「けっしょうばんしんせい」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

本発明は、血小板の数（血小板減少症）または機能（血小板無力症）の遺伝性または獲得性欠陥のような、自身の血小板に欠損を有する患者の治療に有用な血小板代替物（合成または人工血小板とも呼ばれる）に関する。例文帳に追加

The present invention relates to platelet substitutes (also called synthetic or artificial platelets) that are useful for treating patients with deficiencies in their own platelets, such as hereditary or acquired defects of platelet numbers (thrombocytopenia) or function (thrombasthenia). - 特許庁

大面積の人工真皮は少量の皮膚生検と最低量の血小板入り血漿とから得られる。例文帳に追加

Large areas of artificial dermis are obtained from a small skin biopsy and minimal quantities of the plasma with platelets. - 特許庁

血小板凝集抑制剤又は動脈硬化進展抑制剤例文帳に追加

PLATELET COAGULATION INHIBITOR AND ARTERIOSCLEROSIS- EVOLVING INHIBITOR - 特許庁

血小板産生促進物質を有効成分とする肝炎治療剤。例文帳に追加

The therapeutic agent for hepatitis comprises a platelet production-promoting substance as an active ingredient. - 特許庁

血小板由来成長因子もしくは血小板由来成長因子様作用物質の存在下でＨＧＦ産生促進を増強することが好ましい。例文帳に追加

It is preferable that HGF production promotion is reinforced in the presence of a platelet-derived growth factor or a platelet-derived growth factor-like active substance. - 特許庁

リモナバントの新規な結晶多形の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for producing a new crystal polymorph of rimonabant. - 特許庁

血小板由来白血球貪食能亢進因子の活性化因子例文帳に追加

ACTIVATING FACTOR FOR PLATELET-DERIVED LEUKOCYTE PHAGOCYSTOSIS STHENIC FACTOR - 特許庁

血小板凝集能抑制作用を有する新規な化合物を得ること。例文帳に追加

To provide a new compound having inhibitory actions on the platelet aggregation ability. - 特許庁

基板上の隣接する晶子間にギャップを形成する結晶粒界を有する、多結晶メモリ層を備える、多結晶メモリ材料を用いたデバイスの信頼性および歩留りを改善する多結晶メモリ構造を記載する。例文帳に追加

A polycrystalline memory structure is described for improving reliability and yield of devices employing polycrystalline memory materials comprising a polycrystalline memory layer, which has crystal grain boundaries forming gaps between adjacent crystallites overlying a substrate. - 特許庁

そして、この血液成分採取装置１には、遠心分離器２０を迂回し、血漿採取バッグ２５と中間バッグ２７ａとを接続する血漿供給ラインと、前記血漿供給ラインを経由して、血漿採取バッグ２５内の血漿を中間バッグ２７ａに供給することにより、血小板採取バッグ２６に採取される血小板製剤の量を調整する量調整手段とが設けられている。例文帳に追加

The blood component sampler 1 is further provided with a plasma supply line bypassing the centrifuge 20 and connecting the plasma sampling bag 25 to the intermediate bag 27a, and a quantity regulating means regulating the quantity of a thrombocyte preparation to be sampled in the thrombocyte sampling bag 26 by supplying the plasma in the plasma sampling bag 25 to the intermediate bag 27a via the plasma supply line. - 特許庁

自己由来の多血小板血漿組成物を用い、哺乳動物での組織の血管新生を促進するための方法及びキットを提供する。例文帳に追加

To provide a method and a kit for promoting neovasculature in mammal tissue using a composition of autologous plethoric platelet plasma. - 特許庁

ＭｇＯ単結晶基板上にＴｉを真空蒸着し、この後基板を加熱することによりＭｇＯ基板上に岩塩型の結晶構造を持ち金属的な導電性を有するＴｉＯを単結晶薄膜として製造する。例文帳に追加

Ti is subjected to vacuum deposition on a MgO single crystal substrate and then the substrate is heated to produce TiO having a rock salt type crystal structure on MgO substrate and having metallic electric conductivity as a single crystal thin film. - 特許庁

ヘッドＨはＳｉ単結晶基板とＳｉ単結晶層とでストッパ層を挟持してなる基板を用いて製造され、Ｓｉ単結晶基板がインク室基板２００と、Ｓｉ単結晶層およびストッパ層が振動板３００とされている。例文帳に追加

The head H is manufactured by using a substrate which is formed by pinching a stopper layer by an Si monocrystal substrate and an Si monocrystal layer, and the Si monocrystal substrate forms the ink chamber substrate 200 while the Si monocrystal layer and the stopper layer form the diaphragm 300. - 特許庁

ヘッドＨはＳｉ単結晶基板とＳｉ単結晶層とでストッパ層を挟持してなる基板を用いて製造され、Ｓｉ単結晶基板がインク室基板２００と、Ｓｉ単結晶層およびストッパ層が振動板３００とされている。例文帳に追加

A head H is produced using a substrate where a stopper layer is held between an Si single crystal substrate and an Si single crystal layer, wherein the Si single crystal substrate serves as the ink chamber substrate 200 and the Si single crystal layer serves as the diaphragm 300 in conjunction with the stopper layer. - 特許庁

結晶性炭素の生成時に基板１上に生成された非結晶性炭素をプラズマ化した酸素によりアッシングし、非結晶性炭素を選択的に除去する。例文帳に追加

Non-crystalline carbon, formed on the substrate 1 during crystalline carbon is formed, is made ashing by plasma gasified oxygen and removed selectively. - 特許庁

光ファイバはシングルモード型とし、複屈折結晶に互いに平行な２つの面を形成し、更に光ファイバの光入出射端面を複屈折結晶の一方の面に対向させ、λ／４波長板の結晶軸と、複屈折結晶の光学面での結晶軸とのなす角度を45度に設定する。例文帳に追加

The optical fiber is a single mode type, having two faces being in parallel with each other formed in the birefringence crystal, a light incident/emitting end face opposed to one face of the birefringence crystal and a 45 angle made by a crystallographic axis of the λ/4 wavelength plate and a crystallographic axis in an optical surface of the birefringence crystal. - 特許庁

そのための成長方法として、基板表面をアルシン雰囲気での熱処理することによるバッファ層、あるいは、通常単結晶が成長しない程度の低温での多結晶体バッファ層を形成することにより、多結晶体基板上に良質な単結晶膜を形成することができる。例文帳に追加

A single crystal film having good quality can be formed on a polycrystalline substrate by an epitaxial growth method where a buffer layer is formed by heat-treating the surface of the substrate in arsin atmosphere or a polycrystalline buffer layer is formed at a temperature low enough not to start epitaxial growth of a single crystal. - 特許庁

六方晶系の結晶構造を有する単結晶基板の一主面上に、窒化物半導体層を結晶成長させる工程と、前記単結晶基板をエッチングにより浸蝕させて除去する工程とを経ることを特徴とする半導体基板の製造方法とする。例文帳に追加

A method of manufacturing a semiconductor substrate is characterized by comprising the steps of: crystal growing a nitride semiconductor layer on one major face of the single crystal substrate having a crystal structure of a hexagonal system; and eroding and removing the single crystal substrate by etching. - 特許庁

大面積の人工真皮1は少量の皮膚生検5と最低量の血小板入り血漿2とから得られる。例文帳に追加

A large area of artificial dermis 1 is obtained from a small amount of skin biopsy 5 and a minimum amount of plasma 2 with platelets. - 特許庁

血液内、特に患者自身の血液内に含有される多血小板血漿および血清を有効に利用することを可能とする。例文帳に追加

To effectively utilize a PRP (platelet-rich plasma) and blood serum contained in blood, especially the blood of a patient oneself. - 特許庁

血小板入りの前記血漿は軽度の遠心法により患者の全血を分別することにより得られ、ヒトの線維芽細胞は皮膚生検から得られる。例文帳に追加

The plasma with platelets is obtained from the fractionating of total blood from the patient by light centrifugation, and the human fibroblasts from a skin biopsy. - 特許庁

ガラス基板１０１上の第１の非晶質ケイ素膜１０３の結晶化をニッケル１０４で促進させて、結晶性ケイ素膜１０３ａを得る。例文帳に追加

A crystallization of a first amorphous silicon film 103 on a glass substrate 101 is promoted with nickel 104, to obtain a crystalline silicon film 103a. - 特許庁

本発明の移植材料は、さらに、スキャホールド、両親媒性ペプチド、多血小板血漿（ＰＲＰ）等を含むことが好ましい。例文帳に追加

Further, it is preferable that the grafting material contains a scaffold, amphiphilic peptide and platelet-rich plasma (PRP), etc. - 特許庁

アクティブマトリクス基板３上の画素電極９の領域A1に結晶核の配向性を高める効果のある結晶成長促進層31を形成し、画素電極９以外の領域A2に結晶核の配向性を阻害する効果のある結晶成長抑制層32を形成する。例文帳に追加

A crystal growth acceleration layer 31, which is effective for enhancing orientation of crystal nucleus, is formed in the region A1 of a pixel electrode 9 on an active matrix substrate 3, and a crystal growth suppression layer 32, which is effective for impeding orientation of crystal nucleus, is formed in the region A2 other than the pixel electrode 9. - 特許庁

ＡｌＮ結晶の製造方法、ＡｌＮ基板の製造方法および圧電振動子の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING AlN CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING AlN SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING PIEZOELECTRIC VIBRATOR - 特許庁

ポリシングスラリー、ＩＩＩ族窒化物結晶の表面処理方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピタキシャル層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、半導体デバイスおよびその製造方法例文帳に追加

POLISHING SLURRY, SURFACE TREATMENT METHOD OF GROUP III NITRIDE CRYSTAL, GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE WITH EPITAXIAL LAYER, SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS FABRICATION PROCESS - 特許庁

結晶多形が３Ｃ、４Ｈ、又は６Ｈの何れかよりなる単結晶ＳｉＣ基板５を高真空環境において加熱して、当該単結晶ＳｉＣ基板の表面に炭化層５ａを形成させる。例文帳に追加

A single crystal SiC substrate 5 the crystal polymorphism of which consists of any one of 3C, 4H or 6H is heated under a high-vacuum environment to form a carbonized layer 5a on the top surface of the single crystal SiC substrate. - 特許庁

ＳｉＮバッファ体を離散的に形成することで、低温バッファ層の基板に依存した結晶成長を阻害し、ＧａＮバッファ層１６成長時の種結晶となる単結晶化を促進する。例文帳に追加

By discretely forming the SiN buffer body, crystal growth of a low-temperature buffer layer depending on board is prevented, promoting single crystallization of a seed crystal at growing of the GaN buffer layer 16. - 特許庁

ＳｉＮバッファ体１２を離散的に形成することで、低温バッファ層１４の基板に依存した結晶成長を阻害し、ＧａＮバッファ層１６成長時の種結晶となる単結晶化を促進する。例文帳に追加

By discretely forming the buffer bodies 12, the single a crystal which becomes a seed crystal at the time of growing the high-temperature semiconductor layer 16 is promoted by inhibiting the crystal growth of the lowtemperature buffer layer 14 which relies upon the substrate 10. - 特許庁

血液成分採取装置は、採血、及び採血した血液の遠心分離を行い、得られた血漿及び血小板を血漿採取バッグ及び血小板採取バッグに蓄えた後に、血液ポンプを逆転させて、血漿採取バッグから余剰血漿を遠心ボウルを介してドナーに返還する（ステップＳ１０１）。例文帳に追加

This blood component collecting apparatus collects blood, centrifugally separates the collected blood, stores the obtained plasma and platelets in a plasma collection bag and a platelet collection bag, then reverses a blood pump and retransfuses the surplus platelets from the platelet collection bag to the donor via a centrifugal bowl (step S101). - 特許庁

また血漿試料中のセロトニン濃度と、全血試料、血清試料または血小板試料中のセロトニン濃度とを測定し、血漿試料中のセロトニン濃度と、全血試料、血清試料、または血小板試料中のセロトニン濃度との比を求めることにより、冠動脈攣縮型狭心症を識別する。例文帳に追加

The serotonin concentration in the plasma samples and that in the whole blood, serum, or platelet samples are measured for obtaining the ratio of the serotonin concentration in the plasma samples to that in the whole blood, serum, or platelet samples, thus identifying the coronary spasm type angina. - 特許庁

信号読出し基板２の前面２ａには、結晶性を有する光導電層１７が形成されている。例文帳に追加

On a front surface 2a of the signal readout substrate 2, formed is a photoconductive layer 17 having crystallinity. - 特許庁

遠心分析器を用いて血小板機能の信頼性の高い単純で迅速な決定を可能にする。例文帳に追加

To enable reliable, simple and quick determination of a platelet function using a centrifugal analyzer. - 特許庁

さらには、単結晶の方位が＜００１＞軸に成長させた単結晶から成長軸に直角に切断、研磨した（００１）面をシンチレータ板結晶とするものである。例文帳に追加

Further, a single crystal which is grown in the direction of the <001> axis is cut off perpendicular to the direction of growing of the crystal and the (001) plane of the cut-off crystal is polished, so that the polished single crystal is used as a scintillator plate crystal. - 特許庁

真空に保持できる結晶成長室２と、この結晶成長室２内に結晶材料用の原料を供給する原料供給部３と、結晶成長室２内に設けられ、下地用半導体基板Ｗを支持する支持部４とを備える。例文帳に追加

The crystal growing apparatus is provided with a crystal growth chamber 2 which can be kept to a vacuum state, material supplying sections 3 for supplying a crystal material into the crystal growth chamber 2, and a supporting section 4 which is installed inside the crystal growth chamber 2 to support the semiconductor substrate W for a basic material. - 特許庁

蓋体の種結晶支持部の表面に接着剤を介して第１の炭化珪素基板を接着し、この第１の炭化珪素基板上に接着剤を介して、種結晶として第２の炭化珪素基板を接着し、炭化珪素単結晶を成長させることにより、種結晶の裏面昇華を防ぎ、成長結晶中に伸長するマクロ欠陥を抑制することができる。例文帳に追加

It is possible to prevent the rear face sublimation of the seed crystal and the suppressing of the generation of macro defects that elongate in the growing crystal, by adhering a first silicon carbide substrate on the surface of the seed crystal supporting part of a covering body via an adhesive, adhering a second silicon carbide substrate as the seed crystal on the first silicon carbide substrate via an adhesive, and growing silicon carbide single crystal. - 特許庁

血小板凝集を阻害し、活性状態の血小板インテグリンレセプターGPIIb/IIIaへの親和性が、非活性コンフォメーションの血小板インテグリンレセプターGPIIb/IIIaへの親和性よりも高いことを特徴とする、ヒト起源の単鎖抗体断片（scFv）を含む抗体。例文帳に追加

The antibody including an scFv (single chain antibody fragment) of human origin inhibits thrombocyte aggregation, and has higher affinity to the activated state of thrombocyte integrin receptor GPIIb/IIIa than to the inactive conformation of the thrombocyte integrin receptor GPIIb/IIIa. - 特許庁

インク流路１１８は単結晶Ｓｉ基板１１１を用いて形成され、振動板１１２と対向した駆動電極１０３は、前記インク流路１１８を形成した単結晶Ｓｉ基板１１１に酸化膜１０２を介して接合された他の単結晶シリコン１０１を基板として形成されている。例文帳に追加

The ink channel 118 is formed using a single crystal Si substrate 111 and the drive electrode 103 facing the diaphragm 112 is formed of another single crystal Si substrate 101 bonded to the single crystal Si substrate 111 through an oxide film 102. - 特許庁

法政大のエース，二(ふた)神(がみ)一(かず)人(ひと)投手は，決勝では６回にリリーフ登板した。例文帳に追加

Hosei's pitching ace, Futagami Kazuhito, came on in relief in the sixth inning of the finals.  - 浜島書店 Catch a Wave

連続発振型レーザーにより基板上に形成された半導体膜を結晶化する。例文帳に追加

A semiconductor film formed on the substrate is crystallized by a continuous oscillation type laser. - 特許庁

これにより、半導体基板２の結晶構造が改質され、ゲッタリングシンク４が形成される。例文帳に追加

Thus, a crystal structure of the semiconductor substrate 2 is modified and the gettering sink 4 is formed. - 特許庁

これにより、半導体基板の結晶構造が改質され、ゲッタリングシンクが形成される。例文帳に追加

Thus, the crystal structure of the semiconductor substrate is modified and the gettering sink is formed. - 特許庁

ゴム基板上での高パフォーマンスエレクトロニクスのための伸縮性単結晶シリコン例文帳に追加

SHRINKABLE SINGLE CRYSTAL SILICON FOR HIGH PERFORMANCE ELECTRONICS ON RUBBER SUBSTRATE - 特許庁

シンチレータ層15は、ガラス基板12の表面から柱状に成長された柱状結晶16を有する。例文帳に追加

The scintillator layer 15 includes columnar crystals 16 growing from the surface of the glass substrate 12 in the columnar shape. - 特許庁

また、制御装置１３は、遠心分離器２０から流出する血小板の濃度モニタリングを開始する。例文帳に追加

A controller 13 starts concentration monitoring of thrombocyte flowing out from a centrifuge 20. - 特許庁