe in the vicinity of the rack 3 by an SH wave probe 5, the SH wave reflected from the portion is received by the probe 5, and the corrosion is inspected based on a reflection signal. - 特許庁

サービングＧＰＲＳ支援ノード（一般パケット無線サービス）において実行される認証方法であって、サービングＧＰＲＳ支援ノードとＨＬＲ／ＡｕＣ（ホームロケーションレジスタ／認証センタ）が互いに遠く離れて位置する場合、認証ベクトルを待機するに際し、長期遅延を防止する。例文帳に追加

To prevent long-term delay when standing by for an authentication vector in the case that a serving GPRS (General Packet Radio Service) support node and an HLR/AuC (Home Location Register / Authentication Center) are positioned away from each other in an authentication method executed in the serving GPRS support node. - 特許庁

クリーニング前帯電手段４とを備えた画像形成装置において、像担持体１のうち記録材５の通過相当部５’に対してクリーニング前帯電手段４のオンオフを切り換え可能に選択する選択手段６を備える。例文帳に追加

This image forming device equipped with a pre-cleaning electrification means 4 is equipped with a selection means 6 for selecting so as to be able to switch the on/off of the means 4 with respect to the passing equivalent part 5' of a recording material 5 on an image carrier 1. - 特許庁

過酸化水素水とアルカリ性水溶液を混合し、かつ、その混合液のｐＨが９．５以上１１．５以下であるエッチング溶液が持つＧａＡｓとＩｎＧａＡｓの選択エッチング特性を利用することにより、ＩｎＧａＡｓ層を庇としＧａＡｓ層が掘り込まれた形状のアンダーカット構造を形成することができる。例文帳に追加

By utilizing the selection etching characteristics of the GaAs and InGaAs of etching solution where hydrogen peroxide water is mixed with alkaline solution, and at the same time the pH of the mixed liquid is equal to 9.5 or more and 11.5 or less, an InGaAs layer is set to an overhang, and the undercut structure is formed in a shape where a GaAs layer is engraved. - 特許庁

ＧａＡｓ基板の表面に絶縁膜とフォトレジストとを順に形成し（工程Ｓ１０，工程Ｓ１２）、ＧａＡｓ基板の裏面に導電体膜を形成した（工程Ｓ１４）後、フォトレジストと絶縁膜をドライエッチングする（工程Ｓ１６）。例文帳に追加

An insulating film and a photoresist are formed sequentially on the surface of a GaAs substrate (step 10, step 12), a conductor film is formed on the backside of the GaAs substrate (step 14), and then the photoresist and the insulating film are dry etched (step S16). - 特許庁

そのトレンチ分離酸化膜３上にフローティングゲート電極１０ａ〜１０ｄおよびコントロールゲート電極１２ａ〜１２ｄが形成されている。例文帳に追加

Floating gate electrodes 10a-10d and control gate electrodes 12a-12d are formed on the trench isolation oxide film 3. - 特許庁

本発明の監視カメラ装置は、リングバッファを用いて、撮影した監視対象の画像のうち、所定時間分の最新のものを蓄積している（Ｓ５０３）。例文帳に追加

The supervisory camera system uses a ring buffer to store newest images for a prescribed time among photographed images of the supervisory object (S503). - 特許庁

スピニング装置Ｍ（成形装置）のチャック３２（把持手段）で楕円状断面のコンバータ本体１１（管）を把持する。例文帳に追加

A converter main body 11 (tube) of oval cross section is held with a chuck 32 (holding means) of a spinning apparatus M (forming apparatus). - 特許庁

検査用エッチングレジストパターン３１は、１対の検査用レジストパターン３１ａ，３１ｂからなる。例文帳に追加

The inspecting etching resist patterns 31 are each formed of a pair of inspecting resist patterns 31a and 31b. - 特許庁

この振動データの信号１３１は検出及びトリガー回路１４に与えられ、所望のタイミングでトリガー信号１４１を出力する。例文帳に追加

A signal 131 of the vibration data is given to a detection trigger circuit 14, which outputs a trigger signal 141 at the desired timing. - 特許庁

基板（１０）と、前記基板上に形成された絶縁膜（１１）と、前記絶縁膜上に形成された電極（１２）とを具備する半導体装置である。例文帳に追加

The semiconductor device is equipped with a board 10, an insulating film 11 formed on the board 10, and an electrode 12 formed on the insulating film 11. - 特許庁

第１ＤＡ変換回路１３は、第１ＡＤ変換回路１２から出力されたデジタル値をアナログ信号に変換する。例文帳に追加

A first DA conversion circuit 13 converts a digital value outputted from the circuit 12 into an analog signal. - 特許庁

スルーホール１０５にタングステン膜１０９を充填した後、層間絶縁膜１０４の上に上層の金属配線１１２を形成する。例文帳に追加

After the through-hole 105 is filled with a tungsten film 109, an upper metal wiring 112 is formed on the interlayer insulating film 104. - 特許庁

利用現場から持ち出される物品に備えられた無線電子タグ内の情報を取得して前記物品を管理する持ち出し管理システム（１）である。例文帳に追加

The article management system (1) acquires information in a radio electronic tag provided in an article to be carried out from a place and manages the article. - 特許庁

半導体基板１１上には層間絶縁膜１２が形成され、層間絶縁膜１２内にはコンタクトプラグ１３が埋め込まれている。例文帳に追加

An interlayer insulating film 12 is formed on a semiconductor substrate 11, and a contact plug 13 is embedded in the interlayer insulating film 12. - 特許庁