「基準セル」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

以上のようにして求めた補正パラメータに基づいて基準コラムセルの露光時間を補正して、各コラムセルの露光時間を求める。例文帳に追加

Exposure time of each column cell is determined by correcting the exposure time of the reference column cell based on the correction parameters thus obtained. - 特許庁

ある色（例えばシアン）のセルＣを基準として、直角である２つの角にそれぞれ他色のセルＭ、Ｙの中心を置く。例文帳に追加

A cell C of a color (e.g., cyan) is used as the reference, and the center of a magenta cell M and the center of a yellow cell Y are arranged at mutually confronting right-angled corners of the reference cyan cell C. - 特許庁

方法(400)は、セル(210)の入力側の値を基準値と比較し、メモリセル(210)の入力側は、書き込み動作が完了したという指示を提供する。例文帳に追加

In this method (400), a value of an input side of the cell (210) is compared to the reference value the input side of the memory cell provides an indication that writing operation is completed. - 特許庁

この求められた明暗境界値を基準にして、読み取られた目的とする二次元コードの暗コードセルと明コードセルとを認識する。例文帳に追加

The dark code cells and light code cells of the read objective two-dimensional code are recognized based on the obtained light-dark boundary value. - 特許庁

セルの容量調整を行うためのしきい値電圧を算出する基準電圧が上昇しても、セルが過充電状態となることを防ぐ。例文帳に追加

To prevent a cell from being brought into an overcharged state, even if the reference voltage that calculates the threshold voltage for adjusting a capacity of the cell is increased. - 特許庁

結果として、異なる基準電圧は、抵抗値の低い選ばれたセルに対する抵抗値の高い選ばれたセルの状態を検知するために使用されても良い。例文帳に追加

As a result, different reference voltages may be used to sense the state of more resistive versus a less resistive selected cells. - 特許庁

基準平面Ｈに対して傾斜自在である本体ケーシング１の中に、複数セルが積層されたセル集合体が固定的に配置されている。例文帳に追加

A cell assembly formed by stacking a plurality of cells is fixed to the inside of a body casing 1 inclinable against a reference plane H. - 特許庁

ボリュームデータに対して基準面４４が設定され、その基準面から各ボクセルまでの距離（符号７０参照）に応じてボクセルの位置が修正される（符号７２参照）。例文帳に追加

A reference plane 44 is set to the volume data, and the position of a voxel is corrected (refer to a code 72) according to a distance (refer to a code 70) from the reference plane to each voxel. - 特許庁

具体的には、製品出荷前試験で行う過消去セルのチェックの判定基準を、通常使用中に行う過消去セルのチェックの判定基準よりも厳しく設定するように切り換える回路３５を備えている。例文帳に追加

More concretely, a switch circuit 35 is provided to switch the check criterion for the over erased cell before the delivery to a severer one than the check in usual use. - 特許庁

セル係数設定部は、０％基準値に対する二次電池の劣化度合いを示す情報に応じて、０％基準値を補正するためのセル係数を設定する。例文帳に追加

A cell coefficient setting unit sets a cell coefficient for correcting the zero-percent reference value in accordance with information representing a degree of deterioration of the secondary battery to the zero-percent reference value. - 特許庁

そのオフセットキャンセル時、複数の出力回路４２８、６２８はＮ分割（Ｎは自然数）されており、第１の基準出力回路４２４からオフセットキャンセル用のＲＥＦＩＯ信号（基準信号）を生成する。例文帳に追加

During the offset cancellation, the plurality of output circuits 428 and 628 are divided by N (N: natural number), and a first reference output circuit 424 generates a REFIO signal (reference signal) for offset cancellation. - 特許庁

劣化判定装置１は、燃料電池のセルスタックの出力電流に対する基準とするセルスタックの基準出力電力を記憶するデータ記憶部１２を備える。例文帳に追加

The deterioration deciding device 1 is equipped with a data memory part 12 for storing a reference output power of a cell stack as a reference to the output current of the cell stack of a fuel cell. - 特許庁

そして、この活性化された基準セルＲＣ０、ＲＣ１を用いて基準電流Ｉ０＋Ｉ１を生成し、メモリセルＭＣのデータを読み出す際に使用する。例文帳に追加

A reference current I0+I1 is formed by using the activated reference cells RC0 and RC1 and is used in reading out the data of the memory cells MC. - 特許庁

これら２つの線は電荷を分け合って充電されて中間レベル（「１」＝ＶＣＣかつ「０」＝ＶＳＳの場合、ＶＣＣ／２）をもたらし、それは、基準セルワード線（ＸＥまたはＸＯ）が依然「ハイ」であるため、基準セルに再記憶される。例文帳に追加

These two lines share electric charges, charged, and an intermediate level (VCC/2, When 1=VCC and 0=VSS) is obtained, and as a reference cell word line (XE or XO) is 'high' yet, it is stored again in the reference cell. - 特許庁

そして、当該分割単位（ＩＣチップを１単位）の１つを選択し、分割した単位により生成されるオフセットキャンセル用の基準信号を、他の単位のオフセットキャンセル用の基準信号として使用する。例文帳に追加

One of the division units (each comprising an IC chip) is selected and the reference signal for offset cancellation generated by a divided unit is used as a reference signal for offset cancellation of another unit. - 特許庁

これら２つの線は電荷を分け合って充電されて中間レベル（「１」＝ＶＣＣかつ「０」＝ＶＳＳの場合、ＶＣＣ／２）をもたらし、それは、基準セルワード線（ＸＥまたはＸＯ）が依然「ハイ」であるため、基準セルに再記憶される。例文帳に追加

These two lines share electric charges with each other and are charged, and an intermediate level (VCC/2, When '1' = VCC and '0' = VSS, VCC/2) is obtained, and as a reference cell word line (XE or XO) is 'high' yet, it is stored again in the reference cell. - 特許庁

多接合太陽電池のパラメータを決定するため、基準セルＲｂ及び多接合太陽電池のパラメータを同一の条件において基準セルに合わせて較正した太陽光シミュレータで計測する。例文帳に追加

In order to determine a parameter of the multi-junction solar cell, a parameter of the reference solar cell Rb and the multi-junction solar cell is measured by using a photovoltaic simulator calibrated in accordance with the reference solar cell on the same conditions. - 特許庁

受信回路１のノイズキャンセル回路部１３において、基準信号生成部１４により生成された基準信号を打ち消すキャンセル信号が生成されて、ＬＮＡ１２から出力された信号に加算される。例文帳に追加

In a noise cancellation circuit part 13 of a reception circuit 1, a cancellation signal to offset a reference signal generated by a reference signal generation part 14 is generated, and added to a signal outputted from an LNA 12. - 特許庁

この基準位置学習装置では、アクセルペダル１１の操作位置が検出され、アクセルペダル１１の未操作状態にあるときの位置が基準位置として学習される。例文帳に追加

In this reference position learning apparatus, the operating position of the accelerator pedal 11 is detected, and the position of the accelerator pedal 11 put in the state of not yet being operated is learned as the reference position. - 特許庁

主撮影画像５１と副撮影画像とに共通の基準ピクセル座標系を定め、それらに現れる、同一被写体に由来した画像領域同士である相関画像領域のピクセル対応関係を特定し、その対応ピクセル同士の基準ピクセル座標系における位置差分を演算する。例文帳に追加

A reference pixel coordinate system common to the main photographed image 51 and the subphotographed image is determined, pixel correspondence relation of correlated image areas which are image areas derived from one object to appear in the images is specified, and position difference in the reference pixel coordinate system between corresponding pixels is calculated. - 特許庁

基準となる気筒においてアクセルシャフト４１に固定して設けられる基準側アクセルフォーク４２Ａと、調整されるべき気筒においてアクセルシャフト４１にスライド可能に設けられる調整側アクセルフォーク４２Ｂとを有する。例文帳に追加

A reference accelerator fork 42A is included that is installed fixedly to an accelerator shaft 41 in a cylinder for serving as a reference and further a regulating accelerator fork 42B is included that is installed slidably in relation to the accelerator shaft 41 in a cylinder to be regulated. - 特許庁

少なくとも１つの実施形態によれば、方法は、回路(101)の基準メモリセル(110)の駆動電流を測定(401)し、基準メモリセルの測定された駆動電流に基づいて、欠陥メモリセルを模倣するために回路の較正メモリセル(120)に供給されるべき駆動電流を決定する(402)ことを含む。例文帳に追加

According to at least one embodiment, a method comprises measuring (401) drive current of a reference memory cell (110) of a circuit (101), and determining (402), based on the measured drive current of the reference memory cell, a drive current to be supplied to a calibration memory cell (120) of the circuit to mimic a defective memory cell. - 特許庁

このため、基準電位から近いセル群１２_ｉのセル数ｎｉを多くすることで、基準電位から近いセル群１２_ｉの電圧測定誤差と遠いセル群１２_ｉの電圧測定誤差とを同程度とすることとなり、不要に測定精度を高めることなく、コストアップを抑制することができる。例文帳に追加

Thereby, by making the number ni of cells of cell group 12_i near the reference potential larger, the voltage measurement error of the cell group 12i near the reference potential and the voltage measurement error of the cell group 12_i far from the reference potential can be made to about same level, thereby cost increase can be suppressed without raising measurement accuracy unnecessarily. - 特許庁

常時オンの回路セル５０Ａ（分岐接続回路セル）が、共通のＶＳＳ下層分岐線７１を介して基準電圧幹線ＶＳＳに接続され、他の常時オンの回路セル５０（個別接続回路セル）が、個別の接続線５１によって基準電圧幹線ＶＳＳに接続されている。例文帳に追加

The always-on circuit cells 50A (branch connection circuit cells) are connected to the reference voltage main line VSS via the common VSS lower-layer branch lines 71, and the other always-on circuit cells 50 (individual connection circuit cells) are connected to the reference voltage main line VSS by individual connection lines 51. - 特許庁

本方法は、前記第１基準セルを、前記コアセルのデータビット“１”分布にて中央にある第１電圧閾値レベルにプログラミングするステップ、及び前記第２基準セルを、前記コアセルのデータビット“０”分布にて中央にある第２電圧閾値レベルにプログラミングするステップより成る。例文帳に追加

The method includes the steps of programming the first reference cell to a first voltage threshold level that is centered within a data bit '1' distribution of the core cells, and programming the second reference cell to a second voltage threshold level that is centered within a data bit '0' distribution of the core cells. - 特許庁

アクセルダイヤルにより設定した設定アクセルポジション（１００％）が、低負荷時のアクセル位置として設定した基準アクセルポジション（８０％)より高い場合に、次の方法によりエンジンアクセルを切替制御する。例文帳に追加

When a set accelerator position (100%) set by an accelerator dial is higher than a standard accelerator position (80%) set as an accelerator position at the time of a light load, the switching control of the engine accelerator is performed by the following method. - 特許庁

単一幅曲線描画部１２０は基準ピクセルの座標を第１の曲線方程式に代入して算出した基準ピクセル演算結果と、基準ピクセルの描画判定に用いるピクセルである参照ピクセルの座標を第１の曲線方程式に代入して算出した参照ピクセル演算結果と、のいずれか一方が０未満であり、かつ、他方が０以上である場合に基準ピクセルを描画対象と決定する。例文帳に追加

A single width curve drawing part 120 determines the reference pixels as the drawing objects when either of a standard pixel calculation result calculated by substituting coordinates of the standard pixels to a first curve equation or a reference pixel calculation result calculated by substituting coordinates of the reference pixels which are the pixels to be used for drawing determination of the standard pixels to the first curve equation is less than zero, and the other is equal to or more than zero. - 特許庁

前記太陽電池として、シリコン結晶系以外の特に多接合型の太陽電池を測定するにあたって、前記基準セル３が、安定なシリコンセンサ３１の上に光学フィルタ３２を貼り付けた擬似セルで構成される場合に、該基準セル３上に、シャッタなどの遮光部材４１と、その開閉機構４２とを備えて構成される保護装置４を被せて基準セル装置２を構成する。例文帳に追加

When a solar cell, especially a multi-junction solar cell other than a silicon crystal based solar cell, is measured, a reference cell device 2 is constituted by applying a protective device 4 consisting of a shading member 41 such as a shutter, and its open/close mechanism 42 onto a reference cell 3 if the reference cell 3 consists of a pseudo-cell where an optical filter 32 is stuck onto a stable silicon sensor 31. - 特許庁

第２基準メモリーセル３０−２の基準ビットラインＲＢＬ１と基準仮想接地ラインＲＶＧＬ２との間に連結されているＮＭＯＳトランジスタを通じて基準ビットラインＲＢＬ１の電圧を変化させ、第２ダミーメモリーセル３０−３のトランジスターを通じてダミービットラインＤＢＬの電圧を変化させる。例文帳に追加

The voltage of a reference bit line RBL1 is changed through an NMOS transistor connected between the reference bit line RBL1 and a reference virtual ground line RVGL2 in a second reference memory cell 30-2 and the voltage of a dummy bit line DBL is changed through a transistor in a second dummy memory cell 30-3. - 特許庁

本発明に従うＮＯＲフラッシュメモリ装置は、マルチビットデータを貯蔵するメモリセルと、相異なる基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、相異なる基準電圧に応答してメモリセルに貯蔵されたマルチビットデータをシリアルセンシングする感知増幅回路と、感知増幅回路に提供される基準電圧を選択する選択回路と、を含む。例文帳に追加

The NOR flash memory device comprises a memory cell for storing multi-bit data; a reference voltage generating circuit for generating respectively different reference voltages; a sensing amplifier circuit for serially sensing the multi-bit data which is stored in the memory cell, in response to the different reference voltages; and a selecting circuit for selecting the reference voltage to be provided to the sensing amplifier circuit. - 特許庁

複数のセンサセル３は、メインセンサセル３１とサブセンサセル３２とからなるとともに、それぞれ、被測定ガス室２に面するように配設される測定電極３１１、３２１と、基準ガス雰囲気に面するよう配設される基準電極３１２、３２２とを有する。例文帳に追加

The plurality of sensor cells 3 include a main sensor cell 31 and a subsensor cell 32, and these include measuring electrodes 311, 321 exposed to the to-be-measured gas chamber 2 and reference electrodes 312, 322 exposed to a reference gas atmosphere. - 特許庁

車両走行時に、車速センサ２１０が検知する車速情報と、車速と巡航速度走行時のアクセル開度の関係を示す基準アクセル開度テーブル１２２により、基準アクセル開度及び推定される変速段度を取得する。例文帳に追加

A reference accelerator opening degree and a presumed shift range are acquired from vehicle speed information sensed by a vehicle speed sensor 210 when a vehicle is in travel, and a reference accelerator opening degree table 122 to show a relation between the vehicle speed and the accelerator opening degree in traveling at a cruising speed. - 特許庁

読み出されるメモリセルの抵抗状態に依存する電流と、少なくとも１つの基準抵抗メモリセルの抵抗状態に依存し得る基準電流とを比較することによって、読み出されるメモリセルの抵抗状態を判別する。例文帳に追加

The method includes determining the resistive state of the memory cell to be read by comparing a current dependent on the resistive state of the memory cell to be read with a reference current that can be dependent on a resistive state of at least one reference resistive memory cell. - 特許庁

複数の比較部４３、４４は、燃料電池セル２１のセル電圧５１と、予め設定された互いに異なる複数の基準電圧５０−１〜２とに基づいて、セル電圧５１と複数の基準電圧５０−１、５０−２の各々との比較結果としての複数の比較信号５２、５３を出力する。例文帳に追加

The comparison parts 43 and 44 compare the voltage 51 of each unit cell 21 with a plurality of different reference voltages 50-1 thru 50-2 set previously, and as the result from comparison, emit comparison signals 52 and 53. - 特許庁

読み出されるメモリセルの抵抗状態に依存する電流と、少なくとも１つの基準抵抗メモリセルの抵抗状態に依存し得る基準電流とを比較することによって、上記読み出されるメモリセルの抵抗状態を判別する。例文帳に追加

The method includes determining the resistive state of the memory cell being read by comparing a current dependent on the resistive state of the memory cell being read with the reference current dependent on a resistive state of at least one reference resistive memory cell. - 特許庁

エフェクト画像Ｐｉｃ（Ｅｆｆ）において基準色より暗い色のピクセルについては、そのピクセルの色と基準色との差分に相当する色情報が、元画像Ｐｉｃ（Ｏｒｇ）の対応ピクセルの色情報からα値に応じて減算される減算αブレンディングを行う。例文帳に追加

As for the pixel darker than the reference color in the effect image Pic(Eff), the color information corresponding to the difference between the color of the pixel and the reference color is subtracted from the color information of the corresponding pixel of the original image Pic(Org) according to the α value by subtraction α blending. - 特許庁

第１の判定部７０は、選択回路１３によって選択された複数のツインセルの各々について、一方のメモリセルの閾値電圧が共通に設定された基準値より高く、他方のメモリセルの閾値電圧が基準値より低いという第１の条件が成立するか否かを判定する。例文帳に追加

The first determination part 70 determines, for each of the plurality of twin cells selected by a selection circuit 13, whether a first condition that a threshold voltage of one memory cell is higher than a commonly set reference value and a threshold voltage of the other memory cell is lower than the reference value is established. - 特許庁

ヒューズデータが記憶されているメモリセルが配置されているメモリセルアレイ１と、メモリセルから読み出したヒューズデータを格納するヒューズ用レジスタ８と、差動増幅器を有して構成された、基準電圧を発生する基準電圧回路９とを具備する。例文帳に追加

This device is provided with a memory cell array 1 in which memory cells storing fuse data are arranged, a register 8 for fuse storing fuse data read out from the memory cell and a reference voltage circuit 9 consisting of a differential amplifier for generating reference voltage. - 特許庁

エフェクト画像Ｐｉｃ（Ｅｆｆ）において基準色より明るい色のピクセルについては、そのピクセルの色と基準色との差分に相当する色情報が、元画像Ｐｉｃ（Ｏｒｇ）の対応ピクセルの色情報にα値に応じて加算される加算αブレンディングを行う。例文帳に追加

As for the pixels brighter than the reference color in the effect image Pic(Eff), color information corresponding to a difference between the color of the pixel and the reference color is added to the color information of the corresponding pixel of the original image Pic(Org) according to an α value by addition α blending. - 特許庁

セルのセル・グループＩＤまたはセルＩＤに基づいて、周波数シフトを、ノードＢのカバレッジを提供するセルから送信された基準信号へ適用することによって、周波数再使用パターン５１０が生成される。例文帳に追加

A frequency reuse pattern 510 is generated by applying frequency shifts to reference signals transmitted from cells that provide coverage for a Node B based on cell IDs or cell group IDs for the cells. - 特許庁

眼のデジタル画像Ｐの低輝度ピクセルと、これらの低輝度ピクセルと所定の関係にある高輝度ピクセルを考慮して、瞳孔の中心を規定する基準ピクセルを決定する。例文帳に追加

A reference pixel prescribing a center of a pupil is determined in consideration of low-luminance pixels of a digital image P of the eye and high-luminance pixels having a prescribed relationship with the low-luminance pixels. - 特許庁

セル１つずつについて、セル内に含まれる情報が、３次元パッケージ内で他のセルを基準にしたそのセルの物理的場所の特徴を記述する。例文帳に追加

As to each cell, information included in the cell describes characteristics of a physical location of the cell by using another cell as a reference inside the three-dimensional package. - 特許庁

他の好ましい実施形態では、基準セルプログラミングプロセス中に使用されるメモリセルは、メモリアレイを含むダイ上に搭載されている固有セルであるが、メモリアレイ内のセルではない。例文帳に追加

In other preferable embodiment, a memory cell used in the reference cell programming process is an intrinsic cell incorporated in a die comprising a memory cell array, but it is not a cell in the memory cell array. - 特許庁

アレイセルはアレイセルと基準セルとのゲートに同一の電圧を与え、出力を比較してアレイセルの状態を判断することによって読出される。例文帳に追加

The array cells are read by applying an identical voltage to gates of a reference cell and the array cell and comparing outputs to determine the array cell state. - 特許庁

酸素センサ１０は、測定セル本体２１と測定電極２１ｂ１と基準電極２１ａ１とを含む測定セルと、ポンプセル本体２３とポンプ陽極２３ｂ１とポンプ陰極２３ａ１とを含むポンプセルとを備えている。例文帳に追加

This oxygen sensor 10 is provided with a measurement cell including a measurement cell main body 21, a measuring electrode 21b1, and a reference electrode 21a1 and a pump cell including a pump cell main body 23, a pump anode 23b1, and a pump cathode 23a1. - 特許庁