「基準セル」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

ディジタル画像処理により目標物の位置を測定する方法を用いて、学習段階において、第１基準画像２に加えて、該第１基準画像２に対してＣＣＤカメラのピクセル１の数だけ各々がずらされた幾つかの基準画像が記録されかつ貯蔵される。例文帳に追加

In a learning stage, in addition to a first reference image 2, several reference images shifted corresponding to the number of pixels 1 of a CCD camera with respect to the first reference image 2 are recorded and stored using a method of measuring the position of a target by a digital image processing. - 特許庁

チップ２の端部の所定位置には、外部から基準電流ＩＲＥＦを供給する基準電流供給端子７が設けられ、その基準電流供給端子７からマクロセル３まではチップ２上を共通の導体１１で接続されている。例文帳に追加

In a predetermined location of an end of the chip 2, a reference current feeding terminal 7 is provided for supplying reference current IREF from the outside and is connected to the macrocell 3 with a common conductor 11 on the chip 2. - 特許庁

また、上記スキャン間隔の係数値Ｓｉが基準値に達した場合にスキャン間隔の基準値Ｓｔを１０倍に増加させ、このスキャン間隔の基準値Ｓｔを携帯端末がセルを退出した後も基地局識別番号に対応付けてスキャン管理テーブルに保持する。例文帳に追加

In addition, when the coefficient value Si of the scanning intervals reaches a reference value, the reference value St of the scanning intervals is increased by ten times and even after a portable terminal leaves the cell, the reference value St of the scanning intervals is associated with a base station identification number and held in a scanning management table. - 特許庁

記憶部９は、複数の不揮発性メモリセル２９を有するメインセルアレイ７と、基準となる不揮発性第１リファレンスセル３と、メモリセル２９の出力と第１リファレンスセル３の出力とに基づいてメモリセル２９のデータを読み出す第１センスアンプ５とを備える。例文帳に追加

The memory part 9 is provided with a main cell array 7 having a plurality of nonvolatile memory cells 29, a nonvolatile first reference cell 3 being reference, and a first sense amplifier 5 reading out data of the memory cell 29 based on an output of the main memory cell 29 and an output of the first reference cell 3. - 特許庁

候補無線セルのセットの中の候補セルが第１の無線セルと同一であるとき、移動無線装置は、記憶された第１の無線セルに対する適合基準のセットと、候補無線セルに対する測定された少なくとも１つの受信信号のメトリックとを用いて候補無線セルの適合性を評価する。例文帳に追加

When a candidate cell in a set of candidate radio sets is identical to the first radio cell, the mobile radio apparatus uses the set of compatible criteria for the stored first radio cell and the measured metric of the at least one received signal for the candidate radio cel to evaluate compatibility of the candidate radio cell. - 特許庁

基準信号へ適用された周波数シフトは、その後、周波数分割多重化（ＦＤＭ）またはＦＤＭと他の多重化技術との組み合わせを用いて、別のセルからの基準信号を多重化するベースとして利用されうる。例文帳に追加

The frequency shifts applied to the reference signals can then be utilized as a basis for multiplexing the reference signals from different cells using frequency division multiplexing (FDM) or a combination of FDM and other multiplexing techniques. - 特許庁

電話セルサイトと同じ場所にあるＧＰＳ基準局を備え、ＧＰＳ基準局はそのローカルエリアから見えるＧＰＳ衛星を追跡し、各ＧＰＳ衛星のドップラー値を推定する。例文帳に追加

A GPS reference station positioned in the position same to a phone cell site, and the GPS reference station tracks GPS satellites observed from a local area thereof to estimate a Doppler value of the each GPS satellite. - 特許庁

酸化分解された基準試料水は、測定セル８に移送され、吸光度測定部９で波長２２０ｎｍの基準試料水の硝酸イオンの吸光度が測定される。例文帳に追加

The oxidized and decomposed reference sample water is transferred to a measuring cell 8, and the absorbance of nitrate ion of the reference sample water of wavelength of 220 nm is measured by an absorbance measuring part 9. - 特許庁

第１のセンスアンプＧ３は、メモリセルＭＣから出力された電流と基準電流生成回路Ｇ５から出力された第１の基準電流とを比較する。例文帳に追加

A first sense amplifier G3 compares a current outputted from the memory cell MC with a first reference current outputted from a reference current generating circuit G5. - 特許庁

探索部６０により探索された最近傍基準投影点に対応する基準ボリュームに付されたラベルを基に、入力ボリュームデータの各ボクセルがどの体節部に属するかを特定する。例文帳に追加

Based on a label attached to the reference volume corresponding to the nearest neighbor reference projection point searched by the search unit 60, it is specified a metamere section to which each voxel of the input volume data belongs. - 特許庁

したがって、プログラミング基準信号への読出し基準信号の依存性によりプログラミングマージンが確保されるとともに、プログラミング処理中にその記憶状態を読み出さずにメモリセルのプログラミングが行なえる。例文帳に追加

Thus, programming margin is secured, by the dependence of the read-out reference signals on the programming reference signals, while programming of the memory cell can be performed, without reading out its memory states during programming process. - 特許庁

基準電圧の校正は、温度又は老化（又は経年変化）の影響に関連する可能性のあるFeRAMセルのパフォーマンスの変化を基準電圧が追跡するように、FeRAMの通常動作中に動的に実行できる。例文帳に追加

Calibration of the reference voltage can be performed dynamically during normal operation of the FeRAM so that the reference voltage tracks changes in FeRAM cell performance that may be associated with temperature or aging (or secular change) effects. - 特許庁

基準電圧と参照電圧を同じ電圧源から抵抗分割で発生させることにより、基準電圧ノイズと参照電圧ノイズを同相にし、ノイズをキャンセルできる構成とした。例文帳に追加

A standard and reference voltages are generated by resistor division from the same voltage source to make a standard voltage noise and a reference voltage noise in phase, thereby making the noise cancelable. - 特許庁

状態検出部２及び同期信号検出部３は、基準パルス信号に同期する遅延信号に基づいて基準クロック信号Ｒｅｆの１周期分の遅延を行うディレイセルの段数を検出する。例文帳に追加

The state detection part 2 and a synchronous signal detection part 3 detects the number of states of delay cells which delay the reference clock signal Ref by one cycle according to the delayed signal synchronized with a reference pulse signal. - 特許庁

チャネル識別回路８はＰＬＯＡＭセルのＨＥＣバイトが反転されていることに基づいて、４つのチャネル信号の中から基準チャネルを検出し、基準チャネルとの位相差から全てのチャネルを識別する。例文帳に追加

The channel identification circuit 8 detects the reference channel among the 4 channel signals based on it that the HEC byte of the PLOAM cell is inverted and identifies all the channels based on each phase difference from the reference channel. - 特許庁

ワード線の配線幅毎に複数の基準電流を設定することで、ゲート幅の異なるメモリセル毎に、基準電流を最適な値に設定できる。例文帳に追加

The reference current can be set an optimum value for each memory cell of which gate width is different by setting a plurality of reference current for each wiring width of word lines. - 特許庁

半導体メモリ装置では、少なくとも１つの基準メモリセル（１０）の特徴量と基準値（ＶＲＥＦ）との比較の際、所定の最小偏差が検出された場合に、リフレッシュ論理回路（８）が開始される。例文帳に追加

In this semiconductor memory, a refresh logic circuit (8) is started in the case of detecting a prescribed minimum deviation at the time of comparing the feature amount of at least one reference memory cell (10) with a reference value (VREF). - 特許庁

結局、温度による駆動トランジスタＴｒ２のソース電圧Ｖｓの上昇分の変動を、信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓとγ基準電圧の変動によりキャンセルすることで、輝度変動を補正する。例文帳に追加

Consequently, the luminance fluctuation is corrected by canceling the rise fluctuation of a source voltage Vs of a driving transistor Tr2 by temperature by the fluctuation of the signal amplitude reference voltage Vofs and γ-reference voltage. - 特許庁

データ層（１１０）と、前記データ層よりも磁気エネルギーが低い軟らかい基準層（１３０）と、前記データ層（１１０）と前記軟らかい基準層（１３０）の間に配置されたスペーサ層（１２０）とを含む磁気メモリセル。例文帳に追加

The magnetic memory cell comprises a data layer (110), the soft reference layer (130) having lower magnetic energy than the data layer (110) has, and a spacer layer (120) disposed between the data layer (110) and reference layer (130). - 特許庁

基準電流生成回路Ｇ５は、ラッチ回路Ｇ４から出力される第１のビットデータに応じて、メモリセルＭＣから第２のビットデータを読み出すための第２の基準電流を出力する。例文帳に追加

The reference current generating circuit G5 outputs a second reference current for reading out second bit data from the memory cell MC in accordance with the first bit data outputted from the latch circuit G4. - 特許庁

遅延チェーン部１は、基準クロック信号を遅延させ、遅延信号を出力し、同期信号検出部２は、基準クロック信号の１周期分の遅延を行うディレイセルの段数を検出する。例文帳に追加

A delay chain section 1 delays a reference clock signal to output a delayed signal and a sync signal detecting section 2 detects the number of stages of a delay cell for delaying the reference clock signal by one period. - 特許庁

そして、メモリセルからヒューズデータを読み出す読み出し動作期間中、基準電圧回路・差動増幅器用昇圧回路１２を用いて、基準電圧回路９の電源電圧を昇圧する。例文帳に追加

Power source voltage of the reference voltage circuit 9 is boosted by a boosting circuit 12 for the reference voltage circuit/the differential amplifier during a read-out operation in which fuse data is read out from the memory cell. - 特許庁

多接合太陽電池及び多接合太陽電池を含む光起電モジュールのパラメータ、特に多接合太陽電池の性能を正確に決定するための方法並びに基準セル及び基準モジュールを提供する。例文帳に追加

To provide a method, a reference solar cell, and a reference module for accurately determining a parameter of a multi-junction solar cell and a photovoltaic module including a multi-junction solar cell, and in particular, performance of a multi-junction solar cell. - 特許庁

抵抗基盤ランダムアクセスメモリ（ＲｅＲＡＭ）は互いに並列に接続された少なくとも３つのＲｅＲＡＭ基準セルを有する電流基準回路を具備する。例文帳に追加

A resistance based random access memory (ReRAM) is provided with a current reference circuit including at least three ReRAM reference cells coupled in parallel with one another. - 特許庁

３次元のワールド座標系における座標が既知である基準点を含む治具を撮像カメラにより撮像し、撮像素子のピクセル群により特定される画像座標系上の前記基準点の座標を取得する。例文帳に追加

A jig including a reference point at which a coordinate in a 3-dimensional world coordinate system is already known is picked up by an imaging camera, and there is acquired the coordinate of the reference point on a picture coordinate system specified by a pixel group of imaging devices. - 特許庁

基準電圧の他に参照電圧を用い、これら参照電圧と基準電圧の差を制御することによって、入力電圧の持つオフセット電圧をキャンセルできる構成とした。例文帳に追加

The switched capacitor amplifier circuit is configured such that it employs a reference voltage in addition to a standard voltage, and controls the difference between the reference voltage and the standard voltage to cancel the offset voltage included in the input voltage. - 特許庁

基準電圧発生回路１０４からの基準電圧ＶＰＲ、ＶＣＰの供給線であるＶＰＲ線、ＶＣＰ線について、各セルブロックＢ１乃至Ｂｋ毎に両線を接続するＮＭＯＳトランジスタＭ１乃至Ｍｋを備える。例文帳に追加

This device is provided with NMOS transistors M1 to Mk connecting a VPR line and a VCP line being supply lines of reference voltage VPR, VCP from a reference voltage generating circuit 104 for each cell block B1 to BK. - 特許庁

メモリセルから読み出したデータが“１”または“０”のいずれであるのかを、センスアンプで正しく判定できるように、正確な基準電位を発生する基準電圧発生回路を提供する。例文帳に追加

To provide a reference voltage generating circuit which generates an accurate reference potential, so that a sense amplifier correctly discriminates whether the data read from memory cells are '1' or '0'. - 特許庁

誤学習に伴う不感帯の拡大を極力抑えつつ、未操作状態にあるときのアクセルペダル１１の操作位置を基準位置として早期に学習することのできる基準位置学習装置を提供する。例文帳に追加

To provide a reference position learning apparatus, capable of early learning, taking the operating position of an accelerator pedal 11 put in the state of not yet being operated as a reference position, while enlargement of a dead zone due to wrong learning is restrained to the utmost. - 特許庁

上記比較器の比較結果に基づいて、基準値生成部１０４は、複数のメモリセルの各々に記憶された情報を特定するための基準値(ＲＣi)を生成する。例文帳に追加

Based on the result of the comparison by the above comparator, a reference value generating part 104 generates a reference value (RCi) for specifying information stored in each of two or more memory cells. - 特許庁

FeRAMの基準電圧発生器は、周期的に温度及び老化のような要因によるメモリセルの変化を追跡するように基準電圧を校正することによって、長期にわたって、高いデータの完全性を提供する。例文帳に追加

To allow a reference voltage generator of a FeRAM to provide high data integrity over a long period of time by periodically calibrating reference voltage so as to track the changes in a memory cell due to a factor such as temperature and aging. - 特許庁

第２セパレータ２６には、互いに隣り合う２つの辺７６ａ、７６ｂに位置決め基準部７８が設けられ、前記位置決め基準部７８は、各単セル１２同士を位置決めする。例文帳に追加

A standard positioning part 78 is arranged at adjacent two sides 76a, 76b of the second separator 26, and the unit cells 12 are aligned to each other by the standard positioning part 78. - 特許庁

これは、ビット線および基準ビット線から分離された、予め決められた電位および予め決められた容量値を持つ容量線に、２つの基準セルを接続することにより実行される。例文帳に追加

This is performed by connecting the two reference cells to a capacitive line which is separated from the bit lines and the reference bit line and has a predetermined potential and a preset capacitance value. - 特許庁

ジッタ・キャンセル装置Ａは、基準となる内部同期信号とこれとは異なる外部同期信号を用いての映像信号の処理のため、外部同期信号発生部３により外部基準信号から外部同期信号を発生する。例文帳に追加

In the jitter canceling apparatus A, an external synchronizing signal generating part 3 generates an external synchronizing signal from an external reference signal in order to use an internal synchronizing signal to reference and the external synchronizing signal different from the internal synchronizing signal to process the video signal. - 特許庁

複数のセンスアンプＳＡ１−ＳＡ３は、選択されたメモリセルＭＣに流れる電流を基準電流生成回路２２により生成された基準電流に基づき検出する。例文帳に追加

A plurality of sense amplifiers SA1-SA3 detect a current flowing in the selected memory cell MC based on the reference current generated by the reference current generating circuit 22. - 特許庁

第１基準電流は、選択されたＰＣＭセルがリセット状態にあるときは第１読み取り電流が第１基準電流より低く、さもなければ、それより高いというものである。例文帳に追加

The first reference current is configured such that the first read current is lower than the first reference current when the selected PCM cell is in a rest state, and is otherwise greater. - 特許庁

不揮発性メモリセルの状態を判断するメモリの検出回路の基準電流の変動を抑制した改良された基準電流発生回路を提案する例文帳に追加

To provide an improved reference current generation circuit, in which fluctuation of reference current of a detection circuit of a memory for determining a condition of a nonvolatile memory cell is suppressed. - 特許庁

利得低下がなく入力端を基準電圧に保ってメモリセルからデータを読み出すことを、電源電圧がより低い又は入力端の基準電圧がより高い条件でも実現する。例文帳に追加

To read data out from a memory cell while the voltage of an input terminal is kept at a reference voltage without gain reduction even under the condition that the voltage of the power supply is in a lower level, alternatively the reference voltage of the input terminal is in a higher level. - 特許庁

時間の経過によるメモリセルの強誘電体キャパシタの分極状態変化に応じて可変する基準電圧を発生する基準回路を含む強誘電体ランダムアクセスメモリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric random access memory device comprising a reference circuit generating reference voltage being variable in accordance with variation in a polarization state of a ferroelectric capacitor of a memory cell caused by elapse of a time. - 特許庁

特に、最小基準電流（Ｉ_R3）に関係される読み取り回路（３２）はそれぞれの基準電流（３３ｃ）に至るまで他の読み取り回路（３０、３１）以上のセル電流を増幅する。例文帳に追加

Especially, the reading circuit 32 relating to the minimum reference current IR3 amplifies a cell current of other reading circuits 30, 31 or more until reaching respective reference current 33c. - 特許庁

補間データの並び（転送順）は、各ピクセル点の補間演算で参照される複数の近傍データの内の代表近傍データ（基準点）が属するブロックを基準として、そのブロックの並び順に相当する。例文帳に追加

The row of the interpolating data (the order of the transmission) corresponds to the order of the row of the block with respect to the blocks to which a representation nearby datum (a basic point) of two or more nearby data referred by the interpolating operation of each pixel point belong. - 特許庁

また、データコード２のデータ部２２のうち、Ｌ型の読取基準部２１と隣接する黒色セル２２Ａが読取基準部２１を全周にわたって囲む補助背景部３の一部を構成する。例文帳に追加

Out of the data part 22 of the data code 2, the black cells 22A adjoining the L-shaped reading reference part 21 comprise a part of the auxiliary background part 3 surrounding the entire circumference of the reading reference part 21. - 特許庁

基準電流を生成するための基準メモリセルに備えられる磁気メモリ素子の総数を減らすことができる半導体メモリ装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device capable of reducing the total number of magnetic memory elements equipped to a reference memory cell for generating a reference current. - 特許庁

そして、デッドスペース率と基準値とを比較し、該比較結果に基づいてデッドスペース率を基準値以下とするようにフロアプランのマクロセルの配置を変更する（ステップ２６）。例文帳に追加

Then, the dead space rate is compared with a reference value, and the arrangement of the macro cells of the floor plan is changed so as to make the dead space rate equal to or lower than the reference value on the basis of the comparison result (step 26). - 特許庁

光を電気信号に変換する複数の単位セルを走査して画素信号を取り出す固体撮像装置において、基準電圧の振れ、基準電圧に乗るノイズを抑制して出力する。例文帳に追加

To output a pixel signal by suppressing the fluctuation of reference voltage and noise superimposed upon the reference voltage in a solid-state imaging device for scanning a plurality of unit cells for converting light into an electric signal to obtain the pixel signal. - 特許庁