「水素プラズマ処理」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

酸素系プラズマ処理によって下層金属膜の露出面にできたダメージを、水素系プラズマ処理を行って取り除く。例文帳に追加

Damages made on the exposed surface of the lower layer metal film by the oxygen-based plasma processing are removed by performing hydrogen-based plasma processing. - 特許庁

金属部材１の表面１１に水素プラズマ処理及び窒素プラズマ処理を行うステップと、水素プラズマ処理及び窒素プラズマ処理された表面１１上に、ダイヤモンド状炭素膜２を形成するステップとを含む。例文帳に追加

The method for forming the diamond-like carbon film includes: a step of executing the hydrogen plasma processing and the nitrogen plasma processing on a surface 11 of a metal member 1; and a step of forming the diamond-like carbon film 2 on the surface 11 subjected to the hydrogen plasma processing and the nitrogen plasma processing. - 特許庁

機械的強度を増加させる処理は、紫外線照射、水素プラズマ処理を含む。例文帳に追加

The process of increasing the mechanical strength includes a UV-ray exposure process and a hydrogen plasma process. - 特許庁

また、第１の成膜条件の前に、基板上の吸着水を除去するため、アルゴンプラズマ処理などの希ガスプラズマ処理及び水素プラズマ処理を行う。例文帳に追加

Further, rare gas plasma treatment such as argon or hydrogen plasma treatment is performed before formation of the film under the first deposition condition for removing adsorbed water on a substrate. - 特許庁

過酸化水素プラズマ滅菌処理の完了をより正確に検知できる過酸化水素プラズマ滅菌検知用インキ組成物及びそれを用いたプラズマ滅菌検知用インジケータを提供する。例文帳に追加

To provide an ink composition for detecting the hydrogen peroxide plasma sterilization and an indicator for detecting the plasma sterilization using the same, for accurately detecting the completion of the hydrogen peroxide plasma sterilization treatment. - 特許庁

成膜前の脱ガス処理として、加熱処理とプラズマ処理とを行い、プラズマ処理室で検出された水素ガス量に応じて、加熱処理における処理条件を制御することにより、前記課題を解決する。例文帳に追加

The functional film is manufactured by executing the heating processing and the plasma processing as the degassing processing before the film deposition, and controlling the processing condition in the heating processing according to the amount of gaseous hydrogen detected by a plasma processing chamber. - 特許庁

次に、上記配線パターンを水素原子の含まれるガスプラズマに晒す（処理Ｓ６）。例文帳に追加

Next, the wiring pattern is exposed to gas plasmas containing hydrogen atoms (treatment S6). - 特許庁

そして、Ｐｔ薄膜４は、水素リモートプラズマによって処理される（工程（ｅ）参照）。例文帳に追加

Then, the Pt thin film 4 is processed by hydrogen remote plasma (refer to step (e)). - 特許庁

前記膜の除去を水素系ガスのプラズマによるエッチングまたはUVオゾン処理により行う。例文帳に追加

Removing of the film is carried out by etching using a plasma of a hydrogen-based gas or by UV ozone treatment. - 特許庁

水素プラズマ処理の効果をより有効に実現する太陽電池の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a solar cell manufacturing method with which an effect of hydrogen plasma treatment is achieved more effectively. - 特許庁

水素プラズマ処理の後、水素ガスを十分排気するために窒素プラズマ処理を行い、続いて窒素含有ガスでパッシベーション膜９の成膜初期から水素ガスを含まないパッシベーション膜９を形成する。例文帳に追加

After a hydrogen plasma treatment, nitrogen plasma treatment is conducted, so as to sufficiently discharge gaseous hydrogen and then the passivation film 9 which does not contain gaseous hydrogen from the initial period of the formation of the passivation film 9 is formed by a gas which contains nitrogen. - 特許庁

熱プラズマ装置内で、体積比１５／１〜４／１のアルゴン／水素混合ガスの熱プラズマを発生させ、該熱プラズマにより、シリカ粉末を分解処理して、一般式（１） ＳｉＯ_x ・・・（１）（式中、ｘは１．０＜ｘ≦１．６の関係を満たす数である。例文帳に追加

In the method for producing silicon lower oxide particles, silicon lower oxide particles represented by formula (1): SiO_x (wherein x is the number which meets the relation of 1.0<x≤1.6) - 特許庁

上記複合処理においては、少なくとも酸素プラズマ処理および水素プラズマ処理は高圧水蒸気熱処理より先におこなうと更に好適である。例文帳に追加

At least oxygen plasma treatment and hydrogen one are made preferably prior to the high-pressure vapor heat treatment in the composite treatment. - 特許庁

プラズマエッチング装置の処理室に電極を入れ、同処理室内にアルゴン、水素及びメタンの混合ガスを導入しつつ高周波電力を供給すると、混合ガスがプラズマ化し、水素ラジカル及びメチルラジカルが発生する。例文帳に追加

When the electrode is placed into the treatment chamber of a plasma etching device, the mixed gas of argon, hydrogen, and methane is introduced into the treatment chamber. - 特許庁

シリコン窒化膜２３は、プラズマ成膜装置の処理容器内にシランガス、窒素ガス及び水素ガスを含む処理ガスを供給し、処理容器内の基板の温度を１００℃以下に維持し、且つ処理容器内の圧力を２０Ｐａ〜６０Ｐａに維持した状態で、処理ガスを励起させてプラズマを生成し、当該プラズマによるプラズマ処理を行って成膜される。例文帳に追加

The silicon nitride film 23 is deposited by supplying a processing gas containing a silane gas, a nitrogen gas and a hydrogen gas to a processing vessel of a plasma deposition apparatus, exciting the processing gas to generate plasma while maintaining the temperature of the substrate inside the processing vessel at 100°C or lower and the pressure inside the processing vessel at 20-60 Pa, and applying plasma processing using the plasma. - 特許庁

本発明のメタンハイドレートの処理方法は、プラズマ用電極３２に高周波を供給し、プラズマ用電極３２によりメタンハイドレートに電磁波を照射してプラズマを発生させるプラズマ発生ステップと、プラズマによりメタンハイドレートを分解して水素を発生させる水素発生ステップと、を備えることを特徴とする。例文帳に追加

The method for processing methane hydrate includes: a plasma generating step for supplying a high frequency wave to an electrode 32 for plasma, and irradiating an electromagnetic wave to the methane hydrate by the electrode 32 for plasma to generate plasma; and a hydrogen generating step for decomposing the methane hydrate with the plasma to generate hydrogen. - 特許庁

そして、この蒸着絶縁膜２に対して、基板１の温度を３００乃至５００℃にして、水素プラズマ処理及び酸素プラズマ処理からなる群から選択された少なくとも１種の処理を施す。例文帳に追加

After that, this evaporated insulating film 2 is processed by at least one type selected from the group of hydrogen plasma processing and oxygen plasma processing by setting the temperature of the substrate 1 at 300 to 500°C. - 特許庁

また、酸化珪素膜を形成する前に、酸素と塩化水素や塩素を有する炭化水素とのプラズマによってシリコン領域を処理する。例文帳に追加

Before forming the silicon oxide film, the silicon regions are treated with a plasma of oxygen with hydrogen chloride or a chlorine-containing hydrocarbon. - 特許庁

メインアッシングは、水素及び任意の窒素等の水素含有還元ガスのプラズマにより、短い表面処理を施しておいてもよい。例文帳に追加

Main ashing may be preceded by short surface treatment by plasma of a hydrogen-containing reducing gas, such as, the hydrogen and the optional nitrogen. - 特許庁

水素吸蔵合金電極の製造工程中に、水素吸蔵合金粉末にプラズマによるエッチング処理を施す工程を設ける。例文帳に追加

A process for applying plasma etching treatment to the hydrogen storage alloy powder is provided during processes for producing the hydrogen storage alloy electrode. - 特許庁

なお、プラズマ処理は、窒素、酸素、水素、又は窒素と水素の混合ガスの雰囲気中で行われることが好ましい。例文帳に追加

In the meanwhile, it is preferable that the plasma processing be done in an atmosphere of mixed gases of nitrogen, oxygen, and hydrogen, or of nitrogen and hydrogen. - 特許庁

プラズマ処理によって水蒸気は水素と酸素とに分解され、分解されたフッ素系ガスのフッ素と結合しフッ化水素を生成する。例文帳に追加

The water vapor is decomposed into hydrogen and oxygen in a plasma processing, which combines with fluorine of decomposed fluorine gas to generate hydrogen fluoride. - 特許庁

堆積されたＴｉＮ膜２０４は、次に、水素分子（Ｈ_2）から生成したような水素含有プラズマ２１０で処理される。例文帳に追加

The deposited TiN film 204 is then treated in a hydrogen- containing plasma 210 generated from molecular hydrogen (H2). - 特許庁

そして、この水素プラズマに含まれる水素ラジカルのみが、遮蔽板３６をすり抜けて、処理室４０に導かれる。例文帳に追加

Then, only the hydrogen radical contained in the hydrogen plasma passes through a shielding plate 36 to a treatment chamber 40. - 特許庁

水素プラズマ処理時間を大幅に短縮し、多結晶半導体層の水素化効率を大幅に改善する。例文帳に追加

To significantly improve hydrogenation efficiency of a polycrystal semiconductor layer by significantly shorting a hydrogen plasma process time. - 特許庁

酸素の存在下、炭化水素を常圧の非平衡プラズマで処理することにより、該炭化水素を部分酸化する。例文帳に追加

A hydrocarbon is partially oxidized by treating it with a normal pressure non-equilibrium plasma in the presence of oxygen. - 特許庁

水素プラズマにより、ｐ型の多結晶ＳｉＧｅ膜３に水素処理を施して、ｎ型の多結晶ＳｉＧｅ膜４を得る（ｃ）。例文帳に追加

The p-type polycrystalline SiGe film 3 is subjected to hydrogenation by hydrogen plasma to obtain (c) an n-type polycrystalline SiGe film 4. - 特許庁

基板Ｓを水素を含む水素結合処理用ガスのプラズマに曝してのち、該基板に結晶性シリコン薄膜を形成するシリコン薄膜形成方法。例文帳に追加

As the substrate S, a nitrogen-containing gate insulating film substrate is employed on which a film forming side is formed on the substrate body. - 特許庁

表示装置の薄膜トランジスタ基板において、水素プラズマ処理時の水素による影響を低減する。例文帳に追加

To reduce effect due to hydrogen in carrying out hydrogen plasma treatment in the thin-film transistor substrate of a display device. - 特許庁

表面に金属触媒層が形成された被処理基板を準備し（工程１）、金属触媒層に酸素プラズマ処理を施し（工程２）、酸素プラズマ処理後の金属触媒層に水素含有プラズマ処理を施して、金属触媒層の表面を活性化し（工程３）、その後、金属触媒層の上にプラズマＣＶＤによりカーボンナノチューブ膜を成膜する（工程５）。例文帳に追加

A processed substrate on the surface of which a metal catalyst layer is formed is prepared (process 1), oxygen plasma treatment is given to the metal catalyst layer (process 2), the surface of the metal catalyst layer is activated by giving hydrogen containing plasma treatment to the metal catalyst layer after the oxygen plasma treatment (process 3), and then a carbon nanotube film is formed on the metal catalyst layer by plasma CVD (process 5). - 特許庁

そして、この蒸着絶縁膜２に対して、６００℃以下の温度条件下で、大気中で熱処理、窒素中で熱処理、酸素中で熱処理、真空中で熱処理、水素プラズマ処理及び酸素プラズマ処理からなる群から選択された少なくとも１種の処理を施す。例文帳に追加

At least one type of treatment selected from a group formed of heat treatment in an atmosphere, heat treatment in nitrogen, heat treatment in oxygen, and heat treatment, hydrogen plasma treatment and oxygen plasma treatment in a vacuum is performed on the evaporated insulating film 2 under a temperature condition of not more than 600°C. - 特許庁

次に、真空チャンバー内に、水素ガスと窒素ガスと酸素ガスとの混合ガスを導入すると共に、該混合ガスからなるプラズマを発生させることにより、有機無機複合膜に対して水素プラズマ処理を行なう。例文帳に追加

Next the organic/inorganic composite film is subjected to a hydrogen plasma process by introducing a mixture of hydrogen, nitrogen and oxygen gases into the vacuum chamber and generating plasma of the mixture gas. - 特許庁

酸素雰囲気にさらすことによりＲｕ膜表面を酸化処理し、次に水素プラズマによる還元処理をし、清浄化する。例文帳に追加

The surface of the Ru film is exposed to oxygen atmosphere and subjected to oxidation treatment before reduction treatment by hydrogen plasma, and then cleaned. - 特許庁

レーザー結晶化を行った後、ゲート絶縁膜を連続形成し、しかる後に水素プラズマ処理または酸素プラズマ処理を行うことによりｐｏｌｙ−Ｓｉ膜中の捕獲準位を不活性化させる。例文帳に追加

A gate insulating film is formed sequentially after laser crystallization, however after that by subjecting it to hydrogen plasma treatment or oxygen plasma treatment a trapping level in a poly-Si film is made inert. - 特許庁

また、そのＣＭＰ後洗浄後、キャップ膜用の絶縁膜１９ｂの形成前に、半導体基板１に対して、水素プラズマ処理およびアンモニアプラズマ処理を施す。例文帳に追加

The method further comprises the steps of hydrogen plasma treating and ammonia plasma treating a semiconductor substrate 1, prior to the formation of an insulating film 19b for a cap film, after cleaning after the CMP. - 特許庁

炭化水素系ガスを用いたプラズマ気相合成法によって硬質炭素被膜を形成した基材に、ガスプラズマによるボンバード処理によって表面処理を行う。例文帳に追加

A base material formed with a hard carbon film by a plasma vapor phase synthesis process using a hydrocarbon based gas is subjected to surface treatment by bombard treatment with gas plasma. - 特許庁

次いで処理容器内にて水素のプラズマを発生させ、このプラズマにより前記処理容器内に付着したＣとＯとを含む有機物を分解して除去する。例文帳に追加

Then organic matters containing C and O adhering to the inside of the treating vessel are removed by dissolving the organic matters with hydrogen plasma by generating the plasma in the vessel. - 特許庁

プラズマ生成室で生成されたプラズマから発生する紫外光と水素イオンを遮蔽して水素ラジカルのみを処理室に供給できるとともに，金属原子や板状部材を構成する材料が飛散して処理室内に入り込むことを防止しながらも，的確に水素イオンを捕獲する。例文帳に追加

To supply only hydrogen radicals to a processing chamber by blocking ultraviolet rays and hydrogen ions generated from plasma generated in a plasma generation chamber, and to properly capture the hydrogen ions while preventing metal atoms and a material constituting a plate-like member from scattering and intruding into the processing chamber. - 特許庁

前処理工程は、基板温度を成膜温度まで昇温させる基板昇温の途中で、水素ラジカルを基板上に供給するＲＰＨ（リモートプラズマ水素化）処理を行い（２０２）、その後、窒素ラジカルを基板上に供給するＲＰＮ（リモートプラズマ窒化）処理を行い（２０３）、その後、酸素ラジカルを基板上に供給するＲＰＯ（リモートプラズマ酸化）処理を行う（２０４）。例文帳に追加

In the pretreatment process, RPH (Remote Plasma Hydrogenation) treatment for supplying hydrogen radical onto a substrate is performed (202), RPN (Remote Plasma Nitriding) treatment for supplying nitrogen radical onto the substrate is performed (203), and then RPO (Remote Plasma Oxidation) treatment for supplying oxygen radical onto the substrate is performed (204) in the middle of substrate temperature increment for increasing a substrate temperature to a depositing one. - 特許庁

酸素、および希ガスを含む処理ガスの存在下で、ウエハＷ上に平面アンテナ部材ＳＰＡを介してマイクロ波を照射することにより、酸素と希ガスとを含むプラズマ（ないし窒素と希ガスとを含むプラズマ、または窒素と希ガスと水素を含むプラズマ）を形成する。例文帳に追加

By irradiation of microwave on a wafer W via a planar antenna member SPA under an existence of a processing gas containing oxygen and rare gas, plasma is formed containing the oxygen and rare gas (or plasma containing nitrogen and rare gas, or plasma containing nitrogen, rare gas, and hydrogen). - 特許庁

被処理ガスＡをプラズマ場１２へと流して水素生成反応を生じさせて処理済ガスＢを得、処理済ガスＢを第二の電極４、支持体７および水素分離膜８を通して水素を取り出す。例文帳に追加

A treated gas B is obtained by flowing a gas A to be treated to the plasma field 12 and causing a hydrogen generating reaction, and hydrogen is taken out by passing the treated gas B through the second electrode 4, the supporting body 7 and the hydrogen separation membrane 8. - 特許庁

この装置１１を用い、プラズマ発生部１５により発生する水素ラジカルを用いてプロセスチャンバ１２内のウェハ５をバッチ単位で遠隔プラズマ処理し、自然酸化膜を除去する。例文帳に追加

In the apparatus 11, a wafer 5 in the process chamber 12 is remotely plasma-processed in each batch by using hydrogen radicals generated by a plasma generation part 15 to remove the natural oxide film. - 特許庁

ついで、水素ガス中でＲＦ方式で放電させて、上記ガスの低温プラズマを発生させ、この低温プラズマで上記基材を表面処理することを特徴とする。例文帳に追加

Discharges are induced by the RF system in hydrogen gas to generate a low-temperature plasma of the gas, and the base material is then subjected to surface treatment with the low-temperature plasma. - 特許庁

ＳｉＯＣＨ膜を複数のＳｉＯＣＨ膜部分の積層により形成し、各々のＳｉＯＣＨ膜部分は、プラズマＣＶＤ法による堆積工程と、水素プラズマ処理による改質工程により形成される。例文帳に追加

An SiOCH film is formed by lamination a plurality SiOCH films, and each of the SiOCH films is formed by a deposition step by a plasma CVD method, and a modification step by a hydrogen plasma processing. - 特許庁

プラズマ浸炭処理を施した純チタンを、プラズマ浸炭処理後に１５Ｐａ以下の真空下で、２００℃以上前記プラズマ浸炭処理の下限温度の範囲に３０分から１０時間の範囲の所要時間保持するベーキング処理を実施して、前記浸炭処理過程でチタン金属内に侵入した水素を除去するようにしたのである。例文帳に追加

The baking method for pure titanium carburized with plasma is characterized by baking the titanium in a vacuum atmosphere of 15 Pa or less, at 200°C or higher but at a lower limit temperature of plasma carburization treatment or lower, for duration of 30 minutes to ten hours, after plasma carburization treatment, to remove the hydrogen which has invaded in the titanium metal during the carburization treatment. - 特許庁