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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > イサイの意味・解説 > イサイに関連した英語例文

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イサイを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 628



例文

半導体集積回路は、ハイサイドトランジスタと、ローサイドトランジスタと、ハイサイドトランジスタを駆動するレベルシフト回路と、ローサイドトランジスタを駆動するプリドライバ回路とを備え、ハイサイドトランジスタとローサイドトランジスタとの接続点を出力端子とする。例文帳に追加

The semiconductor integrated circuit is provided with a high-side transistor, a low-side transistor, a level shift circuit for driving the high-side transistor, and a predriver circuit for driving the low-side transistor, and a connection point between the high-side transistor and the low-side transistor is defined as an output terminal. - 特許庁

実施形態によれば、ハイサイドスイッチと、前記ハイサイドスイッチと直列に接続されたローサイドスイッチと、前記ローサイドスイッチと並列に接続されたダイオードと、ハイサイド制御回路と、ローサイド制御回路と、を備えた半導体回路が提供される。例文帳に追加

The semiconductor circuit comprises: a high-side switch; a low-side switch connected with the high-side switch in series; a diode connected in parallel with the low-side switch; a high-side control circuit; and a low-side control circuit. - 特許庁

電圧源の負端子とハイサイド駆動部との間にハイサイド駆動スイッチが配置され、ローサイド駆動部がローサイド双方向半導体スイッチをONにする時に、ハイサイド駆動部を電圧源の負端子に接続するよう動作可能であってよい。例文帳に追加

A high side driving switch may be positioned between the negative terminal of the voltage source and the high side driver and operable to connect the high side driver to the negative terminal of the voltage source when the low side driver turns the low side bidirectional semiconductor switch on. - 特許庁

イサイドドライバ回路14は、電源ラインLvddとハイサイドトランジスタMHのゲートの間に設けられた第1トランジスタM1と、接地GNDとハイサイドトランジスタMHのゲートの間に直列に設けられた第2トランジスタM2および第1抵抗R1と、を含む。例文帳に追加

A high-side driver circuit 14 contains a first transistor M1 fitted between a power-supply line Lvdd and a gate for a high-side transistor MH, and a second transistor M2 and a first resistor R1 fitted in series between the ground GND and the gate for the high-side transistor MH. - 特許庁

例文

また、土持政照と一緒に酒を飲んでいる様子がこの島のサイサイ節という民謡に歌われている。例文帳に追加

Also the folksong Minyo of Saisai-bushi describes him drinking with Masateru TSUCHIMOCHI.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス


例文

金塩によってハロイサイトナノチューブの表面には金イオンが形成される。例文帳に追加

Gold ions are formed on the surface of the halloysite nanotubes by the gold salt. - 特許庁

良外観ハイサイクル成形性ポリアミド樹脂組成物およびその成形品例文帳に追加

HIGH-CYCLE MOLDABLE POLYAMIDE RESIN COMPOSITION WITH GOOD APPEARANCE AND MOLDED PRODUCT THEREOF - 特許庁

イサイドトランジスタ58は、高電圧ノード84から600ボルトの高電圧を受信する。例文帳に追加

The high side transistor 58 receives a high voltage of 600 volts from a high voltage node 84. - 特許庁

供給電圧のオン/オフを目的とするハイサイド半導体スイッチのスイッチ制御回路例文帳に追加

SWITCH CONTROL CIRCUIT FOR HIGH-SIDE SEMICONDUCTOR SWITCH FOR PURPOSE OF ON/OFF OF SUPPLY VOLTAGE - 特許庁

例文

イサイドスイッチ31〜33のゲート電極直下のP型基板領域を接地する。例文帳に追加

A P-type substrate region right under a gate electrode of high side switches 31 to 33 is grounded. - 特許庁

例文

イサイクル成形用エポキシ樹脂組成物、硬化樹脂、および繊維強化複合材料例文帳に追加

EPOXY RESIN COMPOSITION FOR HIGH CYCLE FORMATION, CURED RESIN AND FIBER-REINFORCED COMPOSITE MATERIAL - 特許庁

イサイド駆動回路用チャージポンプ回路及びドライバ駆動電圧回路例文帳に追加

CHARGE PUMPING CIRCUIT FOR HIGH-SIDE DRIVING CIRCUIT, AND DRIVER DRIVING VOLTAGE CIRCUIT - 特許庁

セルロース系ポリマー(A)とポリアミド(B)とからなるサイドバイサイド型セルロース系複合繊維。例文帳に追加

The side-by-side type cellulose-based conjugate-fiber includes a cellulose-based polymer (A) and a polyamide (B). - 特許庁

バス制御部10は、Retry禁止(*)#12に応答して、当該バススレーブへリトライサイクルを起動する。例文帳に追加

The part 10 starts a retry cycle to the bus slave in response to the prohibition (*) #12. - 特許庁

電力変換回路の入力電圧および出力電圧を検出可能なハイサイド・コントローラ例文帳に追加

HIGH SIDE CONTROLLER CAPABLE OF SENSING INPUT VOLTAGE AND OUTPUT VOLTAGE OF POWER CONVERSION CIRCUIT - 特許庁

球状加水ハロイサイトは湿式媒体攪拌ミルを用いて分散配合するのが好ましい。例文帳に追加

The spherical hydrated halloysite is preferably compounded by dispersing with a wet medium stirring mill. - 特許庁

有色発光ダイオードランプ、装飾用照明装置及びカラーディスプレイサイン装置例文帳に追加

COLORED LIGHT EMITTING DIODE LAMP, LIGHTING APPARATUS FOR DECORATION, AND COLOR-DISPLAY SIGNING APPARATUS - 特許庁

生物に影響を与える程度の濃度のルイサイトを簡便に検出、測定すること。例文帳に追加

To easily detect and measure a lewisite having a concentration level of affecting a living organism. - 特許庁

制御回路3は、ハイサイドMOSFET及びローサイドMOSFETのオンオフを制御する。例文帳に追加

A control circuit 3 controls on/off of the high-side MOSFET and the low-side MOSFET. - 特許庁

イサイドトランジスタの第二の端子側から出力電圧が出力される。例文帳に追加

An output voltage is output from the second terminal side of the high-side transistor. - 特許庁

可塑性付与材(C)はハロイサイト及び/若しくはモンモリロナイトを主成分とする粘土が好ましい。例文帳に追加

As the plasticity imparting material (C), clay consisting essentially of halloysite and/or montmorilonite is preferably used. - 特許庁

イサイクルに樹脂成形品を冷却できる有効な射出成形製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an effective method for manufacturing an injection molded product which can cool a resin molded product in a high-cycle manner. - 特許庁

インダクタは、一端がハイサイドスイッチの他端に接続し、他端が出力端子に接続する。例文帳に追加

An inductor is connected at one end to the other end of the high side switch and connected at the other end to an output terminal. - 特許庁

サイドバイサイド型複合繊維の溶融紡糸方法及び溶融紡糸装置例文帳に追加

MELT SPINNING OF SIDE-BY-SIDE TYPE CONJUGATE FIBER AND APPARATUS FOR MELT SPINNING - 特許庁

前記ハイサイドスイッチは、電源端子と出力端子との間に接続されている。例文帳に追加

The high-side switch is connected between a supply terminal and an output terminal. - 特許庁

イサイドスイッチは、一端が入力端子に接続し、オン/オフが切り替えられる。例文帳に追加

A high side switch, having one end of it connected to an input terminal, is switched between on and off. - 特許庁

負端子がハイサイド駆動部に接続された外部電圧源が備えられてよい。例文帳に追加

An external voltage source with a negative terminal of the voltage source connected to the high side driver may be provided. - 特許庁

表面意匠性とハイサイクル性の両方に優れたペレットブレンド物を提供する。例文帳に追加

To provide a pellet blend of polyamide resin having both of excellent surface appearance attractiveness and excellent high-cycle molding property. - 特許庁

半導体チップのダイサイズを増大させることなく、IOパッドの配置を高密度化する。例文帳に追加

To increase the arranging density of IO pads, without increasing the die size of a semiconductor chip. - 特許庁

イサイドNMOSパワートランジスタ401のゲート・ソース間に、ハイサイドプルダウンNMOSトランジスタ601と抵抗R1の直列回路を接続し、そのハイサイドプルダウンNMOSトランジスタ601のゲートをハイサイドプリドライバ300HのPMOSトランジスタ305のゲートに接続する。例文帳に追加

A series circuit of a high-side pull-down NMOS transistor 601 and a resistor R1 is connected between a gate and a source of a high-side NMOS power transistor 401, and a gate of the high-side pull-down NMOS transistor 601 is connected to a gate of a PMOS transistor 305 of a high-side pre-driver 300H. - 特許庁

本発明はサイドバイサイド冷蔵庫において、均一冷却性能を進めることを目的とする。例文帳に追加

To enhance uniform cooling performance of a side-by-side type refrigerator. - 特許庁

本願の一実施形態による双方向半導体スイッチを用いたハーフブリッジのための駆動回路は、ハイサイド双方向半導体スイッチを制御するよう動作可能なハイサイド駆動部を備え、ハイサイド駆動部は、双方向半導体スイッチに負バイアス電圧を供給して、ハイサイド双方向半導体スイッチをOFFにする。例文帳に追加

A driving circuit for a half bridge using a bidirectional semiconductor switches in an embodiment of the present invention includes a high side driver operable to control a high side bidirectional semiconductor switch, wherein the high side driver provides a negative bias voltage to the bidirectional semiconductor switch to turn the high side bidirectional semiconductor switch off. - 特許庁

「貿易のための援助」について、サプライサイド能力や貿易関連インフラの重要性に言及。例文帳に追加

Concerning "Aid for Trade," mention was made of the importance of supply-side capacity and trade-related infrastructure. - 経済産業省

ドライバー回路11は、ハイサイドスイッチング素子12が形成された第1の半導体基板21上に形成され、ハイサイドスイッチング素子12を駆動する。例文帳に追加

The driver circuit 11 is formed on the semiconductor substrate 21 on which the high side switching element 12 is formed and drives the high side switching element 12. - 特許庁

リン酸塩鉱物とハロイサイトを含有するカオリン系粘土との混合比は、リン酸塩鉱物100重量部に対してハロイサイトを含有するカオリン系粘土を30〜300重量部とする。例文帳に追加

The mixing ratio of the phosphate mineral to the kaolin-based clay containing halloysite is controlled to 30-300 pts.wt. to 100 pts.wt. phosphate mineral. - 特許庁

抵抗R1は、nMOSトランジスタQ2のドレインとハイサイドスイッチング素子HSWのゲート(ハイサイドゲートGH1)との間に接続される。例文帳に追加

The resistor R1 is connected between a drain of the nMOS transistor Q2 and a gate of a high side switching element HSW (high side gate GH1). - 特許庁

前記ホールアレイサイズによる影響はホールアレイサイズに応じて増加するため、エロージョン量は特定のサイズにおいて飽和になるのかをモニタリングする。例文帳に追加

As an effect due to the hole array size increases in accordance with the hole array size, monitoring is performed to check whether the erosion amount reaches a point of saturation at a specific size. - 特許庁

第1の強制転流式同期整流器404は、変換器TX1に結合されたハイサイド強制転流回路410とハイサイドドライバ408とを含む。例文帳に追加

The first force commutated synchronous rectifier 404 comprises a high side forced commutation circuit 410 and a high side driver 408, both coupled to a transformer TX1. - 特許庁

また、ローサイド側の縦型トランジスタ素子を有する2つの半導体チップが、ハイサイド側の半導体チップの一部と対向された状態で、第2接着部材を介してハイサイド側の半導体チップ上に積層固定されている。例文帳に追加

Further, two semiconductor chips having low-side vertical transistors are stacked and fixed on the high-side semiconductor chip with a second adhesive member interposed while being opposed to a portion of the high-side semiconductor chip. - 特許庁

ホストブリッジ3はコンフィグレーションサイクルでバススレーブ6,7のディレイサイクル数を読出し、コンフィグレーションレジスタ31にディレイサイクルテーブルとして格納する。例文帳に追加

A host bridge 3 reads the delay cycle number of the bus slaves 6 and 7 in a configuration cycle and stores it in the configuration register 31 as a delay cycle table. - 特許庁

変換器モジュール52は、ハイサイドトランジスタ58を駆動するために必要とされるエネルギーを供給し、入力信号モジュール54は、ハイサイドトランジスタ58のオン、オフ状態を決定する。例文帳に追加

The converter module 52 provides an energy required to drive the high side transistor 58 and the input signal module 54 determines an ON or OFF state of the high side transistor 58. - 特許庁

このコンデンサC1の高圧側は、ダイオードD2を介して、ハイサイドプリドライバ回路に接続されるハイサイド側駆動電圧VHを出力する端子となっている。例文帳に追加

The high-voltage side of the capacitor C1 is made as a terminal connected to a high-side pre-driver circuit via the diode D2 and outputting a high-side driving voltage VH. - 特許庁

スイッチ部は、ハイサイドnchトランジスタFET1の導通に先立ち導通し、ハイサイドnchトランジスタFET1の導通に同期して非導通となる。例文帳に追加

The switch part is conducted before the high side nch transistor FET1 is conducted, and become nonconductive synchronously with conduction of the high side nch transistor FET1. - 特許庁

供給電圧選択部62により交流変換ハイサイド電圧Vhaまたは直流変換ハイサイド電圧Vhbのいずれか一方を選択して、Nチャネル半導体スイッチ駆動部54およびスイッチ部50に供給する。例文帳に追加

A supplying power selecting part 62 selects either the AC converted high-side voltage Vha or the DC converted high-side voltage Vhb to supply it to the N-channels semiconductor driving part 54 and to the switching part 50. - 特許庁

この電位から、ハイサイドトランジスタ43のベース・エミッタの順方向電圧VBEよりも低い電圧分だけ出力端子51の電位が低下すると、ハイサイドトランジスタ43はONになる。例文帳に追加

When the potential of an output terminal 51 falls from the above potential by the voltage lower than the base-emitter forward direction voltage VBE of the high side transistor 43, the high side transistor 43 is turned ON. - 特許庁

イサイドトランジスタQHと並列に検知トランジスタQDが設けられており、ハイサイドトランジスタQHがオンしたときのオン電圧を検知電圧VQDとして検知トランジスタQDから取り出す。例文帳に追加

A detection transistor QD is disposed in parallel with the high side transistor QH, and an on voltage of the high side transistor QH in an on phase is output as a detection voltage VQD from the detection transistor QD. - 特許庁

移動通信端末50Bは、受信したディスプレイサイズ情報Aと自機の記憶部54から読み出したディスプレイサイズ情報Bに基づいて変倍率を求め、受信した電子メールデータを自機の表示部52に表示する。例文帳に追加

The mobile communication terminal 50B determines a magnification rate based on the received display size information A and the display size information B read from the own storage part 54, and displays the received e-mail data on the own display part 52. - 特許庁

表示部のディスプレイサイズが大きい場合は、視差の小さい画像の組み合わせを表示画像として選択し、ディスプレイサイズが小さい場合は、比較的視差の大きい画像を表示画像として選択する。例文帳に追加

A pair of images having a small parallax are selected as display images when the display size of the display part is large, and a pair of images having a relatively large parallax are selected as display images when the display size of the display part is small. - 特許庁

IGBT13とハイサイドドライバ15との間にはコンデンサ16が接続され、ハイサイドドライバ15から出力された前記電流の一部を蓄積する。例文帳に追加

A capacitor 16 is connected between the IGBT13 and the high-side driver 15, storing a part of the current outputted from the high-side driver 15. - 特許庁

例文

イサイドドライバ、及びローサイドドライバとして使用でき、ハイサイドドライバとローサイドドライバが混在しているシステムに好適な負荷駆動装置を提供する。例文帳に追加

To provide a load driver that can be used as a high side driver and a low side driver and suitable for a system where the high side driver and the low side driver are intermingled. - 特許庁

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