「どーぱきのん」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体ウェーハ等の被ドーピング材に対してドーパントを規定のドーズ量より過剰にドーピングしてしまった場合に、そのドーズ量を低減することができるプラズマドーピングにおけるドーピング量削減方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma doping volume reducing method which is capable of reducing a doped work, such as a semiconductor wafer or the like in a doping volume, when the semiconductor wafer has been excessively doped with a dopant, whose dose is more than the specified volume. - 特許庁

この方法は、集束加熱源（例えば、レーザ）の溶融作用によって、より高ドーパント濃度の隣接領域からドーパントを拡散させることによって、低ドーパント濃度の領域のドーパント・プロファイルを変更する（すなわち、ドーパント濃度を増加させる）ことによって、半導体素子すなわち半導体デバイスのインピーダンスを微調整するために利用されてよい。例文帳に追加

The method is provided for finely tuning the impedance of the semiconductor components or devices, by modifying a dopant profile of a region with a low dopant concentration (i.e., increasing the dopant concentration) such that dopants from an adjacent region with a higher dopant concentration are diffused by a melting action of the focused heating source (for example, a laser). - 特許庁

パーキンソン病診断装置１は、検査部位および参照部位におけるドーパミン反応機構のコンパートメントモデルに対応する微分方程式をラプラス変換した代数方程式から得られたドーパミン濃度の厳密解の情報を用いて、ドーパミン濃度計測値からドーパミン反応定数を算出する。例文帳に追加

This Parkinson's disease diagnotic equipment 1 calculates the dopamine reaction constant from a dopamine concentration measured value, by using information of an exact solution of the dopamine concentration acquired from an algebraic equation, determined by subjecting a differential equation corresponding to a compartment model of a dopamine reaction mechanism in an inspection portion and in a reference portion to Laplace transformation. - 特許庁

半導体基板の表面上にぬれ性改善膜を形成する工程と、ぬれ性改善膜の表面上に第１導電型または第２導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによってドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: forming a wettability improving film on a surface of a semiconductor substrate; coating a surface of the wettability improving film with a dopant diffusing agent containing dopants of a first conductivity type and a second conductivity type; and forming a dopant diffusion layer by diffusing the dopants in the semiconductor substrate from the dopant diffusing agent. - 特許庁

薄膜状のメンブレン２に開口状の露光パターンとしてドーナツパターン３および複数の長尺パターン５が設けられている露光マスク１であり、ドーナツパターン３および複数の長尺パターン５の開口部の対向辺間に、ドーナツパターン３および各長尺パターン５の最小線幅よりも細い線幅の架橋パターン７を掛け渡してなる。例文帳に追加

In the exposure mask 1 where a doughnut pattern 3 and a plurality of long patterns 5 are provided on a thin film membrane 2 as an opening-like exposure pattern, a crosslinking pattern 7 thinner than the minimum line width of the doughnut pattern 3 and the long patterns 5 is stretched across the opposite sides at the opening part of the doughnut pattern 3 and the long patterns 5. - 特許庁

しかも、誘電体層に対するドーパントの定着性の向上に基づき、導電性高分子に対するドーパントの定着性も向上するため、この観点においてもドーピング率が安定的に向上する。例文帳に追加

Since the fixing properties of dopant to the dielectric layer can be enhanced, doping rate can be enhanced stably and since the fixing properties of dopant to dielectric polymer are also enhanced, based on enhancement in fixing properties of dopant to the dielectric layer, doping ratio can be stably enhanced also in this viewpoint. - 特許庁

前記中央接点パターン１１の引出線パターン１４部分で前記ドーム接点を支える位置と、前記外周接点パターンが前記ドーム接点を支える位置の間の段差を調整している。例文帳に追加

A level difference between the position supporting the dome contact in the extraction wire pattern 14 of the center contact pattern 11 and the position where the periphery contact pattern supports the dome contact is adjusted. - 特許庁

このような半導体基板１２とマスキング部材１４Ａ〜１４Ｆに、ドーパントのイオンを打ち込む。例文帳に追加

Ions of the dopant are implanted into the semiconductor substrate 12 and the masking members 14A to 14F. - 特許庁

半導体デバイスの所望領域から集束イオンビーム装置で切り出した薄片の断面の、走査キャパシタンス顕微鏡ドーパントプロファイル測定もしくは電子線ホログラフィードーパントプロファイル測定を可能にする。例文帳に追加

To enable a scanning capacitance microscope dopant profile measurement or an electron beam holography dopant profile measurement for a cross section of a thin piece cut from a desired region in a semiconductor device by a focused ion beam apparatus. - 特許庁

電極のリチウムイオンプレドーピング方法及びこれを用いる電気化学キャパシタの製造方法例文帳に追加

METHOD OF PRE-DOPING ELECTRODE WITH LITHIUM ION AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTROCHEMICAL CAPACITOR USING THE SAME - 特許庁

ドーパントの相互拡散を抑止して、変調器付きレーザの高速動作を実現する。例文帳に追加

To enable the rapid operation of a laser equipped with a modulator by restraining the mutual diffusion of a dopant. - 特許庁

分散液２０から固形分濃度が１９．３重量％の低濃度ドープ３０を作製する。例文帳に追加

The dope 30 of a low concentration with the solid concentration of 19.3 wt.% is prepared from the dispersion 20. - 特許庁

ＥＵＶ光反射多層膜のスパッタリングによる成膜に用いられるＳｉターゲットへ、ドープ元素の種類とドープ量を適宜に制御したドープ元素をドープし、ターゲットの導電率を上げることにより、スパッタ中の電界集中に起因するパーティクルの発生を抑制した。例文帳に追加

The occurrence of particles caused by electric field concentration during sputtering is suppressed by raising the electric conductivity of an Si target used at the time of forming the EUV-ray reflecting multilayer film by sputtering by doping the film with doping elements by appropriately controlling the kinds and amounts of the doping elements. - 特許庁

コア領域中のドーパントにより、コア領域内の煤は外側非ドーピング領域内の煤よりも先に団結される。例文帳に追加

Soot in the core region is consolidated by a dopant in the core region before the soot in an outer non-doping region. - 特許庁

ドーパミン作動性細胞によるドーパミン取り込みを促進し、神経細胞の生存を促進する截形グリア細胞系由来神経栄養因子（截形ＧＤＮＦ）タンパク質と呼ぶ新規タンパク質を提供する。例文帳に追加

To provide new proteins, referred to as truncated glial cell line-derived neurotrophic factor (truncated GDNF) proteins, which promote dopamine uptake by dopaminergic cells and promote the survival of nerve cells. - 特許庁

複数の弾性ドーム(１１０３)の凹面側はキーパッドの外面の方へ向けられる。例文帳に追加

The concave side of plural elastic domes (1103) is turned to the outer surface of the key pad. - 特許庁

私の経験…法律の他の分野は私に全般的な経験則に対する疑問を抱かせた−B.N.カードーゾ例文帳に追加

my experience...in other fields of law has made me distrustful of rules of thumb generally- B.N.Cardozo  - 日本語WordNet

トレンチキャパシタンスの低下、電界集中によるキャパシタ絶縁膜の信頼性の劣化を抑止でき、電荷蓄積電極のドーパントの拡散を抑制し、ドーパント濃度の低下を防止し、電荷蓄積電極の抵抗の上昇を抑制する。例文帳に追加

To restrain deterioration in reliability of a capacitor insulating film, which is caused by decrease in trench capacitance and electric field concentration, suppress diffusion of dopant of a charge storage electrode, prevent decrease of dopant concentration, and restrain increase in resistance of the charge storage electrode. - 特許庁

プラズマドーピングプロセス中の所定のドーパント濃度での終点検出のための方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for end point detection at a predetermined dopant concentration during a plasma doping process. - 特許庁

この発明では、ドープ層が、基板の中へとドーパントを拡散させることによってではなく、第１の基板へとエピタキシャルに成長させられる。例文帳に追加

The doped layer is grown epitaxially to a first substrate instead of a dopant diffusing into the substrate. - 特許庁

（Ａ） ＥＶ０＞ＥＶ１かつＥＶ０＞ＥＶ２（Ｂ） ＥＣ０≧ＥＣ２（Ｃ） Ｅｇ０＞Ｅｇ１，Ｅｇ２［式中、ＥＶ０、ＥＶ１、ＥＶ２はそれぞれ発光層材料、第一のドーパント、第二のドーパントの価電子レベル、ＥＣ０、ＥＣ２はそれぞれ発光層材料、第二のドーパントの伝導レベル、Ｅｇ０、Ｅｇ１、Ｅｇ２はそれぞれ発光層材料、第一のドーパント、第二のドーパントのエネルギーギャップである。例文帳に追加

The luminescent layer is characterized by containing a luminescent layer material, and a first dopant and a second dopant satisfying the following relationships: (A) EV0>EV1 and EV0>EV2; (B) EC0≥EC2; and (C) Eg0>Eg1, Eg2. - 特許庁

前記塗布液中の前記微粒子の含有量は、前記ドープの固形分に対して、６重量％以上８重量％以下である。例文帳に追加

The content of the fine particles in the coating liquid is ≥6 wt.% and ≤8 wt.% based on the solid portion of dope. - 特許庁

ドーパミントランスポーターの機能不全を侵襲度少なく、鑑別する方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for discriminating malfunction of dopamine transporter at a low invasion degree. - 特許庁

ゲート電極中のドーパンの相互拡散バリア構造及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an interdiffusion barrier structure of a dopant in a gate electrode and a method for manufacturing the same. - 特許庁

この発明は、レーダ装置の非使用時の外来電波による干渉を低減できるレドームを得る。例文帳に追加

To obtain a radome capable of reducing interference due to external radio waves when a radar system is not used. - 特許庁

今やクロワッサンドーナッツは日本全国のパン屋さんやコンビニで人気のおやつだ。例文帳に追加

Now croissant-donuts are a popular treat at bakeries and convenience stores all over Japan. - 浜島書店 Catch a Wave

導電率が高い導電性組成物を高反応効率で提供するための酸化剤兼ドーパント溶液、該酸化剤兼ドーパント溶液を構成するためのドーパント溶液、上記導電率が高い導電性組成物および長期信頼性の高い固体電解コンデンサを提供する。例文帳に追加

To provide a dopant solution also serving as an oxidizer for providing a conductive composition with high conductivity at a high reaction efficiency; a dopant solution for composing the dopant solution also serving as an oxidizer; the conductive composition with high conductivity; and a solid electrolytic capacitor with high long-term reliability. - 特許庁

一般に、特定の株のハイブリドーマを、周知のハイブリドーマ法により意図的に取得することは困難であるとの技術常識がある。例文帳に追加

Generally, there is common general knowledge that it is difficult to obtain a specific hybridoma line by design based on a known hybridoma method.  - 特許庁

ｐ型ウインドウ層８は、赤外線を透過でき、ｐ型のドーパントとして亜鉛がドープされた導電性のｐ型ＧａＰからなる。例文帳に追加

The p-type window layer 8 is made of a conductive p-type GaP transmitting an infrared ray and doped with zinc as a p-type dopant. - 特許庁

新規な複素環式アミド誘導体およびドーパミンＤ３受容体リガンドとしてのその使用例文帳に追加

NEW HETEROCYCLIC AMIDE DERIVATIVE, AND USE OF THE SAME AS DOPAMINE D3 RECEPTOR LIGAND - 特許庁

新規複素環式尿素誘導体およびドーパミンＤ３受容体リガンドとしてのそれらの使用例文帳に追加

NEW HETEROCYCLIC UREA DERIVATIVE AND USE THEREOF AS DOPAMINE D3 RECEPTOR LIGAND - 特許庁

この部分領域は、ＺＢＬＡＮ、すなわち、５３％ＺｒＦ4−２０％ＢａＦ2−４％ＬａＦ3−３％ＡｌＦ3−２０％ＮａＦ（ｍｏｌ％）という組成をを有するガラスをＹｂ3+でドープしたものである。例文帳に追加

The partial region consists of ZBLAN, that is to say, a glass having the composition of 53%ZrF4-20%BaF2-4%LaF3-3%AlF3-20%NaF (mol%) which has been doped with Yb3+. - 特許庁

ドーパント濃度が異なる領域を有するシリコン基板を簡便で効率的に製造可能とする。例文帳に追加

To produce a silicon substrate having regions of different dopant concentration simply and efficiently. - 特許庁

陰極は、n型ドープ層に電気接続され、該陰極のパターンは、お互いから分離されている。例文帳に追加

The cathodes are electrically connected to the n type dope layer, and patterns of the cathodes are separated from each other. - 特許庁

そこで、スパッタ法を用いて基板３上に、酸化チタンに３価の元素をドーピングしたドープ層１と前記元素をドーピングしていない酸化チタンの無ドープ層２とを交互に積層して、高活性な光触媒体とする。例文帳に追加

Thereupon a high active photo-catalyst body is obtained by alternatively laminating a doped layer 1, in which the trivalent element is doped into the titanium oxide, and an undoped layer 2, in which the element is not doped on a substrate 3, by using a spatter method. - 特許庁

脳内ドーパミンの遊離過剰並びに異常を、副作用の心配なく安全に改善することができる飲食品並びに医薬品を提供する。例文帳に追加

To provide foods or beverages and medicines capable of safely improving excess and abnormality of isolation of an intracerebral dopamine without fear of adverse effect. - 特許庁

様々なドーピングレベルの活性拡散領域を形成するために、複数のドーパント源を利用することができる。例文帳に追加

Multiple dopant sources may be employed to form active diffusion regions of varying doping levels. - 特許庁

ブルドーザによる土砂の掘削、運搬、敷き均し等を、比較的小型のブルドーザと少ない運転者によって、効率よく、安い費用で行えるようにする。例文帳に追加

To efficiently and inexpensively excavate, transport, and level sediment by a relatively small bulldozer and less number of operators. - 特許庁

または、ソース領域２４側とドレイン領域２５側の両方に低濃度ドーパント領域２７を形成し、ソース領域２４側の低濃度ドーパント領域２７よりも、ドレイン領域２５側の低濃度ドーパント領域の方を長くした非対称ＬＤＤ構造としてもよい。例文帳に追加

Or non-symmetrical LDD structure forming low density dopant areas 27 is also available on both the source area 24 side and drain area 25 side, so that the low density dopant area 27 of the drain area 25 side is longer than the low density dopant area 27 of the source area 24 side. - 特許庁

ドーパントが所定濃度より高い濃度にドープされた第１の半導体粉末と、ノンドープあるいは前記ドーパントが所定濃度より低い濃度にドープされた第２の半導体粉末とを、平均ドーパント濃度が所定濃度と等しくなる比率で含む組成物を調製し、この組成物からなる所定質量の小塊を形成する。例文帳に追加

A composition containing a first semiconductor powder doped with a dopant at a concentration higher than a prescribed concentration and a second semiconductor powder which is undoped or doped with the dopant at a concentration lower than the prescribed concentration, at a ratio of equalizing the average dopant concentration and the prescribed concentration, is prepared and then a small lump of prescribed mass composed of this composition is formed. - 特許庁

スパッタ法を用いて成膜されたガリウム窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化できるスパッタターゲットの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a sputter target that can easily optimize doping concentration of dopant elements in crystal of a gallium nitride semiconductor formed into a film using a sputtering method. - 特許庁

反応性ガス混合物が、任意選択でプラズマを用いてプロセスチャンバに供給されて、表面上に吸着した余分なドーパントおよび表面付近の高濃度ドーパントと反応することによってそのドーパントを除去し、それによって揮発性化合物を形成する。例文帳に追加

A reactive gas mixture is supplied to a process chamber by optionally using plasma, and is reacted with excessive dopant adsorbed on a surface and high-concentration dopant in the vicinity of the surface, thereby removing the dopant and forming a volatile compound. - 特許庁

アクセプタがドープされた、金属箔上のチタン酸バリウム系薄膜キャパシタと、その作製方法例文帳に追加

ACCEPTOR DOPED BARIUM-TITANATE-BASED THIN FILM CAPACITORS ON METAL FOILS AND METHODS OF MAKING THEREOF - 特許庁

ドーパントのうち一つは、電子または正孔のどちらかを輸送できるリン光発光材料である。例文帳に追加

One of the dopants is a phosphorescent material that can transport either electrons or holes. - 特許庁

誘電体層が形成された陽極に固体電解質層を形成する際に、その陽極を浸漬させるための溶液として、ドーパントのみを含む前処理溶液と、単量体およびドーパントの双方を含む単量体溶液とを使用し、すなわちドーパントのみを含む前処理溶液に陽極を浸漬させたのち、単量体およびドーパントの双方を含む単量体溶液に陽極を浸漬させる。例文帳に追加

When a solid electrolytic layer is formed on an anode on which a dielectric layer is formed, a pretreatment solution, containing only a dopant and a monomer solution containing both a monomer and the dopant are used as a solution for immersing the anode. - 特許庁