「キャリア注入」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

活性層へのキャリアの注入を妨げにくいキャリアストッパー層を有する半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser device comprising a carrier stopper layer which hardly prevents the injection of a carrier into an active layer. - 特許庁

その後、シャッタ４０_ａ，４０_ｂが開き、吊り下げアーム部２２がキャリア２３を注入室３０に移動させ、キャリア２３を開放する。例文帳に追加

The shutters 40a and 40b are then opened and the suspension arm part 22 moves the carrier 23 to the injection room 30 to release the carrier 23. - 特許庁

キャリア輸送性及びキャリア注入性に優れた複合材料、並びにそれを用いた発光素子、発光装置の提供。例文帳に追加

To provide a composite material excellent in carrier transportation and carrier injection properties and a light emitting element and a light emitting device using the composite material. - 特許庁

有機エレクトロルミネッセンス素子において、キャリア注入性、輸送性の高いキャリア輸送層を形成し、発光効率の向上を図る。例文帳に追加

To form a carrier transport layer wherein a carrier injection property and transport properties are high, and improvement in luminous efficiency is aimed at. - 特許庁

このことによって、キャリア注入層の表面からキャリア注入層を構成する構成原子が脱離すること及び酸化や汚染に起因する、キャリア注入層と表面保護膜との界面に形成される界面準位の密度を低減できる。例文帳に追加

Thus, constituent atoms constituting the carrier injection layer can be prevented from separating off the surface of the carrier injection layer and the density of interface state of an interface between the carrier injection layer and the surface protective film can be reduced. - 特許庁

この電位制御部１を備えることにより、オーミックコンタクトなどのキャリア注入手段によってキャリア注入部３にキャリアを注入し、スピン軌道相互作用空間勾配生成部４により電場勾配を与えたときに発生する電位差を打ち消す。例文帳に追加

Due to the potential control unit 1, a carrier is injected to a carrier injector 3 by a carrier injection means such as ohmic contact, so as to cancel potential difference that is generated when electric field gradient is given by the spin-orbit interaction space gradient generator 4. - 特許庁

キャップ層４の少なくとも上部とソ−ス・ドレインとを電気的に絶縁するためのキャリア注入阻止用絶縁部９を設けることにより、寄生チャネルへのキャリアの注入を抑制して、チャネル層に優先的にキャリアを注入する。例文帳に追加

A carrier-injection preventing insulating part 9 is provided for electrically insulating at least the upper part of the cap layer 4 from the source/drain, so that injection of carriers into the parasitic channel is suppressed, while the carrier is preferably injected into the channel layer. - 特許庁

有機エレクトロルミネッセンス素子において、キャリア移動度の高い液晶化合物に、イオン電流を発生させることなくドーピングを施してキャリア輸送能及びキャリア注入性の向上を図る。例文帳に追加

To improve carrier transfer capability and carrier implantation by applying doping without generating an ion current in a liquid crystal compound having high carrier mobility in an organic electroluminescence element. - 特許庁

キャリア輸送層２と有機発光層１の間に異種材料の界面が存在しないようにすることができ、キャリア輸送層２から有機発光層１へのキャリア（電子やホール）の注入効率を高めることができる。例文帳に追加

Since a different kind of material is eliminated from the interface between the carrier transporting layer 2 and the organic light-emitting layer 1, the injection efficiency of the carriers (electron and hole) from the carrier transporting layer 2 into the organic light-emitting layer 1, is heightened. - 特許庁

少数キャリアの注入が抑制される炭化シリコン接合障壁ショットキーダイオード例文帳に追加

SILICON CARBIDE JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE WITH SUPPRESSED MINORITY CARRIER INJECTION - 特許庁

利得導波路１７は電極２５からキャリア注入による光学的利得を有する。例文帳に追加

A gain waveguide 17 has an optical gain by carrier injection from an electrode 25. - 特許庁

適応ベースバンド注入型パイロットキャリアシンボルを用いた通信システム及び関連する方法例文帳に追加

COMMUNICATIONS SYSTEM USING ADAPTIVE BASEBAND INJECTED PILOT CARRIER SYMBOLS, AND RELATED METHOD - 特許庁

この第１ゲート電極８ａを過剰キャリア注入抑制ゲートとして機能させる。例文帳に追加

The first gate electrode 8a functions as an excessive carrier injection inhibition gate. - 特許庁

ここで、注入するキャリアの密度は、電流密度にして１０^4Ａ／ｃｍ^2以上である。例文帳に追加

The injected carriers have a current density of 10^4 A/cm^2 or higher. - 特許庁

この方法を光キャリア注入法（Ｐｈｏｔｏｃａｒｒｉｅｒ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ：ＰＣＩ法）と呼ぶ。例文帳に追加

This method is called a photocarrier injection (PCI) method. - 特許庁

適応型ベースバンド注入パイロットキャリアシンボルを用いた通信システムを提供する。例文帳に追加

To provide a communications system that uses adaptive baseband injected pilot carrier symbols. - 特許庁

非揮発性メモリのための高効率ホットキャリア注入プログラミングの方法及び構造例文帳に追加

METHOD AND STRUCTURE FOR HIGHLY EFFICIENT HOT CARRIER INJECTION PROGRAMMING FOR NON-VOLATILE MEMORY - 特許庁

周辺領域では、活性領域に比較して、厚い半導体層へ少ないキャリアが注入される。例文帳に追加

In the peripheral region, less carriers are injected into a thick semiconductor layer than in the active region. - 特許庁

周辺領域に注入されるキャリアの密度を活性領域に比較して低くすることができる。例文帳に追加

The density of the injected carrier in the peripheral region can be lower than in the active region. - 特許庁

有機FETにおいて、電極から活性層へのキャリア注入効率を向上させること。例文帳に追加

To improve carrier injection efficiency from an electrode to an active layer in an organic FET. - 特許庁

基板へのキャリア注入を抑制する半導体装置及び電源回路を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that suppresses carrier injection into a substrate, and to provide a power supply circuit. - 特許庁

ソースからのキャリアの注入率を向上することができるスピントランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a spin transistor having improved injection ratio of carriers from its source. - 特許庁

半導体装置においてキャリアの注入効率を高め性能を向上する。例文帳に追加

To improve the performance of a semiconductor device by improving the efficiency of carrier injection. - 特許庁

これによりＥＬ層１０３の表面近傍にキャリア注入領域１０４が形成される。例文帳に追加

Thus, a carrier implantation area 104 is formed on the surface vicinity of the EL layer 103. - 特許庁

キャリア注入効率が高く、利得帯域の広い量子構造を提供することである。例文帳に追加

To provide a quantum structure that has high carrier injection efficiency and a wide gain band. - 特許庁

キャリア注入による屈折率変化により光導波路の伝送経路を切り換える光スイッチにおいて、前記光導波路が形成された半導体基板上に前記注入されたキャリアを蓄積するキャリア蓄積層を設ける。例文帳に追加

The optical switch for changing over transmission routes of an optical waveguide by a refractive index change due to carrier injection is provided with a carrier accumulation layer which accumulates the injected carriers onto a semiconductor substrate formed with the optical waveguide. - 特許庁

本半導体レーザ素子１０では、電流注入時、ストライプ内に設けられた電流非注入領域２８の直下の活性層２０内の部分３４のキャリア密度が、それ以外の部分のキャリア密度より低い。例文帳に追加

When a current is injected, in this semiconductor laser device 10, the carrier density in a part 34 in the active layer 20 directly below the current non-injection regions 28 provided in the stripe is lower than that in the other parts. - 特許庁

その結果、ゲート領域９からの自由キャリア（正孔）の過剰な注入を抑止し、ソース領域４から多量の自由キャリア（電子）を注入することができ、所望の直流信号電流増幅率を容易に得ることができる。例文帳に追加

Accordingly, the excessive injection of the free carrier (positive hole) from the gate region 9 is inhibited, and a large number of free carriers (electrons) can be injected from the source region 4, thus easily obtaining a desired DC signal current amplification factor. - 特許庁

ドレインに注入されるキャリア量の低下及び磁化反転によるキャリア注入変化量の低下を抑制することができるスピントランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a spin transistor capable of preventing drop of the amount of carriers injected in a drain and drop of carrier injection variation by magnetization reversal. - 特許庁

したがって、キャリア１０が載置台２上で位置決めされる前に、注入ノズル５がキャリア１０の注入部１０２にひっかかるという事態が発生しない。例文帳に追加

Consequently, the charging nozzle 5 is never caught in the charging unit 102 of the carrier 10 before the carrier 10 is positioned on the mounting table 2. - 特許庁

シリコンより構成されたコア１０１よりなる光導波路と、印加される電流に対応してコア１０１にキャリアを注入するキャリア注入部１１０とを備える。例文帳に追加

The variable optical attenuator includes: an optical waveguide comprising a core 101 made of silicon; and a carrier injection part 110 injecting a carrier into the core 101 according to an applied current. - 特許庁

そして、浮遊ゲート６に対してキャリアである電子の注入又は放出を行う場合、ゲート酸化膜５を通じてではなく、モット絶縁体７の金属相を通じてキャリアの注入又は放出を行う。例文帳に追加

At the time of injecting or discharging electrons into and from the floating gate 6 as carriers, the injection and discharge are not performed through a gate oxide film 5, but through the metallic phase of the Mott insulator 7. - 特許庁

この発光ダイオード素子１０の積層構造によれば、バイアス電圧を印加しても電位障壁がキャリア注入を阻害せず、ｉ型ＺｎＯ発光層２へ高効率にキャリアを注入できる。例文帳に追加

According to laminate structure of the light emitting diode element 10, potential-jump barrier does not impede carrier injection even if bias voltage is applied, so that carriers can be injected with high efficiency into the i-type ZnO light emitting layer 2. - 特許庁

本発明のキャリア液リサイクル装置は、導電性パイプ１にバイアス電圧を印加した状態で、導電性ローラ２を回転させつつ、注入口６から回収キャリア液を注入する。例文帳に追加

In the carrier liquid recycling apparatus, the recovered carrier liquid is poured from a filling port 6 while rotating an electrically conductive roller 2 in the state where bias voltage is applied to an electrically conductive pipe 1. - 特許庁

その注入ゲート電極１６に交流電圧を印加し、ｎ^− ドリフト層２に断続的に少数キャリアを注入する。例文帳に追加

Then, an AC voltage is applied to the injection gate electrode 16, and a small number of carriers are intermittently injected to an n-drift layer 2. - 特許庁

そしてこの状態から、昇降駆動ユニット４により注入ノズル５がキャリア１０の注入部１０２に接触する。例文帳に追加

From this state, a rise and fall drive unit 4 drives a charging nozzle 5 to come into contact with the charging unit 102 of the carrier 10. - 特許庁

ホール注入電極と電子注入電極との間に、有機材料で構成されたキャリア輸送層と発光層とが設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子において、キャリア輸送層にキャリア輸送用のドーパントをドープさせ、及び／又は上記の発光層にキャリア輸送用あるいは励起エネルギー移動用のドーパントをドープさせている。例文帳に追加

In this organic electroluminescent element provided with the carrier layer and the light emitting layer composed of an organic material between a hole injected electrode and an electron injected electrode, dopant for carrying is doped in the carrier layer and/or dopant for carrying or excited energy moving is doped in the light emitting layer. - 特許庁

前記チャネル形成領域１１０では、第１のｎ^+ 領域１２１と接するようにキャリア供給部１１１が形成され、第２のｎ^+ 領域１２２と接するようにキャリア加速注入部１１２が形成され、前記キャリア供給部１１１およびキャリア加速注入部１１２は相互に接している。例文帳に追加

In the channel formation region 110, a carrier supply part 111 is formed so that it is in contact with the first n+ region 121, a carrier acceleration injection part 112 is formed so that it is in contact with the second n+ region 122, and the carrier supply part 111 and the carrier acceleration injection part 112 are connected each other. - 特許庁

支持基板、電荷キャリア注入面の層、ホール遮断層、任意の接着剤層、電荷キャリア輸送材料の層、電荷キャリア発生材料の層、任意の電荷捕獲層、架橋シリコーンゴムおよび電気絶縁上塗層を含む画像形成部材を用いる画像形成法。例文帳に追加

The imaging method utilizing the imaging member containing a supporting substrate, a layer of a charge carrier injecting surface, a hole blocking layer, an optional adhesive layer, a layer of a charge carrier transport material, a layer of an charge carrier generating material, an optional charge trapping layer, a crossed linked silicone rubber, and an electrically insulating covercoating layer is provided. - 特許庁

有機化合物と無機化合物とを複合した複合材料であって、キャリア輸送性および有機化合物へのキャリア注入性に優れ、かつ透明性にも優れた複合材料を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a composite material of an organic compound and an inorganic compound having excellent carrier transportability, carrier injection properties into an organic compound, and transparency. - 特許庁

そのことで、ソース領域４の両側から自由キャリア（正孔）の注入及び引き抜きを行い、且つ、分離領域１７を介してＹ軸方向にも自由キャリア（正孔）の移動可能とする。例文帳に追加

By the above structure, injection and drawing-out of free carriers (positive holes) are performed from both sides of the source region 4, and free carriers (positive holes) are movable also in a Y axis direction through an isolation region 17. - 特許庁

又、ゲート酸化膜３のダングリングボンドを水素原子と結合させることができるので、ホットキャリア注入によるキャリアの捕獲を防止し、トランジスタの初期特性を安定化させることができる。例文帳に追加

In addition, a dangling bond of a gate oxide film 3 can be made to bond with the hydrogen atom, and thereby capture of hot carriers through the hot carrier injection can be prevented and initial characteristics of the transistor can be stabilized. - 特許庁

ｐ型キャリア保持層１０５は、ゲート層１０７からエミッタ層１０６内に注入されてエミッタ層１０６内を拡散して到達したｐ型キャリアを一時的に保持する。例文帳に追加

The p-type carrier retaining layer 105 temporarily retains the p-type carriers that are injected from the gate layer 107 into the emitter layer 106 and are diffused in the emitter layer 106 and reach the p-type carrier retaining layer 105. - 特許庁

正孔注入層３２１及び正孔輸送層３２２は、正孔をキャリアとするシングルキャリア層として発光層３２３からはみ出すように形成され、はみ出した部分が第３電極３３０と第４電極とに挟まれる。例文帳に追加

The hole injection layer 321 and the hole transport layer 322 are formed to protrude from the luminescent layer 323 as a single carrier layer using holes as carriers, and the protruding part is sandwiched between the third electrode 330 and the fourth electrode. - 特許庁

非セル領域に、キャリアのライフタイムが短いライフタイム制御層を備えているため、裏面電極から半導体基板の非セル領域に注入されたキャリアが、ライフタイム制御層によって減衰される。例文帳に追加

Since the non-cell region includes the lifetime control layer where a lifetime of a carrier is short, the carrier injected from a back electrode into the non-cell region of a semiconductor substrate is attenuated by the lifetime control layer. - 特許庁