「曲面導体」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体チップ２１の側面２１−１〜２１−４と裏面２１Ａとが交わる部分の所定の位置に、曲率半径が０．５μｍ〜５０μｍの曲面２２−１〜２２−４を備えることを特徴としている。例文帳に追加

At prescribed positions of parts where side faces 21-1 to 21-4 and a rear face 21A of a semiconductor chip 21 cross each other, curved surfaces 22-1 to 22-4 of a curvature radius ranging between 0.5μm and 50μm are formed. - 特許庁

これにより、接続部２８の湾曲面２８ａとスルーホール導体２７との間に挟まれる領域Ｔを接続部２８付近のバリスタ層９に形成する。例文帳に追加

Thereby, a region T interposed between a curved surface 28a of the connection part 28 and the through-hole conductor 27 is formed into a varistor layer 9 in the vicinity of the connection part 28. - 特許庁

押圧部材１２は、中央部が外周側に対して半導体ウエハＷに接近する傾斜面若しくは曲面形状に設けられた押圧面２１と、その外周側に連設された変形許容部２３とからなる。例文帳に追加

The press component 12 is composed of a press surface 21 whose center portion is located in a shape of inclined surface or curved surface approaching the semiconductor wafer closer than the surrounding side and a deformation allowable portion 23 which is continuously connected to the surrounding side. - 特許庁

加熱体８は、曲面状の金属基材上に絶縁性のガラス層を形成し、その上に抵抗体パターンと導体パターンと電極を形成し、さらにその上にガラス層を形成してなる。例文帳に追加

The heating body 8 is comprised so that an insulating glass layer, on which a resistor pattern, a conductor pattern and an electrode are formed is formed on a curved-face metallic base, and further on which a glass layer is formed. - 特許庁

半導体基板をはんだ接合により搭載するための銅または銅合金からなる放熱板であって、板面に半導体基板と放熱板の間隔を確保するための突起を有し、前記突起は下記（１）式および（２）式を満たすようにプレス加工により周囲に窪みを付けることによって形成された、下記（３）式を満たす柱状（ただし上面は曲面であって構わない）の形状を有するものである半導体基板用放熱板。例文帳に追加

The heat radiation plate made of copper or copper alloy for mounting a semiconductor substrate by soldering has a projection for securing a gap between the semiconductor substrate and heat radiation plate on a plate surface. - 特許庁

放射線検出器は、被検体Ｐから放出されたガンマ線を検出するための複数の半導体セルを備え、被検体Ｐに対して凹状で曲面状の半導体検出器アレイ３０と、半導体検出器アレイ３０の被検体側にその検出面に沿って設けられている平行コリメータ３１とで構成される。例文帳に追加

This radiation detector is constituted of a semiconductor detector array 30 provided with multiple semiconductor cells for detecting the γ-rays emitted from a specimen P and having a recessed curved surface against the specimen P and parallel collimators 31 provided along a detection face on the specimen P side of the semiconductor detector array 30. - 特許庁

この発明は、パラボラ系の自由曲面からなる反射面２Ｕ、２Ｄを有する固定リフレクタ３と、パラボラ系の自由曲面からなる反射面１２Ｕ、１２Ｄを有する可動リフレクタ１３Ｕ、１３Ｄと、平面矩形形状の発光チップ４を有する半導体型光源５Ｕ、５Ｄと、を備えるものである。例文帳に追加

The vehicle headlamp is provided with a fixed reflector 3 having reflecting surfaces 2U, 2D consisting of free curved face of parabolic system, movable reflectors 13U, 13D having reflecting surfaces 12U, 12D consisting of free curved face of parabolic system, and semiconductor type light sources 5U, 5D having a light-emitting chip 4 of planar rectangular shape. - 特許庁

窓部材１１は、活性層５で発振したレーザ光の波長に相当するエネルギーバンドギャップよりも大きいエネルギーバンドギャップを有する半導体材料からなり、活性層５の出射面と反対側に曲面１１Ａを有する。例文帳に追加

The window member 11 is made of a semiconductor material having an energy band gap larger than an energy band gap corresponding to the wavelength of laser light oscillated by the active layer 5, and has a curved surface 11A on the opposite side from a projection surface of the active layer 5. - 特許庁

半導体集積回路用収納トレー１の収納用ポケット２内に有する凹部５に、内方に向かって下傾するテーパ状の内側面９を形成し、かつ、各々隣接するテーパ状の内側面９のコーナを湾曲線で接続するテーパ状の湾曲面１０を形成する。例文帳に追加

In a recess 5 provided in a storage pocket 2 of a tray 1 for a semiconductor integrated circuit, a tapered inner side surface 9 is formed which is downwardly inclined inward, and tapered curved surfaces 10 are formed which connect corners of the tapered inner side surfaces 9 adjacent to each other by a curve. - 特許庁

複合圧電材料は、平面又は曲面に沿って配置された複数の圧電体と、複数の圧電体の間、及び／又は、複数の圧電体の外周部に配置され、少なくとも１つの方向に高い熱伝導率を有する異方性熱伝導体とを具備する。例文帳に追加

The composite piezoelectric material comprises a plurality of piezoelectric bodies arranged along a plane or a curved surface, and an anisotropic heat conductive body arranged between the plurality of piezoelectric bodies and/or on the outer peripheral part of the plurality of piezoelectric bodies and provided with a high heat conductive rate in at least one direction. - 特許庁

半導体チップ１３，２３をダイボンドなどで実装する際に、角錐コレット３４を用いて真空吸着しても、接触面３７での接触圧をテーパ面１８や凸曲面２８で緩和し、クラックの発生や破損を避けることができ、歩留りの低下を防ぐことができる。例文帳に追加

When mounting the semiconductor chips 13, 23, through die bonding or the like, even if the semiconductor chips are vacuum- chucked using a pyramid collet 34, contact pressure applied to a contact face 37 are reduced by the tapered face 18 or projecting curved face 28, preventing cracks or breakage of the semiconductor chips, and thereby preventing the reduction in yield. - 特許庁

例えば、被処理体を裏面周縁部に沿って支持する支持部を有する環状のサセプタ４１とし、半導体ウエーハＷの面取り部と裏面との境界部分が凸曲面状に形成された支持面４６と接触するようにウエーハＷを支持して熱処理を行う。例文帳に追加

For instance, an annular susceptor 41 having a supporting part for supporting the object to be heat-treated along the peripheral edge of the rear face is used, and the semiconductor wafer W is supported so that a boundary part between the chamfer and the rear face of the semiconductor wafer W is brought into contact with the supporting surface 46 formed like the projected curve to execute heat treatment. - 特許庁

プリント配線板は、絶縁体基板１、下層の配線２、ビルトアップ用の絶縁体層３、金属ポスト４、及び電極パッド５とからなり、電極パッド５は上層配線と同じ導体層に形成されたものであり、かつ中央が深い曲面状の窪み５ａを有する。例文帳に追加

A printed wiring board consists of an insulator substrate 1, a lower wiring 2, an insulator layer 3 for build-up, a metal post 4 and an electrode pad 5, and the pad 5 is one formed into the same conductor layer as a conductor layer constituting an upper wiring and has a deep curved surface- shaped recess 5a in its center. - 特許庁

半導体レーザー１０から発したレーザー光は、副走査方向に角度を持ってポリゴンミラー１４に入射し、反射・偏向されて曲面ミラー１５により反射され、アナモフィックレンズ１６、光路偏向ミラー１７を介して感光体ドラム１８に達する。例文帳に追加

The laser beam emitted from a semiconductor laser 10 is made incident to a polygon mirror 14, having an angle in a subscanning direction, is reflected and deflected, and is reflected by a curved surface mirror 15 to reach a photoreceptor drum 18 through an anamorphotic lens 16 and an optical path deflection mirror 17. - 特許庁

スプリットゲート型メモリ素子は、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、曲面が外側に向き、互いに離隔されているスペーサ状浮遊ゲート及びスペーサ状ダミーパターンとを備える。例文帳に追加

The split gate type memory device is provided with a gate insulating film formed on a semiconductor substrate, and a spacer-like floating gate and a spacer-like dummy pattern which are formed on the gate insulating film with their curved surfaces on the outside and are separated from each other. - 特許庁

凸状曲面を有する半導体基板１０上に、トンネル絶縁層１１、電荷蓄積絶縁層１２、電荷ブロック絶縁層１３が順次積層されてなる積層絶縁膜を設け、さらに制御ゲート電極１４を形成してＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリセルを構成する。例文帳に追加

A laminate insulating film constituted by laminating a tunnel insulating layer 11, a charge storage insulating layer 12 and a charge block insulating layer 13 in this order is provided on a semiconductor substrate 10 having a protruded curved surface, and further a control gate electrode 14 is formed to constitute the MONOS type nonvolatile memory cell. - 特許庁

半導体レーザの変調速度の高速化による電気回路のスペースを充分に確保することが可能な長さで、且つ、高精度加工や曲面鏡面研磨加工の手間を省略することが可能なレセプタクル、および、該レセプタクルを備える光モジュールを提供する。例文帳に追加

To provide a receptacle that is sufficiently long to fully ensure an electric circuit space required for high modulation speed of a semiconductor laser, and that is capable of saving labor and time for high-precision machining and curved mirror finishing, and also to provide an optical module equipped with this receptacle. - 特許庁

この発明は、放物柱状曲面からなる第１反射面８の一部に、半導体型光源７からの光Ｌ２を反射させてオーバーヘッドサイン用の配光パターンＰ２として外部に照射する第２反射面９を、追加して設ける。例文帳に追加

In the lighting fixture for the vehicle, a second reflection surface 9 wherein light L2 of a semiconductor type light source 7 is externally irradiated by reflecting the light L2 as the light-distribution pattern P2 for an overhead sign is additionally arranged at a part of a first reflection surface 8 formed by a parabolic-columnar curved surface. - 特許庁

半導体基板上の所定の領域にトレンチを形成した後、絶縁膜を埋め込むことにより、アクティブ領域とフィールド領域を画定する素子分離膜を形成する段階と、前記アクティブ領域の半導体基板を所定の深さにエッチングするが、表面が曲面となるようにエッチングする段階とを含む。例文帳に追加

This method comprises a step for forming an element separating film which demarcates the active region and the field region by forming a trench in a specified region on a semiconductor substrate, and then burying an insulating film; and a step for etching the semiconductor substrate in the active region into a specified depth, so that the surface becomes a curved surface. - 特許庁

光学走査装置は、プリンター筐体に接続される支持フレームと、印刷データに基づいてレーザーを発する光学システムモジュールと、光学システムモジュールによるレーザーを反射する光学スキャナーモジュールと、光学スキャナーモジュールに反射されたレーザーを線速度一定に進行させる曲面レンズと、曲面レンズからのレーザーを有機光伝導体に反射する反射鏡モジュールとを含む。例文帳に追加

The optical scanning apparatus includes a supporting frame connected to a printer housing, an optical system module emitting a laser beam based on a print data, an optical scanner module reflecting the laser beam from the optical system module, a curved surface lens advancing the laser beam reflected by the optical scanner module with a constant linear velocity, and a reflecting mirror module reflecting the laser beam from the curved surface lens to an organic photoconductor. - 特許庁

高度な温度制御なしに、実用的な結晶性（多結晶）を有する半導体結晶シートを高速に製造することができ、融液面の揺れや液面変動による影響を抑えることができ、そして曲面からなる結晶シートを製造することができる、結晶シートの製造装置および製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and process for manufacturing a crystal sheet whereby a semiconductor crystal sheet having a practical crystallinity (polycrystal) can be manufactured at a high speed without a high-level temperature control; the effects due to rippling and fluctuation of melt surface are suppressed; and a crystal sheet with a curved surface is produced. - 特許庁

導体２１を絶縁体２２で被覆してなる絶縁線心２３を複数本並列に配置して、その上にシース２４を一括被覆してなる平形ケーブルにおいて、前記平形ケーブルの外周表面を構成する２つの曲面部２４ａ，２４ｂ及び２つの平面部２４ｃ，２４ｄのうちの３面に、突起部２５を前記平形ケーブルの長手方向に連続して設けた。例文帳に追加

The flat cable comprises a plurality of insulated wires 23 arrayed in parallel which are each composed of a conductor 21 covered with an insulator 22, and a sheath 24 batch covering them, wherein on three surfaces among two curved surfaces 24a, 24b and two flat surfaces 24c, 24d constituting the surface of the flat cable there being provided continuously with protrusions 25 in the length direction thereof. - 特許庁

半導体レーザ素子２と波長変換素子４ａとの少なくとも一方が、温調素子によって温調されたマウント３３を介してベース部材２１に設置されており、マウント３３の表面に、回折格子部３を含む光ファイバＦの部位を巻き回して取り付け可能な凸曲面状の光ファイバ支持部３４を設けた。例文帳に追加

At least one of the semiconductor laser element 2 and the wavelength changing element 4a is located on the base member 21 through a mount 33 temperature-controlled by a temperature-controlling element, and a convex optical fiber supporter 34 can be attached winding around the position of the optical fiber F containing the diffraction grating 3, and is located on the surface of the mount 33. - 特許庁