「基準セル」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

油圧制御装置１００は、油圧切替を行った際に、アクセル開度がほぼ一定と判断される条件下で、車速変化量が閾値Ａよりも大きくなるような場合は、そのときの油圧切替基準値を変更し、その変更した値に更新する。例文帳に追加

In the hydraulic control device 100, on switching an oil pressure, an oil pressure switch reference value at the time is changed and updated with the changed value in the case that a vehicle speed variation quantity exceeds a threshold value A under a condition that accelerator opening is determined to be substantially fixed. - 特許庁

Ｒ／Ｗ制御回路５は、メモリセルアレイ４からデータを読み出すとき、磁気抵抗素子の抵抗値が最大抵抗値Ｒｍａｘであるとき、基準抵抗回路に印加される電圧Ｖｏｕｔ＿Ｂ０，Ｖｏｕｔ＿Ｂ１を高くするように制御することにより、磁気抵抗素子に印加される電圧Ｖｏｕｔ０，Ｖｏｕｔ１を低下させる。例文帳に追加

The R/W control circuit 5 performs control so that voltages Vout_B0, Vout_B1 applied to the reference resistance circuit are increased when the value of resistance in the magnetoresistive element is the maximum resistance value Rmax when reading data from the memory cell array 4, and reduces voltages Vout0, Vout1 applied to the magnetoresistive element. - 特許庁

セル２は、一端部が閉鎖された収容室３０をもつ固体電解質と、収容室３０に収容された使用環境温度領域で熱分解する基準物質を含む粉末状または粒状の化合物を基材とする収容物４とを有している。例文帳に追加

The cell 2 has solid electrolyte having the accommodation chamber 30 whose one end is closed, and an accommodation object 4 setting a powder-like or granular compound containing the reference substance being subjected to the thermal decomposition in an usage environment temperature region accommodated into the accommodation chamber 30 to be the base. - 特許庁

一方、セル温度が基準値以下且つ発電状態である場合には、通常時よりも残存容量ＳＯＣｃの重みを大きくした低温発電用のウェイトｗを算出し（Ｓ１１）、最終的な残存容量ＳＯＣを合成・算出する。例文帳に追加

When the cell temperature is the reference value or less and under the power generating condition, the weight w for low temperature power generation weighted more heavily than the usual time with the remaining capacity SOCc is calculated (S11), the final remaining capacity SOC is composed to be calculated. - 特許庁

そして、第１電極１１１と第２電極１３１との間の電位差を、第１電極１１１と第２電極１３１間の抵抗体１２１の基準抵抗値と検出接触抵抗値とを加算した値で除することによってセル１０ａを流れる電流値を検出する。例文帳に追加

Thus, a current value flowing the cell unit 10a is detected by dividing a potential difference between the first electrode 111 and the second electrode 131 with a value adding a standard resistance value of the resistor 121 between the first electrode 111 and the second electrode 131 and a detected contact resistance value. - 特許庁

そこで、政府は、日本ファインセラミックス協会に事業を委託し、光触媒の評価方法や評価基準に関する国際標準の策定を図り、セルフクリーニング性能評価試験方法、空気浄化性能評価試験方法等を順次提案した。例文帳に追加

The Japanese government commissioned to the Japan Fine Ceramic Association a project to establish international standards for methods and criteria for assessment of photocatalysts, and submitted proposals on the methods, including a test method for evaluation of self-cleaning performance and test methods for evaluation of water purification performance. - 経済産業省

罫線上の２つの基準点のそれぞれの位置を、マトリクス状に並び、かつライン方向およびカラム方向のそれぞれについて複数ドット分の幅を有した複数のセルに固有のセル識別情報の１つとラインオフセット数とカラムオフセット数との組み合わせにより表した罫線情報をＨＤＤ１３に少なくも１つ記憶する。例文帳に追加

At least one piece of ruled line information, wherein respective positions of two reference points are represented by a combination of one piece of cell identification information specific to a plurality of cells arranged in matrix form and having the width of a plurality of dots in each of the line direction and the column direction, the number of line offsetting, and the number of column offsetting, is stored in a HDD 13. - 特許庁

モジュール３において、モジュール２から出力されるメタル・ゲート面積情報と、マクロセル間配線レイアウトデータから抽出された配線面積情報とから第２のメタル・ゲート面積情報を求め、第２のメタル・ゲート面積情報を用いて、マクロセルを使用して設計される上位レベルレイアウトデータでのメタル・ゲートアンテナ基準違反の判定を行う。例文帳に追加

In a module 3, a second metal gate space information is obtained from the metal gate space information outputted from the module 2 and a wiring space information retrieved from an inter-macro cell wiring layout data, then the breach of the standard for the upper level layout data designed by using the macro cell is determined by using the second metal gate space information. - 特許庁

この装置１では、測定ガス室に面しないポンプセル１４の外側ポンプ電極と酸素濃度測定セル２４の基準電極との間の電位差を、第１差動増幅回路５３を介してガス検知信号Ｖｉｃとして取得しており、信号Ｖｉｃの挙動は排気ガスの空燃比変動に対し高応答性を示す。例文帳に追加

In this air/fuel ratio detector 1, the potential difference between the outside pump electrode of pump cell 14 not faced to a measuring gas chamber and the reference electrode of an oxygen concentration measuring cell 24 is acquired as the gas detection signal Vic through a first differential amplifying circuit 53 and the behavior of the signal Vic shows high response with respect to fluctuations in the air/fuel ratio. - 特許庁

更に、第１のセル１４のノードＸを出力端子Ｕに接続すると共に、第１のセル１４のノードＸに接続された制御端子と、出力端子Ｕに接続された第１の導電端子と、キャパシタＣｃを通して第２の電圧基準ＧＮＤに連結された第２の導電端子とを有するトランジスタ８を備える。例文帳に追加

Furthermore, a node X of the 1st cell 14 is connected to the output terminal U and a transistor 8 has a control terminal connected to a node X of the 1st cell 14, a 1st conduction terminal connected to an output terminal U, and a 2nd conduction terminal coupled with a 2nd voltage reference GND through a capacitor Cc. - 特許庁

モジュール１において、仮想的なメタル・ゲート面積情報と、マクロセルのレイアウトデータから抽出されたメタル・ゲート面積情報とから第１のメタル・ゲート面積情報を求め、第１のメタル・ゲート面積情報を用いて、マクロセルの上位レベルレイアウトデータでのメタル・ゲートアンテナ基準違反の判定を行う。例文帳に追加

In a module 1, a first metal gate space information is obtained from a virtual metal gate space information and a metal gate space information retrieved from the layout data of the macro cell, a breach of the metal gate antenna standard for an upper level layout data of the macro cell is determined by using the first metal gate space information. - 特許庁

２次元状に配列された各画素セル１０に対し、各列毎に、画素セル１０から読み出された信号が基準電位に到達しているか否かを判定して二値信号に変換するコンパレータやその結果に応じてフォトダイオードをリセットするリセット信号生成部等を有するパルス変換部４を設ける。例文帳に追加

A pulse converting part 4 is provided, which consists of a comparator for determining whether or not a signal read from pixel cells 10 reaches reference potential for each column with respect to respective pixel cells 10 arrayed in two-dimensional way and converting the signal into a binary signal, and of a reset signal generating part, etc., which resets a photodiode in accordance with the record. - 特許庁

強誘電体メモリ装置は、例えば、ハイレベルのデータを記憶した２個のリファレンスメモリセル用強誘電体キャパシタＣＤ００、ＣＤ２０と、ローレベルのデータを記憶した２個のリファレンスメモリセル用強誘電体キャパシタＣＤ１０とＣＤ３０から読み出された各電位を平均化して、基準電位を生成する方式のリファレンス電位発生回路を有する。例文帳に追加

The ferroelectric memory device comprises a reference potential generation circuit in a system which generates the reference potential by averaging the potential read from two ferroelectric capacitors CD00 and CD20 for reference memory cells storing high-level data and two ferroelectric capacitors CD10 and CD30 for reference memory cells storing low-level data, for example. - 特許庁

キャプチャされた１組の画像におけるピクセルについて、ピクセルについての画像データ値は、波長帯の各々に対応し、取得された画像データ値に従い、また波長帯において基準オブジェクトから取得された画像データ値に従い、歯オブジェクトのスペクトル反射率に比例する補間画像データ値を計算する。例文帳に追加

An image data value relating to a pixel in a captured set of images corresponds to each of the wavelength bands, and an interpolated image data value proportional to spectral reflectance of the dental object is calculated according to the obtained image data value and according to an image data value obtained from a reference object at the wavelength band. - 特許庁

本発明の電子線形加速器の加速管は、加速セルの接合面が剥がれた場合でも、中心貫通穴に冷却水が侵入するおそれがなく、かつ加速セルの外面をアライメント基準として利用することができ、加速管の検査や調整が容易にでき、更に、冷却水の流れによる振動が加速管に伝達されにくい。例文帳に追加

To prevent cooling water from invading to a center penetrating hole even if a joining surface of an accelerating cell is peeled off, utilize an outer surface of an accelerating cell as alignment standard, facilitate inspection and adjustment of the accelerating tube, and furthermore prevent vibration caused by flow of the cooling water from transmitting to the accelerating tube. - 特許庁

電圧発生回路５５および５６からのオフセット制御電圧ＶｏｆｄおよびＶｏｆｒの電圧差に応じたオフセットがデータ線ＬＩＯおよびＬＩＯｒの通過電流間に与えられて、ダミーセルを通過する基準電流Ｉｒｅｆは、選択メモリセルを通過するデータ読出電流Ｉｄａｔの記憶データに応じた２種類のレベルの中間レベルに設定される。例文帳に追加

Offset depending on voltage difference between offset control voltage Vofd and Vofr from a voltage generating circuit 55 and 56 is given to through current of the data line LIO and LIOr, a reference current Iref passing through the dummy cell is set at an intermediate level of levels of two kinds corresponding to stored data of a data read current Idat passing through the selection memory cell. - 特許庁

更に、このマトリックスＭの対角線上のセル列に対応して準備された変速機に同一基準外径の太陽ローラを組込可能となるように、上記内径寸法Ｒｉと変速比Ａｉの変化率を相関させ、この共通化された太陽ローラを、シリーズ中の複数のセルに対応する変速機に共通に用いることができる。例文帳に追加

The change rate of the inside diameter dimension Ri and the change gear ratio Ai are correlated so as to incorporate the sun rollers of the same standard outside diameter in the transmissions prepared corresponding to the cell row on the diagonal of the matrix M and the commonly systematized sun rollers can be used in common to the transmissions corresponding to a plurality of cells in the series. - 特許庁

そして、車両発進に際して、アクセル開度センサ３６によって検出されるアクセル操作量及びその変化度合いが予め設定された値以上である場合には、そうでない場合に較べて基準回転速度を増大させることにより、負荷要求が高い状態での車両発進に応じた原動機１１の回転速度でクラッチ１４の継合を開始させる。例文帳に追加

If an accelerator operating quantity and a degree of change detected by an accelerator opening sensor 36 are not less than preset values when starting the vehicle, the engagement of the clutch 14 at the speed of the prime mover 11 according to the vehicle start under the state of high load request is started by increasing the reference speed. - 特許庁

本発明はタイミングレファレンス制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置及びその制御方法に関し、特にメインビットラインにおいてＣＭＯＳしきい値電圧レファレンスを利用してセルデータのセンシング電圧レベルを増幅し、時間軸を基準にレファレンスタイミングストローブの印加時点でセルデータを判定することができるようにする技術を開示する。例文帳に追加

To disclose a technology for amplifying the sensing voltage level of cell data by utilizing a CMOS threshold voltage reference especially in a main bit line and deciding the cell data at the time of application of a reference timing strobe on a basis of a time axis, regarding a nonvolatile ferroelectric memory device having a timing reference control function and a method for controlling the same. - 特許庁

この電極活性化手段１００は、検出電極５０と基準電極３８間に選択的に交番電流を流すための交番電流供給手段１０２と、主ポンプセル３４の動作を選択的に停止させる第２のスイッチング回路１０８と、補助ポンプセル６２の動作を選択的に停止させる第３のスイッチング回路１１０とを有する。例文帳に追加

The electrode activation means 100 comprises an alternating current supply means 102 which selectively sends an alternating current between the detection electrode 50 and a standard electrode 38, and a second switching circuit 108 which selectively stops action of a main pump cell 34, and a third switching circuit 110 which selectively stops action of an assistant pump cell 62. - 特許庁

アクセル操作及びブレーキ操作が同時になされている同時操作状態を検出したことを条件に機関出力をアクセル開度に基づく基準出力よりも低下させる出力抑制制御を実行する（ステップＳ２１）とともに車両走行姿勢を安定化させる姿勢安定化制御を無効化する（ステップＳ２２）。例文帳に追加

The control device executes an output suppression control to decrease an engine output below a reference output based on an accelerator opening degree, upon detection that a simultaneous operation state in which an accelerator operation and a brake operation are simultaneously performed (step S21); and the control device invalidates an attitude stabilization control to stabilize a vehicle traveling attitude (step S22). - 特許庁

制御部はスタートキーの入力後（Ｓ１００）、シフトポジションの変更信号の入力がなく停止状態の維持下におけるアクセルペダルの入力程度を検出するアクセル検出手段の出力電圧が所定電圧の未満の状態で、第１基準時間以内に回転速度が急上昇すれば急発進と判断する（Ｓ２００）。例文帳に追加

After an insertion of a start key (S100), a control part determines a sudden start (S200) if engine speed surges within a first reference time while the output voltage of accelerator detecting means for detecting the input level of the accelerator pedal falls below a given voltage under a stop condition with no signal input to change the shift position. - 特許庁

一定画像期間内を基準として符号化装置１０１で符号化されたデータを、パケット化手段１０３でパケット化し、パケットヘッダ付加手段１０４で該パケットが符号化された画像期間の時間情報をヘッダとして付加し、セル化手段１０５でセル化して、伝送手段１０６からネットワーク１０７に送出する。例文帳に追加

The data encoded in an encoder 101 with a fixed image period as a reference are packeted in a packeting means 103, the time information of the image period in which the packet is encoded is added as a header in a packet header adding means 104 and it is made into a cell in a cell making means 105 and sent out from a transmission means 106 to a network 107. - 特許庁

車速VSPがアクセル開度APOごとに異なる最ローからの変速を開始すべき変速開始車速VSP1未満である間、目標スロットル開度tTVOを低車速用マップに対応した基準開度に決定し、その後は車速VSPの上昇につれて目標スロットル開度tTVOを高車速用マップに対応したアクセル開度APOごとの開度へと漸増させる。例文帳に追加

When a vehicle speed VSP is less than a shift starting vehicle speed VSP1 to start a shift from the lowest different every accelerator opening APO, target throttle opening tTVO is determined as reference opening corresponding to a map for a low vehicle speed, and afterwards, the target throttle opening tTVO is gradually increased to opening with every accelerator opening APO corresponding to a map for a high vehicle speed for increasing the vehicle speed VSP. - 特許庁

スロットル弁開度制御手段は、アクセル踏込み位置に基づいてスロットル弁３の開度を演算するとともに、パージ流量が基準パージ流量以下の場合に、アクセル踏込み位置変化量に対するスロットル弁開度の変化量が小さくなるように、スロットル弁３の開度を補正演算する。例文帳に追加

The throttle valve opening control means operates opening of the throttle valve 3 based on accelerator pedal step in position, and performs correction operation of opening of the throttle valve 3 to keep change quantity of throttle valve opening smaller than accelerator pedal position change quantity when purge flow rate is reference purge flow rate or less. - 特許庁

二次電池充電器制御用半導体装置１は、基準電圧源、定電流回路、セルの低電圧を検出する低電圧検出回路、セルの過電圧を検出する過電圧検出回路、過電圧検出時および復帰時のディレイ時間を設定するディレイ回路、低電圧復帰電圧までパルス充電するための発振器から構成されている。例文帳に追加

The device 1 comprises a reference voltage source, a constant current circuit, a low-voltage detector for detecting a low voltage of the cell, an overvoltage detector for detecting overvoltage of the cell, a delay circuit for setting a delay time when overvoltaging is detected and when reset, and an oscillator for pulse charging up to a low-voltage recovery. - 特許庁

アドレッシングに先立って、基準電位線とスキャン電極との間に漸増波形電圧を印加することによって全てのセルの電荷を均等化するリセット処理を行い、アドレッシングに際して、選択ラインに対応したスキャン電極と基準電位線との間に、リセット処理における最終印加電圧Ｖｙｒ２と同極性でかつそれよりも電位差ΔＶｙだけ絶対値が大きい選択電圧Ｖｙａ１を印加する。例文帳に追加

Before addressing, reset processing for equalizing the charges of all cells by applying gradually increasing voltage across a reference potential line and scan electrodes, and when addressing, selection voltage Vya1 having the same polarity as the finally applied voltage Vyr2 and being higher than it in the absolute value by a potential difference ΔVy is applied across the scan electrodes corresponding to a selection line and the reference potential line. - 特許庁

本発明に係る半導体集積回路に含まれるＶＰＰ発生回路１００は、昇圧電圧ＶＰＰを分割するＶＰＰ分割回路１０、メモリセルアレイ領域に供給するアレイ電圧を分割するＶＤＤＡ分割回路１１、ＶＤＤＡ分割回路１１の出力に基づき基準電圧ＶＲＥＦＤを発生するＶＲＥＦＤ発生回路１２、および基準電圧ＶＲＥＦＤとＶＰＰ分割回路１０の出力する電圧ＶＰＰｎとを比較するコンパレータ部１３とを含む。例文帳に追加

A VPP generating circuit 100 included in a semiconductor integrated circuit comprises a VPP dividing circuit 10 dividing boosting voltage VPP, a VDDA dividing circuit 11 dividing array voltage supplied to a memory cell array region, a VREFD generating circuit 12 generating reference voltage VREFD based on an output of the VDDA dividing circuit 11, and a comparator section 13 comparing reference voltage VREFD with voltage VPPn outputted by the VPP dividing circuit 10. - 特許庁

コンピュータ可読媒体上で具体化され、コンピュータ上で実行可能なグラウンドトゥルースユーザインターフェースラベラ１１２において、コンピュータ環境に格納された画像の前景ピクセルのみにピクセル基準でラベルを割り当てるためのラベル付け機構と、ユーザによってピクセルが選択された後であってコミットされる前に、前記割り当てられたラベルを変更できるようにする暫定操作モードを設定する手段と、を備える。例文帳に追加

A groundtruth user interface labeler 112 embodied on a computer readable medium and executable on a computer includes: a labeling mechanism for assigning labels on a pixel basis to only foreground pixels of an image stored in a computing environment; and a means for setting a tentative operation mode permitting the assigned labels to be changed after pixels have been selected but not committed to by a user. - 特許庁

この画像生成システムは、オブジェクト空間にオブジェクトを配置するオブジェクト空間設定部１１０と、視点の向きと、オブジェクトを構成するプリミティブの向きとに基づいて、当該プリミティブの描画ピクセルの色を調整する色調整部１２２とを含み、色調整部１２２が、視点の向きと正対する基準方向からのずれに応じてプリミティブの描画ピクセルの色が明るくなるように、プリミティブの描画ピクセルの色を調整する。例文帳に追加

The color adjusting part 122 adjusts the color of the drawing pixel of the primitive so that the color of the drawing pixel of the primitive becomes bright according to the deviation of the direction of the primitive from a reference direction opposite to the direction of the point of view. - 特許庁

この画像生成システムは、オブジェクト空間にオブジェクトを配置するオブジェクト空間設定部１１０と、オブジェクトを構成するプリミティブの描画ピクセルにおける第１テクスチャの参照先と第２テクスチャの参照先とを設定するテクスチャマッピング部１２２と、第１テクスチャの参照先として設定された第１テクスチャのテクセルの値を参照して描画ピクセルの法線方向を設定し、第２テクスチャの参照先として設定された第２テクスチャのテクセルの値を参照して描画ピクセルの色を設定するテクスチャ設定部１２４とを含み、テクスチャマッピング部１２２が、描画ピクセルの法線方向と基準方向とに応じて、当該描画ピクセルにおける第２テクスチャの参照先を設定する。例文帳に追加

The texture mapping part 122 sets the reference destination of the second texture in the drawing pixel according to the normal direction of the drawing pixel and a reference direction. - 特許庁

全組成物を基準として、（Ａ）α−スルホ脂肪酸アルキルエステル塩５〜20質量％（Ｂ）石鹸３〜10質量％、（Ｃ）エチレンオキサイド付加モル数が１〜５であり、かつ炭素数が１０〜１４であるアルキル又はアルケニルエーテル硫酸塩１〜５質量％（Ｄ）ヒドロキシプロピルメチルセルロース0.1〜３質量％を含む、粒状洗剤組成物。例文帳に追加

The granular detergent composition contains (A) α-sulfo-fatty acid alkyl ester salt of 5 to 20 mass%, (B) a soap of 3 to 10 mass%, (C) a 10-14C alkyl or alkenyl ether sulfate of 1 to 5 mass% and (D) hydroxypropyl methyl cellulose of 0.1 to 3 mass%. - 特許庁

制御回路ＣＴＲＣにおいては、半導体チップ１００を動作させる基準クロック又はそこから生成される高周波数のクロックが入力され、そのクロックに同期した制御信号ＣＴＲＬを生成し、デカップリング容量セルの電源配線ＶＤＤへの容量素子の接続／非接続を行う。例文帳に追加

In a control circuit CTRC, a reference clock operating the semiconductor chip 100 or a high-frequency clock generated from the reference clock is inputted, a control signal CTRL synchronized with the clock is generated, and the capacity elements are connected to or disconnected from the power-supply wiring VDD of the decoupling capacity cells. - 特許庁

受け渡し回路１３２は、レイト・ジェネレータ１４４と、不良セルを特定して、外部に出力するフェイル・キャプチャー・コントロール１４６と、基準試験周波数信号を基に、タイミング信号を発生するタイミング・ジェネレータ１４８と、パターン情報を外部から読み出すためのアドレス信号外部に出力するパターン・ジェネレータ１５０とを備える。例文帳に追加

The delivering circuit 132 includes a rate generator 144, a fail capture control 146 which specifies a defective cell and performs an output to the outside, a timing generator 148 which generates a timing signal based on a reference test frequency signal, and a pattern generator 150 which outputs an address signal for reading pattern information from the outside to the outside. - 特許庁

制御部１６は、バーナ３における燃焼開始時に、改質器２からの導出ガスをバーナ３に導入し、その後、改質触媒２ａによる原燃料ガスの改質割合が基準値以上となったときに、改質器２からの導出ガスをセルスタック５に導入すると共に、オフガスをバーナ３に導入するように制御する。例文帳に追加

The control portion 16 introduces an introduction gas from the reformer 2 into the burner 3 when starting of combustion in the burner 3 and then, introduces the introduction gas from the reformer 2 into the cell stack 5 when the reforming rate of the raw fuel gas by the reforming catalyst 2a becomes a reference value or more, and introduces the off-gas into the burner 3. - 特許庁

Ｉ／Ｏセルは、Ｉ／Ｏ電源電圧とパッドの間に接続されるプルアップトランジスタと、該パッドの電圧と対応の規格に応じた基準電圧とを差動増幅する差動増幅器と、差動増幅器の出力信号と出力制御信号とにプルアップトランジスタを選択的にオン状態とするロジックゲートを備える。例文帳に追加

The I/O cell includes a pull-up transistor connected between an I/O power supply voltage and a pad, a differential amplifier for differentially amplifying a voltage of the PD and a reference voltage according to a corresponding standard, and a logic gate for selectively bringing the pull-up transistor into ON state for an output signal of the differential amplifier and an output control signal. - 特許庁

一設計において、第１の内部ループは放送システム等の第１のシステムの周波数制御のために実施され、第２の内部ループはセルラシステム等の第２のシステムの周波数制御のために実施され、少なくとも１つの外部ループは第１および第２のシステムの受信に用いられる基準周波数を調整するために実施される。例文帳に追加

In one design, a first inner loop is performed for frequency control of a first system of a broadcast system or the like, a second inner loop is performed for frequency control of a second system of a cellular system or the like, and at least one outer loop is performed in order to adjust a reference frequency used to receive the first and second systems. - 特許庁

第一ステージフィルタバンクがＭ_１バンドを有する変調均一フィルタバンクであり、エイリアス削減のステージがＭ_２バンドを有し、エイリアスキャンセルが可能となる場合、エイリアス削減フィルタバンクは、Ｍ_１／Ｍ_２のサンプリングレート比率により基準化された周波数を有するが、第一ステージの合成フィルタバンクと類似する周波数応答を有していなくてはならない。例文帳に追加

If the first stage filter bank is a modulated uniform filter bank with M_1 bands and the stage for alias reduction has M_2 bands then to actualize alias cancellation, the alias reduction filter bank has a frequency scaled by a sampling ratio of M_1/M_2 but has to have a similar frequency response to the synthesis filter bank for the first stage. - 特許庁

第１撮像部１９に備わる光学系１９ｃによって定まる撮像視野に関して基準方向を含むよう撮像視野を定めることによって、第１撮像部１９は、被検体内に導入されている間、通過経路たる消化器官２７の内壁のうち、カプセル型内視鏡と接触する部分を撮像視野に含むことが可能である。例文帳に追加

The first imaging section 19 can include a portion making contact with the capsule type endoscope of the inner wall of a digestive organ 27 being a passing path as an imaging field while the endoscope is introduced in the subject by specifying an imaging field so as to include the reference direction relating to the imaging field specified by an optical system 19c of the first imaging section 19. - 特許庁

メモリセルアレイに供給するプレート電圧を発生する基準電圧生成回路１０と、外部からプレート電圧を供給するためのプレート電圧供給端子２０と、前記プレート電圧発生回路からのプレート電圧供給と前記プレート電圧供給端子を通しての外部からのプレート電圧供給を切替える切替回路３０を有する。例文帳に追加

The semiconductor storage device includes: a reference voltage creating circuit 10 for generating a plate voltage to be supplied to a memory cell array; a plate voltage supplying terminal 20 for supplying the plate voltage from the outside; and a switching circuit 30 for switching the supply of the plate voltage from the plate voltage creating circuit and the supply of the plate voltage from the outside through the above plate voltage supplying terminal. - 特許庁

外部から制御電位Ｖexを印加するパッド３２及びプレート線駆動回路３３を設け、各メモリセルについて、制御電位Ｖexを種々変化させることにより、基準電位Ｖrefを種々変化させて、記憶データの読出しを行い、ビット線に記憶データが出力された場合におけるビット線の電位のマージンを試験する。例文帳に追加

A pad 32 externally applied with a control potential Vex and a plate lime driving circuit 33 are provided, and concerning each memory cell, a reference potential Vref is varied variously by varying the control potential Vex variously, storage data is read out, and margin of a potential of a bit line in the case that storage data is outputted to a bit line is tested. - 特許庁

基準電圧と、選択されたメモリブロックのビットラインに連結された選択されたメモリセルのプログラム状態によって変更されるビットライン電圧を比較し、その差によってセンシングノ−ドを増幅するセンシング増幅部と、前記センシングノ−ドの電圧レベルによってプログラム検証データをラッチする複数のラッチ回路と、を含む。例文帳に追加

The page buffer circuit includes a sense amplification unit, configured to compare a reference voltage with a bit line voltage changed, based on a program state of a selected memory cell connected to the bit line of a selected memory block and to amplify a sensing node based on a difference, and a plurality of latch circuits configured to latch program verification data according to the voltage level of the sensing node. - 特許庁

機器本体１には、内部回路４と、外部電源を使用して電池装置５１に充電電流Ｉｃを供給するとともに内部回路４に電源を供給する充電回路２と、電池装置５１に対して電池セル５２の充電を制限する旨を通知する制御回路として機能する充電制御回路３及び基準電圧回路５とが設けられている。例文帳に追加

The equipment body 1 is provided with the internal circuit 4, a charging circuit 2 for supplying power to the internal circuit 4 while supplying a charging current Ic to the battery device 51 by utilizing the external power supply, and a charging control circuit 3 and a reference voltage circuit 5 which function as control circuits for informing the battery device 51 that the charging of the battery cell 52 is limited. - 特許庁

非常に簡単な構成で、クラッシュストップへの当接時にヘッド支持装置の押圧力の変化に対応したクラッシュストップの緩衝材の変形量を非常に小さく抑え、セルフサーボライティングにおける初期書き込み時のサーボ基準信号の精度を向上させることができるヘッド支持装置を提供する。例文帳に追加

To provide a head supporting device which can improve the accuracy of a servo reference signal in initial writing in self-servo writing by suppressing the amount of displacement of a buffer material of a crash stop corresponding to a change in pressing force of the head supporting device at the time of abutting on the crash stop with an extremely simple configuration. - 特許庁

判定基準は、駆動能力比Ｋｄ（Ｋｄ１〜Ｋｄｉ）に対応させて、配線間容量Ｃｃ（Ｃｃ１〜Ｃｃｊ）に対して被害配線の総容量を変化させて回路（被害側レシーバセル）が誤動作を起こすときの配線間容量Ｃｃと総容量との容量比を誤動作閾値Ｔｈ（Ｔｈ１１〜Ｔｈｉｊ）として求めるものとする。例文帳に追加

For the determination references, the total capacity of the damaged line is changed relative to the capacity between lines Cc (Cc1-Ccj) in conformation to the driving performance ratio Kd (Kd1-Kdi), and the capacity ratio of the capacity between lines Cc to the total capacity when the circuit (a damaged receiver cell) causes the malfunction is determined as a malfunction threshold Th (Th11-Thij). - 特許庁