「光電流増倍」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

光電流増倍素子における残留電荷除去方法および光電流増倍素子の駆動回路例文帳に追加

METHOD OF REMOVING RESIDUAL CHARGE FROM PHOTOCURRENT MULTIPLYING ELEMENT AND DRIVE CIRCUIT THEREOF - 特許庁

増倍光電流の光応答速度を速める。例文帳に追加

To increase the optical response speed of multiplied photoelectric current. - 特許庁

光電流増倍型感光体装置例文帳に追加

PHOTOELECTRIC CURRENT DUPLICATION TYPE PHOTORECEPTOR DEVICE - 特許庁

光電流増倍素子及びフォトトランジスタ例文帳に追加

PHOTOCURRENT MULTIPLICATION ELEMENT AND PHOTOTRANSISTOR - 特許庁

光電流増倍装置の応答速度を高速化する。例文帳に追加

To accelerate the responding speed of a photocurrent multiplying device. - 特許庁

高速応答光電流増倍装置例文帳に追加

HIGH-SPEED RESPONSE PHOTOELECTRIC CURRENT MULTIPLYING DEVICE - 特許庁

光電子増倍管の感度を低下させることなく光電子増倍管を劣化させる過大な電流が光電子増倍管を流れないようにする。例文帳に追加

To prevent an excessive current which deteriorates a photomultiplier tube from flowing to the photomultiplier tube without reducing the sensitivity of the photomultiplier tube. - 特許庁

２つの光を照射して初めて光電流増倍が起こるというＡＮＤ機能をもつ有機光電流増倍デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an organic photocurrent amplifying device, having an AND function of amplifying a photocurrent for the 1st time, when it is irradiated with two light beams. - 特許庁

励起光をＡｕ電極６側から光電流増倍層２に入射させると、光電流増倍層２とＡｕ電極６の界面で光電流増倍が起こる。例文帳に追加

When excitation light is injected in the photocurrent multiplying layer 2 from the Au electrode 6 side, photocurrent multiplication occurs in a boundary between the photocurrent multiplication layer 2 and the Au electrode 6. - 特許庁

分子結晶を用いた光電流増倍装置及びその製造方法例文帳に追加

PHOTO-ELECTRIC CURRENT MULTIPLIER USING MOLECULAR CRYSTAL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

低い電圧で高い増倍率と大きな明暗電流比が得られる光電流増倍素子を提供する。例文帳に追加

To provide a photoelectric current doubling element where high doubling rate and a large ratio of light to darkness can be obtained. - 特許庁

しかし、光６，７のどちらか一方のみをこの素子に照射しても光電流増倍は起こらず、素子に光電流は流れない。例文帳に追加

The photoelectron amplification will not be caused, when the element is irradiated with only either of the light beams 6 and 7, and no photocurrent will flow in the element. - 特許庁

増倍率は、光電流増倍層２を構成するＭｅ−ＰＴＣとＰｈＥｔ−ＰＴＣの混合比率に依存して変化する。例文帳に追加

The multiplication factor changes depending upon a mixture ratio of Me-PTC and PhEt-PTC of which the photocurrent multiplication layer 2 is composed. - 特許庁

異種有機半導体の混合薄膜による高速応答光電流増倍デバイス例文帳に追加

RAPID RESPONSE PHOTOELECTRIC CURRENT MULTIPLYING DEVICE FORMED OF MIXED THIN FILM OF HETEROLOGOUS ORGANIC SEMICONDUCTOR - 特許庁

キャリア増倍機能を有しながら暗電流の少ない光電変換素子を提供する。例文帳に追加

To provide a photoelectric conversion element which has a carrier multiplying function with less dark current. - 特許庁

両電極２，３を介して電源４により電圧を印加し、一方の電極２を通して光電流増倍層１に光を照射すると、両電極２，３間に速い光応答速度で増倍光電流が流れる。例文帳に追加

When voltage is applied from a power supply 4 via both electrodes 2 and 3 and light is irradiated on the photoelectric current multiplying layer 1 via one electrode 2, the multiplied photoelectric current is caused to flow at a rapid optical response speed between the electrodes 2 and 3. - 特許庁

光電流増倍素子１０の動作時に、バイアス電圧印加回路２０により光電流増倍素子１０の電極１２，１４間にバイアス電圧を印加した状態で光１００を照射する。例文帳に追加

A photocurrent multiplying element 10 is irradiated with light rays 100 while it is in operation, in such a state where a bias voltage is applied between the electrodes 12 and 14 of the photocurrent multiplying element 10 by a bias voltage applying circuit 20. - 特許庁

なだれ増倍を利用して電流を直接増幅することが可能であると共に、リニアモード動作において高い電流増幅率と低いＳ／Ｎとを両立させることができる電流増幅素子、電流増幅回路及び光検出デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a current amplifying element capable of directly amplifying current using avalanche multiplication, and balancing between a high current amplification factor and a low S/N ratio in a linear mode operation, to provide a current amplifying circuit, and to provide a photodetection device. - 特許庁

遮光膜に破損が生じると前記光電子増倍管電流ｉが増加するので、この電流変化より遮光膜の破損を検知し、異常を警報表示する。例文帳に追加

If the light shield film is broken, the photoelectron multiplier tube current (i) increases, so the breakage of the light shield film is detected from the variation of the current and an alarm display of the abnormality is made. - 特許庁

光電流増倍層１は光導電性有機半導体に異種材料を添加（ドーピング）した蒸着膜である。例文帳に追加

A photoelectric current multiplication layer 1 is a vapor deposition film wherein photoconductive organic semiconductor is doped with a different kind of materials. - 特許庁

受光素子を光電変換で生じる電流を増倍させるアバランシェフォトダイオードとすることにより、検出効率を向上させる。例文帳に追加

Detecting efficiency is improved by making the light receiving element into an avalanche photodiode multiplying a current generated by a photoelectric conversion. - 特許庁

上部電極と下部電極との間の導通を起こりにくく大面積が可能な光電流増倍素子や光−光変換素子などの増倍素子を提供する。例文帳に追加

To provide such a multiplier element as a photocurrent multiplier element and a light-to-light conversion element wherein continuity is hardly generated between its upper and lower electrodes and its large area is made possible. - 特許庁

粒子光学顕微鏡において、光電子増倍管が大きい結果生じるシンチレータと光電子増倍管との間での信号損失、及び、過剰に流れる電流を抑制する。例文帳に追加

To provide a particle-optical microscope capable of suppressing signal loss between a scintillator and a photomultiplier tube and an excessive electrical current resulting from largeness of the photomultiplier tube. - 特許庁

光電流増倍層と有機ＥＬ層とを積層させた従来の素子と比較すると、入射光と異なる位置に光を出射できることや、光電流増倍層と有機ＥＬ層の材料を自由に選択できる等の点で設計の自由度が高い。例文帳に追加

As compared with a conventional element obtained by laminating the photo current multiplying layer and an organic EL layer, a degree of freedom in design is high in a point that light can be exited to a different position from incident light, or materials of the photo current multiplying layer and the organic EL layer can be freely selected. - 特許庁

光電流増倍層１はＣ６０に銅フタロシアニンを３０vol％添加した共蒸着膜であり、その膜厚は５００ｎｍである。例文帳に追加

A photoelectric current multiplying layer 1 is an codeposition film added with 30 vol.% of copper phthalocyanine which has a thickness of 500 nm. - 特許庁

電極１を電極５に対してプラスに電圧印加し、２つの光６，７をこの素子の両側から同時に照射すると、光電流増倍が起こり素子に光電流が流れる。例文帳に追加

When a voltage is applied between the electrode 1 as the positive side and the electrode 5 and this element is irradiated with the two light beams from both its sides at the same time, photoelectron amplification is generated to make a photocurrent flow in this element. - 特許庁

このとき、前記光電変換部からの電流の振幅を電圧変換する際に倍増させる効果があるので、前記光電変換部からの電流の振幅が微小でも高精度な検出ができる。例文帳に追加

Since the current-voltage conversion has the effect of doubling the amplitude of the current from the transduction part PD, highly accurate detection can be performed, even if the amplitude of the current from the transduction part PD is minute. - 特許庁

光書込み表示素子７の光導電層は、光電変換過程で生成されたキャリアを電流増幅機構によって増倍させる光導電体によって形成される。例文帳に追加

The photoconductive layer of the photo-addressable display element 7 consists of a photoconductor which multiplies the carrier produced in the photoelectron conversion process by current amplification mechanism. - 特許庁

アバランシェフォトダイオードと、アバランシェフォトダイオードと同一光量を受光するように設けられ、増倍作用を有しないフォトダイオードと、アバランシェフォトダイオードから出力された倍増電流とフォトダイオードから出力された電流との差分に対応する電流量を出力するように設けられた比較手段とを具備する。例文帳に追加

The circuit for detecting the magnifying factor is equipped with an avalanche photodiode 11, a photodiode which is located so as to receive the same amount of light to the avalanche photodiode and has no magnifying operation, and a comparison means which is located so as to output an amount of current corresponding to the difference between the magnified current outputted from the avalanche photodiode and the current outputted from the phtodiode. - 特許庁

光吸収層の部位に第三電極を設置し、メサ構造において高電界がかかり、電流の漏洩が発生する頻度の高い部位である増倍層や光吸収層のメサ側面が露出しないようにする構造を設置するとともに、高周波応答性、増倍率を独立に調整出来る構造を提供する。例文帳に追加

In the structure, in addition, the high-frequency responsiveness and multiplication factor of the APD can be adjusted independently. - 特許庁

受光部３２と発光部３３の間に直流電圧を印加しつつ受光部３２に入射光２９を照射すると、光電流増倍層２２で生成された電子が発光層２４に注入され、増幅された出射光３０が得られる。例文帳に追加

When a direct current voltage is applied between the light receiving part 32 and the light-emitting part 33, while incident light 29 is irradiated on the light receiving part 32, the electrons generated by the photo current multiplying layer 22 are injected to the light-emitting layer 24, to obtain amplified emitted light 30. - 特許庁

第一電極、ＥＣ層、光導電層、第二電極を順次積層してなる光書込み表示素子において、光導電層を、光電変換過程で生成されたキャリアを電流増幅機構によって増倍させる光導電体によって形成した。例文帳に追加

In the optical-write display element manufactured by successively laminating a first electrode, EC layer, photoconductive layer and second electrode, the photoconductive layer is formed from a photoconductor in which the carrier generated in a photoelectric conversion process is multiplied by a current amplifying mechanism. - 特許庁

電極４，６により直流電源８からＮＴＣＤＡ単結晶２に電圧を印加して、単色光を照射すると、電極４，６間に増倍された光電流が流れる。例文帳に追加

When a voltage is applied to the single crystal 2 from a DC power source 8 via the electrodes 4 and 6 and irradiated with monochromatic light, the multiplied photocurrent flows between the electrodes 4 and 6. - 特許庁

この素子の光オン時の立ち上がりは、光電流増倍層として蒸着膜を用いたものに比べてかなり速く、高速応答化が可能である。例文帳に追加

The rise of the photocurrent at the time of optically turning on the element is considerably fast as compared with the vapor deposited film used as the photocurrent multiplying layer, and can rapidly respond. - 特許庁

消費電力を抑えつつダイノード電圧を安定に保ち、入射光量に対する出力電流の良好な直線性を維持することができる光電子増倍管駆動回路を提供する。例文帳に追加

To provide a drive circuit of a photomultiplier tube capable of holding a stable dynode voltage, while suppressing power consumption and maintaining proper linearity of the output current, with respect to the quantity of incident light. - 特許庁

このとき、光電陰極３３において発生した光電子がダイノードＤｙ_１〜Ｄｙ_ｎによって二次電子増倍され、出力電流Ｉ_１が陽極３７から取り出される。例文帳に追加

On this occasion, secondary electron multiplication of photoelectrons generated at the photocathode 33 is performed by the dynodes Dy_1-Dy_n, and an output current I_1 is taken out from an anode 37. - 特許庁

電極２，４により電圧を印加しながら樹脂分散有機半導体層３に光照射すると増倍された光照射誘起電流が流れる。例文帳に追加

While applying a voltage to the organic semiconductor layer 3 by the electrodes 2, 4, light is projected on the layer 3 to make therein a multiplied induction current caused by the light irradiation. - 特許庁

光ファイバ通信で用いられる光の波長帯(1.3〜1.55μｍ)において十分な感度があり、低暗電流で且つ低い増倍雑音特性を有しながら、更に、低価格なＰＤ、ＡＰＤ構造を実現するフォトダイオードの提供。例文帳に追加

To provide a photodiode wherein although it has an enough sensibility in an optical wavelength band (1.3-1.55 μm) used by an optical-fiber communication, and has a low dark current, and moreover, has a low multiplication noise characteristic, further, PD and APD structures having low prices are realized. - 特許庁

電源装置１０により単結晶６に高電界を印加した状態で光を照射すると、アバランシェ現象により光電流が増倍されて流れる。例文帳に追加

When lights are emitted in a status a high electric field is applied to the single crystal 6 by a power unit 10, photocurrents are multiplied and run by an avalanche phenomenon. - 特許庁

これにより、増倍開始前の低電圧領域において、第１メサ１０９の近傍に形成された第１埋込み層１１０ａ内をホットキャリアが流れるので、光電流−電圧特性に増倍率（Ｍ）＝１の平坦部が現れるようになり、かつ保護膜１１３と第２埋込み層１１０ｂとの界面に電流のリークバスが形成され難くなる。例文帳に追加

In a low-voltage region before multiplication develops, since a hot carrier flows inside the first embedded layer 110a formed in the vicinity of the first mesa 109, a flat part of multiplication factor (M)=1 appears in the photocurrent-voltage characteristic, and a leakage bus of current becomes less apt to be formed at an interface between a passivation membrane 113 and the second embedded layer 110b. - 特許庁

これにより、増倍開始前の低電圧領域において、第１メサ１０９の近傍に形成された第１埋込み層１１０ａ内をホットキャリアが流れるので、光電流−電圧特性に増倍率（Ｍ）＝１の平坦部が現れるようになり、かつ保護膜１１３と第２埋込み層１１０ｂとの界面に電流のリークバスが形成され難くなる。例文帳に追加

Thus, since a hot carrier flows within the first embedded layer 110a formed near the first mesa 109 in a low voltage region before starting multiplication, a flat part of M=1 appears in optical current/voltage characteristics, and a leak bus of a current is hardly formed on an interface of a protecting film 113 and the second embedded layer 110b. - 特許庁

残留電荷除去時に、除去パルス印加回路３０により光電流増倍素子１０の電極１２，１４間にバイアス電圧の絶対値以上の電圧を有しかつバイアス電圧と同じ極性の除去パルスを印加することにより、暗電流を低減させる。例文帳に追加

When residual charge is removed from the photocurrent multiplying element 10, removing pulses of higher voltage than the absolute value of the bias voltage is applied between the electrodes 12 and 14 of the photocurrent multiplying element 10 by a removing pulse applying circuit 30, by which a dark current is reduced. - 特許庁

Ａｕ電極６の外側からの光照射時、ＮＴＣＤＡ層５で生成された光キャリアーが効率良くＴＡＺ層４にてブロックされ、ＩＴＯ電極３との界面に高電界が発生し、強制的にＩＴＯ電極３より電子がトンネル注入され、光電流のみの増倍が生じ、しかも印加電圧を上げることにより増倍を増す。例文帳に追加

At irradiation of light from outside to the Au electrode 6, photocarriers generated in the NTCDA layer 5 are blocked efficiently with the TAZ layer 4, and a high electric field is generated at the interface to the ITO electrode 3, and electrons are forcedly injected through a channel from the ITO electrode 3, and multiplication of only the photoelectric currents occurs, and besides it increases the multiplication by raising the applied voltage. - 特許庁

光電流増倍層１はその両面に設けられた半透明金蒸着膜電極２とＩＴＯ電極３でサンドイッチ状に挟まれされている。例文帳に追加

The photoelectric current multiplying layer 1 is sandwiched between a translucent gold evaporation film electrode 2 and an ITO electrode 3 which are provided on both faces of the photoelectric current multiplying layer 1. - 特許庁

有機半導体薄膜３，５として光電流増倍を示すペリレン顔料からなる真空蒸着膜をそれぞれに膜厚５００ｎｍで形成し、その間にストライプ状ベース電極４を介在させた。例文帳に追加

Vacuum evaporation films composed of perylene pigment and exhibiting multiplication of photocurrent as organic semiconductor thin films 3 and 5 are formed to have a film thickness of 500 nm, respectively, and a stripe base electrode 4 is interposed between. - 特許庁