「半導体量子ドット」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明の目的は、高密度で整列性の高い量子ドットの製造方法、構造体、及びこれを用いた半導体装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing quantum dots high in density and excellent in alignment, a structure, and a semiconductor device using the same. - 特許庁

温度特性の向上を図ることが可能な量子ドットレーザ素子に適用される半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device applied to a quantum dot laser element capable of improving a temperature characteristic. - 特許庁

例えば量子ドットＳＯＡなどの光半導体装置において、活性層を左右対称にし、偏波依存性を小さくできるようにする。例文帳に追加

To reduce dependency on polarization by making an active layer into left-right symmetry in an optical semiconductor device such as a quantization dot SOA (semiconductor optical amplifier), for example. - 特許庁

これにより、偏波無依存の量子ドット１２ａを備えた光半導体装置１０を提供することができる。例文帳に追加

Accordingly, the optical semiconductor device 10 provided with quantum dot 12a not depending on polarization can be provided. - 特許庁

量子ドットを埋め込むバリア層の膜質を高めることが可能な光半導体装置とその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an optical semiconductor device capable of improving the quality of a barrier layer which embeds quantum dots, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

偏波無依存の利得特性を有する高性能のコラムナ量子ドットを容易に形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, capable of easily forming high performance columnar quantum dot having gain characteristics that does not depend on the polarization. - 特許庁

半導体レーザに関し、量子ドットにおける高速のキャリア緩和を可能にし、動作特性を向上する。例文帳に追加

To improve operating characteristics by achieving high speed carrier relaxation by quantum dots concerning a semiconductor laser. - 特許庁

そして、第１の中間層（ｉ型半導体層１１０または絶縁層１６０）は少なくともコアを備えた量子ドット（ナノ粒子）を含んでいる。例文帳に追加

The first intermediate layer (i-type semiconductor layer 110 or dielectric layer 160) includes quantum dots (nanoparticles) having at least cores. - 特許庁

（００１）面上における対称形状を有する量子ドットを作製することができる光半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an optical semiconductor device, by which quantum dots having a symmetrical shape on a (001) plane are fabricated. - 特許庁

量子ドットレーザにおいて、光閉込を強くし、かつビーム形状を円形に近づけることが可能な半導体レーザを提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser that enhances light confinement and allows a beam shape to be approximated to a circular shape, in a quantum dot laser. - 特許庁

従来のＭＯＶＰＥ成長を用いた半導体量子ドットの製造方法における限界あるいは欠点を解決するためになされたもので、良好な光学特性、高い面密度、高い均一性を兼ね備えた半導体量子ドットをＭＯＶＰＥ成長により実現することを目的とする。例文帳に追加

To solve the limits or defects in a process for fabricating semiconductor quantum dots employing conventional MOVPE growth, and to attain semiconductor quantum dots having good optical characteristics, high surface density and high uniformity by MOVPE growth. - 特許庁

半導体光装置は、第１の格子定数を有する第１の半導体の表面を有する基板と、前記基板上に形成された半導体積層であって、前記第１の格子定数よりも小さい第２の格子定数を有する第２の半導体で形成された第１種の量子ドットを含む活性層を有する半導体積層とを有する。例文帳に追加

The semiconductor light device is provided with a substrate having the surface of a first semiconductor having a first lattice constant, and a semiconductor laminated layer formed on the substrate and having an active layer comprising the first kind of quantum dot formed of a second semiconductor having a second lattice constant smaller than the first lattice constant. - 特許庁

位置制御された液滴エピタキシーによる窒化物半導体の量子ドットの形成方法、量子コンピュータにおける量子ビット素子構造および量子相関ゲート素子構造例文帳に追加

FORMATION METHOD OF POSITION-CONTROLLED QUANTUM DOT OF NITRIDE SEMICONDUCTOR IN DROPLET EPITAXY, QUANTUM BIT ELEMENT STRUCTURE IN QUANTUM COMPUTER AND QUANTUM CORRELATION GATE ELEMENT STRUCTURE - 特許庁

半導体量子ドットによって構成された量子デバイスにおいて、１量子ビットの個別制御手段及び複数量子ビット同時制御手段を提供すること。例文帳に追加

To provide an individual control means for one quantum bit and a simultaneous control means for a plurality of quantum bits in a quantum device composed of semiconductor quantum dots. - 特許庁

自己組織化量子ドットを含む活性層を有する非線形光半導体装置を使い、前記非線形光半導体装置の活性層中に前記波長多重光信号を直接に導入する。例文帳に追加

The wavelength multiplex optical signal is directly introduced in an activation layer of a nonlinear light semiconductor device by using the nonlinear light semiconductor device having the activation layer containing self-organizing quantum dots. - 特許庁

半導体加工技術及び成長技術を用いて量子ドット列を形成することにより、フラットバンド構造を持つ半導体磁性体を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor magnetic substance, having a flat-band structure by forming a quantum stream, while using semiconductor manufacturing technology and growing technology. - 特許庁

化合物半導体表面上に、アンチサーファクタントを付着させ、次いで、アンチサーファクタントが付着した上記化合物半導体表面上に、アンチモン系量子ドットを成長させて形成する。例文帳に追加

An antisurfactant is stuck on the compound semiconductor surface and antimony-based quantum dots are grown and formed on the compound semiconductor surface on which the antisurfactant stick. - 特許庁

その結果、量子ドット２０の欠陥に起因した半導体装置１の特性不良が低減し、且つ積層構造による特性向上によって、半導体装置１の性能がより向上する。例文帳に追加

As a result, characteristic failures of the semiconductor device 1 due to defects of the quantum dots 20 are reduced, thereby improving performance of the device 1 by characteristic improvement by the layered structure. - 特許庁

この際、微粒子２にＳｉなどの半導体粒子を、その周囲の材料３を半導体層とすることで、量子ドット様の構造として使用することができる。例文帳に追加

In this case, the fine particles 2 are formed of semiconductor material such as Si and the like, and by using a semiconductor layer 3 for a material around the fine particle they can be utilized as a quantum-dot structure. - 特許庁

ＧａＡｓ基板上に形成され、量子ドット活性層を備える半導体発光素子において、半導体積層構造の内部に回折格子を形成できるようにし、歩留まりを良くする。例文帳に追加

To provide a semiconductor light-emitting device which is formed on the GaAs substrate and has a quantum dot active layer, the semiconductor light-emitting device being improved in yield by making it possible to form a diffraction grating in a semiconductor laminated structure. - 特許庁

量子ドット構造型の発光層を備え、かつ、実用に供することのできる程度の発光を実現する半導体発光素子、及び半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light emitting element and a semiconductor substrate, having a light emitting layer of a quantum dot structure type, capable of realizing a light emitting which can be practically usable. - 特許庁

量子ドットを用いた活性層を有する光半導体装置において、偏波依存性を低減しうる光半導体装置及びその製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide an optical semiconductor device that has an active layer using quantum dots and can be reduced in polarized-wave dependence, and to provide a method of manufacturing the device. - 特許庁

半導体素子に関し、量子ドットを用いた半導体素子に於ける発光寿命の遅延を制御・抑制し、且つ、フォノン・ボトルネック現象を解消できる構成を実現させ、これに依って、半導体装置の特性を向上させようとする。例文帳に追加

To improve the characteristics of a semiconductor device by controlling and suppressing the delay in light emitting life of a semiconductor element using a quantum dot and, in addition, by realizing such a configuration that can eliminate phonon bottle neck phenomena. - 特許庁

透明電極側に形成された酸化チタンなどの金属酸化物ｎ型半導体膜と、このｎ型半導体膜に担持されたＣｄＳ、ＰｂＳなどの直径６ｎｍ以下の半導体量子ドットと、多硫化物水溶液などの無機系液体電解質と、対極とを備えていることを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor quantum dot sensitized solar cell is equipped with a metal oxide n-type semiconductor film such as titanium oxide formed on the transparent electrode side; semiconductor quantum dots having a diameter of 6 nm or less such as Cds or Pbs carried on the n-type semiconductor; an inorganic liquid electrolyte such as a polysulfide aqueous solution; and a counter electrode. - 特許庁

ｐ形半導体に活性層が形成されており、活性層上にｎ形半導体が形成されているため、活性層のうちで良質な量子ドットが形成される領域である下層側の領域は、活性層のうちのｐ形半導体に近い領域となる。例文帳に追加

Since the active layer is formed in the p-type semiconductor and the n-type semiconductor is formed on the active layer, a region by the side of a lower layer which is a region in which good quantum dot is formed among the active layers becomes a region nearer at the p-type semiconductor of the active layers. - 特許庁

均一性の高い量子ドットの作製条件を見つけることにより、フォトルミネッセンス半値幅を極限まで狭めることができる半導体量子ドット素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor quantum dot element and its manufacturing method, wherein the condition that quantum dots of high uniformity are formed, the half-width of photoluminescence can be narrowed down to an irreducible minimum. - 特許庁

量子ドットより成る活性層を有する光半導体装置であって、量子ドット１８ａ、１８ｂ、２６ａ、２６ｂが、法線方向が互いに異なる複数の面に形成されている。例文帳に追加

In this optical semiconductor device having the active layer composed of quantum dots 18a, 18b, 26a, and 26b, the quantum dots 18a, 18b, 26a, and 26b are formed on a plurality of surfaces having different normal line directions. - 特許庁

少なくとも、陽極３と、量子ドット１１を有する発光層５と、陰極４とをその順で有する発光素子１であって、その発光層５は、量子ドット１１よりもバンドギャップが大きい半導体微粒子１２を含み、その半導体微粒子１２の粒径が量子ドット１１の粒径よりも大きいように構成して、上記課題を解決した。例文帳に追加

This light emitting element 1 has at least a positive electrode 3, the luminescent layer 5 having the quantum dot 11, and a negative electrode 4 in this order, and the luminescent layer 5 contains a semiconductor particle 12 having a band gap larger than that of the quantum dot 11, and the particle diameter of the semiconductor particle 12 is larger than the particle diameter of the quantum dot 11. - 特許庁

ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトンネルＳｉＯ_２層と、該トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたＳｉ殻内にＧｅ核を内包した量子ドットと、該量子ドット上及び前記トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたコントロールＳｉＯ_２層と、該コントロールＳｉＯ_２層上に形成されたゲート電極層と、を有する。例文帳に追加

The MOS field effect transistor type quantum dot light-emitting element comprises a semiconductor substrate, a tunnel SiO_2 layer formed on the semiconductor substrate, a quantum dot which includes Ge nucleus within Si shell formed on the tunnel SiO_2 layer, a control SiO_2 layer formed on the quantum dot and tunnel SiO_2 layer, and a gate electrode layer formed on the control SiO_2 layer. - 特許庁

半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成され、表面近傍における格子定数が半導体基板１０との界面近傍における格子定数とは異なるバッファ層１２と、バッファ層１２上に形成され、発光波長がバッファ層１２の表面近傍における格子定数によって規定された量子ドットとにより半導体装置を構成する。例文帳に追加

A semiconductor device is composed of a semiconductor substrate 10, a buffer layer 12 that is formed on the semiconductor substrate 10 while a lattice constant near the surface differs from that near the interface with the semiconductor substrate 10, and a quantum dot that is formed on the buffer layer 12 while a luminous wavelength is stipulated by a lattice constant near the surface of the buffer layer 12. - 特許庁

半導体または導体（１１）と、その表面上に設けられた第１のトンネル絶縁膜（１２）と、その上に設けられた複数の下部量子ドット（１３）と、その上に設けられた第２のトンネル絶縁膜（１４）と、その上に設けられ前記下部量子ドットよりもサイズが大きい上部量子ドット（１５）と、を備え、前記上部量子ドットの下に複数の前記下部量子ドットが配置されてなることを特徴とする半導体装置を提供する。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a semiconductor or a conductor (11), a first tunnel insulation film (12) provided thereon, a plurality of lower quantum dots (13) provided thereon, a second tunnel insulation film (14) provided thereon, and upper quantum dots (15) larger than the lower quantum dots provided thereon wherein the plurality of lower quantum dots are arranged beneath the upper quantum dots. - 特許庁

（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ材料系によって作製された半導体発光デバイスは、ＩｎＧａＮ量子ドットまたはＩｎＧａＮ量子細線を含む、発光のための活性領域３を有している。例文帳に追加

The semiconductor light-emitting device made from (Al, Ga, In)N-based materials has an active region 3 for light emission including InGaN quantum dots or InGaN quantum wires. - 特許庁

量子ドットを用いた場合であっても所望のエネルギーバンド構造を実現し得る量子半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a quantum semiconductor device capable of realizing a desired energy band structure even when a quantum dot is employed, and to provide the manufacturing method of the same. - 特許庁

半導体基板１上に複数の２元化合物半導体の分子層の整数倍が交互に積層された短周期超格子構造層４を設けるとともに、短周期超格子構造層４上に自己形成型量子ドット５を設ける。例文帳に追加

A short-period superlattice structure layer 4 in which an integral multiple of a plurality of two-dimensional compound semiconductor molecular layers are alternately laminated is provided on a semiconductor substrate 1, and in addition the self-forming quantum dot 5 is provided on the structure layer 4. - 特許庁

ｐ形半導体より成る基板１０と、基板上に形成され、Ｓ−Ｋモードにより自己形成された三次元成長島より成る量子ドット層１８を複数層積層して成る活性層２０と、活性層上に形成されたｎ形半導体層２２とを有している。例文帳に追加

The light emitting element includes a substrate 10 made of a p-type semiconductor, an active layer 20 formed on the substrate and formed by laminating a plurality of layers of quantum dot layers 18 each made of a three-dimensional growth island in which self-formation is performed with an S-K mode, and an n-type semiconductor layer 22 formed on the active layer. - 特許庁

動作温度において二次元キャリアガス層４からキャリアが熱的に移動可能な距離の範囲内にチャネル層１を構成する半導体よりもキャリアの感じるエネルギーの低い半導体からなる逆正多角錐型ドット３或いはＶ溝状量子細線を設ける。例文帳に追加

Inverse regular polygonal cone-type dots 3 formed of semiconductors with lower energy that a carrier senses than the semiconductors constituting a channel layer 1 or V-groove-like quantum thin wires are installed within the range of a distance where the carrier can thermally move from a two-dimensional carrier gas layer 4 at an operation temperature. - 特許庁

（ａ）光電変換素子は、量子ドット配列構造を有するｉ層と、ｉ層の電子取り出し端側に形成されたｎ型半導体層及び電子取り出し電極と、ｉ層の正孔取り出し端側に形成されたｐ型半導体層及び正孔取り出し電極とを備える。例文帳に追加

(a) The photoelectric conversion element includes: an i-layer having a quantum-dot arrangement structure; an n-type semiconductor layer and an electron extraction electrode formed on an electron extraction end side of the i-layer; and a p-type semiconductor layer and a hole extraction electrode formed on a hole extraction end side of the i-layer. - 特許庁

量子ドット構造を利用して室温における十分な機能性の確保を実現し、信頼性の高い究極的な高密度集積化を達成する半導体装置及び前記構成の作製が容易な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, where a quantum dot structure is used to assure a sufficient functionality at a room temperature for an opti mum high-density integration with high reliability, and to provide a manufactur ing method for a semiconductor device for easily configuring them. - 特許庁

量子ドット等に利用しうる微細なエピタキシャル層を成長させるのに適した基板表面を実現できるＺｎＴｅ系化合物半導体基板の表面処理方法、および該基板を用いた半導体装置の製造方法を提供する例文帳に追加

To provide a method for surface treatment of a ZnTe-based compound semiconductor substrate which can materialize a substrate surface suitable for growing a fine epitaxial layer which can be used for quantum dots or the like, and also to provide a method of manufacturing a semiconductor device using the substrate. - 特許庁

ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたゲートＳｉＯ_２層と、該ゲートＳｉＯ_２層上に形成されたドープＳｉ層、Ｇｅ層及びドープＳｉ層を順次積層してなる積層ゲート電極層と、を有する。例文帳に追加

The MOS field effect transistor type quantum dot light-emitting element comprises a semiconductor substrate, a gate SiO_2 layer formed on the semiconductor substrate, and a laminated gate electrode layer formed on the gate SiO_2 layer, in which a dope Si layer, Ge layer, and dope Si layer are laminated sequentially. - 特許庁

並びに、蛍光性半導体量子ドットと２以上のＣＯＯＨ基及びチオール基を有するポリカルボン酸化合物を混合し、硫黄原子を介して該化合物を蛍光性半導体量子ドットに結合し、次いで、該ＣＯＯＨ基を介して標的細胞に選択的に結合可能な物質を結合することを特徴とする、光感受性薬剤の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the photosensitive medicine is characterized by mixing the fluorescent semiconductor quantum dot with the polycarboxylic acid compound having two or more COOH groups and a thiol group to bind the compound to the fluorescent semiconductor quantum dot through the sulfur atom, and then binding the substance capable of selectively binding to the target cell through the COOH group. - 特許庁

多層構造部６は、基板１よりも格子定数の大きい化合物半導体材料からなる量子ドット層２と基板１よりも格子定数の小さい化合物半導体材料からなる中間層３とを、この中間層３に生じる応力と量子ドット層２に生じる応力とが互いに相殺し合うように交互に積層して構成されている。例文帳に追加

The multilayer structure section 6 is constituted by alternately laminating the quantum dot layer 2 consisting of compound semiconductor materials with a lattice constant bigger than the substrate 1, and an intermediate layer 3 consisting of compound semiconductor materials with a lattice constant smaller than the substrate 1 so that the stress generated in the intermediate layer 3 and the stress generated in the quantum dot layer 2 cancel each other. - 特許庁

可視の情報パターン１２を有する情報記録媒体１１が所定位置に載置され又は送り込まれると、発光ダイオード１３から発行する半導体量子ドットのバンドギャップよりもエネルギーが高い励起光Ｈ１を情報パターン１２に照射し半導体量子ドットを熱膨張させる。例文帳に追加

When the information recording medium 11, having the visible information patterns 12, is loaded on or transmitted to a predetermined position, the information patterns 12 is irradiated with excited light H1, with energy higher than that of the band gap of a semiconductor quantum dot to be issued from a light-emitting diode 13 to thermally expand the semiconductor quantum dot. - 特許庁

本発明のフラッシュメモリの製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に量子ドットをフローティングゲートとして形成するフラッシュメモリの製造方法において、前記量子ドット形成前までの前記半導体基板の環境雰囲気を、有機ガス状物質除去手段にて清浄に保つことを特徴とする。例文帳に追加

The manufacturing method of the flash memory retains the environmental atmosphere of the semiconductor substrate before forming the quantum dot clean by an organic gaseous substance removing means, in the manufacturing method of the flash memory which forms an insulating film on the semiconductor substrate and forms the quantum dot on the insulating film as the floating gate. - 特許庁

量子ドットを被覆するように、ＩＩＩ族元素としてＡｌを含み、量子ドットよりも電子親和力の小さな化合物半導体からなるバリア層(14B)を、Ａｌ原料としてトリエチルアルミニウムを用いた有機金属化学気相成長により形成する。例文帳に追加

A barrier layer (14B) comprising a compound semiconductor including Al as group III element so as to cover the quantum dot and having electron affinity smaller than that of the quantum dot is formed by organic metal chemical vapor growth by the use of triethylaluminum as an Al raw material. - 特許庁