「どーぱきのん」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

ｐ型ドーパントの拡散を防止可能な半導体光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor optical element capable of preventing diffusion of a p-type dopant. - 特許庁

ドーパント不純物濃度の測定方法及びウェーハ環境評価方法例文帳に追加

MEASURING METHOD OF DOPANT IMPURITY CONCENTRATION AND EVALUATING METHOD OF WAFER ATMOSPHERE - 特許庁

第１のｐ型埋込層１５のｐ型ドーパント濃度Ｎ_Ｐ１は第２のｐ型埋込層１９のｐ型ドーパントの濃度Ｎ_Ｐ２より低い。例文帳に追加

The p-type dopant concentration N_P1 of the first p-type embedded layer 15 is lower than the p-type dopant concentration N_P2 of the second p-type embedded layer 19. - 特許庁

ドーパントによって光導波路の屈折率差を実現できる。例文帳に追加

Thus, an optical waveguide structure is realized and the refractive index difference of an optical waveguide is realized by the dopant. - 特許庁

ドーパント層は、シリコン基板の第１表面側に設けられる。例文帳に追加

The dopant layer is provided on the first surface side of the silicon substrate. - 特許庁

記録された反応に基づいて閾値電圧及びドーパント濃度を判定する。例文帳に追加

The threshold voltage and the dopant concentration are determined based on the recorded reaction. - 特許庁

ドーパントでドーピングされた導電性共役系高分子を用いることが好ましい。例文帳に追加

It is preferable to use conductive conjugated system polymer doped with a dopant. - 特許庁

(c)中の、π共役系導電性高分子とドーパントの質量比は１：１〜１：５である。例文帳に追加

A mass ratio of the π conjugated conductive polymer and the dopant in (c) is 1:1 to 1:5. - 特許庁

本発明の導電性高分子は、分岐ポリマー、なかでもハイパーブランチポリマーをドーパントとしている。例文帳に追加

The conductive polymer has a branched polymer, especially hyperbranched polymer as a dopant. - 特許庁

有機ＥＬ素子は、二以上のドーパント含有層１と、一以上のドーパント非含有層２とを含む有機層３を備える。例文帳に追加

An organic EL element has an organic layer 3 containing two or more dopant-containing layers 1 and one or more dopant non-containing layers 2. - 特許庁

他方のドーパントは電荷輸送材料であり、これは、リン光発光ドーパントによっては輸送されない電子および正孔のどちらかを輸送できる。例文帳に追加

The other dopant is a charge carrying material that can transport either the electrons or holes that is not transported by the phosphorescent dopant. - 特許庁

なぜなら、より高濃度のドーパントが、真性領域の外側の外因性ベース・ドーパントにより補償されるか、そこに埋め込まれるからである。例文帳に追加

The reason is that the higher concentration dopant is compensated by an exogenous dopant outside the intrinsic region or is buried therein. - 特許庁

ソマトスタチン及びドーパミンの両方の in vivo 活性を保有する、一連のソマトスタチンードーパミンキメラ類似体。例文帳に追加

The series of the somatostatin-dopamine chimera analog holds both of the in vitro activity of the somatostatin and dopamine. - 特許庁

基板上に固体の表面を形成する工程と、ドーパント溶液を保持した中空部材を介してドーパント溶液を固体の表面に隣接させる工程と、基板を一方の電極として前記ドーパント溶液に電圧を印加して、固体にドーパントをパターン状にドーピングする工程とを含むドーピング方法を提供する。例文帳に追加

The doping method comprises: a stage where a solid surface is formed on a substrate; a stage where a dopant solution is made adjacent to the solid surface via a hollow member holding the dopant solution; and a stage where, with the substrate as either electrode, voltage is applied to the dopant solution, and the dopant is doped to the solid into a pattern shape. - 特許庁

導電性高分子用ドーパント溶液、導電性高分子用酸化剤兼ドーパント、導電性組成物、固体電解コンデンサおよびその製造方法例文帳に追加

DOPANT SOLUTION FOR ELECTROCONDUCTIVE POLYMER, OXIDIZING AGENT-CUM-DOPANT FOR ELECTROCONDUCTIVE POLYMER, ELECTROCONDUCTIVE COMPOSITION, SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

フッ素ドープ石英母材用ドーパント源、供給用配管及び内面処理方法、並びにフッ素ドープ石英母材の製造方法例文帳に追加

DOPANT SOURCE FOR FLUORINE-DOPED QUARTZ PREFORM, FEED PIPE AND INNER SURFACE TREATING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING FLUORINE-DOPED QUARTZ PREFORM - 特許庁

タンパク質キナーゼのインヒビターとして有用なアザインドール例文帳に追加

AZAINDOLE USEFUL AS INHIBITOR OF PROTEIN KINASE - 特許庁

第２のｎ型半導体層１９には、ｎ型ドーパントが添加されている。例文帳に追加

An n-type dopant is added to the second n-type semiconductor layer 19. - 特許庁

半導体基板内に少なくとも１つのドーパントを投入する。例文帳に追加

At least one dopant is thrown into a semiconductor substrate. - 特許庁

供給管２２は、収容室２１内のドーパント２３が昇華された場合に昇華されたドーパント２３を融液５に導く。例文帳に追加

The supplying pipe 22 introduces the sublimed dopant 23 into a molten liquid 5 when the dopant 23 in the housing chamber 21 is sublimed. - 特許庁

有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びそのドーパント層の形成方法例文帳に追加

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY PANEL, AND FORMING METHOD OF DOPANT LAYER OF THE SAME - 特許庁

また、前記第２のドーパントを、原子個数で前記第１のドーパントと同量以上、かつ、前記ＺｎＴｅ系化合物結晶中の濃度が５％以下となるようにドーピングするようにした。例文帳に追加

The crystal is doped so that the second dopant is the same amount in atomic number as for the first dopant and that the concentration thereof in the ZnTe-based compound crystal is not more than 5%. - 特許庁

本発明のある態様は、半導体基板へのドーパント成分の印刷に用いられる拡散剤組成物であって、ケイ素化合物（Ａ）と、ドーパント成分（Ｂ）と、非ドーパント金属成分（Ｃ）とを含む。例文帳に追加

A diffusion agent composition which is used for printing a dopant component onto a semiconductor substrate contains a silicon nitride (A), a dopant component (B), and a non-dopant metal component (C). - 特許庁

少なくとも１層のｐ型ドーパントをドープしたＩＩＩ族窒化物半導体層を有する半導体素子の製造方法において、前記ｐ型ドーパントをドープしたＩＩＩ族窒化物半導体層を６００℃以上の温度でアニールした後、急冷して、前記ｐ型ドーパントを活性化させる。例文帳に追加

In a method for manufacturing the semiconductor element, which comprises at least one group III nitride-based compound semiconductor layer where the p-type dopant is doped, the group III nitride-based compound semiconductor layer, where the p-type dopant is doped, is annealed at a temperature of 600°C or higher and then quenched, and thus the p-type dopant is activated. - 特許庁

Ｐウェル４の表面にはキャパシタドープ層１が形成されている。例文帳に追加

A capacitor doped layer 1 is formed on the surface of the P well 4. - 特許庁

上記焼成前生シートの表面に、屈折率を変化させるためのドーパントを含むドーパント部を形成する。例文帳に追加

A dopant part which includes dopant for varying the refractive index is formed on the surface of the pre- sintered raw sheet. - 特許庁

ｐ導電型の層は、少なくとも第一のドーパント元素、および第二のドーパント元素を含み、第一および第二ドーパント元素の濃度分布が互いに異なり、かつ基板に垂直な方向に対して変化している。例文帳に追加

The p-conductivity type layer contains, at least, a first dopant element and a second dopant element which are set different from each other in concentration and vary in concentration in the direction of thickness of the substrate. - 特許庁

２次元的なドーパント分布の分析のための選択的電気化学エッチング方法例文帳に追加

SELECTIVE ELECTROCHEMICAL ETCHING METHOD FOR ANALYSIS OF 2-DIMENSIONAL DOPANT DISTRIBUTION - 特許庁

前記非キャリア性ドーパントは、炭素、ゲルマニウム、錫、鉛又はこれらのグループから選択されたドーパントである。例文帳に追加

The non-carrier characteristic dopant is a dopant selected from carbon, germanium, tin, lead or a group of them. - 特許庁

ドーパ受容体タンパク質及びそれをコードする核酸、ドーパ受容体の作動薬及び拮抗薬、それらの同定方法、及びそれらを利用する医薬組成物、ならびにドーパ受容体に対する抗体を提供する。例文帳に追加

To provide a DOPA receptor protein, a nucleic acid encoding the protein, an agonist and an antagonist of the DOPA receptor, an identification method of the agonist and the antagonist, a drug composition using the agonist and the antagonist, and an antibody to the DOPA receptor. - 特許庁

更に、導電体層（２１２，２２０）はドーパントも含み、導電体層（２１２，２２０）が所定の温度でアニールされてドーパントが酸素に晒されるとき、ドーパントが導電体層（２１２，２２０）の上側の表面に実質的に拡散し、ドーパント酸化物層（２１２ａ，２２０ａ）が形成される。例文帳に追加

The dopant is diffused practically on upper side surfaces of the conductor layers (212, 220), when the conductor layers (212, 220) are annealed at the prescribed temperature and the dopant is exposed to oxygen, and dopant oxide layers (212a, 220a) are formed. - 特許庁

π共役系導電性高分子とドーパントの質量比は１：１〜１：５である。例文帳に追加

A mass ratio of the π conjugated conductive polymer and the dopant is 1:1 to 1:5. - 特許庁

ｐ型ドーパントをドープしたｐ型半導体層から、バッファ層としての第１ドーパント層を介して活性層などの所定の機能を有する機能半導体層へのｐ型ドーパントの拡散量が抑制できるように制御し、安定した機能を実現する機能半導体層を形成すること。例文帳に追加

To form a functional semiconductor layer which performs a stable functionality by controlling so as to suppress the diffusion amount of a p-type dopant to the functional semiconductor layer having predetermined functionalities, such as an activity layer, through a first dopant layer as a buffer layer from a p-type semiconductor layer doped with the p-type dopant. - 特許庁

ドーピング層はＦ_４ＴＣＮＱをドーピングすることが好ましく、ドーピング量は２０ａｔｏｍ％以下（ただし０は除く）であることが好ましい。例文帳に追加

It is also preferable that the doping layer is doped with F_4TCNQ at a rate of ≤20 atom% (except 0). - 特許庁

ドーピング材料は不活性のドーパント前駆体であり、ドーパントのダイマー、オリゴマー、ポリマー、ジスピロ化合物、又は、多環式化合物から選択され、ドーピング材料は、活性化するためのエネルギーの付加により分解される。例文帳に追加

The doping material is an inactive dopant precursor, selected from among compounds of dimer, oligomer, polymer, dispiro of dopant, or polycyclic compounds, and decomposed by the addition of energy for activation. - 特許庁

ガード層はフィールドエッジに沿ったドーパントの導入を阻止し、そのため実質的にドーパントがない遷移ストリップ(42,70,130)が形成される。例文帳に追加

The guard layers obstruct introduction of the dopant along the field edge, thus forming transition strips (42, 70, and 130) without dopant substantially. - 特許庁

選択的ドーパミンＤ３受容体アゴニストを含む医薬組成物であって、該ドーパミンＤ３受容体アゴニストは、同じ機能分析で測定した場合、ドーパミンＤ２受容体と比較して、ドーパミンＤ３受容体に対して少なくとも約１５倍より機能的に選択的である医薬組成物。例文帳に追加

The medicinal composition contains a selective dopamine D3 receptor agonist, wherein the dopamine D3 receptor agonist is at least about 15-times more functionally selective for a dopamine D3 receptor as compared with a dopamine D2 receptor when being measured by using the same functional assay. - 特許庁

ドーパントが所定領域のメサに或る角度で打込まれる。例文帳に追加

Dopants are implanted at an angle into mesas in the predetermined area. - 特許庁

本発明ではドーパントを含む液体を、ドーピングを行う半導体の表面に塗布してから、該半導体の表面にレーザー光を照射することでドーパントを該半導体に添加するレーザードーピング処理方法を提案する。例文帳に追加

In a laser doping treatment method, liquid containing a dopant is applied onto the surface of a semiconductor to be doped, then the surface of the semiconductor is irradiated with laser beams, thus adding the dopant to the semiconductor. - 特許庁

また、ドープ型酸化シリコンまたはドープ型窒化シリコンまたはその他のドープ型構造では、ドーパントが存在することを利用して、このドーパントに関連する信号（目印）をエッチング・ストップとして測定することができ、またはその他の場合にはエッチング中の制御を実現することができる。例文帳に追加

Also, in a doped silicon oxide or doped silicon nitride or any other doped structure, the presence of a dopant can be used for measuring a signal (marking) associated with the dopant as an etch stop, or in other cases, for achieving control during etching. - 特許庁

ドーパント原子ドープＧｅのラマン散乱分光測定で観測されるドーパント原子の局在振動ピークの有無及び大きさを調べることによって、そのＧｅ中のドーパント原子の存在状態（結合状態や存在位置）を知る。例文帳に追加

By examining the presence and magnitude of the localized oscillating peak of a dopant atom that is observed by Raman scattering spectrometry of a dopant atom dope Ge, the present state (combined state and present location) of a dopant atom in the Ge is determined. - 特許庁

マグネシウム雰囲気中で加熱する前または後に、ｐ型ドーパントおよびｎ型ドーパントの少なくとも一方のドーパントを、前記Ｓｉ塊の全体または一部に導入してもよい。例文帳に追加

Before or after the heating in the magnesium atmosphere, at least one of a p-type dopant and a n-type dopant can be introduced into the whole or a part of the Si masses. - 特許庁

ドーパントガス分圧制御機能を有するプラズマアドレス表示装置例文帳に追加

PLASMA ADDRESS DISPLAY DEVICE HAVING DOPANT GAS PARTIAL PRESSURE CONTROL FUNCTION - 特許庁

ウインドーパネル昇降装置２２は、スライドドア１３の窓開口部に取付けられたウインドーパネル２６と、ウインドーパネル２６をスライドさせることで開閉するパネル駆動機構２７と、を備える。例文帳に追加

A window panel lifting device 22 is provided with a window panel 26 mounted in a window opening of a slide door 13 and a panel drive mechanism 27 for opening and closing the window panel 26 by sliding it. - 特許庁

キャパシター上部電極１１２を除いた他の構成要素がドーピングの間にドープ剤の影響を受けないようにし、キャパシター上部及び下部電極１１２、１０６ａが十分なドーピングレベルを持ち、互いに殆ど同一なドーピング濃度を持つキャパシターの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a capacitor which prevents constituents except an upper electrode 112 of the capacitor from being affected by a doping agent during doping and makes the upper and lower electrodes 112 and 106a of the capacitor have a sufficient doping level and almost the same doping concentration each other. - 特許庁