「半導体量子ドット」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

配列制御された量子ドットの作製方法及び配列制御された量子ドットを用いた半導体装置例文帳に追加

METHOD OF PREPARING ARRAY-CONTROLLED QUANTUM DOT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING QUANTUM DOT WHOSE ARRAY IS CONTROLLED - 特許庁

量子ドット構造体及びその形成方法、並びに該量子ドット構造体を有する半導体デバイス装置例文帳に追加

QUANTUM DOT STRUCTURE, FORMING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE SAME - 特許庁

複数の量子ドット２２を有する光半導体装置であって、複数の量子ドットの大きさが不均一である。例文帳に追加

The optical semiconductor device has a plurality of quantum dots 22 the size of which is uneven. - 特許庁

均一なサイズを有する量子ドットを含む半導体光素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor optical element, including quantum dots having uniform size. - 特許庁

シリコン量子ドットの形成方法及びこれを利用した半導体メモリ素子の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING QUANTUM DOT AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE SAME - 特許庁

これにより、量子ドット２０の密度、形状が均一に形成された半導体装置１が実現される。例文帳に追加

Thus, the semiconductor device 1 having the quantum dots 20 formed in uniform density and shape is provided. - 特許庁

第２の半導体からなる被覆層が、量子ドットの分布する仮想的な面の上に形成されている。例文帳に追加

A coating layer comprising a second semiconductor is formed on an imaginary plane where the quantum dots are distributed. - 特許庁

特性の優れた半導体量子ドット装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor quantum dot device having improved characteristics, and to provide a manufacturing method of the semiconductor quantum dot device. - 特許庁

半導体基板の上に、コラムナ量子ドットの間を埋めるサイドバリア層が形成されている。例文帳に追加

A side barrier layer filling the gap between the columnar quantum dots is formed on the semiconductor substrate. - 特許庁

半導体基板の上に、面内方向に分布する複数のコラムナ量子ドットが形成されている。例文帳に追加

Multiple columnar quantum dots are formed on a semiconductor substrate and distributed in the in-plane direction. - 特許庁

本発明の半導体量子ドット素子は、第１の半導体層３と、前記第１の半導体層３の上に設けられた活性層１３と、前記活性層１３の上に設けられた第２の半導体層６とから成り、前記活性層１３が、複数の単位量子ドットから成る量子ドット層４と、前記複数の単位量子ドット間を満たすように設けられた膜厚調整層５とから成る事を特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor quantum dot element comprises a first semiconductor layer 3, an active layer 13 provided on the first semiconductor layer 3, and a second semiconductor layer 6 provided on the active layer 13 wherein the active layer 13 comprises a quantum dot layer 4 having a plurality of unit quantum dots and a film thickness adjusting layer 5 provided to fill the gap between the plurality of unit quantum dots. - 特許庁

半導体基板１０上に形成された量子ドット１２と、量子ドット１２を埋め込むように形成された半導体層１８と、量子ドット１２の存在により半導体層１８に生じる歪により、半導体層１８表面の量子ドット１２上の位置に形成された電極２２とを有している。例文帳に追加

The quantum semiconductor device comprises a quantum dot 12 formed over a semiconductor substrate 10, a semiconductor layer 18 formed to embed the quantum dot 12, and an electrode 22 formed at the area over the quantum dot 12 over the surface of the semiconductor layer 18 due to a stress generated to the semiconductor layer 18 because of existence the quantum dot 12. - 特許庁

量子ドット半導体レーザを、半導体基板と、基底準位におけるＴＭモード利得がＴＥモード利得よりも大きい量子ドット２４と、量子ドット２４に連なるように形成され、量子ドット２４と同一の材料・組成の半導体材料からなる半導体層２１とを有する活性層６と、回折格子とを備えるものとする。例文帳に追加

The quantum dot semiconductor laser comprises a semiconductor substrate, an active layer 6 having a quantum dot 24 such that a TM mode gain of base level is larger than a TE mode gain and a semiconductor layer 21 which is formed connecting with the quantum dot 24 and made of a semiconductor material having the same substance and composition with the quantum dot 24, and a diffraction grating. - 特許庁

化合物半導体量子ドットの製造方法に関し、Ｓｉ基板上で３次元電子閉じ込めを実現できるドット状の良好な形状特性をもち、且つ、結晶性良好な化合物半導体量子ドットを実現させようとする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a compound semiconductor quantum dot which has a dot-like favorable shape characteristic capable of achieving a three-dimensional electron trapping on a Si substrate and has a favorable crystallinity. - 特許庁

量子半導体装置は、（ａ）下地半導体層上に位置し、この下地半導体層に対して量子井戸を構成せず、かつ下地半導体層に対してＳ−Ｋモードでの成長が可能な材料で構成される薄膜結晶層と、（ｂ）薄膜結晶層の直上に位置し、下地半導体層に対してタイプＩ型のエネルギバンド不連続を構成する量子ドットとを備える量子半導体構造を有する。例文帳に追加

A quantum semiconductor device has a quantum semiconductor structure provided with (a) a thin film crystal layer positioned on a base semiconductor layer and constituted of a material capable of growth in an S-K mode to the base semiconductor layer without constituting a quantum well to the base semiconductor layer and (b) a quantum dot positioned right above the thin film crystal layer and constituting type I energy band discontinuity to the base semiconductor layer. - 特許庁

量子ドットを有する半導体装置及びその製造方法に関し、量子ドットの発光波長を制御しうる半導体装置の構造及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the structure of a semiconductor device having a quantum dot for controlling the luminous wavelength of the quantum dot, and its manufacturing method. - 特許庁

アンドープ量子ドット１の近傍にｐ型半導体障壁層３を設け、ｐ型半導体障壁層３内のホール４を量子ドット１の価電子帯の基底準位８に予め注入しておく。例文帳に追加

The semiconductor quantum dot device comprises a p-type semiconductor barrier layer 3 provided near an undoped quantum dot 1, and holes 4 in the semiconductor barrier layer 3 previously injected at the ground level 8 of the ground level 8 of a valence band of the dot 1. - 特許庁

第１の半導体層４、第２の半導体層２、バリア層３、及び、量子ドット１を順次積層させた積層構造を少なくとも有する光半導体記憶装置の量子ドット１を電子７の保持部とするとともに、第２の半導体層２を量子ドット１において発生した正孔８の受容部とする。例文帳に追加

The optical semiconductor memory has at least a laminated structure composed of a first semiconductor layer 4, a second semiconductor layer 2, a barrier layer 3 and quantum dots 1 laminated one above the other, the quantum dots 1 are used as holders for electrons 7 and the second semiconductor layer 2 is used as acceptors for holes 8 generated in the quantum dots 1. - 特許庁

半導体発光素子１は、超伝導の第１電極１３と絶縁層１４とに跨って埋め込まれた第１半導体層１７と、第１半導体層１７と接するとともに、絶縁層１４と超伝導の第２電極１５とに跨って埋め込まれた第２半導体層１８と、第１半導体層１７と第２半導体層１８との接合面に設けられた半導体量子ドット領域１９とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor light-emitting element 1 includes: a first semiconductor layer 17 buried spreading over a superconducting first electrode 13 and an insulating layer 14; a second semiconductor layer 18 brought into contact with the first semiconductor layer 17 and buried spreading over the insulating layer 14 and a superconducting second electrode 15; and a semiconductor quantum dot region 19 provided in a junction surface between the first semiconductor layer 17 and the second semiconductor layer 18. - 特許庁

本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットＤの結晶成長レート及び／もしくは埋め込み層Ｌ４の結晶成長速度として１ＭＬ／ｓ（モノレイヤー・パー・セカンド）以上によって層形成させる。例文帳に追加

The method of forming the semiconductor quantum dot forms the semiconductor quantum dot by a self-organizing mechanism, wherein a layer is formed at ≥1 ML/s (monolayer per second) as a crystal growing rate of the quantum dot D and/or a crystal growing speed of a buried layer L4. - 特許庁

量子ドットに対して、正確に電気的にアクセスすることを可能とする量子半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a quantum semiconductor device and a method of manufacturing the same device in which the electrical access to the quantum dot is made accurately. - 特許庁

高い均一性と発光特性を実現する量子ドット近接積層構造の量子半導体デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a quantum semiconductor device having a quantum dot proximity laminate structure which actualizes a high uniformity and light emission characteristics. - 特許庁

微小な量子ドットを用いた有用な量子半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a useful quantum semiconductor device which uses a fine quantum dot, and also a method for manufacturing the quantum semiconductor device. - 特許庁

個別の量子ドットに対する局所的なキャリアの注入、取り出しを可能にする量子半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a quantum semiconductor device in which carriers can be injected or taken out locally for individual quantum dots. - 特許庁

量子のドット、リング及びワイヤーのような量子構造を含む半導体素子及びそれらの製作方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device including quantum structures such as quantum dots, quantum rings, and quantum wires, and to provide a method of manufacturing them. - 特許庁

III族窒化物半導体からなる量子ドット（III族窒化物量子ドット）、およびそのような量子ドットを良好に製造可能な方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a quantum dot (group III nitride quantum dot) made of a group III nitride semiconductor, and to provide a method for manufacturing the quantum dot. - 特許庁

高均一なサイズ分布を持つ半導体量子ドット構造をつくり、量子ドットの狭い状態密度を反映した高性能な量子ドットデバイスを実現する。例文帳に追加

To realize a highly efficient quantum dot device which reflects narrow state density of quantum dot by forming a semiconductor quantum dot structure with highly uniform size distribution. - 特許庁

量子ドット構造の厚さを任意の厚さで揃えて、エネルギー幅が狭く鋭いピーク状の状態密度を持つ、高密度な量子ドットを備えた半導体量子ドット素子を提供する。例文帳に追加

To obtain a semiconductor quantum dot element provided with high density quantum dots having a peak-like state density of steep energy width by arranging the thickness of quantum dot structure arbitrarily. - 特許庁

高均一なサイズ分布を持つ半導体量子ドット構造をつくり、量子ドットの狭い状態密度を反映した高性能な量子ドットデバイスを実現する。例文帳に追加

To obtain a high-performance quantum-dot device, which reflects the narrow-state density of the quantum dots by forming the structure of the semiconductor-quantum dots having the highly uniform size distribution. - 特許庁

量子ドット１は直接遷移型半導体の微結晶で、励起子ボーア半径ａ_B^＊の４倍以下の大きさとする。例文帳に追加

The quantum dot 1 is a microcrystal of direct gap semiconductor, and not larger than four times of exciton Bohr radius a_B^*. - 特許庁

耐光性に優れ、著しく高い電流変換効率を有する半導体量子ドット増感太陽電池を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor quantum dot sensitized solar cell having high light resistance and substantially high current conversion efficiency. - 特許庁

高い結晶品質を有する量子ドットを高密度に形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming a quantum dot having high crystal quality in high density. - 特許庁

光半導体記憶装置に関し、量子ドットにおいて発生した正孔を電子から再結合が生じない程度に空間的に分離する。例文帳に追加

To spatially separate holes generated in quantum dots in an optical semiconductor memory from electrons to the extent that their recombination do not occurs. - 特許庁

このような半導体レーザ装置の記活性層４は、量子ドット層１００とバリア層１０１により形成されている。例文帳に追加

The active layer 4 of the semiconductor laser device is formed of a quantum dot layer 100 and a barrier layer 101. - 特許庁

量子ドット半導体デバイスにおいて、温度が変化しても動作波長における利得が変化しないようにする。例文帳に追加

To prevent gain in an operation wavelength from changed, even when temperature is changed in a quantum dot semiconductor device. - 特許庁

発光素子１０は、半導体基板１と、シリコン量子ドット２〜４と、絶縁膜５と、電極６を備える。例文帳に追加

A light-emitting element 10 comprises a semiconductor substrate 1, silicon quantum dots 2 to 4, an insulating film 5, and an electrode 6. - 特許庁

第１の半導体からなる主表面を有する基板の主表面の上に、複数の量子ドットが離散的に分布する。例文帳に追加

A plurality of quantum dots are distributed discretely on the major surface of a substrate comprising a first semiconductor. - 特許庁

プリント制御システムにより、半導体量子ドットを含んだナノ蛍光体溶液が樹脂層１５０に噴射される。例文帳に追加

A nano fluorescence material solution containing semiconductor quantum dots is injected to the resin layer 150 by a print control system. - 特許庁

半導体量子ドットに代表されるナノ微粒子のサイズをナノオーダで制御して基板上に堆積してナノデバイスを作製する。例文帳に追加

To manufacture a nano device by controlling the size of nano particles represented by semiconductor quantum dots, in nano order to deposit them on a substrate. - 特許庁

半導体素子１０は、多結晶シリコン膜４と、絶縁膜５，９と、金属量子ドット８とを備える。例文帳に追加

A semiconductor device 10 includes a polycrystalline silicon film 4, insulating films 5 and 9, and metal quantum dots 8. - 特許庁

自己形成型量子ドットを用いた半導体発光素子に関し、活性層を直接エッチングすることなく横モードを制御する。例文帳に追加

To control a transverse mode without etching an active layer directly regarding a semiconductor light emitting element using a self-forming quantum dot. - 特許庁

アンチモン系量子ドットを化合物半導体の表面上に高面密度に形成する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for forming antimony-based quantum dots on the surface of a compound semiconductor in a high density. - 特許庁

量子ドット体として機能する微粒子の酸化がより確実に抑制された半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor apparatus in which oxidation of fine particles functioning as quantum dot object is suppressed surely. - 特許庁

ＴＭモードの光と相互作用することのできる、引張り歪みを持つ量子ドットを有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device provided with quantum dot having a tension strain capable of effecting interaction to light of TM (transverse magnetic) mode. - 特許庁

量子ドットへのキャリアの注入効率の低下を防止することが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which injection efficiency of carriers into quantum dots can be prevented from lowering. - 特許庁