「基準セル」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

基準メモリセルの性質の変化によって生じる読み出しエラーを防止する。例文帳に追加

To prevent a read error caused by variation of a property of a reference memory cell. - 特許庁

生成された複数の内部基準行アドレスを用いて複数のメモリセルを指定する。例文帳に追加

A plurality of memory cells are specified by a plurality of generated internal reference row addresses. - 特許庁

選択された基準メモリセルを含む抵抗型メモリ素子及びその動作方法例文帳に追加

RESISTIVE MEMORY DEVICE INCLUDING SELECTED REFERENCE MEMORY CELL, AND METHOD OF OPERATING THE SAME - 特許庁

ディジタルフィルタおよびディジタルフィルタを用いた基準信号キャンセル装置例文帳に追加

DIGITAL FILTER AND REFERENCE SIGNAL CANCELING DEVICE USING THE DIGITAL FILTER - 特許庁

本発明によれば、メモリ装置の基準セル閾値電圧を設定するためのシステムが提供される。例文帳に追加

The system for setting the reference cell threshold voltage of the memory device is provided. - 特許庁

高速で移動していることを適切に検出し、セル再選択基準を変更する。例文帳に追加

To properly detect high-speed movement of a mobile communication terminal so as to revise a cell re-selection criterion. - 特許庁

軟基準磁気メモリセル(202)は各交差点と電気的に接触し、かつ各交差点に配置される。例文帳に追加

Soft-reference magnetic memory cells(202) are provided in electrical contact with and located at each intersection. - 特許庁

ステップＳ２２においてカプセル内視鏡の現在位置は基準位置にあると特定される。例文帳に追加

In the step S22, the present position of the capsule endoscope is specified to be in a reference position. - 特許庁

軟基準磁気メモリ(SVM)セル(202,202')が各交点に電気接触して配置されるように設けられる。例文帳に追加

Soft standard magnetic memory (SVM) cells (202, 202') are provided so as to be disposed by electrically contacting with each intersection. - 特許庁

S240では、アクセル開度ＳＡが、小さな値の第２基準値ＳＡ２を下回るか否かを判定する。例文帳に追加

It is judged whether or not the accelerator opening SA is less than a second reference value SA2 having a small value (S240). - 特許庁

複数個の電流複写回路はバンクの各々に対応し、基準セルアレイを通じて流れる基準電流を複写して基準電圧を各々発生する。例文帳に追加

Each of a plurality of current duplication circuits corresponds to each bank, duplicates a reference current flowing through the reference cell array and generates reference voltage. - 特許庁

ビット線ＢＬに沿って、基準ビット線ＲＢＬ０、ＲＢＬ１を形成し、この基準ビット線ＲＢＬ０、ＲＢＬ１とワード線ＷＬとの交点位置に、基準セルＲＣ０、ＲＣ１を配置する。例文帳に追加

Reference bit lines RBL0 and RBL1 are formed along bit lines BL and reference cells RC0 and RC1 are arranged at the intersection point positions of the reference bit lines RBL0 and RBL1 and word lines WL. - 特許庁

この基準電圧発生回路３は、強誘電体キャパシタ(２-１〜２-ｎ)とトランジスタ(１-１〜１-ｎ)からなる基準電圧発生用リファレンスメモリセル(１-１〜１-ｎ)が、同一の基準ビット線８に接続されている。例文帳に追加

In a reference voltage generating circuit 3, reference voltage generating reference memory cells (1-1 to 1-n) which are constituted of ferroelectric capacitors (2-1 to 2-n) and transistors (1-1 to 1-n) are connected to the same reference bit line 8. - 特許庁

他のメモリセル２には、情報読み出しの基準電位に相当する基準情報が記憶され、この基準情報はビット線ｂｉｔ７を経て前記センスアンプＳＡ１〜５の各他方の入力端子に共通して入力される。例文帳に追加

In another memory cell 2, reference information equivalent to an information read reference potential is stored, and this reference information is inputted through a bit line bit 7 to the other input terminals of the respective sense amplifiers SA1 to SA5 in common. - 特許庁

基準電流生成回路２２は、ミラー比が異なる複数のカレントミラー回路ＣＭＣ１−ＣＭＣ３を有し、前記基準メモリセルＲＭＣに流れる電流に基づき複数の基準電流を生成する。例文帳に追加

The reference current generation circuit 22 has a plurality of current mirror circuits CMC1-CMC3 in which mirror ratio is different, and generates a plurality of reference current based on a current flowing in a reference memory cell RMC. - 特許庁

この基準においをセンサセル４に導入し、ｍ個のにおいセンサ５で検出信号を得て、その検出出力により形成されるｍ次元空間内に各基準においに対応するｎ本の評価基準軸を作成する。例文帳に追加

Each reference smell is introduced into a sensor cell 4, and each detection signal is acquired by smell sensors 5 to the number of m, and evaluation reference axes to the number of n corresponding to each reference smell are generated in an m-dimensional space formed from the detection output. - 特許庁

基準セルは、所定量プログラムされ、そのプログラム状態は、同じダイ上の所定のセル（例えば、メモリセルまたは黄金ビットセル）に関して検出され、基準セルが予め選択された読出し動作に失敗するまでプログラミングプロセスが継続する。例文帳に追加

A reference cell is programmed by prescribed quantity, its programming state is detected relating to the prescribed cell (e.g. memory cell or gold bit cell) on the same die, programming process us continued until the reference cell fails in read operation being previously selected. - 特許庁

読出制御信号ＣＥが活性化されて“Ｈ”になると、ＮＭＯＳ３２，３３がオンとなり、既にオンとなっているＰＭＯＳ３１を介して、ＮＭＯＳ３３に基準セルアレイ２０からの基準電流ＩＮＲが流れ込み、基準ノードＮ２に基準電圧ＲＥＦが直ちに出力される。例文帳に追加

When the read control signal CE is activated and made to 'H', the NMOSs 32, 33 are turned on, a reference current INR is made to flow in the NMOS 33 from a reference array 20 through the PMOS 31 being already turned on, and reference voltage REF is directly outputted to the reference node N20. - 特許庁

変更ステップは、少なくとも１つの履歴セルの正確な読出しのための履歴読出し基準レベルを求める段階と、第１読出し基準レベルに従ってメモリ読出し基準レベルを選択する段階と、メモリ読出し基準レベルを使用して少なくとも１つの履歴セルに関連する不揮発性メモリアレイセルを読出す段階とを含む。例文帳に追加

The changing step includes determining a history read reference level for correct reading of at least one history cell, selecting a memory read reference level according to a first read reference level and reading of a nonvolatile memory array cell associated with at least one history cell using the memory read reference level. - 特許庁

閾値電圧が第１基準電圧より高いセルが発生するまでメモリセルの第１プログラム動作及び第１検証動作を遂行する段階と、前記閾値電圧が前記第１基準電圧より高いセルが発生すれば、第２プログラム動作を実施し、前記第１基準電圧より大きい第２基準電圧を利用して第２検証動作を実施する段階と、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The operation method includes: a step of implementing a first program operation and a first verifying operation for a memory cell until a cell with a threshold voltage higher than a first reference voltage occurs, and a step of implementing a second program operation and implementing a second verifying operation using a second reference voltage higher than the first reference voltage when the cell with the threshold voltage higher than the first reference voltage occurs. - 特許庁

従来の単なる基準おねじ部１ａにかえて、セルフタッピン用テーパ部付き基準おねじ部１ａ_1 を用い、従来の単なる基準めねじ部３ａにかえて、セルフタッピン用ばか穴３ａ_1 を用いるものとした、緩み止め締付け用のおねじ部品１とめねじ部品３の組合せを提供する。例文帳に追加

To provide a combination of a looseness preventive fastening male part 1 and a female part 3 using a reference male part 1a_1 with a taper part for self-tapping instead of a conventional mere reference male screw part 1a, and using an unloaded hole 3a_1 for the self tapping instead of a conventional mere reference female screw part 3a. - 特許庁

特許第２７３８４９０号特許公報に開示の請求項１に係る発明において、基準めねじ部１ａにかえて、セルフタッピン用テーパ部付き基準おねじ部１ａ_1 を用い、基準めねじ部３ａにかえて、セルフタッピン用ばか穴３ａ__1 を用いるものとした。例文帳に追加

In the invention related to the claim item 1 disclosed in a Patent Gazette of Patent No.2738490, the reference male part 1a_1 with the taper part for the self-tapping is used instead of the reference female part 1a, and the unloaded hole 3a_1 for the self-tapping is used instead of the reference female part 3a. - 特許庁

ＭＲＡＭ装置の読取方法は、基準電流を発生するために基準メモリセルの磁気モーメントを部分的に切換え、読取られるメモリセルを通る読取電流を測定し、読取った電流を基準電流と比較するステップを含んでいる。例文帳に追加

A method for reading in an MRAM device includes partially switching magnetic moments in a reference memory cell to generate a reference current; measuring a read current through a memory cell to be read; and comparing the read current with the reference current. - 特許庁

変更ステップは、不揮発性メモリセルアレイのメモリセルのグループと関連付けられた履歴セルのグループの履歴読出し基準レベルを決定する段階と、履歴セルのグループの正確な読出しを可能にする段階と、第１の読出し基準レベルに応じてメモリ読出し基準レベルを選択する段階と、不揮発性メモリアレイのセルを読出す段階とを含む。例文帳に追加

The changing step includes: a step for determining a history read reference level of a group of history cells associated with a group of memory cells of a nonvolatile memory cell array; a step for allowing correct reading of the group of history cells; a step for selecting a memory read reference level according to the first read reference level, and a step for reading the nonvolatile memory array cells. - 特許庁

本発明の方法は、読出し中に基準セル（Ｃｒｅｆ）と検査セル（Ｃｖｅｒｉ）とを同時に選択し、読取られた信号を比較し、基準セルで読取られた信号が検査セルで読取られる信号より小さい場合、リフレッシュ信号（Ｓｒ１，Ｓｒ２，Ｓｒ３）を基準セル（Ｃｒｅｆ）に出力するステップを有することを特徴とする。例文帳に追加

This method has a step in which the reference cell (Cref) and a test cell (Cveri) are simultaneously selected during read, read signals are compared when a signal read by the reference cell is smaller than a signal read by the test cell, and refresh signals (Sr1, Sr2, Sr3) are outputted to the reference cell (Cref). - 特許庁

本発明によるメモリ装置は、基準セルアレイと各々がメモリセルを含む複数個のバンクを含む。例文帳に追加

The memory device includes a reference cell array and a plurality of banks each of which includes a memory cell. - 特許庁

セル基準通信信号は、セルベース・トランシーバと通信システムとの間で双方向にデータメッセージを伝達することが可能である。例文帳に追加

The cell based communication signals are capable of communicating data messages in a two-way direction between the cell based transceiver and the communication system. - 特許庁

ＷＴＲＵは、セル再選択判断基準を評価し、再選択すべき隣接ターゲットセルノードを判定する。例文帳に追加

The WTRU evaluates cell reselection criteria and determines a neighboring target cell node to reselect. - 特許庁

メモリ読取動作期間中、トランジスタと、基準セルと、アドレスされたメモリセルとが差動増幅器回路を形成する。例文帳に追加

During the period of the memory read operation, the transistor, the reference cell and the addressed memory cell form a differential amplifier circuit. - 特許庁

候補無線セルが記憶された適合基準のセットを満たす場合、移動無線通信装置は候補無線セルと関連付けを行う。例文帳に追加

In the case where the candidate radio cell meets the stored set of compatible criteria, the mobile radio apparatus makes association with the candidate radio cell. - 特許庁

アレイセルは抵抗器をバイアスすることなく、かつより緩やかな許容誤差内で後に基準セルを用いてプログラムされかつ読出される。例文帳に追加

The array cells are programmed and read without resistor biasing and under looser tolerances using the reference cells at a later time. - 特許庁

メモリ装置は、総て共通のワードラインに接続された複数のコアセルと、第１及び第２の基準セルとを含む。例文帳に追加

The memory device includes a plurality of core cells and first and second reference cells all coupled to a common word line. - 特許庁

セル電圧Ｖが基準電圧Ｖ１以上である高い場合には（Ｓ３０のＮｏ）、セル電圧Ｖが再度検出される（Ｓ２０）。例文帳に追加

When the cell voltage V is the reference voltage V1 or higher (No at S30), the cell voltage V is detected again (S20). - 特許庁

メモリセル電流が基準電流より大きいか小さいかにより、メモリセルに保持されているデータの論理レベルが検出される。例文帳に追加

A logical level of data held in the memory cell is detected depending on whether a memory cell current is larger than the reference current or not. - 特許庁

ステップ２４０では、基準目標セルスタック電圧に加算電圧を加え、目標とする制御電圧である目標セルスタック電圧を求める。例文帳に追加

In the step 240, the additional voltage is added to the reference target cell stack voltage, and a target cell stack voltage being a target control voltage is obtained. - 特許庁

メモリセル(130)の交点アレイ(100)を有するメモリデバイス(50)は、温度センサ(150)と基準メモリセル(160)を備える。例文帳に追加

A memory device 50 having an intersection array 100 of a memory cell 130 is provided with a temperature sensor 150 and a reference memory cell 160. - 特許庁

メモリセル１は電流比較回路２に接続され、該電流比較回路２には試験用基準メモリセル３が接続されている。例文帳に追加

The memory cell 1 is connected to a current comparison circuit 2 and a reference memory cell 3 for testing is connected to the current comparison circuit 2. - 特許庁

次に、取得したディジタル放射線画像のピクセルの中から、得られた確率の値があらかじめ定めた基準を満足するピクセルを選択する。例文帳に追加

Then, the pixels whose obtained probability values satisfy a predetermined reference are selected from among the obtained pixels of a digital radiographic image. - 特許庁

オンセル電流とオフセル電流の間に存在する基準電流を発生させる感知増幅器回路を提供すること。例文帳に追加

To provide a sense amplifier circuit in which a reference current existing between a ON-cell current and a OFF-cell current. - 特許庁

第２の比較器は、高い基準電圧と、前記メモリセルのセル電圧とを受信し、これに応じて第２の値を出力する。例文帳に追加

The second comparator receives a high reference voltage and the cell voltage of the memory cell, and outputs a second value in accordance with this. - 特許庁

第１の比較器は、低い基準電圧と、前記メモリセルのセル電圧とを受信し、これに応じて第１の値を出力する。例文帳に追加

The first comparator receives a low reference voltage and the cell voltage of the memory cell, and outputs a first value in accordance with this. - 特許庁

液晶表示セル１０にその表示エリア１６の位置を示すセル用基準マーク１１〜１４を設ける。例文帳に追加

The liquid crystal display cell 10 is provided with reference marks 11 to 14 for the cell indicating the position of its display area 16. - 特許庁

前記分割セルのうち、検査対象となる模様の特徴を表す座標を基準点として含むものを補正適用セルとして設定する。例文帳に追加

Among the division cells, those which include coordinates representing patterns characteristics to be tested as a reference point are set as correction application cells. - 特許庁

次にセルＡからセルＢへ移動した場合に要する時間の上限値を基準時間表から求める。例文帳に追加

Then an upper limit of the time required for the movement from the cell A to the cell B is obtained from a reference time table. - 特許庁

基準フォントの文字セル２２５のセルサイズを表示枠２２４の枠サイズに対応させるように演算する（Ｓ１〜Ｓ７）。例文帳に追加

The cell size of the character cells 225 of the reference font is computed so as to correspond to the frame size of the display frame 224 (S1 to S7). - 特許庁