「第3元素」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

非貴金属合金は、その結晶構造を決定している第１非貴金属元素２と、第２非貴金属元素３との２種類の非貴金属元素からなる。例文帳に追加

The non-noble metal alloy consists of two non-noble metal elements of a first non-noble metal element 2, deciding the crystal structure, and a second non-noble metal element 3. - 特許庁

アルカリ金属，アルカリ土類金属及び希土類元素から選ばれる少なくとも一種の元素を含む第１化合物と、第３族元素，第４族元素及び遷移金属から選ばれる少なくとも一種の元素を含む第２化合物と、多座配位子を有する第３化合物と、からなる複合酸化物前駆体水溶液に、さらに過酸化水素を添加した。例文帳に追加

Hydrogen peroxide is added to an aqueous solution of a compound oxide precursor comprising a first compound containing at least one kind of element selected from alkali metals, alkaline earth metals and rare earth elements, a second compound containing at least one kind of element selected from group 3 elements, group 4 elements and transition metals, and a third compound having a multidentate ligand. - 特許庁

シリコン、マグネシウム、アルミニウム、および第３族元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物、前記元素の窒化物、および前記元素の酸窒化物は、焼結体中で結合相として存在し、これらを含む焼結体は、優れた硬度および靭性を有している。例文帳に追加

The oxide of at least one kind of element selected from silicon, magnesium, aluminum and the group 3 elements, nitrides of the elements and oxynitrides of the elements are present as a bonding phase in the sintered compact and the sintered compact containing these has excellent hardness and toughness. - 特許庁

液晶相溶性第３族元素ナノ粒子及びそのペースト並びにそれらの製法例文帳に追加

LIQUID CRYSTAL-COMPATIBLE GROUP 3 ELEMENT NANOPARTICLE, ITS PASTE, AND METHOD FOR PRODUCING THEM - 特許庁

第１の金属元素を含む第１の金属酸化物粒子２と、これとは異種の第２の金属元素を含む第２の金属酸化物粒子３とを、アモルファスカーボン支持膜１上に配置する。例文帳に追加

First metal oxide particles 2 containing a 1st metallic element and 2nd metal oxide particles 3 containing a 2nd metallic element different from the 1st metallic element are arranged on an amorphous carbon supporting film 1. - 特許庁

シリコン基板１の表面１ｆ近傍にドープされた周期律表第３Ｂ族元素の濃度は１０^17ｃｍ^-3以上１０^20ｃｍ^-3以下である。例文帳に追加

The group IIIB element doped in the vicinity of the surface 1f of the silicon substrate 1 has concentration in the range of 10^17 cm^-3-10^20 cm^-3. - 特許庁

さらに、第１の不純物領域２２および第２の不純物領域７２の表面部に、半導体基板３の構成元素と高融点金属元素との化合物層２４、７４を形成する。例文帳に追加

Then, compound layers 24, 74 between component element of a semiconductor substrate 3 and high-melting-point metal element are formed on the surfaces of the first impurity area 22 and second impurity area 72. - 特許庁

第１の結晶粒子１は、特定の希土類元素Ｒが主相粒子に固溶していない主相粒子単独領域３と、特定の希土類元素Ｒが主相粒子に固溶した表層部の希土類元素固溶領域４とからなる。例文帳に追加

The first crystal particle 1 comprises a main phase particle independent region 3 where a specific rare earth element R does not form a solid solution in the main phase particle and a rare earth element solid solution region 4 at a surface layer where a specific rare earth element R forms a solid solution in the main phase particle. - 特許庁

好ましくは、第１金属および第２金属の一方を、金属部材３を構成する金属の主金属元素と同一とする。例文帳に追加

Preferably, either the first metal or the second metal is made the same as the main metallic element of the metal composing the metallic member 3. - 特許庁

第一膜（２）低融点薄膜で、微小粒で構成され、微小粒間に第二膜（３）の元素が存在する。例文帳に追加

The first film (2) is a thin film having a low melting point and constituted of fine particles and an element of the second film (3) exists between the fine particles. - 特許庁

構成元素の異なる第１下地層２および第２下地層３を設け、その上方にＡｌＧａＮ蒸発防止層６を形成する。例文帳に追加

A nitride-based compound semiconductor light emitting element is provided with first and second underlying layers 2 and 3 composed of different constituent elements and an AlGaN evaporation preventing layer 6 formed above the layer 2. - 特許庁

保護層５は、磁石素体３を覆い希土類元素を含有する第１の層６と、第１の層を覆い希土類元素を実質的に含有しない第２の層７と、第２の層を覆い第１及び第２の層とは異なる組成を有する酸化物層８とを備えている。例文帳に追加

The protective layer 5 has a first layer 6 which covers the magnet element assembly 3 and contains rare earth elements, a second layer 7 which covers the first layer and does not contain the rare earth elements substantially, and an oxide layer 8 which covers the second layer and has an oxide layer 8 having a distinct composition with the first and second layers. - 特許庁

金属膜と、ナノチューブとの界面に、ナノチューブの少なくとも１つの構成元素と、第１のパッドの少なくとも１つの構成元素とを含む導電性の化合物からなる中間膜(9)が配置されている。例文帳に追加

An intermediate film (9) which is made of a conductive compound including at least one constituent element of the nanotubes (8) and at least one constituent element of the first pad (1) is arranged at the interface between the metal film (3) and the nanotubes (8). - 特許庁

被測定金属元素を含む第２の金属膜４を選択エッチングにより除去する工程と、除去工程により露出した、被測定金属元素を不純物として含む第１の金属膜３上に、被測定金属元素を除いて第１の金属膜３と同一組成の第３の金属膜５を形成する工程とを有する。例文帳に追加

The preparing method comprises both a process for removing the second metal film 4 including the metallic element to be measured by selective etching and a process for forming the third metal film 5 of the same composition as that of the first metal film 3 except the metallic element to be measured on the first metal film 3 exposed in the removing process and including the metallic element to be measured as an impurity. - 特許庁

立方晶の結晶構造を有する立方晶型サイアロンを含む焼結体に関し、立方晶型サイアロンに加えて、シリコン、マグネシウム、アルミニウム、および第３族元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物、前記元素の窒化物、および前記元素の酸窒化物のいずれか１種以上を含む。例文帳に追加

The sintered compact contains cubic crystal sialon having cubic crystal structure, and in addition to the cubic crystal sialon, contains one or more kinds of: an oxide of at least one kind of element selected from silicon, magnesium, aluminum and the group 3 elements; nitrides of the elements; and oxynitrides of the elements. - 特許庁

保護層５は、磁石素体３を覆い希土類元素を含有する第１の層６と、第１の層６を覆い第１の層６よりも希土類元素の含有量が少ない第２の層７と、第２の層７を覆う金属塩層８とを備えている。例文帳に追加

The protective layer 5 comprises a first layer 6 containing a rare earth element and covering the magnet element 3, a second layer 7 having a content of rare earth element lower than that of the first layer 6 and covering the first layer 6, and a metal salt layer 8 covering the second layer 7. - 特許庁

保護層５は、磁石素体３を覆い希土類元素を含有する第１の層６、及び、第１の層を覆い第１の層よりも希土類元素の含有量が少ない第２の層７を有する内部保護層９と、第２の層７を覆い樹脂及び添加剤を含有する樹脂層８とを備えている。例文帳に追加

The protective layer 5 comprises an inner protective layer 9 having a first layer 6 containing a rear earth element and covering the magnet element 3 and a second layer 7 having content of rear earth element lower than that of the first layer and covering the first layer, and a resin layer 8 containing resin and additive and covering the second layer 7. - 特許庁

本発明の方法は、Ｖ族元素を含む第１の化合物半導体層３を有する半導体装置１０を製造する。例文帳に追加

In the method, a semiconductor device 10 with a first compound semiconductor layer 3 comprising a group V element is manufactured. - 特許庁

第１の電極２と第２の電極６との間に記憶層３が配置され、この記憶層３に接して、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素が含まれたイオン源層４が設けられ、記憶層３がタンタル又はシリコンと希土類元素とを含有する酸化物から成る記憶素子１０を構成する。例文帳に追加

The memory element 10 comprises a memory layer 3 disposed between a first electrode 2 and a second electrode 6, and consisting of an oxide containing tantalum or silicon and a rare earth element; and an ion source layer 4 containing any element selected from Cu, Ag, and Zn and making contact with the memory layer 3. - 特許庁

本発明の課題は、容易に大量製造が可能な方法にて、液晶相溶性第３族元素ナノ粒子及びその均一な液晶相溶性粒子ペーストを得る、工業的に好適な液晶相溶性第３族元素ナノ粒子及びそのペーストの製法を提供することにある。例文帳に追加

To provide methods for producing industrially suitable liquid crystal-compatible group 3 element nanoparticles and the paste thereof for obtaining liquid crystal-compatible group 3 element nanoparticles and the uniform liquid crystal-compatible particle paste thereof by easily mass-producible processes. - 特許庁

基板１上に少なくとも１種の金属元素３を含有する化合物２を供給する第１ステップと、その金属元素３を基板１に導入するために基板１に対してエネルギー粒子４を照射する第２ステップとを交互に繰り返す薄膜形成方法により、上記課題を解決する。例文帳に追加

The method of forming the thin film, which alternately repeats a first step of supplying a compound 2 that contains at least one kind of a metal element 3 on the substrate 1, and a second step of irradiating energy particles 4 to the substrate in order to introduce the metal element 3 into the substrate 1. - 特許庁

第１の電極２と第２の電極６との間に、記憶層４及びイオン源層３が挟まれて構成され、イオン源層３に、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素と、Ｔｅ，Ｓ，Ｓｅから選ばれるいずれかの元素とが含まれ、さらに、ホウ素（又は、希土類元素及びシリコン）が含有されている記憶素子１０を構成する。例文帳に追加

In the storage element 10, a memory layer 4 and an ion source layer 3 are sandwiched between a first electrode 2 and a second electrode 6 wherein the ion source layer 3 contains an element selected from Cu, Ag and Zn, an element selected from Te, S and Se, and boron (or rare earth element and silicon). - 特許庁

半導体基板１の一方の表面上に絶縁膜３を介して多結晶シリコン層５を形成した後、不純物元素の拡散を調整する不純物元素を含まない第１の酸化膜６を形成し、次いで、不純物元素を含む第２の酸化膜７を形成したことを特徴とする多結晶シリコン抵抗５１の製造方法。例文帳に追加

After the polycrystalline silicon layer 5 is formed via an insulation film 3 on one surface of a semiconductor substrate 1, a first oxide film 6, which does not comprise an impurity element adjusting the diffusion of an impurity element, is formed and then a second oxide film 7 comprising an impurity element is formed. - 特許庁

周期律表第５族元素および第６族元素からなる群から選ばれる少なくとも一つの元素を構成要素として含有するシリケートの存在下に、式（１）で示されるエポキシ化合物と、式（２）で示される水またはアルコールとを反応させることを特徴とする式（３）で示されるアルコール類の製造方法。例文帳に追加

This method for producing the alcohols expressed by formula (3) is provided by reacting an epoxy compound expressed by formula (1) with water or alcohol expressed by formula (2) in the presence of a silicate containing at least one element selected from a group consisting of the elements of 5th and 6th groups of the Periodic Table, as a constituting element. - 特許庁

（式中、Ｒ^２はアリール基、Ｒ^３〜Ｒ^７、Ｒ^９〜Ｒ^１３は水素、ハロゲン原子、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環残基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。）例文帳に追加

In the formula (15), R^2 is an aryl group, each of R^3 to R^7 and R^9 to R^13 is any one of hydrogen, a halogen atom, an acyl group, an alkyl group, an alkoxyl group, an aryl group, a cyano group and a heterocyclic ring residue, and M is one of an element of Group 9 and an element of Group 10. - 特許庁

さらには、該二価金属が周期律表における第４〜５周期かつ３〜１２族の金属元素およびＭｇの群より選ばれる少なくとも１種以上の金属元素であることや、該リン化合物がフェニルホスホン酸誘導体であることが好ましい。例文帳に追加

The divalent metal is preferably at least one metal element selected from the group consisting of groups 3 to 12 metal elements in the 4 and 5 periods of the periodic table and Mg group, and the phosphorous compound is preferably a phenylphosphoric acid derivative. - 特許庁

コージェライト質焼結体からなる複数の部材を、接合部を介して一体化せしめてなる接合体において、前記接合部が周期律表第３族元素から選ばれた少なくとも１種の元素を含むことを特徴とし、特に接合部がコージェライトを含むことが好ましい。例文帳に追加

The joint body characterized in that it is integrated with a plurality of members of cordierite based sintered compacts via joint parts contains at least one element selected from group 3 elements of the periodic table, and especially it is preferably that the joint part contains cordierite. - 特許庁

完全に加水分解および縮合した固形分に基づいて計算して、30〜85重量％の少なくとも1つの多官能性有機シラン、および15〜70重量％のナノCeO_2を含む組成物であって、0.1重量％未満の周期表の第3主族の元素またはそれらの元素の化合物を含む組成物。例文帳に追加

This composition contains 30-85 wt.% at least one polyfunctional organic silane based on a completely hydrolyzed and condensed solid portion, 15-70 wt.% nano CeO_2 and <0.1 wt.% 3rd main group elements or their compounds in the Periodic table. - 特許庁

積層された第１および第２の金属膜３，４において、第２の金属膜４より第１の金属膜３へ不純物として拡散した被測定金属元素に関する、第１の金属膜３中での深さ方向濃度分布測定を行うための定量分析用試料の作製方法である。例文帳に追加

The method for preparing the sample for quantitative analysis is for measuring the distribution of concentration of the metallic element to be measured diffused as an impurity from the second metal film 4 to the first metal film 3 in a depth direction in the first metal film 3 in the first and second stacked metal films 3 and 4. - 特許庁

この高誘電率ゲート絶縁膜３は、半導体基板１から離隔しつつソース層６側の端からチャネル領域２上方まで区画された第１領域３ａとこの第１領域３ａ以外の第２領域３ｂとを有し、第１領域３ａ内の金属元素の原子濃度が、第２領域３ｂ内の金属元素の原子濃度よりも高い。例文帳に追加

The high dielectric constant gate insulating film 3 has a first region 3a sectioned from the source layer 6 side end to the upper part of the channel region 2 while spaced apart from the semiconductor substrate 1, and a second region 3b other than the first region 3a wherein the atomic density of metal element in the first region 3a is higher than that in the second region 3b. - 特許庁

第１の電極１と第２の電極４との間に記憶用薄膜３が挟まれて構成され、この記憶用薄膜３に少なくとも酸素と希土類元素とを有して成り、記憶用薄膜３内もしくは記憶用薄膜３と接している層２に、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素が含まれ、素子サイズが７０ｎｍ以下である記憶素子１０を構成する。例文帳に追加

A recording thin film 3 is formed between a first electrode 1 and a second electrode 4, and a memory element 10 contains any one from among elements Cu, Ag and Zn with its size as 70 nm or less, at a layer 2 containing at least oxygen and rare earth in the recording thin film 3 that is within or adjacent to the recording thin film 3. - 特許庁

元素周期律表第３族の第４または第５または第６周期の元素金属を含む化合物からなる群より選ばれた少なくとも１つの化合物である防錆剤と、スルホニウム基およびプロパルギル基を有する樹脂組成物とを含有することを特徴とするカチオン電着塗料組成物。例文帳に追加

The objective cationic electrodeposition paint is characterized by including a rust-preventive agent of at least one compound selected from the group consisting the compounds of metallic elements of the period 4 or the period 5 or the period 6 in the group 3 in the periodic table and a resin composition bearing sulfonium group and propargyl group. - 特許庁

光導電層１０２は、シリコンを主体とする非単結晶材料により構成され、周期律表第１３族元素を２．５×１０^１４［１／ｃｍ^３］以上４×１０^１５［１／ｃｍ^３］以下の原子濃度で含んでいる。例文帳に追加

The photoconductive layer 102 is formed of a non-monocrystalline material mainly composed of silicon, and contains an element of the thirteenth group of the periodic table in an atomic concentration ranging from 2.5×10^14 [l/cm^3] to 4×10^15 [l/cm^3]. - 特許庁

第１の電極１及び第２の電極４の間に記憶層５が挟まれて構成され、この記憶層５が酸化物層２とＣｕを含有するイオン化層３とを積層して成り、酸化物層２が希土類元素酸化物から成り、イオン化層３がＳ，Ｓｅ，Ｔｅから選ばれる１種以上の元素を含有する記憶素子１０を構成する。例文帳に追加

The storage element 10 is configured, such that a storage layer 5 is sandwiched between a first electrode 1 and a second electrode 4, the storage layer 5 comprises an oxide layer 2 and an ionized layer 3 containing Cu which are laminated, the oxide layer 2 consists of a rare earth element oxide, and the ionized layer 3 contains one or more kinds of elements selected from among S, Se and Te. - 特許庁

本発明は、希土類元素添加光ファイバ１を吸収波長帯域内の光を発振する第１および第２励起光源２、３で励起させ入力光を増幅する。例文帳に追加

A rare-earth element doped optical fiber 1 is stimulated with first and second light sources 2 and 3, which oscillate light within an absorptive wavelength band, so as to amplify an input light. - 特許庁

透明基板１、光吸収層２、第１誘電体層３、記録層４、第２誘電体層５、及び、反射層６を順次有する光記録媒体において、前記記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ及びＧｅを構成元素に含んでいる。例文帳に追加

In the optical recording medium, a transparent substrate 1, a photoabsorption layer 2, a first dielectric layer 3, a recording layer 4, a second dielectric layer 5 and a reflecting layer 6 are laminated to one another by the order named, the recording layer includes Ag, In, Sb, Te and Ge as constituent elements. - 特許庁

半導体層の製造方法は、金属元素と、カルコゲン元素含有有機化合物と、第１のルイス塩基性有機化合物と、前記第１のルイス塩基性有機化合物とは異なる構造の第２のルイス塩基性有機化合物と、を具備する半導体層形成用溶液を基板の表面に塗布して前駆体層を作製する工程と、前記前駆体層を熱処理して半導体層３を作製する工程と、を具備する。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor layer includes the processes of: fabricating a precursor layer by coating a surface of a substrate with a solution for semiconductor layer formation including a metal element, a chalcogen element-containing organic compound, a first Lewis-base organic compound, and a second Lewis-base organic compound having a different structure from the first Lewis-base organic compound; and fabricating the semiconductor layer 3 by heat-treating the precursor layer. - 特許庁

第１キャパシタ２は、磁気共鳴周波数が高いほうの元素に対応する第１共振周波数の信号送受信時にＲＦコイルが共振するための容量を有し、第２キャパシタ２の容量と第１インダクタ３の値とは、その積算値が第１共振周波数により定まる。例文帳に追加

The first capacitor 2 has capacitance to resonate the RF coil when the signal of the first resonance frequency is sent and received corresponding to elements with higher magnetic resonance frequency, and the integration values of the capacitance of the second capacitor 2 and the value of the first inductor 3 are determined by the first resonance frequency. - 特許庁

第１の電極２と第２の電極６との間に記憶層３が配置され、この記憶層３に接して、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素が含まれたイオン源層４が設けられ、記憶層３がＮｉＯ，ＣｏＯ，ＣｅＯ_２から選ばれる１種類以上の酸化物から成る記憶素子１０を構成する。例文帳に追加

The storage element 10 has a configuration wherein a storage layer 3 is arranged between a first electrode 2 and a second electrode 6, an ion source layer 4 containing any element selected from Cu, Ag, and Zn is provided in contact with the storage layer 3, and the storage layer 3 is formed of one or more kinds of oxides selected from NiO, CoO, and CeO_2. - 特許庁

正極および負極、物理架橋可能な重合体に非水電解液を膨潤させてなるゲル電解質を備えたリチウムイオン二次電池であって、前記非水電解液が周期律表第３族元素を含む化合物および／または第４族元素を含む化合物を含有することを特徴とするリチウムイオン二次電池。例文帳に追加

A lithium ion secondary battery includes a positive electrode, a negative electrode, and a gel electrolyte obtained by swelling a polymer capable of physical cross-linking with a nonaqueous electrolyte, and the nonaqueous electrolyte contains a compound containing a group 3 element in the periodic table and/or a compound containing a group 4 element. - 特許庁

このとき、有機層３と透明保護層４との間に、仕事関数の小さい金属層を含む導電層６’を形成することが好ましく、その導電層６’が、仕事関数の小さい金属層である第１導電層６ａと、元素周期律の１族又は２族に属する元素を少なくとも含む第２導電層６ｂとからなるように構成することが好ましい。例文帳に追加

At this time, it is preferable that a conductive layer 6' including a metal layer having a small work function is formed between the organic layer 3 and transparent protective layer 4, and it is preferable that the conductive layer 6' comprises a first conductive layer 6a as the metal layer having the small work function and a second conductive layer 6b at least containing an element that belongs to a group I or II of an element periodic law. - 特許庁

本発明に係る電圧非直線性抵抗素子１００は、対向する導電体層２、６ａ、６ｂと、これらの導電体層間に配され、第１のＮｉＯ層３、ＺｎＯ及びＩＩＩ族元素を含むＩＩＩ族元素含有ＺｎＯ層４、及び第２のＮｉＯ層５がこの順に積層されてなる積層構造２０とを有する。例文帳に追加

The voltage nonlinear resistor element 100 includes: opposite conductor layers 2, 6a and 6b; and a multilayer structure 20 provided among the conductor layers and comprising a first NiO layer 3, a group-III-element-containing ZnO layer 4 containing ZnO and a group III element, and a second NiO layer 5, which are laminated in the order named. - 特許庁

これまで、周期律表第３族元素を触媒とする共役ジエンの重合触媒の中で、未だ実施例の無かったイットリウム化合物からなる重合触媒系を用いた、ポリイソプレンの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of polyisoprene using a polymerization catalyst system comprised of an yttrium compound that has never been actually employed among polymerization catalysts for a conjugated diene comprised of a group 3 element in the periodic table. - 特許庁

周期律表第３族元素を触媒とする共役ジエンの重合触媒の中で、これまで実施例の無かったイットリウム化合物からなる重合触媒系を用いた、共役ジエン共重合体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a conjugated diene copolymer using a polymerization catalyst system comprised of an yttrium compound that has never been actually employed among polymerization catalysts for a conjugated diene comprised of a group 3 element in the periodic table. - 特許庁

半導体基板１上に第１の多結晶半導体膜３を形成し、その表面から膜厚の途中までの領域に不活性元素をイオン注入することにより、該領域をアモルファス半導体膜３Ａに変化させる。例文帳に追加

By forming a first polycrystalline semiconductor film 3 on a semiconductor substrate 1 and ion-implanting an inert element in a region to the middle of a film thickness from the surface, the region is changed into an amorphous semiconductor film 3A. - 特許庁