1016万例文収録!

「イサイ」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > イサイの意味・解説 > イサイに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

イサイを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 627



例文

更に、トランス3の一次電流Itを遮断する時、オンしているハイサイドスイッチ部1H又は2Hと、ローサイドスイッチ部2L又は1Lと、のいずれか一方を他方より遅れ時間だけ遅れてオフする。例文帳に追加

When the primary current It of the transformer 3 is cut off, either of a high-side switching part 1H or 2H, or a low-side switching part 2L or 1L, which are turned on, is turned off, to lag behind the other switching parts by the lagged time. - 特許庁

すなわち、ミュート・オンの指令が入力されると、ハイサイドのスイッチング素子を全てオフにし、ローサイドの全てのスイッチング素子を所定周波数でオン・オフさせる。例文帳に追加

Namely, when the muting-on command is inputted, all the high-side switching elements are turned off and all the low-side switching elements are turned on/off at the predetermined frequency. - 特許庁

コンデンサ36の電圧は、ツェナ−ダイオード50により電源30の電圧にクランプされた後、ハイサイドスイッチング素子SWuのゲートに印加される。例文帳に追加

A voltage of the capacitor 36 is clamped by the voltage of the power source 30 by a Zener diode 50 and subsequently applied to the gate of the high-side switching element SWu. - 特許庁

イサイズの減少が可能であり、取得可能なダイ数を増加させて量産性を向上するチップ構造を有し、また周辺回路で消費される電流を減らし、高速動作に有利なメモリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a memory device having chip architecture in which die size can be reduced and mass productivity is improved by increasing the number of obtainable dies, also current consumption of peripheral circuits is reduced, and which is advantageous to high speed operation. - 特許庁

例文

第1及び第2サンプルデータが互いに異なる値であるかの可否を比較してエラー回数を算出し、エラー回数が0である位相区間を求めてアイサイズを算出する。例文帳に追加

The circuit generates error counts by comparing the first sampled data and the second sampled data as to whether or not they can differ from each other and calculates the eye size of the received data by obtaining a phase range where the error counts are equal to zero. - 特許庁


例文

固有粘度差が0.05〜0.4(dl/g)である2種類のポリトリメチレンテレフタレートを互いにサイドバイサイド型に複合した単糸からなるマルチフィラメントで構成された緯編地。例文帳に追加

The weft knitted fabric is constituted with a multifilament consisting of a single yarn in which two kinds of polytrimethylene terephthalates having an intrinsic viscosity difference of 0.05-0.4 (dl/g) have been mutually conjugated into a side-by-side type. - 特許庁

イサイド,ロウサイドの駆動用トランジスタを備える場合、タイマ等の回路を付加することなく双方のトランジスタの熱的負担を均等化する負荷駆動装置を提供する。例文帳に追加

To provide a load driver for equalizing the thermal burdens of both transistors without adding the circuit of a timer or the like when high-side and low-side driving transistors are provided. - 特許庁

イサイド駆動回路12は、第2電源電圧(75V)を基準とした第1電源電圧(5V)により駆動され、ラッチ回路121の保持データに従って、p型MOSトランジスタQP1の導通状態を切り替える。例文帳に追加

A high-side driving circuit 12 is driven by a first power supply voltage (5V) with a second power supply voltage (75V) as a reference and switches a conduction state of a p-type MOS transistor QP1 according to retained data in a latch circuit 121. - 特許庁

そのうえで、スイッチング素子をスイッチング駆動するのにあたり、1つのコントロールIC2によりハイサイド用の第1のドライブ信号と、ローサイド用の第2のドライブ信号とを出力させる。例文帳に追加

Further, to drive to switch a switching element, a high-side first drive signal and a low-side second drive signal are outputted by one control IC 2. - 特許庁

例文

分子量が異なるポリ乳酸樹脂A、Bをサイドバイサイド型に配した複合繊椎であり、沸水処理後の捲縮率が40%以上、弾性率が50%以上であることを特徴とする潜在捲縮性ポリ乳酸複合繊維。例文帳に追加

This latently crimpable polylactic acid conjugate fiber is a conjugate fiber in which polylactic acid resins A and B having difference in molecular weight are arranged side by side, has ≥40% crimp percent and ≥50% modulus of elasticity after boiling water treatment. - 特許庁

例文

記憶容量やディスプレイサイズが制限される携帯情報端末に対して送信される画像データのデータ量を大幅に削減することが可能な画像変換装置を得る。例文帳に追加

To provide an image converting device capable of remarkably reducing the volume of the image data transmitted to a portable information terminal limited in its storage capacity and display size. - 特許庁

本発明はハイサイドスイッチング素子へゲート駆動信号を伝送する高圧側駆動回路から誤出力がされることを弊害なく抑制できる半導体装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor apparatus capable of suppressing, without a harmful effect, an erroneous output from occurring from a high-voltage side drive circuit for transmitting a gate drive signal to a high-side switching device. - 特許庁

ホールアレイサイズスプリットaと配列間スペースの長さスプリットbを一定に規定したモニタリングパターンを利用して、プラグCMP時に発生するエロージョンレベルを評価する。例文帳に追加

An erosion level generated during plug CMP is evaluated using a monitoring pattern that specifies a hole array size split (a), and a length split of space between arrays split (b) at a certain level. - 特許庁

隣接する2本のデータ線ごとに、第1極性の駆動電圧を生成するハイサイドアンプHAMP、第1極性と反対の第2極性の駆動電圧を生成するローサイドアンプLAMPが設けられる。例文帳に追加

Every two data lines adjacent to each other, there are provided a high-side amplifier HAMP that generates a drive voltage in a first polarity and a low-side amplifier LAMP that generates a drive voltage in a second polarity opposite to the first polarity. - 特許庁

また、サブローデコーダ面積が小さくなることにより、サブアレイサイズを小さく出来、消費電力の低減、ワード線やプレート線の遅延時間低減による高速化が実現できる。例文帳に追加

A sub array size can also be made small by making a sub row decoder area small, and acceleration can be realized due to the reduction of power consumption and the delay time reduction of the word lines and the plate lines. - 特許庁

STB200は、受信画像データの伝送方式がサイドバイサイド方式およびトップアンドボトム方式のいずれかであるとき、さらには、テレビ受信機からの要求に応じて、画枠変換処理の非実行を決定する。例文帳に追加

When a transmission method of the received image data is a side-by-side method or a top-and-bottom method or, further, in response to a request from the television receiver, the STB 200 determines not to perform the image frame conversion processing. - 特許庁

本デッドタイム生成器は、ハイサイドゲートドライバとローサイドゲートドライバが、出力スイッチのオン時間の間にデッドタイムが生じるように出力スイッチを駆動する。例文帳に追加

In this dead time generator, a high-side gate driver and a low-side gate driver drives an output switch so that the dead time is generated during ON-time of the output switch. - 特許庁

ディスプレイサイズが大きくなっても、導光体の本数を増やすことなく、厚みおよび重量もさほど増大せず、モアレの発生を低減すること。例文帳に追加

To provide a display lighting device wherein thickness and weight is not increased so much without increasing the number of light guide bodies even if a display size is enlarged and occurrence of moire fringes is reduced. - 特許庁

イサイドアンプHAMPの低電位側の電源端子およびローサイドアンプLAMPの高電位側の電源端子は、共通のチャージシェアキャパシタC1に接続される。例文帳に追加

The power supply terminal in the low potential side of the high-side amplifier HAMP and the power supply terminal in the high potential side of the low-side amplifier LAMP are connected to a common charge share capacitor C1. - 特許庁

アンテナ11で受信したワンセグテレビ放送をデコードした後、拡大処理部16が表示部18のディスプレイサイズに合わせて拡大し、表示用メモリ17に格納する。例文帳に追加

After a one-segment television broadcast received by an antenna 11 is decoded, an enlargement part 16 enlarges it to the display size of a display part 18 and stores it in a display memory 17. - 特許庁

一つの実施形態によれば、DC−DCコンバータは、基板、ハイサイドトランジスタチップ、ローサイドトランジスタチップ、及び制御ICチップが積層形成される。例文帳に追加

According to an embodiment of the present invention, a DC-DC converter includes a stack of a substrate, a high-side transistor chip, a low-side transistor chip, and a control IC chip. - 特許庁

スタンダードセル方式LSIにおけるセルアレイサイズの増大を抑制し、チップサイズの増大およびチップ上の配置配線のリソースの減少を抑制する。例文帳に追加

To restrain the cell array of a standard cell-system LSI from increasing in size so as to restrain a chip from increasing in size and to prevent the resource of wiring laid on the chip from decreasing. - 特許庁

プリフォームの長短にあわせて型締め機構の開閉ストロークを最適な状態にしてサイクルロスのないハイサイクルなプリフォーム受渡装置を提供する。例文帳に追加

To provide a high cycle preform delivery apparatus free from cycle loss by setting the on-off stroke of a mold clamping mechanism to the optimum state by matching with the length of a preform. - 特許庁

抵抗変化型素子を用いた不揮発性記憶装置について、非選択メモリセルの漏れ電流を十分に低減できるよう、アレイサイズが小さく、かつ、レイアウト面積が増大しない構造を実現する。例文帳に追加

To achieve a structure in which array size is small and layout area does not increase so that leak current of non-selected memory cell can be substantially reduced in a nonvolatile memory device using a variable resistance element. - 特許庁

入力電源Eに接続されたハイサイド側スイッチ素子Q1と出力トランスT1の1次側巻線T1pとローサイド側スイッチ素子Q2との直列回路を有する。例文帳に追加

The switching power supply unit has a serial circuit consisting of a high-side switch element Q1 connected to an input power supply E, a primary winding T1p of an output transformer T1 and a low-side switch element Q2. - 特許庁

ドライバ回路20は、モータの停止が指示されると、ハイサイドトランジスタMH1、MH2を直ちにオフするとともに、ローサイドトランジスタML1、ML2を、所定の遅延時間τd経過後にオフする。例文帳に追加

When the stop of the motor is instructed, the driver circuit 20 turns off the high-side transistors MH1, MH2 immediately and then turns off the low-side transistors ML1, ML2 after the lapse of a prescribed delay time τd. - 特許庁

ノイズ保護ライン19は、一端が第一スクイブ2のハイサイド端子23と第一電子素子51とをつなぐ第一素子ライン15に接続し、他端がグランドに接続する。例文帳に追加

One end of the noise protection line 19 is connected to a first element line 15 connecting the high-side terminal 23 of the first squib 2 and the first electronic element 51, while the other end to the ground. - 特許庁

イサイド出力信号を発生するフリップフロップに同時にハイレベルのセット信号及びリセット信号が加えられても誤動作しないようにする。例文帳に追加

To prevent a half-bridge type inverter circuit from malfunctioning even if a high level set signal or a reset signal is added to a flip-flop which generates a high-side output signal. - 特許庁

インバータ駆動回路2において、インバータ1のハイサイドスイッチング素子11のゲート端子に一端が接続され、他端が接地電位に固定されたキャパシタ16を備える。例文帳に追加

The inverter drive circuit 2 comprises a capacitor 16 having one end connected with the gate terminal of the high side switching element 11 in the inverter 1 and the other end fixed to the ground voltage. - 特許庁

出力回路は、ハイサイドトランジスタ13と、ローサイドトランジスタ14と、ゲート保護回路10と、レベルシフト回路8と、プリドライバ回路7とを備える。例文帳に追加

An output circuit comprises a high-side transistor 13, a low-side transistor 14, a gate protecting circuit 10, a level shift circuit 8, and a predriver circuit 7. - 特許庁

低電圧電源で動作する制御回路1からの信号をレベルシフト回路2を介して高電圧電源で動作するハイサイドドライブ回路3に入力し、MOSトランジスタPM1を駆動する。例文帳に追加

A signal from a control circuit 1 operating by a low voltage power supply is inputted through a level shift circuit 2 to a high side drive circuit 3 operating by a high voltage power supply in order to drive an MOS transistor PM1. - 特許庁

このブラシホルダ30は、正極側ターミナルを有しており、この正極側ターミナルと電源との間にはハイサイドスイッチ構成のスイッチング手段が配置されている。例文帳に追加

This brush holder 30 has a positive pole side terminal, and a switching means of high-side switch structure is also allocated between this positive side terminal and power source. - 特許庁

前記ハイサイドスイッチと前記ローサイドスイッチとは、高電位電源線と低電位電源線との間に直列に接続され、入力信号に応じて排他的にオンする。例文帳に追加

The high-side switch and the low-side switch are connected in series between a high-potential power supply line and a low-potential power supply line to be exclusively turned on according to an input signal. - 特許庁

これにより、ハイサイドのFETの駆動に必要なゲート電圧を確保するとともに、コンデンサの充放電に伴って発生するノイズを抑えることができる。例文帳に追加

The gate voltage necessary for driving the high-side FET can be secured, and the noise caused by charging/discharging the capacitors can be suppressed. - 特許庁

このシステム200および方法では、ハイサイドスイッチQ2が、電気的バスに結合されるように動作可能であり、ローサイドスイッチQ1が共通の接地に結合される。例文帳に追加

In such a system 200 and method, a high side switch Q2 is operable to be coupled to an electrical bus, and a low side switch Q1 is coupled to a common ground. - 特許庁

本発明は、わずか2つのハイサイドのスイッチング・トランジスタおよび1つのローサイドの整流デバイス、ならびに制御回路を備える、スイッチング・コンバータを提供する。例文帳に追加

To provide a switching converter having only two high-side switching transistors and one low-side rectifier device and a control circuit. - 特許庁

イサイドトランジスタチップは制御長が短く、第一のリードを介して入力電圧が入力される第一の端子と、制御ICチップから出力される第一の制御信号が入力される制御端子とを有する。例文帳に追加

The high-side transistor chip has a short control length, and includes a first terminal to which the input voltage is input via the first lead and a control terminal to which a first control signal output from the control IC chip is input. - 特許庁

イサイド操作スイッチ及びローサイド操作スイッチのいずれも接続できるスイッチ状態検出装置及びそれを有する制御装置を提供する。例文帳に追加

To provide a switch state detector capable of connecting both a high-side switch and a low-side switch, and a controller having the same. - 特許庁

更に、励磁コイルに供給する電力の制御を行うハイサイド駆動素子及びローサイド駆動素子の制御指令に、双方の駆動素子を一時的に遮断状態にするためのデッドタイムを挿入するように構成した。例文帳に追加

Furthermore, the dead time for putting both the drive elements into a cut-off state for a moment is inserted into a control command of the high-side drive element and the low-side drive element, which controls electric power supplied to the excitation coils. - 特許庁

モータ制御装置1は、FETを3相ブリッジ接続して構成されるインバータ回路と、ハイサイドのFETの駆動に必要な電圧を出力するチャージポンプ回路19とを備えている。例文帳に追加

A motor control device 1 includes: an inverter circuit constituted by bridge-connecting the FETs at three phases; and a charge pump circuit 19 which outputs the voltage necessary for driving the high-side FET. - 特許庁

地組織にサイドバイサイドの複合糸を使用し、3枚以上の筬を使用して、縦横いずれの方向にも5〜30%の伸長が可能であり、かつ伸びの回復率が90%以上であるトリコット編地とする。例文帳に追加

Side-by-side conjugated fibers are used as the ground weave, three or more reeds are used to form a tricot knit fabric that is extensible 5-30% in both of warp and weft direction with ≥90% elongation recovery. - 特許庁

第1D/AコンバータDAC1およびハイサイドアンプHAMPの上側電源端子には、第2上側電源電圧AVDDが供給され、それらの下側電源端子には中間電圧Vcが供給される。例文帳に追加

An upper-side power supply terminal of a first D/A converter DAC1 and a high-side amplifier HAMP is fed with a second upper-side power supply voltage AVDD, and a lower-side power supply terminal thereof is fed with an intermediate voltage Vc. - 特許庁

成形品の金型残りや、金型付着物による成形品の不良を改良し、ハイサイクルで信頼性の高い成形安定性に優れた精密成形品用樹脂組成物およびその成形品の取得を課題とする。例文帳に追加

To provide a resin composition for precision moldings which modifies the failure of moldings due to mold remainders and mold deposits of moldings, is of a high cycle and highly reliable, and hence is excellent in molding stability, and the moldings. - 特許庁

不揮発性メモリをマクロメモリとして搭載する半導体装置において、データ書き込み動作の効率を向上させ、かつインターフェースを簡素化してダイサイズの縮小を図り得る半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semicondoctor device, on which nonvolatile memories are mounted as a macromemory, with the device minimizing die size by improving operation efficiency, in data writing and simplifying of an interface. - 特許庁

型開き行程における金型メカニズムの破損を防止できると共に、型開き行程の加減速性能を損なわず、かつ、ハイサイクル成形を可能とすること。例文帳に追加

To prevent a mold mechanism from being damaged in a mold opening step and at the same time, keep the speed acceleration and reduction performance of the mold opening step unscathed and further, make a high cycle molding process feasible. - 特許庁

イサイドスイッチ22およびローサイドスイッチ23が共にON状態のときには制御電流I1に直流電源の+BからGNDに流れる。例文帳に追加

When a high side switch 22 and the low side switch 23 are turned into an ON state, control currents I1 are allowed to run from a DC power source +B to GND. - 特許庁

DC−DCコンバータ1において、高電位電源配線PHと低電位電源配線PLとの間にハイサイド・パワートランジスタQ1及びローサイド・パワートランジスタQ2を直列に接続する。例文帳に追加

In the DC-DC converter 1, a high-side power transistor Q1 and a low-side power transistor Q2 are connected in series between high-potential power wiring PH and low-potential power wiring PL. - 特許庁

即ちハイサイドスイッチング素子のオン時間は一定で、ローサイドスイッチング素子を、その導通角及びスイッチング周波数が同時に可変される複合制御方式によってスイッチング制御する。例文帳に追加

More specifically, the ON interval of a high side switching element is constant and a low side switching element is subjected to switching control by composite control system, where the conduction angle and the switching frequency are varied at the same time. - 特許庁

レベルシフト回路10が有するトランジスタM5は、V_BOOTとV_LXの間に結合され、ハイサイドNMOSトランジスタMAのゲートを駆動するための出力信号を生成する。例文帳に追加

A transistor M5 of a level shift circuit 10 is connected between V_BOOT and V_LX, and generates an output signal for driving the gate of a high-side NMOS (N-channel Metal-Oxide Semiconductor) transistor MA. - 特許庁

例文

しかも、射出完了後、ノズル6Aから金型1が離れると、凹部61内で固まった溶融樹脂が金型1の外部に露出し、その分、型締めストロークが短縮され、ドライサイクルを短縮できる。例文帳に追加

In addition, after injection is completed, when the mold 1 is separated from the nozzle 6A, the molten resin solidified in the recessed part 61 is exposed outside of the mold 1, and a stroke for clamping is shortened by the portion to be able to shorten the dry cycle. - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS