「どーぱきのん」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

発光層が特定の9，10-ジアミノアントラセン化合物緑色発光ドーパントと特定のジアリールナフタリン化合物又は9，10-ジアリールアントラセン化合物をホストを含み、ドーパントが発光層の０．１−４９．９重量％である有機電界発光素子。例文帳に追加

A light emitting layer of an organic electric field light emitting element includes a 9,10-diamino anthracene compound green light-emitting dopant and a particular diaryl naphthalene compound or a 9,10-diaryl anthracene compound as a host, wherein the dopant is 0.1-49.9 wt.% of the light emitting layer. - 特許庁

ネイティブなソマトスタチン及びドーパミン類似体単独に優る、亢進された生物学的活性を示すソマトスタチンードーパミンキメラ類似体の提供。例文帳に追加

To provide a somatostatin-dopamine chimera analog exhibiting an enhanced physiological activity better than that of a singly used native somatostatin and dopamine analog. - 特許庁

炭素を含有する拡散防止層４により、高濃度ＩＩ族ドーパントのキャップ層１から活性層７への拡散を低減できる。例文帳に追加

The diffusion preventing layer 4 containing carbon reduces diffusion from a cap layer 1 of a dopant of a high concentrated group II to an activity layer 7. - 特許庁

空乏領域４０３はドーパント濃度が変化し、ウェル領域１０２との接合の実質的に真下にある点４０４で最大となる。例文帳に追加

The depletion region 403 is varied in dopant concentration and gets maximum at a point 404 substantially located just under its junction with the well region 102. - 特許庁

半導体層に意図しない種類のドーパント原子又は意図しない濃度のドーパント原子が半導体層に含まれることを抑制する技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique that prevents inclusion of an unintended kind of dopant atoms or an unintended concentration of dopant atoms in a semiconductor layer. - 特許庁

第２層２０ｂにおける第１層２０ａとの界面の近傍領域には、ｐ型ドーパントの濃度が局所的に増大している。例文帳に追加

The concentration of p-type dopant is increased locally in a region of the second layer 20b in the vicinity of an interface with the first layer 20a. - 特許庁

パネル外面がほぼフラットで、パネル内面とシャドーマスクが曲率を有するタイプのカラー受像管において、シャドーマスクに十分な機械的強度を与える。例文帳に追加

To provide sufficient mechanical strength in a shadow mask for a color picture tube having a nearly flat outer surface and curvatures on a panel inner surface and the shadow mask. - 特許庁

セプチン２タンパク質と特異的に反応するモノクローナル抗体、それを産生するハイブリドーマ、癌の検出方法及び癌の検出用キット例文帳に追加

MONOCLONAL ANTIBODY TO SPECIFICALLY REACT WITH SEPTIN-2 PROTEIN, HYBRIDOMA TO PRODUCE THE SAME, AND METHOD AND KIT FOR DETECTING CANCER - 特許庁

主ドーパントを含むように導電性高分子前駆体を生成したのち、副ドーパントを含む洗浄液を使用して導電性高分子前駆体を洗浄することにより導電性高分子を形成する。例文帳に追加

The conductive polymer is formed by generating a conductive polymer precursor to include a main dopant and thereafter using a wash liquid including a sub dopant to wash the conductive polymer precursor. - 特許庁

Ｇａ元素を含有するＧａターゲット４７ａとドーパント元素からなるドーパントターゲット４７ｂとを用い、前記Ｇａターゲット４７ａをスパッタにより励起させるとともに、前記ドーパントターゲット４７ｂをビーム状とした荷電粒子により励起させて、半導体層の少なくとも一部を形成するＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法とする。例文帳に追加

Disclosed is the manufacturing method of the group III nitride compound semiconductor light emitting element wherein a Ga target 47a containing a Ga element and a dopant target 47b consisting of a dopant element are used to form at least a portion of a semiconductor layer by exciting the Ga target 47a by sputtering and exciting the dopant target 47b with charged particles in a beam shape. - 特許庁

ドーパミンＤ３及びＤ４受容体に対して選択的活性を有する新規のイソオキサゾリルアルキルピペラジン誘導体とその製造方法例文帳に追加

NEW ISOOXAZOLYLALKYLPIPERAZINE DERIVATIVE HAVING SELECTIVE ACTIVITY ON DOPAMINE D3 AND D4 RECEPTORS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

ＩｎＰ半導体基板から電流ブロック部へのドーパントの拡散を抑えることができる半導体光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor optical device capable of suppressing the diffusion of a dopant into the current block portion from the InP semiconductor substrate. - 特許庁

分裂停止直後のドーパミン産生ニューロン前駆細胞に特異的、且つ一過性に発現する新規遺伝子の提供。例文帳に追加

To provide a novel gene expressed specifically and temporarily in dopamine-producing neuron precursor cells immediately after termination of division. - 特許庁

本発明のスパイクを用いて、ＩｎＰをベースにしたＰＩＮデバイス等、様々なＩＩＩ−Ｖ族半導体構造におけるドープ層からドーパントが拡散するのを妨げることができる。例文帳に追加

The spikes of the present invention can be used to stop dopant diffusion out of a doped layer, in a variety of III-V semiconductor structures, such as InP-based PIN devices. - 特許庁

多層膜ドーパント拡散バリヤは、ドーパントの拡散を効率的に阻止するが、寄生ｐｎ接合または寄生容量には貢献しないと開示されている。例文帳に追加

A multilayer film dopant diffusion barrier efficiently blocks diffusion of dopant but does not contribute to a parasitic p-n junction or parasitic capacity. - 特許庁

ｎ型ＧａＮ層１２の会合が起きる前にドーパントをｐ型ドーパントに切り替え、ｐ型ＧａＮ層１３が完全に会合するまで横方向成長を行う。例文帳に追加

Before occurrence of meeting of the n-type GaN layer 12, a dopant is switched to a p-type dopant and lateral growth is performed until perfect meeting of a p-type GaN layer 13. - 特許庁

ｎ型の炭化珪素基板１の一方の主表面にドーパント濃度が比較的低いｎ型のＳｉＣ層２が形成されている。例文帳に追加

An n-type silicon carbide board 1 has one main surface on which an n-type SiC layer 2 having a relatively low dopant concentration is formed. - 特許庁

第１の伝導型のドーピングペーストが、該第１の伝導型でドープされる領域（１６）の要求される分布と一致したパターンに従って、半導体ベースの基板（２）の後部表面上に堆積される。例文帳に追加

Doping paste with a first conductivity is deposited on the rear surface of a semiconductor-based substrate (2), according to a pattern consistent with the desired distribution of the region (16) doped with a first conductive type. - 特許庁

陽極と陰極との間に、一般式（１）の化合物をドーパントとして、一般式（２）の化合物をホストとする発光層と、発光層と陰極の間に一般式（３）の化合物の電子輸送層を有する有機ＥＬ素子。例文帳に追加

This organic EL element has a light-emitting layer using the compound expressed with general formula (1) as a dopant and the compound expressed with general formula (2) as a host between a positive electrode and a negative electrode, and has an electron transporting layer made of the compound expressed with general formula (3) between the light-emitting layer and the negative electrode. - 特許庁

また、エミッタ層は、故意に不純物をドーピングしていないアンドープ半導体の第１エミッタ領域１１と、第２導電型ドーパントをドーピングした半導体の第２エミッタ領域１２とから成り、第２エミッタ領域１２が第１エミッタ領域１１全体を囲っている。例文帳に追加

The emitter layer consists of s first emitter region 11 of undoped semiconductor which is not doped with dopant intentionally and a second emitter region 12 of semiconductor which is doped with second conductivity dopant, and the second emitter region 12 surround the whole of the first emitter region 11. - 特許庁

発光材料として、ドーパント材とホスト材からなり、ドーパント材が重水素置換された配位子を有し、中心金属がアルミニウムまたは亜鉛である金属錯体からなるものを使用する。例文帳に追加

The luminescent material, comprising a dopant material and a host stuff, uses the dopant material comprising a metal complex which has a deuterium-substituted ligand and has a central element of aluminum or zinc. - 特許庁

ソマトスタチン-ドーパミンキメラ類似体並びに、腫瘍形成、末端肥大症、および他の症状の処置で使用するためのその治療用途の提供。例文帳に追加

To provide a somatostatin-dopamine chimeric analogue and their therapeutic use for the treatment of tumorigenesis, acromegaly, and other conditions. - 特許庁

ゲート電極(２２)用の端子(５０)が基板(１２)の打ち込み領域(４４)にドーパント(４６)を打ち込むことによって形成される。例文帳に追加

Terminals for the gate electrodes are formed by injecting a dopant 46 into the injecting region 44. - 特許庁

本発明の有機ＥＬ素子において、陰極と有機層との界面に還元性ドーパントを含む電子注入層を設けてもよい。例文帳に追加

In the organic EL element, an electron injection layer including a reducible dopant is preferably arranged on an interface between the negative electrode and the organic layer. - 特許庁

本発明は、電極のリチウムイオンプレドーピング方法及びこれを用いる電気化学キャパシタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of pre-doping an electrode with lithium ions, and a manufacturing method of an electrochemical capacitor using the same. - 特許庁

堆積された炭化珪素層の圧縮率は、層形成の間における混合ガス中のドーパントの量の関数として変化する。例文帳に追加

The as-deposited silicon carbide layer has a compressibility, that varies as a function of the amount of dopant present in the gas mixture during layer formation. - 特許庁

本発明は、有効成分の貯蔵所が、部分的ドーパミン−Ｄ２作用薬の群よりの少なくとも一つの有効成分を含有することを特徴とする。例文帳に追加

The active ingredient reservoir contains at least one active ingredient from a group of partial dopamine-D2 agonists. - 特許庁

この紫外線の照射に基づき、導電性高分子前駆体に対するドーパントの定着性が高まるため、紫外線を照射せず、ドーピング率が経時的に低下しやすい従来の導電性高分子の形成方法とは異なり、導電性高分子のドーピング率が安定的に向上する。例文帳に追加

The irradiation of ultraviolet rays enhances the fixation of the dopant to the precursor of the electroconductive polymer and the doping ratio of the electroconductive polymer is stably improved, which makes difference to the prior method of formation of an electroconductive polymer which does not employ ultraviolet irradiation and hence is likely to cause the lowering of a doping ratio over time. - 特許庁

Ｎ型半導体基板の表面からの深さ方向における画素の有効領域において、Ｎ型ドーパントの濃度が、半導体基板の表面側から深くなるほど低濃度となるように変調ドーピングを施す。例文帳に追加

In the effective region of pixels in the depth direction from the surface of an N type semiconductor substrate, modulation doping is executed so that the concentration of N type dopants becomes lower as getting deeper from the surface side of the semiconductor substrate. - 特許庁

本発明の一実施例による太陽電池の製造方法は、半導体基板の一面に多孔性膜を形成する段階と、前記多孔性膜にドーパントを含有する化合物を噴射する段階と、前記ドーパントを拡散させて前記半導体基板の一面にエミッタ層を形成する段階を含む。例文帳に追加

The method of manufacturing the solar cell includes: a step for forming a porous film on one surface of the semiconductor substrate; a step for jetting a compound containing the dopant into the porous film; and a step for forming an emitter layer on one surface of the semiconductor substrate by diffusing the dopant. - 特許庁

半導体太陽電池基板１の第一主表面には、ドーパントの濃度が周囲の領域よりも高く設定された線状形態の高濃度拡散層３が複数形成され、該高濃度拡散層３の周囲領域が、それよりもドーパントの濃度が低い低濃度拡散層２とされてなる。例文帳に追加

A plurality of high concentration diffusion layers 3 in linear configurations whose dopant concentration is set so as to be higher than that of the surrounding area are formed on the first main surface of the semiconductor solar battery substrate 1, and the surrounding area of the high concentration diffusion layer 3 is formed as a low concentration diffusion layer 2 whose dopant concentration is low. - 特許庁

専用マークではなく、実素子のレジストパターンを用いて露光の際のフォーカス量或いはドーズ量を管理できる技術の実現。例文帳に追加

To achieve a technology capable of controlling a focus amount or a dose amount for exposure by using a resist pattern of a real element instead of a dedicated mark. - 特許庁

その結果、シャドーイングで受信ＳＩＲが急激に小さくなった場合に遅延プロファイル平均化量を小さくするので、シャドーイング後のパスを割り当てまでの時間を短縮し正しいパスを早く再選択することができ、受信信号の誤り量を削減することができる。例文帳に追加

Since the delay profile averaging amount is decreased when the received SIR decreases abruptly through shadowing, a correct path can be selected again quickly by shortening the time elapsing before a path is assigned after shadowing and error of received signal can be reduced. - 特許庁

イオン注入のためのドーピング角を確保して残膜率を調節できるフォトレジストパターンの形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a photoresist pattern by which the residual film rate can be controlled while securing the doping angle for ion injection. - 特許庁

本発明のｐ型III族窒化物半導体の結晶成長方法は、ｐ型ドーパントをドープしたIII族窒化物半導体の結晶成長中、結晶成長後の冷却中、結晶成長後のアニール中の少なくとも１つの工程で、雰囲気中の水素分圧の制御により、ｐ型III族窒化物半導体中にｐ型ドーパントの他に水素をドープもしくは拡散する。例文帳に追加

In this crystal growth method of a p-type group III nitride semiconductor, hydrogen as well as p-type dopant is doped or diffused in the p-type group III nitride semiconductor by controlling the partial pressure of hydrogen in an atmosphere, in at least one step during crystal growth of a group III nitride semiconductor doped with the p-type dopant, during cooling after the crystal growth, and during annealing after the crystal growth. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素としてＳｉのドーピング濃度を容易に最適化でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができると共に、ドーパント元素であるＳｉの活性化率を高めることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a group III nitride semiconductor layer, by which the doping concentration of Si as a dopant element in a crystal of a group III nitride semiconductor is optimized easily, film is formed efficiently by using a sputtering method, and the high activation rate of Si being the dopant element is attained, and to provide a method for manufacturing a group III nitride semiconductor light-emitting element. - 特許庁

蒸発部３の揺動距離は、ホスト蒸発源３０及びドーパント蒸発源３１の蒸発口３４、３５のピッチＰと同一である。例文帳に追加

The distance of oscillation of the evaporation unit 3 is the same as the pitch P of evaporation ports 34 and 35 of the host evaporation sources 30 and the dopant evaporation sources 31. - 特許庁

コンタクト領域（２０）は、活性領域（１８）の横に隣接し、窒化物半導体材料及び第１導電性タイプの第１ドーパントを含んで成る。例文帳に追加

A contact region (20) laterally adjacent the active region (18) comprises a nitride semiconductor material and a first conductive first dopant. - 特許庁

パパイヤの抽出物が皮膚表皮組織のメラノサイトにおけるメラニン生成を優位に抑制し、その一要因としてドーパキノンの自動酸化を優位に阻害する。例文帳に追加

The extracts of papaya suppress melanization in melanocytes of cutaneous epidermal tissue by dominantly inhibiting autoxidation of dopaquinone as one factor of melanization. - 特許庁

単結晶引き上げ装置１を利用した単結晶６の製造時における偏析の影響、揮発性ドーパントの蒸発面積、引き上げ速度の影響を考慮に入れて、ドーパント蒸発速度を算出するための蒸発速度式を導出する。例文帳に追加

An evaporation rate formula for calculating a dopant evaporation rate is drawn by considering the influence of segregation in producing a single crystal 6 by utilizing a single crystal raising apparatus 1, the evaporation area of a volatile dopant, and the influence of raising speed. - 特許庁

放射線処理されたコラーゲン、キチンまたはキトサンの存在下でリンパ球やリンパ球ハイブリドーマ細胞を培養することによって、免疫蛋白質、特に免疫グロブリンを製造する。例文帳に追加

This method for producing the immunoproteins, especially the immunoglobulins is provided by culturing the lymphocytes or lymphocyte hybridoma cells in the presence of radiation-treated collagen, chitin or chitosan. - 特許庁

その後、熱処理を行ってドーパント液内の不純物を基板表面を通じてＰ型基板２１内に拡散させる。例文帳に追加

Then, the impurity in the dopant liquid is made to diffuse in the p-type substrate 21, through the substrate surface by thermal processing. - 特許庁

エピタキシャル層中のドーパント濃度がウェーハ外周部において上昇する現象を防止できるエピタキシャル成長方法の提供。例文帳に追加

To provide an epitaxial growth method capable of preventing a phenomenon wherein a concentration of dopant in an epitaxial layer increases in a circumferential part of a wafer. - 特許庁

砒素等の低温で昇華しやすいドーパントをチャンバ内に飛散させることなく、しかも簡単に、ルツボ内のシリコン融液に供給することのできるドーピング装置を備えた単結晶引上装置を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal pulling apparatus equipped with a doping device capable of easily feeding a dopant, such as arsenic, liable to sublimate at a low temperature to a silicon melt in a crucible without scattering the dopant in a chamber. - 特許庁

全ての形状のメタルドームスイッチに適用できるわけではないが、一般的な多数のメタルドームスイッチの形状に適用可能なものであり、スイッチ組み込みの構造や金型の条件を変更することなく、より良好なクリック感を有するメタルドームを提供することである。例文帳に追加

To provide a metal dome with a better click touch, without having to change the conditions of a switch integration structure or a mold, although the metal dome is not applicable for all shapes of metal dome switches but it is applicable for many types of general metal dome switching shapes. - 特許庁