「基準セル」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

基準セルはアレイのメモリセルと同一で、基準ビット線用基準電圧の生成に用いられる。例文帳に追加

A reference cell is the same as a memory cell of an array, and used for generating reference voltage for reference bit line. - 特許庁

基準セルアレイを有する不揮発性半導体メモリ装置例文帳に追加

NON VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING REFERENCE CELL ARRAY - 特許庁

改善された基準信号を有するアクティブピクセルセンサ例文帳に追加

IMPROVED ACTIVE PIXEL SENSOR HAVING REFERENCE SIGNAL - 特許庁

基準セルを有する磁気ラム素子及びその構造体例文帳に追加

MAGNETIC RAM ELEMENT HAVING REFERENCE CELL AND ITS STRUCTURE - 特許庁

隣接セル測定のための基準信号構造の情報例文帳に追加

INFORMATION ON REFERENCE SIGNAL STRUCTURE FOR ADJACENT CELL MEASUREMENTS - 特許庁

軟らかい基準層を有する磁気メモリセル例文帳に追加

MAGNETIC MEMORY CELL HAVING SOFT REFERENCE LAYER - 特許庁

基準セルをリフレッシュする方法および装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR REFRESHING REFERENCE CELL - 特許庁

基準ピクセルを含む固体ディスプレイ例文帳に追加

SOLID DISPLAY INCLUDING REFERENCE PIXEL - 特許庁

基準セルＲｂのスペクトル感度が計測される。例文帳に追加

A spectral sensitivity of the reference solar cell Rb is measured. - 特許庁

メモリ装置における基準セル閾値を設定するシステム例文帳に追加

SYSTEM FOR SETTING REFERENCE CELL THRESHOLD VOLTAGE IN MEMORY DEVICE - 特許庁

座標は整数で、ピクセルが基準であり、ピクセルの中心と一致する。例文帳に追加

Coordinates are integral, in terms of pixels, and coincide with pixel centers. - XFree86

原子炉の制御セルのセル摩擦測定基準を判定する方法例文帳に追加

METHOD OF DETERMINING CELL FRICTION MEASURING REFERENCE FOR CONTROL CELL IN NUCLEAR REACTOR - 特許庁

最大摩擦値を、セルのセル摩擦測定基準として選択する。例文帳に追加

The maximum friction value is selected as a cell friction measuring reference of the cell. - 特許庁

この基準ユニットは、非ストローブ・ゲート電圧により駆動される基準セルを含む。例文帳に追加

The reference unit includes a reference cell which is driven by a non-strobed gate voltage. - 特許庁

軟基準磁気メモリデジタイジング装置100は軟基準磁気メモリセル104のアレイを有する。例文帳に追加

A soft-reference magnetic memory digitizing device 100 includes an array of soft-reference magnetic memory cells 104. - 特許庁

基準試験力相当の基準分銅によりロードセル１８に試験力を負荷する。例文帳に追加

The testing force is applied to the load cell 18 by a reference weight corresponding to the reference testing force. - 特許庁

ライブラリ１２やレイアウト１４は、基準セルと、この基準セルに対し、Ｐ／Ｎ比を変更したＰ／Ｎ比変更セルとを備える。例文帳に追加

A library 12 and a layout 14 are provided with a reference cell and a P/N ratio change cell obtained by changing a P/N ratio with respect to the reference cell. - 特許庁

メモリは、メモリセルで構成されたアレイと、複数のユニットの基準セルで構成された基準セルアレイとを含む。例文帳に追加

A memory comprises an array 100, constituted of memory cells and a reference cell array 200 constituted of reference cells of plural units. - 特許庁

ピクセルが、第１のテクセル基準値、第２のテクセル基準値、および第１のテクセル基準値、第２のテクセル基準値およびそれにより１つのテクセル・ブロックを表すための第３のテクセル基準値の３個からなる集合にテクセルをマッピングするために動作するテクセル値を記憶することによりテクスチャリングされる。例文帳に追加

The pixel is textured by storing the texel value operating for mapping a texel to a set comprising a 3-tuple of a first texel reference value, a second texel reference value, and a third texel reference value for representing one texel block by the first texel reference value, the second texel reference value, and the third texel reference value. - 特許庁

サンプルセルの形状及び基準は、サンプルセル内に含まれるピクセルを決める。例文帳に追加

The sample cell shape and criteria decide the pixels included in the sample cell. - 特許庁

サンプルセルは、サンプルセルの基準及び形状に応じて、画像のピクセルを含むように計算される。例文帳に追加

To compute a sample cell to include image pixels according to sample cell criteria and shape. - 特許庁

２系統の基準セルを備えた基準セルアレイＲＦＸ０〜ｎを設け、選択された基準セルアレイＲＦＸｉから出力される基準信号ＲＦ１，ＲＦ２をそれぞれ増幅器ＡＰ１，ＡＰ２で増幅して基準電圧ＶＲＦ１，ＶＲＦ２を生成する。例文帳に追加

Reference cell arrays RFX0-n provided with reference cells of two systems are provided, reference signals RF1, RF2 outputted from the selected reference cell array RFXi are amplified respectively by amplifiers AP1, AP2 and reference voltages VRF1, VRF2. - 特許庁

試験用基準メモリセル３は、基準選択トランジスタＴ１ｒと、該基準選択トランジスタＴ１ｒに直列接続された基準セルトランジスタＴ２ｒとを有する。例文帳に追加

The reference memory cell 3 for testing includes a reference selection transistor T1r, and a reference cell transistor T2r connected to the reference selection transistor T1r in series. - 特許庁

FeRAM(400)は、FeRAMセル(110)を評価し、FeRAMセルを読み出すための基準電圧を選択する基準電圧校正回路(600)を含む。例文帳に追加

A FeRAM (400) includes a reference voltage calibration circuit (600) that evaluates FeRAM cells (110) and selects reference voltages for reading the FeRAM cells. - 特許庁

マルチレベルのフラッシュメモリセルがセルの閾値電圧と複数の整数基準電圧および分数基準電圧と比較することで読取られる。例文帳に追加

A multi-level flash memory cell is read by comparing the cell's threshold voltage with a plurality of integral reference voltages and to a fractional reference voltage. - 特許庁

参照セルを流れる電流に従って基準電圧（ＶＲＥＦ−ＶＲＥＦ２）を生成し、この基準電圧を用いてメモリセルデータを検出する。例文帳に追加

Reference voltage (VREF-VREf2) is generated according to a current flowing in the reference cell, and memory cell data are detected using this reference voltage. - 特許庁

基準セル１００、多辺形セル１０６、コーナーセル１０４の少なくとも一つのセルは、他のセルと異なる色を付けられる。例文帳に追加

At least one cell among the reference cell 100, the polygon cells 106 and the corner cells 104 is painted with a color different from the color of the other cells. - 特許庁

磁気メモリセルは、予め設定された磁化を有する基準層(320)を含む。例文帳に追加

The magnetic memory cell includes a reference layer (320) having a preset magnetization. - 特許庁

さらに、この基準は、隣接する画像間の平均ピクセル差を含み得る。例文帳に追加

In addition, the criteria can include a mean pixel difference between adjacent images. - 特許庁

ＮＲＯＭアレイの基準セルのプログラミングおよび消去方法例文帳に追加

PROGRAMMING AND ERASING METHOD FOR NROM ARRAY - 特許庁

さらに、基準セル１０８には抵抗１１６が並列接続される。例文帳に追加

Further, a resistor 116 is connected to a reference cell 108 in parallel. - 特許庁

選択された基準メモリセルを具備する抵抗型メモリ素子例文帳に追加

RESISTIVE MEMORY DEVICE INCLUDING SELECTED REFERENCE MEMORY CELL - 特許庁

他の基地局２、・・・、Ｎはセル半径を基準に設置される。例文帳に追加

Other base stations 2, ..., N are installed on the basis of a radius of each cell. - 特許庁

基準セルアレイ内の各ユニットは、感知増幅器回路と基準セルとを制御する回路の間に直列連結された複数の基準セルで構成される。例文帳に追加

Each.unit in the reference cell array 200 is constituted of plural reference cells connected in series between circuits 210 which control the sense amplifier circuit 300 and a reference cell. - 特許庁

酸素モニタセル３における基準ガス側電極３２と，センサセル４における基準ガス側電極４２と，空燃比検出セル２０における基準ガス側電極２０２との３つの電極が共通化されている。例文帳に追加

Three electrodes of an electrode 32 on the side of a reference gas in the oxygen monitor cell 3, an electrode 42 on the side of the reference gas in the sensor cell 4, and an electrode 202 on the side of the reference gas in the air-fuel ratio detecting cell 20 are commonly used. - 特許庁

メモリセルを読み出してリフレッシュする段階において、基準ビット線およびビット線に接続された主基準セルおよび副基準セルが活動化される。例文帳に追加

During the step in which memory cells are read and refreshed, the main reference cell and a subreference cell connected to the reference bit line and the bit lines are activated. - 特許庁

次に、基準セルの基準状態における電流電圧特性と、基準セルの電流電圧特性の測定結果とを比較することによって、照射光の基準状態からのずれに基づく測定結果の基準状態からのずれを得る(S4)。例文帳に追加

Then, by comparing the current/voltage characteristics in the reference state of the reference cell with the measurement result of the current/voltage characteristics of the reference cell, deviation from the reference state of the measurement result based on the deviation of illumination light from the reference state is obtained (S4). - 特許庁

レファレンスセルＲＣは、メモリセルＭＣのデータを判断する基準を作る。例文帳に追加

The reference cell RC makes the reference by which data of the memory cell MC is decided. - 特許庁

算出したセル毎の類似度の中で、基準値より高い類似度の高類似度セルを検出する。例文帳に追加

The high similarity cell having similarity higher than a reference value is detected out of the similarity in each calculated cell. - 特許庁

メモリセルと基準セルとの電流差を検出する感知増幅器回路をさらに含む。例文帳に追加

Furthermore, the device comprises a sense amplifier circuit 300 which detects a current difference between the memory cell and the reference cell. - 特許庁

よって、各基準セル１０ａ，１０ｂには各メモリセル１０の書き込み状態が正確に反映される。例文帳に追加

Therefore, the written state of each memory cell 10 is exactly reflected on each reference cell 10a, 10b. - 特許庁

次に、３次元オブジェクトを投影面に投影する際には、各ボクセルの基準位置が投影される各基準投影位置と各基準位置についての基準投影距離とがそれぞれ検出される。例文帳に追加

When the three-dimensional object is projected onto the projection face, each reference projection position where the reference position of each voxel is projected and the reference projection distance of each reference position are detected respectively. - 特許庁

さらに、図１（ｃ）に示すように網点の一つのセル単位で検出し、検出した基準セルと、該基準セルに隣接する少なくとも４個以上のセルとの隣接辺の距離が均等となるように、上記基準セルの形状を補正する。例文帳に追加

Furthermore, the moire is detected by one cell unit the dots and the shape of a detected reference cell is corrected so that distance of adjacent sides among the reference cell and at least four cells adjacent to the reference cell become equal as shown in fig. 1 (c). - 特許庁

基準セルＲｂのサブセルは多接合太陽電池の２つ以上のサブセルの１つのサブセルに対応する。例文帳に追加

A sub-cell of the reference solar cell Rb corresponds to one sub-cell of two or more sub-cells of a multi-junction solar cell. - 特許庁

セル化手段２３はセル化範囲のデータをセル化すると共に、基準位置を特定するポインタを所定のセルに含ませる。例文帳に追加

A cell-assembling means 213 assembles data in the cell-assembling range into cells and makes a pointer specifying the reference position to be included in a prescribed cell. - 特許庁