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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 基準セルに関連した英語例文

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基準セルの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 880



例文

本発明は、データを記憶するメモリーセル側の領域で、検査工程中も書込み/消去を行わず初期状態で残しておくメモリーセルを設け、そのセル基準としてリファレンスセルのベリファイを行いながら、リファレンスセルのVt設定を行う。例文帳に追加

A memory cell left in an initial state is provided without performing write-in/erasure even in an inspection process in a region of a memory cell side storing data, Vt setting of a reference cell is performed performing verifying of the reference cell basing the cell as reference. - 特許庁

基準電流は、メモリセルがオフしている場合に流れる第1のセル電流とメモリセルがオンしている場合に流れる第2のセル電流との中間値よりも、大きく設定され、且つ、第2のセル電流よりも、小さく設定されている。例文帳に追加

The reference current is set larger than an intermediate value between first cell current flowing when the memory cell is off and second cell current flowing when the memory cell is on, and is set smaller than the second cell current. - 特許庁

サービングセルは、予め取得した自セルの半径情報と周辺セルの半径情報に基づき、セル半径が大きい基地局からセル半径が小さい基地局へ端末がハンドオーバしやすいように、ハンドオーバ判定基準を緩和する。例文帳に追加

A serving cell makes handover judgment criteria easier based on previously acquired radius information on its own cell and radius information of neighbor cells in order to facilitate terminal handovers from a base station with a large cell radius to a base station with a small cell radius. - 特許庁

1個のメモリセルグループにおいて、データの書き込みまたは読み出し時に参照する基準電圧値を、一部のメモリセルに対して少なくすることによりメモリセルの容量を変え、メモリセルグループ全体のメモリセルの容量の和が2の整数乗ビットの整数倍になるようにする。例文帳に追加

In one memory cell group, capacity of a memory cell is varied by reducing a reference voltage value referred at the time of write-in or read-out of data for one part of the memory cell, the sum of capacity of cells of a whole memory cell group is made integral multiple of integral power of 2 bits. - 特許庁

例文

また、配置配線処理の対象となるセルブロックを決定し、そのセルブロック単位で配置処理を行う場合には、各セル間の信号遷移係数および各セルの消費電力を評価基準として、セルブロックの分割・併合を行う。例文帳に追加

Besides, a cell block to become a target of location and wiring processing is determined and when performing location processing for the unit of the cell blocks, the cell blocks are divided and merged with the signal transition coefficient between cells and power consumption of each cell as an evaluation reference. - 特許庁


例文

複数の視点に設置したカメラにより取得した基準画像中の形状情報を取得し、取得した形状情報を、信頼性推論ブロック1101において、基準画像を構成する各ピクセル位置に対応する形状情報に変換し、基準画像を構成する各ピクセルの重みを信頼性情報1113として生成する。例文帳に追加

Shape information in reference images acquired by cameras installed at a plurality of viewpoints, the acquired shape information is converted by a reliability inference block 1101 into shape information corresponding to positions of respective pixels constituting the reference images, and weights of the respective pixels constituting the reference images are generated as reliability information 1113. - 特許庁

基準論理素子(マスタセル)の入力端子に複数の異なる信号遷移時間制約125〜128を設定できるようになっており、その基準論理素子(マスタセル)の仕様に対応した信号遷移時間制約125〜128を、それぞれの論理素子(インスタンスセル)の入力端子に設定して、それらの論理素子(インスタンスセル)の駆動能力を調整する。例文帳に追加

A plurality of different signal transition time constraints 125-128 are set at the input terminal of each reference logical element (master cell), and the signal transition time constraints 125-128 corresponding to the specifications of the reference element (master cell) are set at the input terminal of each logical element (instance cell) so that the driving capability of the logical element (instance cell) is adjusted. - 特許庁

その部位毎に光子放出量が異なる経路からの光子検知を、行102内にある基準セル及び行104内にあるサブレンジセル106からなりそれら基準セル及びその近傍のサブレンジセル106との対を1個又は複数個含むフォトセンサアレイ100を備える集積回路(IC)68により、経路を構成する複数個のセグメントにて個別に行う。例文帳に追加

Photons from a route different in the photon emitted amount is detected for each portion in a plurality of segments constituting the path, by an integrated circuit (IC) 68 provided with a photosensor array 100, comprising a reference cell in a line 102 and a subrange cell 106 in a line 104, and including one or a plurality of pairs, comprising the reference cell and the subrange cell 106 in the vicinity thereof. - 特許庁

ボクセル生成部12は上記複数枚の画像のうち所定数の画像を基準画像、その近傍の画像を参照画像とし、基準画像上の特徴点についてその特徴点を通過する単位3次元空間であるボクセルをボクセル空間内に生成し、ボクセルおよび元の特徴点の色情報Cを情報記憶部15に記憶する。例文帳に追加

A voxel generating part 12 defines the prescribed number of images as a reference image among a plurality of images and their adjacent images as reference images, generates a voxel which is a unit three-dimensional space going through a characteristic point in a voxel space about the characteristic point on the reference images and stores the voxel and color information C of the original characteristic point in the part 15. - 特許庁

例文

燃料電池スタックにおいてセルn枚毎にセル電圧を検出した実測電圧Vと下記の不等式を満たすように選定した監視基準電圧V_Rとを比較し、実測電圧Vが監視基準電圧V_Rを下回った場合に、該燃料電池スタックに属するセルに異常が発生したものと判断することを特徴とする燃料電池セル異常検出方法。例文帳に追加

This abnormality detecting method for the fuel cell is such that measured voltage V of cell voltage detected every n cells in a fuel cell stack is compared with the reference voltage VR selected so as to satisfy the following inequality, and when the measured voltage V is lowered than the reference voltage VR it is determined that the abnormality is produced in the cell of the fuel cell stack. - 特許庁

例文

プログラム検証動作を実施するための方法であって、基準メモリセルをプログラムするステッ81プと、複数のメモリセルをプログラムするステップ83と、前記基準メモリセルの内容を用いてセット信号を生成するステップ85と、前記セット信号を用いて、前記複数のメモリセルに対する前記プログラム検証動作を開始するステップ87,89と、を有するように構成する。例文帳に追加

The method for executing program verification operation has a step 81 for programming a reference memory cell, a step 83 for programming a plurality of memory cells, a step 85 for generating a set signal using content of the reference memory cell, and steps 87, 89 starting the program verification operation for the plurality of memory cells using the set signal. - 特許庁

基準メモリセルをプログラムするステップと、メモリセルをプログラムするステップと、基準メモリセルの内容を用いてセット信号を生成するステップと、セット信号を用いて、メモリセルのプログラム検証動作または消去検証動作を開始するステップとを有するプログラム検証動作または消去検証動作の実施方法を提供する。例文帳に追加

This execution method for program verification operation or erasion verification operation has a step in which a reference memory cell is programmed, a step in which a memory cell is programmed, a step in which a set signal is generated using the contents of the reference memory cell, and a step in which program verification operation or erasion verification operation of a memory cell is started by using the set signal. - 特許庁

電源配線群は、第1層メタル配線を介して電源スイッチセルと電源遮断対象セルを接続する遮断用電源供給線と、第2層メタル配線を介して電源スイッチセルと常時通電セルを接続する基準電位供給線とを含む。例文帳に追加

The power supply wiring group includes: an interruption power supply line for connecting the power supply switch cell and the power interruption object cell through first layer metal wiring; and a reference potential supply line for connecting the power supply switch cell and the constantly energized cell through second layer metal wiring. - 特許庁

CPU21は、任意のセルにおいて検出された部分圧力を基準に、セルの横方向及び縦方向に隣り合う両セルにおいて検出された部分圧力が増加から減少へ、若しくは減少から増加へと変化するときのセルの数を計数する。例文帳に追加

It counts the number of cells with reference to the partial pressure detected in any cells when the partial pressure detected in both cells adjacent in the horizontal and the vertical direction thereof is changed from increase to decrease or from decrease to increase. - 特許庁

この構成を用いて隣接セルに対して書込み動作を行うことにより、レファレンスセルから隣接セルへ漏れ電流がなくなるため、レファレンスセル本来の特性を、基準側の特性として読出し動作に反映させることができ、安定読出しを実現できる。例文帳に追加

Since a leak current to the adjacent cell from the reference cell is prevented by performing write-in operation for the adjacent cell using this constitution, the original property of the reference cell can be reflected to read-out operation as the property of the reference side, and stable read can be achieved. - 特許庁

組電池容量調整装置1は、複数個の単位セルを接続してなる組電池11の各セルのうち、いずれかの電圧が基準となる電圧を超えた場合に、そのセルについて放電させることで各セル間の充電率を均一に調整するものである。例文帳に追加

The battery pack capacity adjuster 1 uniformly adjusts charging rates among cells by discharging the cells when voltages of any cells in a battery pack 11 in which a plurality of the unit cells are connected, exceed a reference voltage, and is provided with a CPU 23. - 特許庁

仮想接地方式のメモリ装置で、差動型の読出し判定動作における基準側の特性をメモリセル(レファレンスセル)で実現する場合、レファレンスセルに隣接するセルを介した漏れ電流がプロセスでばらつくことにより、安定読出しが困難となる。例文帳に追加

To solve a problem that when a property of a reference side in differential type read determination operation is achieved by a memory cell (reference cell) in a memory apparatus of a virtual ground system, a leak current through a cell being adjacent to the reference cell is dispersed by the process, thereby, stable read becomes hard. - 特許庁

すなわち、隔壁部4は測定用セル3とポンピング用セル2とを隔離することにより、ポンピング用セル2の電圧源8が測定用セル3の起電力に影響することを阻止しかつガラスシール12、13によって基準ガスの機械的漏れを無くしている。例文帳に追加

More specifically, the partition wall 4 separates the cell 3 for measurement from the cell 2 for pumping, thus preventing a voltage source 8 of the cell 2 for pumping from being affected by the electromotive force of the cell 3 for measurement and eliminating the mechanical leakage of the reference gas by glass seals 12 and 13. - 特許庁

本発明の2次元コードは、所定の形状を有する基準セル100と、それぞれを2次元配置することでコードデータを構成する複数の多辺形セル106と、複数の多辺形セル106が2次元配置される領域を取り囲むように配置される複数のコーナーセル104とを備える。例文帳に追加

The two-dimensional code includes a reference cell 100 having a predetermined shape, a plurality of polygon cells 106 constituting a code data by two-dimensionally disposing each polygon cell, and a plurality of corner cells 104 disposed in such a way as to surround an area in which the plurality of polygon cells 106 are disposed two-dimensionally. - 特許庁

予備記憶部19は、メインセルアレイ7の予備として設けられ複数の不揮発性スペアセル39を有するスペアセルアレイ17と、基準となる不揮発性第2リファレンスセル13と、スペアセル39の出力と第2リファレンスセル13の出力とに基づいてスペアセル39のデータを読み出す第2センスアンプ15とを備える。例文帳に追加

The spare memory part 19 is provided with a spare cell array 17 provided as a spare of the memory cell array 7 having a plurality of nonvolatile spare cells 39, a nonvolatile second reference cell 13 being reference, and a second sense amplifier 15 reading out data of the spare cell 39 based on an output of the spare cell 39 and an output of the second reference cell 13. - 特許庁

メモリが有するセルのキャパシタに接続される基準電圧源と、セルに書き込まれるデータを保持するバッファ回路と、前記バッファ回路の保持するデータに応じて、セルのデータの書き換え時に生じるノイズ電流を打ち消すカウンターノイズ電流を前記基準電圧源へ出力するカウンターノイズ発生回路を有する半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

The semiconductor storage device has a reference voltage source connected to the capacitor of a cell included in a memory; a buffer circuit which holds data to be written in the cell; and a counter noise generation circuit which outputs a counter noise current canceling the noise current occurring when rewriting the data held in the cell to the reference voltage source according to data held by the buffer circuit. - 特許庁

組電池1の正または負極の基準電位に置いた1個の可変定電流電源2の出力電流を、電流切換器3により各電池セル電位に切換供給し、各電池セルB1〜Bnごとに前記出力電流を抵抗R4−2〜R4−nにより変換した電圧と、各電池セルの端子電圧との大小比較を行い、その結果を前記基準電位において検知する。例文帳に追加

The terminal voltage of each battery cell is compared, for level, with a voltage having been converted from the output current using resistors R4-2 to R4-n for each of battery cells B1-Bn, and the result is detected at the reference potential. - 特許庁

本発明のDAコンバータは、複数の電流セルアレイと、各々の電流セルアレイに供給する基準電流を発生する複数の電流源と、各々の電流セルアレイに供給する基準電流を発生する電流源を、複数の電流源の間で所定時間毎にローテーションするローテーション回路とを備える。例文帳に追加

The DA converter is provided with: the plurality of current cell arrays; a plurality of current sources for generating a reference current applied to each current cell array; and a rotation circuit for rotating the current source for generating the reference current applied to each current cell array among the plurality of current sources by each prescribed time. - 特許庁

たとえば、動き推定および動き補償中に、ビデオエンコーダで、基準ビデオフレーム内の1/4ピクセル位置のピクセル値を計算するときに、近似双三次フィルタリングを使用する。例文帳に追加

For example, during motion estimation and compensation, a video encoder uses approximate bicubic filtering when computing pixel values at quarter-pixel positions in reference video frames. - 特許庁

比較器は、それぞれのセル電圧を第1の基準信号と比較することにより、それぞれのバッテリセルにおいて故障状態が発生しているか否かを確定する。例文帳に追加

The comparator compares a respective cell voltage with a first reference signal to determine whether a fault condition occurs on a respective battery cell. - 特許庁

波長スキャンしながらガスセルの吸収スペクトルを計測し、光源の輝線スペクトルの波長をガスセルの吸収波長(精度よく波長が求まっている)を基準として決定する。例文帳に追加

The absorption spectrum of the gas cell is measured while scanning the wavelength and the wavelength of the bright line spectrum of the light source is determined with the absorption wavelength (precise wavelength) of the gas cell as a criterion. - 特許庁

従来のATMは、53バイトのATMセルの内、48バイトだけがペイロードデータであるために、セル毎の基準でほぼ90.5%の伝送効率しかない。例文帳に追加

To solve a problem that a conventional ATM is only about 90.5% in transmission efficiency in a criterion for each cell since only 48 bytes are for payload data in an ATM cell of 53 bytes. - 特許庁

基準セルを使用せず、マグネチックメモリセルに貯蔵されたデータを正確に判別することができるマグネチックランダムアクセスメモリMRAMが提供される。例文帳に追加

To provide a magnetic random access memory MRAM capable of accurately determining data stored in a magnetic memory cell without using any reference cell. - 特許庁

センスアンプ回路は、遷移ゲート電圧が識別されるまで不揮発性メモリビットセルに掃引ゲート電圧が印加されるとき、前記基準電流を前記不揮発性メモリビットセルによって生成されるドレイン電流と比較する。例文帳に追加

A sense amplifier circuit compares the reference current to a drain current generated by a non-volatile memory bit cell as sweeping gate voltages are applied to the non-volatile memory bit cell until a transitioning gate voltage is identified. - 特許庁

読出し失敗することなく安定した動作を有し、メモリセルを読出すに際し十分なマージンを持った有利な基準セル回路を有するフラッシュメモリ装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a flash memory device, having stable operation without failures in read-out and having a profitable reference cell circuit, having sufficient margin when a memory cell is read out. - 特許庁

第2のスイッチング素子151,152,153,154がオンすると、強誘電体キャパシタセル基準キャパシタセルユニット171が直列接続される。例文帳に追加

When second switching elements 151, 152, 153, 154 are tuned on, the ferroelectric capacitor cell and a reference capacitor cell unit 171 are connected in series. - 特許庁

アンプ70は、選択されたメモリセルR_Mに関連する電流及び電圧の変化を検知して、それらを基準セルR_Rに関連する電流及び電圧の変化と比較する。例文帳に追加

The amplifier 70 detects variation of the current and voltage relating to the selected memory cell R_M, and compares these variation with the variation of current and voltage relating to the reference cell R_R. - 特許庁

電池モジュールの各々における電池管理モジュールは、基準信号に従って電池セルのバランスをとるようにバランス回路を制御することができ、それによって、電池モジュール間のセルバランスを実現する。例文帳に追加

The battery managing module in each of the battery modules controls the balance circuit so as that the battery cell is balanced according to the reference signal, and the cell between the battery modules is balanced thereby. - 特許庁

また、検出回路40n−1は、燃料電池セル32nから電圧V32nを受け、その受けた電圧V32nが基準電圧Vstd2以下であるとき、燃料電池セル32nの異常な電圧低下を検出する。例文帳に追加

Further, the detection circuit 40n-1 receives the voltage V32n from the fuel battery cell 32n, and detects abnormal voltage fall of the fuel battery cell 32n when the voltage 32n received is below a reference voltage Vstd2. - 特許庁

区間判別ロジック部は、温度変化に応じた可変遅延セルの出力と一定遅延セルの出力それぞれが一致する温度を基準として区間別温度に分け、区間別温度に対応する温度コードを発生する。例文帳に追加

The section determination logic part divides temperatures into section by section with reference to temperatures at which output of the variable delay cell corresponds to output of the constant delay cells according to temperature changes and generates temperature codes corresponding to the temperatures section by section. - 特許庁

調整可能な電流モード差動センスアンプ70は、選択されたメモリセルR_M及び所定値を有する基準セルR_Rに連絡するように配置される。例文帳に追加

An adjustable current mode differential sense amplifier 70 is arranged so as to contact a selected memory cell R_M and a reference cell R_R having a prescribed value. - 特許庁

制御回路200において、ポンプセル110及びセンサセル120の共通の負側端子(ポンプ第2電極112,センサ第1電極121)には基準電圧回路210及び増幅回路220が接続される。例文帳に追加

In a control circuit 200, a reference voltage circuit 210 and an amplifying circuit 220 are connected to a common negative side terminal (a pump second electrode 112, a sensor first electrode 121) of the pump cell 110 and the sensor cell 120. - 特許庁

セルコントローラC/C1は、故障診断時にセルスイッチSWa1〜SWa8およびSWa41をオフ、基準電圧源スイッチSWc1、ならびに容量調整回路スイッチSWb1〜SWb8をオンする。例文帳に追加

A cell controller C/C1 turns off cell switches SWa1 to SWa8 and a SWa41 at the malfunction diagnosis and turns on a reference voltage source switch SWc1 and capacity regulating circuit switches SWb1 to SWb8. - 特許庁

そして、その後ハーフトーン処理による階調データの変換処理(ポスト階調変換処理:S40)において、バラツキが与えられた階調データを有する画素について、セルの重心を基準に未処理画素を選択してセルを生成する。例文帳に追加

Then, in gradation data conversion processing (post-gradation conversion processing: S40) by halftone processing, an unprocessed pixel is selected based on the centroid of a cell to generate a cell. - 特許庁

移動無線装置は、第1の無線セルが記憶されたセットの適合基準を欠くことを検出し、関連付けのための候補の無線セルを探索し、特定する。例文帳に追加

A mobile radio apparatus detects that a first radio cell lacks a compatible criterion of a stored set, searches for and specifies a radio cell of a candidate for association. - 特許庁

本方法は、メモリセルの異なるグループの閾値電圧分布の変化の関数としてメモリセルのグループを読出すための読出し基準レベルを変更する段階を含む。例文帳に追加

This method includes changing a read reference level for reading a group of memory cells as a function of changes in a threshold voltage distribution of a different group of memory cells. - 特許庁

感知増幅器は、メインセルアレイのビットラインの電圧と基準セルアレイのビットラインの電圧とを比較し、その結果による出力信号を発生させる例文帳に追加

The sense amplifier compares a voltage of the bit line of the main cell array with a voltage of the bit line of the reference cell array and generates an output signal according to a result of the comparison. - 特許庁

吸光度測定部Aは、試料測定セル10と基準測定セル11に光源12の光を照射し受光器13、14で透過光を測定し吸光度を測定する。例文帳に追加

In the absorbancy measuring part A, a sample measuring cell 10 and a reference measuring cell 11 are irradiated with the light of a light source 12 and the transmitted light is measured by photodetectors 13 and 14 to measure absorbancy. - 特許庁

第1のスイッチング素子がオンすると、強誘電体キャパシタセル基準キャパシタセルユニットの接続部の電位がビット線121に加算される。例文帳に追加

When a first switching element is turned on, a potential of a connection part of the ferroelectric capacitor cell and the reference capacitor cell unit is added to the bit line 121. - 特許庁

燃料電池システム1では、燃料利用率の変動に対するセルスタック5からの電圧の変動を取得し、電圧の値と基準値との比較によってセルスタック5の劣化を検出する。例文帳に追加

In a fuel cell system 1, fluctuation of a voltage from a cell stack 5 for fluctuation of fuel utilization is obtained, and the degradation of the cell stack 5 is detected by comparing a value of the voltage and a reference value. - 特許庁

上記非選択ブロックBLOCK1内のしきい値電圧が低い状態のメモリセルがオンして、そのオンしたメモリセルに形成されたチャネル層が基準電圧0Vとなるようにする。例文帳に追加

A memory cell in which threshold voltage in the non-selection block BLOCK1 is low state is turned on, and a channel layer formed on the memory cell being turned on is made reference voltage 0 V. - 特許庁

実際の半導体集積回路におけるセル固有の条件をできるだけ忠実に反映し、個々のセルのノイズ耐性をより正確に見積もり、必要かつ十分な基準でノイズエラー判定をすること。例文帳に追加

To reflect conditions specific to a cell in an actual semiconductor integrated circuit as faithfully as possible, to more accurately estimate noise resistance of each the cell, and to decide a noise error under a necessary and sufficient standard. - 特許庁

他方、多接合太陽電池のもう1つのサブセルのi層i1、i2に対応する基準セルRbは、ドープして導電層i1、i2に変換された層l1、l2を有する。例文帳に追加

On the other hand, the reference solar cell Rb corresponding to the i layers i1 and i2 of another sub-cell of the multi-junction solar cell has layers l1 and l2 converted into conductive layers i1 and i2 by doping. - 特許庁

従って、基準電位部25がIp2セル検出回路13と特定配線とを電気的に隔てるので、特定配線を流れる電流によるノイズがIp2セル検出回路13に侵入することを防止することができる。例文帳に追加

Thus, the reference potential section 25 isolates between the Ip2 cell detection circuit 13 and specific wirings, which prevents noise due to the current flowing in the specific wirings from infiltrating the Ip2 cell detection circuit. - 特許庁

例文

これに応じて、電池セル10から送信部13に供給される電力レベルは、基準電力レベルよりも減少することになり、その分、電池セル10の容量の消耗を抑制することができる。例文帳に追加

Thus, a power level to be supplied from the battery cell 10 to a transmitting part 13 can becomes smaller than the reference power level, and the consumption of the capacity of the battery cell 10 can be reduced. - 特許庁

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