「どーぱきのん」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ドーパントガス源１７のドーパントガスは注入管９から検知管内に供給される。例文帳に追加

The dopant gas of the dopant gas source 17 is supplied from an injection pipe 9 into a detection pipe. - 特許庁

前記ドーピングパターンは互いに異なるドーピング濃度を有する。例文帳に追加

The doping pattern has mutually different doping concentrations. - 特許庁

基板がエネルギーによるドーパントの打込みによってドープされる。例文帳に追加

A substrate is doped by dopant implantation using energy. - 特許庁

ドーパント原子の大きさを補償したダイヤモンド例文帳に追加

DIAMOND IN WHICH SIZE OF DOPANT ATOM IS COMPENSATED - 特許庁

前記相転移パターンは複数のドーピングパターンを備える。例文帳に追加

The phase transition pattern has a plurality of doping patterns. - 特許庁

「どーした、もじもじして」「あーいや、何かパンツのゴム切れちゃったみたいで」例文帳に追加

"What's up? Fidgeting like that" "Er, well, it looks like the elastic's gone in my pants." - Tatoeba例文

「どーした、もじもじして」「あーいや、何かパンツのゴム切れちゃったみたいで」例文帳に追加

"What's up? Fidgeting like that" "Er, well, it looks like the elastic's gone in my pants."  - Tanaka Corpus

コア２の中心部に光信号を減衰させるドーパントを添加したドーパント領域４が設けられた光信号減衰用ファイバ１において、減衰ドーパント含有領域の直径とこの減衰ドーパント含有領域を含むコア径の比を変える。例文帳に追加

To provide a fiber for light signal attenuation having an attenuation value flat over a wide wavelength range. - 特許庁

天井またはドームの装飾的なくぼんだパネル例文帳に追加

an ornamental sunken panel in a ceiling or dome  - 日本語WordNet

式I；R^1-X^1-MG^1-G-MG^2-X^2-R^2のカイラルドーパントを提供する。例文帳に追加

To provide a chiral dopant of formula I: R^1-X^1-MG^1-G-MG^2-X^2-R^2. - 特許庁

有機発光層はｎ型ドーパントの拡散を防止する。例文帳に追加

The organic light-emitting layer prevents diffusion of the n-type dopant. - 特許庁

キャパシタアノードの形成用ドープトセラミック粉末例文帳に追加

DOPED CERAMIC POWDER FOR USE IN FORMING CAPACITOR ANODES - 特許庁

上記注入接触領域３，４は、半導体基板１よりも高いドーパント濃度で第１導電型Ｐ^＋のドーパントでドープされる。例文帳に追加

The injecting contact region 3, 4 is doped with a dopant of the first conductivity P^+ type at a higher dopant concentration than the semiconductor substrate 1. - 特許庁

半導体融液へのドーパントのドーピング効率を向上させることができるドーピング方法及びドーピング装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a doping method by which efficiency of doping a dopant into a semiconductor melt can be improved, and to provide a doping device. - 特許庁

これにより、導電性高分子に対するドーパントの定着性が向上するため、そのドーパントのドーピング率が安定的に向上する。例文帳に追加

Since fixing properties of dopant to the conductive polymer is enhanced, doping ratio of that dopant can be enhanced stably. - 特許庁

パン類およびドーナツ類用の生地改良剤例文帳に追加

DOUGH CONDITIONER FOR BREAD AND DOUGHNUT - 特許庁

導電型を規定する主ドーパントと、該主ドーパントとは導電型が反対の極性を有し且つ主ドーパントの偏析係数以下の偏析係数を有する副ドーパントとが添加されてなるシリコン結晶。例文帳に追加

The silicon crystal is doped with a dopant which determines a conductivity type and an auxiliary dopant whose conductivity type has a polarity opposite to that of the main dopant and whose segregation coefficient is not more than that of the main dopant. - 特許庁

上記基板の裏面には第１ドーパント型とは極性が逆の第２ドーパント型で高濃度にドープされたエミッタ、及び第１ドーパント型で高濃度にドープされたベースを形成する。例文帳に追加

On the backside of the substrate, there are formed an emitter doped with a second dopant-type having a polarity reverse to that of the first dopant type in a high concentration and a base doped with the first dopant-type in a high concentration. - 特許庁

金属酸化物は約０．１重量パーセントないし約３０重量パーセントのドーパントを含む。例文帳に追加

The metal oxide contains a dopant about 0.1-30 wt.%. - 特許庁

シリコン溶融液にドーパント不純物を添加するドーピング方法及びドーピング装置において、ドーパント不純物を効率よくシリコン溶融液に取り込むと共に、シリコン溶融液に取り込まれたドーパント不純物の蒸発を抑制することのできるドーピング方法及びドーピング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a doping method and a doping device for adding dopant impurities to a silicon melt, in which the dopant impurities are efficiently incorporated into the silicon melt and the evaporation of the dopant impurities incorporated into the silicon melt can be suppressed. - 特許庁

キラルドーパントの配合量は液晶とキラルドーパントの合計量に対し、０.００１〜３０モル％である。例文帳に追加

The amount of the chiral dopant to be added is 0.001-30 mole% based on the sum total amount of the liquid crystal and the chiral dopant. - 特許庁

ドーパミン神経伝達の新規モジュレーターおよびそれらの用途の提供。例文帳に追加

To provide new modulators of dopamine neurotransmission and their use. - 特許庁

第1の層(51)は、10^１９atoms／ｃｍ^３又はそれより多いドーパント原子濃度までｎ型ドーパント種でドーピングされる。例文帳に追加

The first layer 51 is doped with n type dopant species up to more dopant atom concentration than 10^19 atoms/cm^3 or it. - 特許庁

半導体基板の所定領域に1×10^13／cm^2を超えるドーズ量でドーパントを注入するに当たり、ドーズ量が1×10^13／cm^2以下のドーパント注入と、該ドーパント注入に後続する熱処理とを繰り返し行う。例文帳に追加

In order to implant a dopant in a dose exceeding 1×10^13/cm^2 in the predetermined region of a semiconductor substrate, the dopant implantation of the dose below 1×10^13/cm^2 and a heat treatment which follows this dopant implantation are repeatedly performed. - 特許庁

下記一般式（II）の１，３−ジヒドロインドール−２−オン（オキシインドール）誘導体。例文帳に追加

There are provided the novel 1, 3-dihydroindol-2-one (oxindole) derivatives of formula (II) wherein the signals are especially defined. - 特許庁

そして、Ｏの材料源の供給を止め、ｎ形ドーパントであるＧａの材料源をさらに供給することによりｐ形ドーパントおよびｎ形ドーパントを前記半導体層にドーピングし、ｐ形ＺｎＯ層２ａとする（ｂ）。例文帳に追加

Then, the supply of the material source of O is stopped, and the material source of the n-type dopant Ga is supplied additionally, thus doping the p- and n-type dopant in the semiconductor layer as a p-type ZnO layer 2a (b). - 特許庁

更に、前記ドーパントの含有量は、該ドーパントと亜鉛とを合わせた全含有量に対して０．３ａｔｍ％以上であるとよい。例文帳に追加

The content of the dopant is preferred to be 0.3 atm.% or more against the total content composed of the dopant and zinc. - 特許庁

このｎ型ドーパント濃度は、中性子変換ドーピング（ＮＴＤ）技法を使用して実現することができる。例文帳に追加

These n-type dopant concentrations can be achieved using neutron transmutation doping (NTD) techniques. - 特許庁

二以上のドーパント含有層１のうちの少なくとも一つのドーパント含有層１は、当該ドーパント含有層１における各要素Ｓの平均膜厚が、当該ドーパント含有層１全体の平均膜厚の９０〜１１０％の範囲内である。例文帳に追加

The average film thickness of each element S in at least one of the two or more dopant-containing layers 1 is in the range from 90% to 110% of the average film thickness of the whole dopant-containing layer 1. - 特許庁

ドープ基板から余分なドーパントを除去するための方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for removing excessive dopant from a doped substrate. - 特許庁

主、副のドーパントをドープする、いわゆるコドープにおけるドーパントの注入作業の手間を大幅に軽減することのできるドーピング装置の提供。例文帳に追加

To provide a doping device by which the time-consuming work for doping main and sub dopants, that is, for, so-called, codoping, can be considerably reduced. - 特許庁

ドーパミンＤ_３受容体に選択的に結合する新規化合物の提供。例文帳に追加

To provide a new compound selectively binding with a dopamine D_3 receptor. - 特許庁

その際、積層部１０中のドーパントの拡散を抑制して、ドーパントプロファイルの急峻性を維持することができる。例文帳に追加

In this case, the steepness of a dopant profile is maintained by suppressing the dispersion of the dopant in a laminated layer 10. - 特許庁

ドレイン拡散ウエル(115)は、ドープされた半導体基板(105)とは反対のドーパント型をもつ。例文帳に追加

The drain diffusion well (115) has a dopant type, which has dopant type opposite to that of the doped semiconductor substrate (105). - 特許庁

有機ＬＥＤ用燐光性ドーパントとしての式Ｌ２ＭＸの錯体例文帳に追加

COMPLEX OF FORMULA L2MX AS PHOSPHORESCENT DOPANT IN ORGANIC LED - 特許庁

部分的ドーパミン−Ｄ２作用薬の投与用の経皮治療吸収システム例文帳に追加

TRANSDERMAL THERAPEUTIC SYSTEM FOR ADMINISTRATION OF PARTIAL DOPAMINE-D2 AGONIST - 特許庁

有機発光デバイスにおいて、リン光発光ドーパントのドーピング濃度を低減させること。例文帳に追加

To reduce the doping concentration of a phosphorescent dopant in an organic light emitting device. - 特許庁

ドーパミン産生神経の分化誘導用の細胞培養基材例文帳に追加

CELL CULTURE SUBSTRATE FOR DIFFERENTIATION INDUCTION OF DOPAMINE-PRODUCING NERVE - 特許庁

個々のドーパント原子間の距離がプローブサイズより小さかったので、そのHAADF像でのドーパント原子の構造は理解しにくくされた(なった)。例文帳に追加

Since the distance between the individual dopant atoms was smaller than the probe size, their structures in the HAADF image were complicated.  - 科学技術論文動詞集

また、半導体膜の端部に、ドーパントがドープされていない真性半導体領域を備える。例文帳に追加

An intrinsic semiconductor region which is not doped with a dopant is provided to the end of the semiconductor film. - 特許庁

パーキンソン病を治療するためのドーパミン作動性ニューロンおよび増殖能のある前駆細胞例文帳に追加

DOPAMINERGIC NEURON AND PROLIFERATION-COMPETENT PRECURSOR CELL FOR TREATING PARKINSON'S DISEASE - 特許庁

上記III族元素のＺｎＯへのドープ量を６〜４０at％とする。例文帳に追加

A doping amount of the group III element to ZnO is set to be 6-40 at%. - 特許庁

半導体ウェーハ表面近傍のドーパント濃度測定方法例文帳に追加

DENSITOMETRY METHOD OF DOPANT NEAR SEMICONDUCTOR WAFER SURFACE - 特許庁

基板上に、第１電極、有機ＥＬ層および第２電極を含む有機ＥＬ素子であって、有機ＥＬ層が隣接して配置される第１および第２ドーピング層を含み、第１および第２ドーピング層は有機ホスト材料とドーパントとを含み、第１ドーピング層におけるドーパントのドーピング濃度は、第２ドーピング層におけるドーパントのドーピング濃度とは異なることを特徴とする有機ＥＬ素子。例文帳に追加

The organic EL element includes a primary electrode, an organic EL layer, and a secondary electrode on a substrate, wherein the organic EL layer includes a primary and a secondary doping layer arranged adjacently, the primary and the secondary doping layer include an organic host material and dopant, and the doping concentration of the dopant in the primary doping layer is different than that of the dopant in the secondary doping layer. - 特許庁

ドーパント濃度分布が小さい金属ドーパント含有多孔質石英ガラス体の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for producing a metal dopant-containing porous quartz glass body in which the dopant concentration distribution is small. - 特許庁