「基準セル」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

基準セルからなる行は冗長行対が関与するメモリアクセス動作期間中に切断及び／又はディスエーブルされる。例文帳に追加

A row consisting of reference cells is cut off and/or disabled during a memory access operation period related by the pair of redundant row. - 特許庁

つまり、各セル１１０，１２０の負側端子は、ＧＮＤ電圧（０Ｖ電圧）よりも浮いた基準電圧Ｖａとなる。例文帳に追加

That is, the negative side terminal of the cells 110, 120 becomes a reference voltage Va which is made to float as compared with a GND voltage (0 V voltage). - 特許庁

この書込みの際に基準電圧が供給されるワード線ＷＬ１のメモリセルがカットオフされる。例文帳に追加

The memory cell of a word line WL1 to which reference voltage is supplied is cut off when write-in. - 特許庁

合格判定部８ｃは、かかる判定基準画像と実画像とを比較して、カプセル型医療装置１０の浮き量の合否を判定する。例文帳に追加

The adequacy determining unit 8c compares the determination reference image and the actual image with each other and determines whether the floatation volume of the capsule medical apparatus 10 is adequate. - 特許庁

また、補助背景部３を構成する黒色セルは、Ｌ型の読取基準部２１の幅及び長さを認識できる程度に配置する。例文帳に追加

The black cells comprising the auxiliary background part 3 are disposed to such an extent as to be able to recognize the width and the length of the L-shaped reading reference part 21. - 特許庁

その後、流量計算手段８０ａで再びセル流量をチェックし、所定基準流量以下になるまでこれを繰り返す。例文帳に追加

Then the flow rate calculation means 80a checks again the cell flow rate and the processing above is repeated till the flow rate is less than the prescribed reference flow rate. - 特許庁

これにより、画素信号と基準信号の入力オフセットキャンセル時に流れる貫通電流を抑制することができる。例文帳に追加

Accordingly, the through current flowing, when the input offset between the pixel signal and the reference signal is canceled can be suppressed. - 特許庁

回路セル１０が、電源スイッチＭ１,Ｍ２とＶＳＳ上層分岐線７２を介して基準電圧幹線ＶＳＳに接続されている。例文帳に追加

The circuit cells 10 are connected to the reference voltage main line VSS via power switches M1, M2 and the VSS upper-layer branch lines 72. - 特許庁

磁気的に軟らかい基準層に基づいた二重トンネル接合セル(108,110)を含む磁気メモリデバイス(100)が開示される。例文帳に追加

A magnetic memory device (100) including double tunnel junction cells (108, 110) based on a magnetically soft reference layer is disclosed. - 特許庁

１メモリセル当たりの面積を小さくできる上に、基準電圧発生回路の構成の単純化が実現できる不揮発性記憶装置の提供。例文帳に追加

To provide a nonvolatile memory in which area per single memory cell is reduced and the constitution of a reference voltage generating circuit is simplified. - 特許庁

電池セルＣｉ１〜Ｃｉｎのそれぞれの電圧は、電位変換回路５０によって同一の基準電位の電圧に変換される。例文帳に追加

Each voltage of battery cells Ci1-Cin is converted into a voltage of the same reference electric potential with an electric potential converting circuit 50. - 特許庁

Ｓ13の消去ベリファイ読み出しを経てＳ14に示すようにセルのしきい値と判定基準値が比較される。例文帳に追加

The threshold of the cell is compared with a decision reference value (S14) through an erase verify reading operation. - 特許庁

ツイストビットラインを基準に分けられるメモリ装置内のメモリセルアレイブロックがブロックアドレスによりアドレッシングされる。例文帳に追加

A memory cell array block in the memory apparatus which is divided basing a twist bitline as reference is addressed in a block address. - 特許庁

フェムトセル基地局１１においては、内部の時刻をNTPサーバ１６において管理されている基準の時刻に同期させることが繰り返し行われている。例文帳に追加

In a femtocell base station 11, an internal time is repeatedly synchronized with a reference time managed by an NTP server 16. - 特許庁

大面積固体Ｘ線検出器において、操作者の負担を少なくし、且つ操作者の主観的基準によらない不良ピクセル識別を行なう。例文帳に追加

To identify defective pixel in a large area solid X-ray detector for reducing burden of the operator without relying on subjective criterion of the operator. - 特許庁

これらのＭＯＳＦＥＴのしきい値は、基準電圧０Ｖより高く、上記メモリセルの書き込み状態のしきい値以下に設定される。例文帳に追加

A threshold value of these MODFET is set at a value being higher than reference voltage 0V and being a threshold value of a write-in state or less. - 特許庁

ビット線とメモリセルに基準電位を供給する配線との短絡により発生した不良を救済することができるようにする。例文帳に追加

To give relief to defects caused by short circuit of a bit line and a wiring supplying a reference potential to a memory cell. - 特許庁

相補メモリセル対アレイを有するメモリ回路のセル特性を、シングルセルアレイを有するメモリ回路と同等の基準で評価できるようにする。例文帳に追加

To enable evaluating cell characteristics of a memory circuit having a pair of complementary memory cell arrays with the same standard as a memory circuit having a single cell array. - 特許庁

１つの好ましい実施形態では、基準セルプログラミングプロセス中に使用されるメモリセルは、最高固有閾値を有するメモリアレイのセルである。例文帳に追加

In a preferable embodiment, a memory cell used in a reference cell programming process is a cell of a memory array having the highest intrinsic threshold value. - 特許庁

高電圧比較セルおよび低電圧比較セルが、メモリセル電圧と比較するための２つの別個の基準電圧を供給する２つのセンス増幅器のそれぞれに結合されている。例文帳に追加

A high voltage comparison cell and a low voltage comparison cell are coupled to each of two sense amplifiers for supplying two discrete reference voltages for comparison with a memory cell voltage. - 特許庁

セルコントローラＣ／Ｃ１は、故障診断時にセル電圧検出スイッチＳＷａ１〜ＳＷａ８をオフ、セル基準電圧源スイッチＳＷｃおよび容量調整回路スイッチＳＷｂ１〜ＳＷｂ８をオンする。例文帳に追加

A cell controller C/C1 turns off cell voltage detection switches SWa1 to SWa8 at fault diagnosis, and turns on a cell reference voltage source switch SWc and capacity regulating circuit switches SWb1 to SWb8. - 特許庁

燃料電池スタック２０を構成するセル２３の電圧を、共通のグランドを基準として、直列するセル２３が２セルづつ増やされた電圧Ｖ１〜Ｖｎを電圧計９１〜９８によりそれぞれ計測する。例文帳に追加

With a voltage of a cell 23 constituting a fuel cell stack 20 as the standard of the common ground, voltages V1 to Vn in which serial cells 23 are increased by 2 cells are measured by voltmeters 91 to 98. - 特許庁

セル充電回路ＣＣが、セル選択回路ＣＳの選択した最小充電量のセル２の充電を行い、モジュール放電回路ＭＤが、電圧差が基準値を上回った電池モジュール３に対して放電を行ってもよい。例文帳に追加

A cell charging circuit CC may charge a cell 2 of minimum charge amount selected by the cell selecting circuit CS and a module discharge circuit MD may discharge battery modules 3 where voltage differences exceed the reference value. - 特許庁

さらに、オペアンプＡｍｐの正転入力端子と基準電圧Ｖｒｅｆとの間には、キャンセル抵抗Ｒ２とキャンセルコンデンサＣ２とを並列接続したキャンセル回路が接続されている。例文帳に追加

Further, a cancel circuit obtained by parallelly connecting a cancel resistor R2 and a cancel capacitor C2 is connected between the normal input terminal of the amplifier Amp and a reference voltage Vref. - 特許庁

Ｅ／Ｇ＿ＥＣＵ２２は、現在のアクセル開度θａｃｃを予め設定された基準モード相当のアクセル開度（逆引きアクセル開度θａｃｃｒ）に換算する。例文帳に追加

An E/G ECU22 converts a present accelerator opening θacc into the accelerator opening equivalent to criteria mode set beforehand (reversely reckoned accelerator opening θaccr). - 特許庁

ユニットセル２には、補助電源配線用領域ＴＡ２ａないしＴＡ２ｃが、セル辺からＸ方向へ基本セル幅ＢＣＷごとに存在するグリッドを基準として形成される。例文帳に追加

Auxiliary power wiring area TA2a to TA2c are formed in a unit cell 2 with a reference of grids which are provided in the X direction from the side of the cell at every basic cell width BCW. - 特許庁

一実施形態において、メモリデバイス(100)は、複数の磁気データセル(122)と、それら複数の磁気データセル(122)のうちの２つ以上に沿って連続して延在する磁気基準セル(124)とを含む。例文帳に追加

In one embodiment, a memory device (100) includes a plurality of magnetic data cells (122) and a magnetic reference cell (124) continuously extending along two data cells or more from among a plurality of these magnetic data cells (122). - 特許庁

データの読み出し時にメモリセルに流れるメモリセル電流が、このメモリセルに接続されたワード線の配線幅に応じて設定される基準電流と比較される。例文帳に追加

A memory cell current is made to flow in a memory cell when reading out data is compared with a reference current set in accordance with wiring width of word lines connected to this memory cell. - 特許庁

この基準は、各セルにおいて独立に準備することができ、全てのセルにわたってジョイントスケジューリングを実行する方法と比較して、異なるセル内の基地局間で交換される情報を大幅に低減することができる。例文帳に追加

The criterion can be done independently in each cell to significantly reduce information exchanged between base stations in different cells compared to the methods that perform joint scheduling over all cells. - 特許庁

パラメータ入力部２０は、格子状に配列された複数のピクセルに含まれる複数のピクセルを、描画対象とするか否かを判定する基準ピクセルとして順に設定する。例文帳に追加

A parameter input part 20 sequentially sets a plurality of pixels included in a plurality of pixels arranged like a grating as standard pixels to determine whether or not to be considered as drawing objects. - 特許庁

また、バイパス動作の開始後に、セル電圧Ｖｃと最小セル電圧（Ｖｍｉｎ）との電圧差（ΔＶ）が基準電圧差Ｖｔｈ以下（ΔＶ＜Ｖｔｈ）になったときは、このセル電池に対するバイパス動作を停止する。例文帳に追加

When the voltage difference (ΔV) between the cell voltage Vc and the minimum cell voltage (Vmin) becomes not more than the reference voltage difference Vth (ΔV<Vth) after starting the bypass operation, the charging controller stops the bypass operation for the corresponding cell battery. - 特許庁

メモリセルアレイには、複数のメモリセル１０が接続される同一のコントロールワード線CWL 毎に一対の基準セル１０ａ，１０ｂがそれぞれ設けられている。例文帳に追加

A memory cell array is provided with a pair of reference cells 10a, 10b for each same control word line CWL to which a plurality of memory cells 10 are connected. - 特許庁

そして、各コラムセルのいずれか１から選ばれた基準コラムセルの露光量と線幅の関係に補正対象コラムセルの露光量と線幅の関係を一致させる補正パラメータを求める（ステップＳ４３、Ｓ４６）。例文帳に追加

Correction parameters for matching the relation of the exposure amount of a column cell to be corrected and the linewidth with the relation of the exposure amount of one reference column cell selected from respective column cells and the linewidth are determined (steps S43, S46). - 特許庁

メモリセルアレイ４７ｍａと、情報を読み出すとき基準となるリファレンスセルが複数配列されたリファレンスセルアレイ４７ｒａとを備える。例文帳に追加

The device is provided with a memory cell array 47ma and a reference cell array 47ra in which a plurality of reference cells being reference when information is read are arranged. - 特許庁

本発明の２次元コードは、所定の形状を有する基準セル１００と、それぞれを２次元配置することでコードデータを構成する複数の方形セル１０６と、同一形状を有する複数のコーナーセル１０４とを備える。例文帳に追加

The two-dimensional code is provided with a standard cell 100 having a predetermined shape, a plurality of square cells (106) constituting two-dimensionally arranged to configure code data, and a plurality of corner cells (104) having the same shape. - 特許庁

単位電流セル群の複数の単位電流セルの内で特定の基準単位電流セル１０Ｒに、電流値調整用の制御信号Ｓａ〜Ｓｆを生成する６個のヒューズ１２ａ〜１２を有するヒューズ回路を設ける。例文帳に追加

In a digital/analog converter, a fuse circuit including six fuses 12a-12f for generating current value adjusting control signals Sa-Sf, is provided in a specific reference unit current cell 10R among a plurality of unit current cells in a unit current cell group. - 特許庁

荷重検出部１０の複数のセル１３は行列状に配置されており、中央の行に配置されたセル１３は基準となる行のセル１３として設定されている。例文帳に追加

Plural cells 13 of a load detecting part 10 is arranged in a matrix form, and the cells 13 disposed in the middle row are set as the cells 13 in a row used as a reference. - 特許庁

Ｅ／Ｇ＿ＥＣＵ２２は、現在のアクセル開度θａｃｃを予め設定された基準モード相当のアクセル開度（逆引きアクセル開度θａｃｃｒ）に換算する。例文帳に追加

An E/G_ECU 22 converts present accelerator opening θacc into accelerator opening (inversely pulling accelerator opening θaccr) corresponding to a preset reference mode. - 特許庁

算出された上限充電電流値Ｃ［ｉ］が充電側基準値Ｃａｖｅよりも小さくかつ算出された上限放電電流値Ｄ［ｉ］が放電側基準値Ｄａｖｅよりも大きいバッテリセルが選択され、選択されたバッテリセルが放電されることにより充電状態が調整される。例文帳に追加

The battery cells are selected which have the calculated upper limit charge current value C [i] smaller than a charge-side reference value Cave, and the calculated upper limit discharge current value D [i] larger than a discharge-side reference value Dave, and the state of charge is adjusted by discharging the selected battery cells. - 特許庁

テストシステムは第一基準電荷を第一ビット線上へ転送させるために第一ダミーセルをイネーブルさせ且つ第二基準電荷を第二ビット線上へ転送させるために第二ダミーセルをイネーブルさせることによって、ビット線間に表れる電圧差の大きさを制御する。例文帳に追加

A test system 200 controls magnitude of voltage difference indicated between bit lines by enabling a first dummy cell 130 to transfer first reference electric charges on a first bit line and enabling a second dummy cell 140 to transfer second reference electric charges on a second bit line. - 特許庁

選択ビット線に複数のセンスアンプ（３，４）を設け、このセンスアンプに対しメモリセルを流れる電流に対応する残存電流（Ｉｒｍｎ）とこのメモリセルのしきい値電圧の基準となる基準電流Ｉｒｅｆとを供給しこれらの電流をセンスする。例文帳に追加

A plurality of sense amplifiers (3, 4) are provided at a selection bit line, a remaining current (Irmn) corresponding to a current flowing in a memory cell and a reference current Iref being reference of threshold voltage of this memory cell are supplied to this sense amplifiers, and the current (Irmn) and the current Iref are sensed. - 特許庁

温度やシステム電圧などの条件の変化に伴って起きるメモリセルの動作特性の変動を追跡する基準セルによって、両方の基準信号の組を発生することにより、メモリプログラミングおよび読出しの信頼性が向上する。例文帳に追加

Reliability of memory programming and read-out is improved, by generating both sets of reference signals by the reference cell tracking vibrations in an operating characteristics of the memory cell with changes in conditions, such as temperature, system voltages. - 特許庁

アクセルペダル１１が未操作状態となる所定の条件が満たされる場合に、アクセルペダル１１の操作位置が現在の基準位置学習値から所定値以上ずれている場合には、この操作位置から所定値を減算した値を新たな基準位置学習値として学習する。例文帳に追加

In the case where a designated condition for putting the accelerator pedal 11 in the state of being not yet operated is satisfied, when the operating position of the accelerator pedal 11 is shifted from the current reference position learning value by a designated value or higher, a value obtained by subtracting a prescribed value from the operating position is learnt as a new reference position learning value. - 特許庁

さらに、所定関数１９０は、変曲点１９５よりもアクセル開度ｘａが大きい領域では基準直線１７０に対して上に凸となる一方で、変曲点１９５よりもアクセル開度ｘａが小さい領域では基準直線１７０に対して下に凸となるように定められる。例文帳に追加

Moreover, the predetermined function 190 has a convex form in relation to the reference straight line 170 in a zone where accelerator opening xa is larger than the inflection point 195, and has a concave shape in relation to the reference straight line 170 in a zone where accelerator opening xa is smaller than the inflection point 195. - 特許庁

基準電圧ＲＥＦは各検出回路４０ＡのＮＭＯＳ４２のゲートに印加され、メモリセルアレイ１０からＮＭＯＳ４３に流れ込むセル電流ＩＮＳと基準電流ＩＮＲとが比較されて、出力ノードＮ４_ｉに比較結果の検出信号Ｓｉが出力される。例文帳に追加

The reference voltage REF is applied to gates of NMOS 42 of each detecting circuit, a cell current INS flowing in a NMOS 43 from a memory cell array 10 is compared with the reference current INR, and a detected signal Si being a compared result is outputted to an output node N4i. - 特許庁