「基準セル」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

メモリセル(50)は、磁気データ記憶層(60)と、磁気基準層(62)と、データ記憶層(60)と基準層(62)との間の絶縁層(64)とを含む。例文帳に追加

The memory cell (50) includes a magnetic data storage layer (60), a magnetic reference layer (62), and an insulating layer (64) between the magnetic data storage layer (60) and the reference layer (62). - 特許庁

基準プレートはシェルから延び、反復可能な基準点として光学フローセルを適正に位置決めする役目をする。例文帳に追加

The reference plate extends from the shell and functions as a repeatable reference point for properly positioning the optical flow cell. - 特許庁

読出し基準信号は、メモリセルのプログラミング制御に用いられるプログラミング基準信号のレベルによって異なる。例文帳に追加

The read-out reference signal may be dependent on the levels of programming reference signals used for controlling programming of the memory cell. - 特許庁

２つの接触物体Ｍ１，Ｍ２の間に基準曲面Ｓを設定し、この基準曲面Ｓをセルが縦横に並ぶメッシュに分割する。例文帳に追加

A reference curved surface S is set between two contacting objects M1, M2 and is divided into a mesh where cells are arranged vertically and horizontally. - 特許庁

ばらつきが少ない基準電位を生成し尚且つリフレッシュ動作を必要としない基準メモリセルを備えた半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor storage device having a reference memory cell that generates reference potential with less variation and does not need any refresh operation. - 特許庁

２つの接触物体Ｍ１，Ｍ２の端に基準曲面Ｓを設定し、この基準曲面ＳをセルＣが縦横に並ぶメッシュに分割する。例文帳に追加

A reference curved surface S is set to ends of two contact objects M1 and M2, and is divided into a mesh where cells C are arranged vertically and horizontally. - 特許庁

停止開始時間順基準標識と停止終了時間順基準標識の差が、データセルストリームのサービス停止継続時間になる。例文帳に追加

The difference between the stop start- time reference mark and the stop end-time reference mark is the service stop continuation time for the data cell stream. - 特許庁

体感フィードバックを行うアクセルペダル（22）の基準位置は固定され、基準位置を通るようにペダル・マッピングの曲線が設定される。例文帳に追加

A threshold position of the accelerator pedal 22 performing the sensible feedback is fixed, and a pedal mapping curve is set to pass through the threshold position. - 特許庁

この変換は、イメージ画面左上の301aを基準点とし、伝票形式画面のセルN1(N列1行）の左上を基準点301bとして割り当てる。例文帳に追加

For this conversion, the left upper point 301a of the image screen is used as a reference point, and the left, upper point of the cell N1 (row N column 1) of the slip format screen is allocated as a reference point 301b. - 特許庁

３次元オブジェクトを投影する投影面が設定されると、一のボクセルを投影面に投影することで、ボクセルの基準位置に対応する基準画像位置と、基準位置の投影距離（基準投影距離値）とが検出される。例文帳に追加

When a projection face on which a three-dimensional object is projected is set, one voxel is projected to the projection face, so that a reference image position corresponding to the reference position of the voxel and the projection distance (reference projection distance value) of the reference position can be detected. - 特許庁

基準セル１０８はオンセルのスレッショルド電圧とオフセルのスレッショルド電圧の間のスレッショルド電圧にプログラムされる。例文帳に追加

A reference cell 108 is programmed to be at a threshold voltage between threshold voltage of ON-cell and threshold voltage of OFF-cell. - 特許庁

ＭＲＡＭデバイス５０は、磁気メモリセルからなるメモリアレイ（ＭＲＡＭセルブロック５２，基準ＭＲＡＭセルブロック５４）を備える。例文帳に追加

An MRAM device 50 includes a memory array (MRAM cell block 52 and reference MRAM cell block 54) including a magnetic memory cell. - 特許庁

メモリセルの状態を検出するための、そしてメモリセルに書き込まれたデータを検証するための基準セルを有する。例文帳に追加

This device has a reference cell for detecting a state of a memory cell and for verifying data written in a memory cell. - 特許庁

その結果、特定のメモリーセルの正規化された読出信号を、「０」または「１」で記述される基準セルの正規化された基準信号と比較し、そして、それにより、「１」または「０」としてのメモリーセル内容を検知することも可能である。例文帳に追加

As a result, the normalized reading signal of a specified memory cell is compared with the normalized reference signal of a reference cell described by '0' or '1', and the contents of the memory cell as '1' or '0' can be detected. - 特許庁

通常の読み出し動作では、本体セルＭＣの制御ゲートと、基準電流源回路３２の参照セルＲＣ０３，ＲＣ１３，ＲＣ２３の制御ゲートに読み出し電圧を印加し、読み出し用基準電流値Ｉｒｅａｄ０１，Ｉｒｅａｄ１２，Ｉｒｅａｄ２３とセル電流を比較する。例文帳に追加

In a normal read operation, read voltage is applied to the control gate of the main body cell MC and the control gates of the reference cells RC03, RC13, RC23 of the reference current source circuit 32, reference current values for read-out Iread01, Iread12, Iread23 are compared with a cell current. - 特許庁

この基準位置学習装置では、アクセルセンサ４０を通じてアクセルペダル３０の操作位置が検出され、アクセルペダル３０の全閉位置が基準位置として学習される。例文帳に追加

An operating position of an accelerator pedal 30 is detected through an acceleration sensor 40 and a totally closed position of the accelerator pedal 30 is learned as the reference position on this reference position learning device. - 特許庁

あらかじめ基準対象物となるピクセルの位置毎に、輝度と、許容輝度幅α_1と当該ピクセル位置(x,y)を基準として検査対象物の対応するピクセルを探索するための探索距離d_1をテーブル化して記憶しておく。例文帳に追加

A searching distance d_1 for searching the corresponding pixel of the inspection target 11, on the basis of brightness, allowable luminance width α_1 and a pixel position (x, y) at each pixel position becoming a reference target 10 is preliminarily tabulated to be stored. - 特許庁

時間順参照データセルを処理して、データセルストリームについての停止開始時間順基準標識とそのデータセルストリームについての停止終了時間順基準標識を決定する。例文帳に追加

By processing time order reference data cells, a stop start-time reference mark and a stop end-time reference mark for the data cell stream are determined. - 特許庁

各々の選択された軸整列ボクセルのセットについて１つの中間基準平面が存在する。例文帳に追加

One intermediate reference plane exists about the set of each selected axial alignment voxel. - 特許庁

扇形平行リビニングは、横列ごとの基準で実行されて、複数の再構成ピクセルを形成する。例文帳に追加

Fan-parallel rebinning is performed on a row by row basis to form a plurality of reconstructed pixels. - 特許庁

基準電流がメモリセル電流よりも大きい場合、ビット線電圧は増大する。例文帳に追加

When the reference current is larger than a memory cell current, a bit line voltage increases. - 特許庁

複数のメモリセル（１２´）それぞれの基準層（４０）は、高保磁力の永久磁石を含む。例文帳に追加

The reference layers (40) of the plurality of memory cells (12') include permanent magnets having a high coercivity. - 特許庁

選択された軸整列セットのボクセルは中間基準平面で画素として描画される。例文帳に追加

The voxel of the selected axial alignment set is plotted as a pixel on an intermediate reference plane. - 特許庁

セル電圧Ｖが所定の基準電圧Ｖ１より低いか否かが判定される（Ｓ３０）。例文帳に追加

It is determined whether or not the cell voltage V is lower than a prescribed reference voltage V1 (S30). - 特許庁

センスアンプ２６は、セルの出力電圧と基準電圧とを比較し、２値データを出力する。例文帳に追加

The sense amplifier 26 compares output voltage of a cell with reference voltage, and outputs binary data. - 特許庁

その際に、前記検出部となるセルを所定周波数範囲の出荷前の強度を基準に選択する。例文帳に追加

The cell forming the detection part is selected based on the intensity before shipment in the prescribed frequency range. - 特許庁

ディスクドライブのセルフサーボ書込方法およびそれに用いる埋込基準パターン例文帳に追加

SELF-SERVO WRITING METHOD OF DISK DRIVE AND EMBEDDED REFERENCE PATTERN USED THEREFOR - 特許庁

竪型両頭平面研削盤及びその治具取付基準面のセルフ研磨方法例文帳に追加

VERTICAL DUPLEX SURFACE GRINDER AND METHOD OF SELF-GRINDING TOOL MOUNTING REFERENCE SURFACE THEREOF - 特許庁

そして、制御手段１２はその検索したセル体積を基準体積として用いる。例文帳に追加

Further, the control means 12 uses the retrieved cell volume as a reference volume. - 特許庁

基準電流がメモリセル電流よりも小さい場合、ビット線電圧は低下する。例文帳に追加

When the reference current is smaller than the memory cell current, the bit line voltage decreases. - 特許庁

セルフアライニングトルク基準値演算装置及び路面摩擦状態推定装置例文帳に追加

SELF-ALIGNING TORQUE REFERENCE VALUE CALCULATING DEVICE AND ROAD SURFACE FRICTION STATE RESUMPTION DEVICE - 特許庁

MRAMアレイのメモリセルのための信頼性の高い基準信号を確立すること。例文帳に追加

To establish a reference signal for a memory cell of a MRAM array having high reliability. - 特許庁

センス磁界(550,552)は軟基準層(214)の向きを設定するが、セル(202)内に格納されたデータを変更しない。例文帳に追加

Although sense magnetic fields (550, 552) set the direction of a soft standard layer (214), they do not change data stored in the cell (202). - 特許庁

本発明は、不揮発性メモリ（１０）内の基準メモリセル（Ｃｒｅｆ）をリフレッシュする方法である。例文帳に追加

This method is a method for refreshing a reference memory cell (Cref) in a non-volatile memory. - 特許庁

基地局は自セルで用いる送信タイミングを、上り干渉電力の測定を基準に定める。例文帳に追加

A base station determines transmission timing used in its own cell on the basis of a measurement of uplink interference power. - 特許庁

１実施態様では、メモリセル装置は、導電性の磁気基準層及びデータ層を有する。例文帳に追加

In one embodiment, a memory cell device has a conductive magnetic reference layer and data layer. - 特許庁

基準電圧の測定は、セルモータへの電圧印加停止の直後に行なってもよい。例文帳に追加

The reference voltage can be measured right after stopping the application of voltage to the starter. - 特許庁

そこで、セルのしきい値が判定基準値に達していない場合ソフト消去を繰り返す（ループＳ15）。例文帳に追加

When the threshold of the cell fails to reach the decision reference, value, soft erase is repeated (loop S15). - 特許庁

同様に、第二特性付けセルが第一ビット線と第一基準供給線との間に結合している。例文帳に追加

In the same way, Second characterization cells are coupled between the first bit lines and a first reference supply line. - 特許庁

磁気メモリセルの基準層の磁気的向きを小さな磁界で変更できるようにすること。例文帳に追加

To change the magnetic direction of the reference layer of a magnetic memory cell by a small magnetic field. - 特許庁

第１セル面３は基準外周面11zに対して同一面内又は内側に配置される。例文帳に追加

The first cell surface 3 is arranged in one plane or on an inner side with respect to the reference outer circumference surface 11z. - 特許庁

これによって、当該セルを遅延させ、結果的に所定基準流量以下になるようにする。例文帳に追加

Thus, the cell is delayed, resulting that the flow rate is less than the prescribed reference flow rate. - 特許庁

第一特性付けセルが第一ビット線と第一基準供給線との間に結合している。例文帳に追加

First characterization cells are coupled between the first bit lines and a first reference supply line. - 特許庁

基準電圧以上にプログラム完了したセルが発生する時点を確認すること。例文帳に追加

To confirm a point of time at which a cell having been programmed at a reference voltage or higher is generated. - 特許庁

基準電流は１０ｎＡの精度でメモリセル電流１１６に収束する。例文帳に追加

The reference current converges to the memory cell current 116 at accuracy of 10 nA. - 特許庁