「半導体量子ドット」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

自己形成型量子ドット６Ａからなる活性層が形成され、一方の端面に高反射膜ＨＲが、また、他方の端面に低反射膜ＬＲが形成された半導体レーザであって、高反射膜ＨＲ側に於ける量子ドット６Ａの密度が低反射膜ＬＲ側に於ける量子ドット６Ａの密度に比較して大きいことを特徴とする。例文帳に追加

In the semiconductor laser, where the active layer is formed consisting of the self-formation quantum dots 6A, a high reflection film HR is formed on one end face and a low reflection film LR is formed on the other end face, the density of quantum dots 6A on the high reflection film HR side is larger than that of quantum dots 6A on the low reflection film LR side. - 特許庁

ＩＩＩ—Ｖ族量子ドットの格子定数に対して３％以下の格子不整合率の格子定数であるＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体上に、ＩＩＩ—Ｖ族量子ドットを構成するＶ族元素の分子線を桁数にして１０^-7Ｔｏｒｒの条件において照射することによって、ＩＩＩ—Ｖ族量子ドットを成長させて形成する。例文帳に追加

The group III-V quantum dots are grown and formed on the group III-V compound semiconductor having the lattice constant in the lattice mismatching rate of 3% or less to the lattice constant of the group III-V quantum dots, by irradiating molecular beams of group V elements forming the group III-V dots under the condition of 10^-7Torr in terms of the number of digits. - 特許庁

半導体量子ドットは、ＬＥＤチップ１２０から放射され、ナノ蛍光体層１６０に入射した光子の少なくとも一部を吸収し、その入射した光子とは波長が異なる光子を放出する。例文帳に追加

The semiconductor quantum dots absorb a part of photons radiated from the LED chip 120 and incident upon the nano fluorescence material layer 160, and emit photons having different wavelengths from the incident photons. - 特許庁

安価な基板上に作製可能であり、発光波長の長波長化が可能な半導体発光素子に用いられる量子ドットの形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a quantum dot used for a semiconductor light emitting device capable of lengthening the wavelength of an emitted wavelength, and also forming it on an inexpensive substrate. - 特許庁

１．３μｍ波長領域で発光する量子ドットの高密度化及び高品質化を実現する半導体発光素子およびその製造方法を目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor light emitting device and its manufacturing method which achieve high density and high quality with the quantum dots emitting light within a wavelength region of 1.3 μm. - 特許庁

化合物半導体基板１にリソグラフィー技術を用いて段差構造２を形成し、結晶成長技術により上記段差構造を有する基板上の特定の部位にのみ選択的に量子ドット６を形成する。例文帳に追加

After step structures 2 are formed on a compound semiconductor substrate 1 by using lithography, quantum dots 6 are selectively formed only in specific portions on the substrate 1 having the step structures 2 by using a crystal growing technique. - 特許庁

第１電極１５のうち半導体量子ドット領域１３の上方部分に貫通孔１８が設けられ、第１電極１５と第２電極１６との間に間隙１９が設けられている。例文帳に追加

A through-hole 18 is provided at a portion of the first electrodes 15 above the semiconductor quantum dot region 13, and a space 19 is provided between the first electrode 15 and the second electrode 16. - 特許庁

シリコン量子ドット２は、半導体基板１との間にキャリアがトンネル可能な膜厚を有する絶縁膜が存在するように絶縁膜５中に形成される。例文帳に追加

The silicon quantum dots 2 are formed in the insulating film 5 so as to form an insulating film having a film thickness allowing carriers to tunnel between the semiconductor substrate 1 and the dots. - 特許庁

半導体上に作製される量子ドット列、または一般の固体において高い超伝導転移温度を実現し、かつ実現可能な格子形を提供する。例文帳に追加

To realize quantum dot array formed on a semiconductor or high superconductive transition temperature in a general solid substance, and provide a lattice type within reach. - 特許庁

ポリカルボン酸化合物で表面処理された蛍光性半導体量子ドットが、標的細胞に選択的に結合可能な物質に結合されてなる光感受性薬剤。例文帳に追加

The photosensitive medicine is characterized in that a fluorescent semiconductor quantum dot subjected to a surface treatment using a polycarboxylic acid compound is bound to a substance capable of selectively binding to a target cell. - 特許庁

このナノピラー構造５０の隙間を新たなIII族窒化物半導体で充填して充填層５８を形成することにより、III族窒化物量子ドット５６を製造する。例文帳に追加

The gap in the nanopillar structure 50 is filled with a new group III nitride semiconductor to form a filled layer 58, thus manufacturing the group III nitride quantum dot 56. - 特許庁

安定した均一性で量産可能であるとともに、それぞれがメモリセルを構成する量子ドット素子を高密度で集積した半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor storage device which has stable uniformity and can be mass-produced, and in which quantum dot elements constituting memory cells respectively are integrated with high density. - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族量子ドットを、この格子定数と低格子不整合率の格子定数であるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体上に形成する。例文帳に追加

To form group III-V quantum dots on a group III-V compound semiconductor having a lattice constant in a low lattice mismatching rate to the lattice constant of the group III-V quantum dots. - 特許庁

ＺｎＯ量子ドット（ＺｎＯ超微粒子）の粒子径に応じて誘導放出特性を制御することができ、種々のレーザ装置に応用可能な光半導体素子を実現する。例文帳に追加

To materialize an optical semiconductor element which can control an induced emission characteristic in response to a particle size of a ZnO quantum dot (ZnO ultrafine particle), and is applicable to various laser devices. - 特許庁

ｐ型ドープの量子ドット活性層を用いても高速変調動作及び高い信頼性を確保することができる半導体レーザ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser and a manufacturing method thereof for acquiring high-speed modulating operation and higher reliability even when a p-type doped quantum dot active layer is used. - 特許庁

量子ドットとして機能する微粒子４が製造工程中あるいは製造後に酸化されて絶縁体となることがないので、半導体装置は歩留まり良く製造され、且つ信頼性が向上している。例文帳に追加

Since the fine particles 4 functioning as quantum dots are not oxidized during or after fabrication process to become an insulator, the semiconductor apparatus is fabricated with good yield while enhancing the reliability. - 特許庁

高密度かつ均一な量子ドットを形成でき、利得が大きく、直接変調してもチャーピングが発生しにくい半導体レーザの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor laser with which high-density uniform quantum dots are formed, the gain is increased and chirping hardly occurs even in direct modulation. - 特許庁

次世代の光半導体デバイス開発の基礎になるものと期待されている、量子ドットの形成過程について、従来の静的な計算結果ではなく、動的過程を解明するための有効な計算方法を提供する。例文帳に追加

To provide an effective computation method for clarifying a dynamic process, not a conventional static computational result, in a quantum dot formation process expected to be a basis for development of next-generation optical semiconductor devices. - 特許庁

量子ドットの寸法と分布密度とを独立に制御することができ、かつ粒界に起因するポテンシャル障壁の影響を軽減させることができる半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of controlling the density of the dimension and distribution of a quantum dot separately, and reducing an influence of a potential barrier caused by a grain boundary. - 特許庁

書込／消去速度を劣化させることなく記憶保持時間を効率良く改善できるような、Ｓｉ量子ドットを利用した半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device utilizing Si quantum dots and its fabricating method in which the memory holding time can be improved efficiently without deteriorating write/erase rate. - 特許庁

巨大アイランドの形成による結晶品質の低下という問題を引き起こすことなく、ナノ構造の品質・形状を高品質に保つことを可能とする半導体量子ドット及び同形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor quantum dot for maintaining the quality and shape of a nanostructure with high quality without causing a problem of a decrease in crystal quality resulting from the shape of a huge island, and a method of forming the same. - 特許庁

これをＡＰＣ駆動回路に接続し、量子ドット膜９で検出された光をモニタすることにより、半導体レーザに入力されるバイアス電流をフィードバック制御する。例文帳に追加

The semiconductor laser is connected to an APC drive circuit and light detected by the quantum dot film 9 is monitored so that a bias current which is input to the semiconductor laser is feedback-controlled. - 特許庁

ＧａＡｓを含む障壁層上に形成され、ＩｎＡｓを含む量子ドットを備える光半導体装置において、容易に偏波無依存な利得を得られるようにする。例文帳に追加

To provide an optical semiconductor device formed on a barrier layer containing GaAs and provided with a quantum dot containing InAs, capable of easily obtaining a polarization-insensitive gain. - 特許庁

これにより、シリコン粒子１等の各導電体粒子が、シリコン窒化膜２等の絶縁膜により絶縁分離されて、ほぼ等間隔で配置された量子ドットが形成され、この層は半導体としての性質を有する。例文帳に追加

Consequently, respective conductor particles such as the silicon particles 1 are insulated and isolated by an insulating film such as the silicon nitride film 2 to form quantum dots which are arranged at substantially equal intervals, and a layer thereof has properties of a semiconductor. - 特許庁

半導体記憶装置１は、ＳＯＩ基板１１と、量子ドット２１と、インターポリ絶縁膜２７と、ラインパターン２９と、層間絶縁膜３０１と、ビット線３１とを備える。例文帳に追加

The semiconductor storage device 1 comprises an SOI substrate 11, quantum dots 21, interpoly insulating films 27, line patterns 29, an interlayer dielectric 301, and a bit line 31. - 特許庁

とくに、真空状態において、化合物半導体を所定温度に加温し、アンチモン分子線およびアンチサーファクタント分子線を照射して、化合物半導体表面上にアンチサーファクタントを付着させ、次いで、アンチサーファクタントが付着した化合物半導体表面上に、アンチモン分子線およびアンチモン系量子ドットを構成するアンチモン以外の元素の分子線を照射してアンチモン系量子ドットを成長させて形成する。例文帳に追加

Specially, in a vacuum state, the compound semiconductor is heated to a specified temperature and irradiated with an antimony molecular beam and an antisurfactant molecular beam to stick the antisurfactant on the compound semiconductor surface, and then the compound semiconductor surface where the antisurfactant sticks is irradiated with an antimony molecular beam and a molecular beam of an element other than antimony constituting antimony-based quantum dots to grow and form antimony-based quantum dots. - 特許庁

本発明は、紫外可視波長領域で発光し、波長可変で室温付近で動作する発光素子、特に格子整合型ダブルヘテロ接合構造、量子井戸構造および量子ドット構造の発光素子を製作可能な固溶半導体発光素子用材料および発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a material for solid solution semiconductor light emitting element for manufacturing a light emitting element which emits light in an ultraviolet visible wavelength region, is variable in wavelength and operates near room temperature, especially the light emitting element having a lattice matching double hetero-junction structure, a quantum well structure, and a quantum dot structure; and to provide the light emitting element. - 特許庁

本発明の一態様の光電変換装置は、ｐ型単結晶シリコン層１００と、ｎ型半導体層１２０と、ｐ型単結晶シリコン層１００とｎ型半導体層１２０との間に形成された、孔１１１に複数の量子ドット１１２を含有する多孔質シリコン層１１０と、を備える構成としている。例文帳に追加

The photoelectrically converting device is configured to include a p-type monocrystal silicon layer 100, an n-type semiconductor layer 120, a porous silicon layer 110 which is formed between the p-type monocrystal silicon layer 100 and the n-type semiconductor layer 120, and contains a plurality of quantum dots 112 in a hole 111. - 特許庁

半導体レーザに関し、自己形成型量子ドットからなる活性層をもつ半導体レーザに改変を加える旨の簡単な手段を採ることで、共振器方向に電流を不均一に注入することを可能にし、従来のように、１つのレーザに対し、２つ以上の電極を形成したり、２つ以上の電源を用いるなどの複雑な構成を不要にしようとする。例文帳に追加

To eliminate the need for a complex constitution such that two or more electrodes formed or two or more power sources are used for a single laser as in a conventional semiconductor laser, and enabling current to be injected nonuniformly in the direction of the resonator, by adopting a simple means of modifying the conventional semiconductor layer to a semiconductor layer, having an active layer consisting of self-formed quantum dots. - 特許庁

格子点上に、周囲にエネルギーポテンシャルの高い領域が形成され電子が閉じ込められた半導体量子ドットを配置することにより、隣接した量子ドット間を電子が移動可能であり、電子のエネルギー分散が波数依存性をほとんど持たないフラットバンド構造が電子エネルギーバンドに含まれるようにすることにより磁性体が形成される。例文帳に追加

This magnetic substance is formed by making electrons movable between adjacent quantum dots and including the flat-band structure, in which energy diffusion of electrons hardly depends on wave number, in an electron energy band by locating the semiconductor quantum dots, with which the area of high energy potential is formed around the periphery and the electrons are contained, on grid points. - 特許庁

本発明は、半導体基板の絶縁膜上に、フローティングゲートとして量子ドットを形成するフラッシュメモリの製造方法において、環境雰囲気中の有機ガス状物質を低減し、適正範囲内のサイズ及び／又は密度の量子ドットの製造が可能となるフラッシュメモリの製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a flash memory which is reduced in the amount of an organic gaseous substance in an environmental atmosphere and capable of manufacturing a quantum dot having a size and/or density within an optimum range, in the manufacturing method the a flash memory which forms the quantum dot on the insulating film of a semiconductor substrate as a floating gate. - 特許庁

基板のチャンネル上に積層される第１及び第２絶縁膜と、第１絶縁膜の上部と第２絶縁膜の下部に形成される第１及び第２誘電膜、並びに第１及び第２誘電膜間に介設されるIV族半導体膜、シリコン量子ドット、または金属量子ドットを含む非揮発性ＳＯＮＳＮＯＳメモリ。例文帳に追加

The non-volatile SONSNOS memory comprises first and second insulating films stacked on a channel of a substrate, first and second dielectric films formed between the upper part of the first insulating film and the lower part of the second insulating film, and a group IV semiconductor film, silicon quantum dots, or metal quantum dots, inserted between the first dielectric film and the second dielectric film. - 特許庁

半導体発光素子を、ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に形成された量子ドット活性層３と、量子ドット活性層３の上側又は下側に形成されたＧａＡｓ層４と、ＧａＡｓ層４の内部に、ＩｎＧａＰ又はＩｎＧａＡｓＰからなり、光の進行方向に沿って周期的に設けられた回折格子７とを備えるものとする。例文帳に追加

The semiconductor light-emitting device includes the GaAs substrate 1, the quantum dot active layer 3 formed over the GaAs substrate 1, a GaAs layer 4 formed above or below the quantum dot active layer 3, and the diffraction grating 7 formed from InGaP or InGaAsP and periodically provided along an propagating direction of light in the GaAs layer 4. - 特許庁

近赤外領域に発光帯を有する半導体量子ドット、および、この半導体量子ドットの表面を被覆する被覆層、を有する、水溶性近赤外蛍光材料であって、この被覆層は、システイン、および２〜８のアミノ酸残基から構成されおよびアミノ酸残基中に１またはそれ以上のシステイン残基が含まれるペプチドからなる群から選択される被覆ペプチド類から構成される層である、水溶性近赤外蛍光材料。例文帳に追加

The aqueous near-infrared fluorescent material has a semiconductor quantum dot having an emission band in the near-infrared region and a coating layer coating the surface of the semiconductor quantum dot, wherein the coating layer is a layer composed of coated peptides selected from the group consisting of cysteine and consisting of peptides which are composed of 2-8 amino acid residues and contain one or more cysteine residues in amino acid residues. - 特許庁

半導体発光素子は、第１層のＧａＡｓ層と、前記第１層のＧａＡｓ層上に形成される第２層である複数のＩｎＡｓ量子ドットを有するＩｎＡｓ薄膜層と、前記第２層である複数のＩｎＡｓ量子ドットを有するＩｎＡｓ薄膜層上に形成される第３層のＩｎＧａＡｓ層と、前記第３層のＩｎＧａＡｓ層上に形成される第４層のＧａＡｓ層からなる半導体発光素子であって、前記Ａｓ原料をＡｓ_２としたことを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor light emitting device comprises a first GaAs layer, a second InAs thin film layer having many InAs quantum dots formed on the first GaAs layer, a third InGaAs layer formed on the second InAs thin film layer having many InAs quantum dots, and a fourth GaAs layer formed on the third InGaAs layer, wherein the As_2 is used as the As material. - 特許庁

活性層１３には、発光中心イオン１８と量子ドット１９が含まれ、オーミック電極（１１、１５）を介して半導体発光デバイス１０に電圧が加えられると、ＦＲＥＴによりエネルギーが発光中心イオン１８に移動し、発光中心イオン１８を励起させる。例文帳に追加

Emission center ion 18 and a quantum dot 19 are contained in the active layer 13 and when a voltage is impressed on the semiconductor light emitting device 10 through ohmic electrodes (11, 15), energy is moved to the emission center ion 18 by FRET to excite the emission center ion 18. - 特許庁

化合物半導体基板１としてＧａＡｓ基板を用いる場合、段差構造の頂上部３をＧａＡｓ（００１）面、側面傾斜部５を（００１）面以外のファセット面とすることにより、頂上部３にのみ、直径３０〜５０ｎｍ、高さ５〜１５ｎｍの量子ドット６を少数個形成する。例文帳に追加

When a GaAs substrate is used as the compound semiconductor substrate 1, a small number of quantum dots 6 having diameters of 30-50 nm and heights of 5-15 nm are formed only on tops 3 of the step structures 2 by forming the tops 3 as GaAs (001) faces and inclined side faces 5 of the structures 2 as facet faces other than (001) faces. - 特許庁

この窒化物系半導体の形成方法は、第１ＧａＮ層３の上面上に、第２ＧａＮ層５を選択横方向成長させる工程と、選択横方向成長された第２ＧａＮ層５上に、量子ドット６を形成する工程とを備えている。例文帳に追加

The forming method of a nitride semiconductor has a process for performing selective transverse direction growth for a second GaN layer 5 on an upper surface of a first GaN layer 3, and a process for forming a quantum dot 6 on the second GaN layer 5 which is subjected to selective transverse direction formation. - 特許庁

安価、安全かつ簡易であり、高収率の短波長の強い光ルミネセンスを発光する、低サイズ分散半導体、例えばＣｄＸ（Ｘ＝Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）量子ドットを製造するための、不均一反応条件下での低温化学合成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of chemically synthesizing at a low temperature under a heterogeneous reaction condition a dispersed semiconductor with a narrow size distribution emitting an intense light luminescence with a short wavelength, e.g. a CdX(X=S, Se, Te) quantum dot, safely and easily in a high yield at a low cost. - 特許庁

Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層と、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層の上に配置された（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ量子ドットと、を備えた半導体デバイスにおいて、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層におけるインジウム比率がゼロではない（１−ｘ−ｙ≠０）。例文帳に追加

In a semiconductor device including an Al_xGa_yIn_1-x-yN layer and an (Al, Ga, In)N quantum dot located on the Al_xGa_yIn_1-x-yN layer, the ratio of indium in the Al_xGa_yIn_1-x-yN layer is not zero (1-x-y≠0). - 特許庁

本発明は、発光層に当接する発光層よりバンドギャップエネルギーの小さい電流層、発光層よりバンドギャップエネルギーの大きい電流層を量子井戸、量子格子、又は量子ドット構造のいずれかで構成して電流密度を高くし、発光層に不純物が進入することを防止した光半導体素子を提供することにある。例文帳に追加

To provide an optical semiconductor element in which current density is enhanced by constituting a current layer having band gap energy lower than that of a light emitting layer abutting against the light emitting layer, and a current layer having band gap energy higher than that of the light emitting layer of any one of quantum well, quantum lattice, or quantum dot structure, and dopant is prevented from advancing into the light emitting layer. - 特許庁

光源１１からの光をフォトマスク１３を介して半導体基板２に照射する際において、量子ドット３１が含められてなるフォトマスク基板２１を有し、転写すべき所望のパターンに応じて遮光膜２２がフォトマスク基板２１上に成膜されたフォトマスク１３を介して光を照射する。例文帳に追加

In the process of irradiating a semiconductor substrate 2 with light from a light source 11 through a photomask 13, the substrate is irradiated with light through a photomask 13 having a photomask substrate 21 comprising quantum dots 31 and a light shielding film 22 formed on the photomask substrate 21 according to a desired pattern to be transferred. - 特許庁

ｎ電極１１及びｐ電極１５から注入されたキャリアを量子ドットでなる活性層１３へ輸送する輸送層１２及び１４として、バンド構造を有するｎ型及びｐ型の無機半導体層が用いられているので、十分にキャリアを注入することができ、低消費電力化を図ることができる。例文帳に追加

An n-type and a p-type inorganic semiconductor layer having a band structure are used as transportation layers 12 and 14 for transporting the carriers introduced from an n-electrode 11 and a p-electrode 15 into an active layer 13 consisting of quantum dots, and so sufficient carriers can be introduced and consumption power can be reduced. - 特許庁