1016万例文収録!

「どーぱきのん」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > どーぱきのんに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

どーぱきのんの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2177



例文

第1のドーパント41は、第1のクラッド基板37の屈折率を純粋石英の屈折率より下げており、第2のドーパント43は、第2のクラッド39の屈折率を純粋石英の屈折率より下げる。例文帳に追加

The 1st dopant 41 lowers the refractive index of the 1st clad substrate 33 smaller than that of pure quartz and the 2nd dopant 43 lowers the refractive index of the 2nd clad 37 smaller the refractive index of the pure quartz. - 特許庁

ドーパミンD3受容体のモジュレーションに反応する障害の治療に適するトリアゾール化合物例文帳に追加

TRIAZOLE COMPOUND SUITABLE FOR TREATING DISORDER RESPONDING TO MODULATION OF DOPAMINE D3 RECEPTOR - 特許庁

ゲート電極中のドーパンの相互拡散バリア構造及びその製造方法例文帳に追加

INTERDIFFUSION BARRIER STRUCTURE OF DOPANT IN GATE ELECTRODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

イオン注入工程でのドーパントのチャンネリングを最小限に抑制し、また引き続く熱アニール処理工程でのドーパントの拡散を抑制することにより接合深さを制御してドーパント濃度分布を狭小化した超浅型接合を半導体基板内に形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method, where in a semiconductor substrate, there is formed a ultra-shallow junction whose dopant concentration distribution is narrowed through control of its junction depth, by restricting the channelling of dopants in the ion implantation process to a minimum and by controlling the diffusion of dopant in the following heat annealing treatment process. - 特許庁

例文

炭素ドープ層115は、ドーパント濃度が隣接するp型スペーサ層106,116のドーパント濃度よりも大きく、水素を内部に含む電流狭窄部と、水素を内部に含まない電流注入部とを有する。例文帳に追加

The carbon doped layer 115 has a current constriction part having larger dopant concentration than that of adjacent p-type spacer layers 106 and 116 and internally containing hydrogen, and a current injection part internally containing no hydrogen. - 特許庁


例文

底部半導体層と同じ導電型のドーパントを含む第1のドープされた半導体領域18及び反対導電型のドーパントを含む第2のドープされた半導体領域28がSOI基板の埋め込み絶縁層20の直下に形成される。例文帳に追加

First doped semiconductor regions 18 having the same conductivity type dopant as a bottom semiconductor layer and second doped semiconductor regions 28 having an opposite conductivity type dopant are formed directly underneath a buried insulator layer 20 of the (SOI) substrate. - 特許庁

酸化亜鉛にSb、Biなどドナー準位の深いドーパントをドーピング、又は、ドナーとアクセプターの複数ドーパントをドーピングすることにより、自己吸収の低減により蛍光寿命の短いエキシトン発光の発光強度の改善が達成される。例文帳に追加

Light emitting intensity of exciton light emission having the short fluorescent life by reduction of self-absorption is improved by doping a dopant such as Sb and Bi having a deep donor level or doping a plurality of dopants of a donor and an acceptor in the zinc oxide. - 特許庁

第1のクラッド33は、溝39を有し、また第1のドーパント41を含む。例文帳に追加

A 1st clad 33 has grooves 39 and includes 1st dopant 41. - 特許庁

ここで、電波はこのレードーム板の左側から、つまり第1スキン層43から入射する。例文帳に追加

In this case, radio waves are made to be incident from the left of the radome plate, namely from the layer 43. - 特許庁

例文

有機EL素子の層形成時に、ホスト材料中のドーパントの濃度を厳密に制御すること。例文帳に追加

To strictly control concentration of dopant in a host material at the time of layer-forming of an organic EL element. - 特許庁

例文

改良された輝度効率を示すOLEDデバイスの発光層のためのドーパント化合物を提供すること。例文帳に追加

To provide a dopant compound for light emitting layer of an OLED device with improved luminance efficiency. - 特許庁

蛋白が特定の器官(局限性アミロイドーシス)または全身(全身性アミロイドーシス)に沈着する病型である。例文帳に追加

a group of diseases in which protein is deposited in specific organs (localized amyloidosis) or throughout the body (systemic amyloidosis).  - PDQ®がん用語辞書 英語版

よって、エピタキシャル層9外周部におけるドーパント濃度の上昇を抑制することができる。例文帳に追加

Thus, an increase of the concentration of dopant in the circumferential part of the epitaxial layer 9 can be inhibited. - 特許庁

シリコン基板上に形成され、該シリコン基板と同じ導電型を有するエピタキシャル層のドーパント濃度をC−V法により測定するエピタキシャル層のドーパント濃度測定方法であって、少なくとも、前記エピタキシャル層上に直径1.5mm以下の電極を形成し、該電極を用いてC−V特性を求めてドーパント濃度を測定するエピタキシャル層のドーパント濃度測定方法。例文帳に追加

The method for measuring the dopant concentration of epitaxial layer measures the dopant concentration of epitaxial layer which is formed on a silicon substrate and is of the same conductive type to the substrate, by using a C-V method, in which an electrode of 1.5 mm or smaller in diameter is formed on the epitaxial layer, and a C-V characteristic is obtained using the electrode, then the dopant concentration is measured. - 特許庁

SiO_2 20〜50モル%、Al_2O_3 30〜60モル%(ただし、30モル%を含まない)、B_2O_3 10〜40モル%、RO(Rはアルカリ土類金属) 2〜10モル%の組成を含有することを特徴とするドーパントホスト。例文帳に追加

The dopant host is characterized by containing 20 to 50% by mole of SiO_2, 30 to 60% by mole (exclusive of 30% by mole) of Al_2O_3, 10 to 40% by mole of B_2O_3, and 2 to 10% by mole of RO, wherein R represents an alkaline earth metal. - 特許庁

ポリシリコンスペーサーからドーパントを基板中に拡散して、ソースとドレインの領域を形成する。例文帳に追加

Dopant is diffused from the polysilicon spacers into the semiconductor substrate to form source and drain areas. - 特許庁

また、前記ドーパントは、IIIB族、IVB族、及び希土類元素からなる群の中から選択されるとよい。例文帳に追加

The dopant is preferred to be selected from among IIIB group, IVB group, and rare earth element. - 特許庁

パッド酸化物205内での衝突により、注入されたドーパント種をランダム化し、ドーパント・プロファイルの勾配を増大させ、ベース領域240のチヤネル効果を低減することができる。例文帳に追加

Implanted dopant seeds are made random by a collision in a pad oxide 205 to increase a gradient of the dopant profile, thereby reducing channel effect of a base region 240. - 特許庁

開孔を有するカーボンナノチューブを、ドーパント物質を溶解させた溶液中に浸漬してドーピング反応を生じさせ、カーボンナノチューブ内にドーパント物質が導入されたハイブリッドカーボンナノチューブを作製する。例文帳に追加

The hybrid carbon nanotube into which a dopant material is introduced is produced by generating a doping reaction by immersing a carbon nanotube having an opening into a solution containing a dopant substance. - 特許庁

陽極は、p型ドープ層に電気接続され、該陽極のパターンは、お互いから分離されている。例文帳に追加

The anodes are electrically connected to the p type dope layer, and patterns of the anodes are separated from each other. - 特許庁

液晶組成物とほぼ同じ粘度を有し、低電圧動作を支持する無色のドーパントの提供。例文帳に追加

To provide a colorless dopant that has a viscosities approximately the same as that of liquid crystal compositions and supports low voltage operation. - 特許庁

がんや原発性全身性アミロイドーシス(蛋白が特定の臓器に沈着する疾患)の治療薬として研究されている物質。例文帳に追加

a substance that is being studied as a treatment for cancer and for primary systemic amyloidosis (a disease in which proteins are deposited in specific organs).  - PDQ®がん用語辞書 英語版

本発明の太陽電池の製造方法では、第1ドーパント型で低濃度にドープされた第1半導体基板を設ける。例文帳に追加

In the manufacturing method of this solar battery, at first, there is provided a first semiconductor substrate doped with a first dopant-type in a low concentration. - 特許庁

性機能障害を治療するための選択的ドーパミンD3受容体アゴニスト例文帳に追加

SELECTIVE DOPAMINE D3 RECEPTOR AGONIST FOR TREATING SEXUAL DYSFUNCTION - 特許庁

より選択性の高いドーパミンD3受容体リガンドとして作用する化合物の提供。例文帳に追加

To provide compounds which act as a dopamine D3 receptor ligand with more high selectivity. - 特許庁

上記基板の表面上には、第1ドーパントで中濃度にドープされ、さらに微小凹凸加工されている第3半導体層を形成する。例文帳に追加

On the surface of the substrate, there is formed a third semiconductor layer doped with the first dopant in a medium concentration and subjected to a small convex and concave processing. - 特許庁

三以上の成分の有機発光材料から構成され、この中で最も高いバンドギャップを有する物質をホストとし、残りの各成分をドーパントとして、全重量を基準にホストに、ドーパントが0.1重量%以下の微量ドーピングされている有機白色発光材料である。例文帳に追加

The organic white light emitting material is composed of three or more organic light emitting components, in which a component thereof having the highest band gap is used as the host, and other components are used as dopants with the trace amount of 0.1 wt.% or less of the dopants based on the total weight of the host being doped in the host. - 特許庁

コアスート5aにドーパントを安定してドープすることができ、スートうねりの発生を防止しうる多孔質母材の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a porous preform capable of stably doping a core soot 5a with a dopant and preventing occurrence of soot undulation. - 特許庁

このとき、プリカーサ膜の膜中にドーパントが適当な量で注入されるように加速電圧、ドーズ量を調整する。例文帳に追加

At this time, the accelerating voltage and dose amount are controlled so that an adequate amount of dopant can be implanted in the film of the precursor film. - 特許庁

ケイ素酸化物、ドーパント酸化物及びアルミニウム酸化物を含み、アルミニウム単体の(ケイ素単体+ドーパント単体+アルミニウム単体)に対する濃度が0.04mol%以上のGRINレンズとすることで、前記課題を解決する。例文帳に追加

The GRIN lens contains silicon oxide, dopant oxide and aluminum oxide, wherein the concentration of aluminum simple substance is ≥0.04 mol% based on (silicon simple substance + dopant simple substance + aluminum simple substance). - 特許庁

ドーパント原子ドープGeにおけるドーパントのGe中での存在状態及び存在量を、非破壊・非接触で分析・測定する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for analyzing and measuring a present state and abundance without destroying and contacting in a dopant Ge in a dopant atom dope Ge. - 特許庁

CZ法によりPドープのn型シリコン単結晶を育成する際に、主ドーパントであるPに対する副ドーパントとしてGa、In又はAlの少なくとも1種を初期添加した原料融液を使用する。例文帳に追加

The method for growing the n-type silicon single crystal of P-dope by CZ method is characterized by using a raw material melt having at least one of Ga, In or Al initially added as the secondary dopant to P as a main dopant. - 特許庁

本発明は、ドーパントの表面偏析を抑制して、原子層オーダでのプロファイル幅を持つドーピング層を形成することを目的としている。例文帳に追加

To form a doped layer which has a profile width in the order of atomic layer thickness by suppressing the surface segregation of a dopant. - 特許庁

そのとき、パルスバルブ20を介してガスボンベの減圧器の二次側のドーピングガスを基板3の表面上にパルス状に直接供給することで、基板3からドープ層に遷移する領域における不純物濃度プロファイルが急峻になり、ドープ層の表面が平坦化される。例文帳に追加

At this time, the doping gas on a secondary side of a pressure reducer to a gas cylinder via the pulse valve 20 is supplied directly in a pulse manner on a surface of the substrate 3, so that the impurity concentration profile in a region transiting from the substrate 3 to the dope layer becomes steep to flatten the surface of the dope layer. - 特許庁

これにより、導電性高分子に対するドーパント重合体の定着性が向上するため、そのドーパント重合体のドーピング率が安定的に向上する。例文帳に追加

As a result, the fixity of the dopant polymer to the conductive polymer is improved, and thus the doping rate of the dopant polymer is stably improved. - 特許庁

基板上に、電極と、少なくとも一層の発光層を含む有機機能層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層が、ホスト化合物と、いずれもリン光発光性の、青色ドーパント、緑色ドーパント及び赤色ドーパントとを含有し、かつ当該発光層中のリン光発光性ドーパントの含有比率が所定要件のすべてを満たすことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。例文帳に追加

In the organic electroluminescent element, the luminous layer contains a host compound, a blue dopant, a green dopant and a red dopant, each of the dopants being a phosphorescent dopant, and a content ratio of each of the phosphorescent dopants in the luminous layer satisfies all of predetermined requirements. - 特許庁

分裂停止後のドーパミン産生ニューロン前駆細胞に特異的に発現している遺伝子例文帳に追加

GENE EXPRESSED SPECIFICALLY IN DOPAMINE-PRODUCING NEURON PRECURSOR CELLS AFTER TERMINATION OF DIVISION - 特許庁

(1)タンクの容量の69%でドームを完全に閉じ、タンクの容量の75%で維持する。例文帳に追加

(1) A dome is fully closed at a level of 69% of the tank capacity, it is maintained at a level of 75% of the tank capacity. - 特許庁

しかも、洗浄処理時には、洗浄液に副ドーパントが含まれていることに基づき、導電性高分子前駆体にあらかじめドープされていた主ドーパントの流出(脱離)が抑制される。例文帳に追加

Further, flowing-out (desorption) of the main dopant having already been doped to the conductive polymer precursor is suppressed on the basis of the sub dopant contained in the wash liquid at the wash processing. - 特許庁

導電率の高い導電性組成物を良好な反応効率で形成するための酸化剤兼ドーパント、該酸化剤兼ドーパントを構成するためのドーパント溶液、該導電性組成物、および該導電性組成物を用いた固体電解コンデンサとその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an oxidizing agent also serving as a dopant for forming an electrically conductive composition having high conductivity with good reaction efficiency, a dopant solution for constituting the oxidizing agent also serving as the dopant, the conductive composition, a solid electrolytic capacitor using the conductive composition, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

五価酸化物ドーパントは、遮熱コーティングの焼結を低減させることができる。例文帳に追加

The pentavalent oxide dopant can reduce sintering of the thermal barrier coating. - 特許庁

ドーパント又はアクチベータ要素がより均一に混入される燐光体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method to mix a dopant or an activator element more homogeneously in a phosphor. - 特許庁

さらにより好ましくは、前記Gaは4〜6at%、前記Mnは0.2〜1.5at%の濃度でドーピングされる。例文帳に追加

Further more desirably, the Ga is doped by 4-6 at% of a concentration, and the Mn is doped by 0.2-1.5 at% of a concentration. - 特許庁

導電性エラストマーは、ドーパントによりドーピングされたポリアニリン誘導体と、水酸基およびカルボキシル基の少なくとも一方を有する化合物からなる二次ドーパントと、活性水素と反応する重合性化合物と、を含む。例文帳に追加

This conductive elastomer includes: a polyaniline derivative doped with a dopant; a secondary dopant made of a compound having at least one of a hydroxy group and a carboxyl group; and a polymerizable compound reacting with active hydrogen. - 特許庁

肺サルコイドーシスおよび眼サルコイドーシスを検出するための検出マーカーとして下記タンパク質の抗体を提供。例文帳に追加

To provide the antibody of the following proteins as a detection marker for detecting lung sarcoidosis and eye sarcoidosis. - 特許庁

また、前記マスキングペーストを基板にパターン形成した後、ドーパントを拡散させることを特徴とする太陽電池の製造方法を提供する。例文帳に追加

In addition, the method is provided for manufacturing the solar cell by diffusing the dopant after the masking paste is pattern-formed on the substrate. - 特許庁

また、近接効果補正パターン小領域は、ドーズ補充用のパターンを小領域の外周部に形成したものである。例文帳に追加

The proximity effect correcting pattern small region is obtained by forming a dose supplementing pattern on the outer periphery of the small region. - 特許庁

これによって、キャパシター上部及び下部電極がキャパシター上部及び下部電極の界面で殆ど同じドーピング濃度を持つようになる。例文帳に追加

This causes the upper and lower electrodes of the capacitor to have almost the same doping concentration at the interface between them. - 特許庁

電位コントラストを持つ2次電子像から直接拡散層のドーパントプロファイルや電流パスの可能像を得ることができる。例文帳に追加

The possible images of the dopant profile and current path of its diffusing layer can be obtained directly from the secondary electron images having the potential contrast. - 特許庁

例文

この勾配のある多孔質Siは、まずSi含有基板に(p型またはn型の)ドーパントを注入し、活性化アニール・ステップを使用してこのドーパントを活性化し、次にこの注入され活性化されたドーパント領域をHF含有溶液中で陽極酸化することによって形成される。例文帳に追加

This porous Si having the gradient is formed by first implanting a (p-type or n-type) dopant into a substrate containing Si, activating this dopant using an activating annealing step, and then anodizing this implanted and activated dopant region in a solution containing HF. - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
PDQ®がん用語辞書 英語版
Copyright ©2004-2024 Translational Research Informatics Center. All Rights Reserved.
財団法人先端医療振興財団 臨床研究情報センター
  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS