「電力 n」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The silicon photovoltaic device 10 having a metal oxide transparent electrode layer 2, a crystalline p-type semiconductor layer 3, a microcrystal photoelectric conversion layer 4 intrinsical substantially, a crystalline n-type semiconductor layer 5, and a rear surface electrode layer 6 contacting in order on a translucent substrate 1 is thermally treated in the atmosphere with oxygen partial pressure of ≤133 Pa.例文帳に追加

透光性基板１上に、金属酸化物透明電極層２、結晶質ｐ型半導体層３、実質的に真性な微結晶型光電変換層４、結晶質ｎ型半導体層５及び裏面電極層６が順に接するシリコン光起電力素子１０において、酸素分圧１３３Ｐａ以下の雰囲気中で熱処理されている。 - 特許庁

The noise measurement unit 7 averages the absolute values of the average value in the symbol in the variable nom, averages the average values in the symbol in the variable denom, determines the average values between the symbols, respectively, and then determines the noise power N by subtracting the average value between the symbols in the variable nom from the average value between the symbols in the variable denom.例文帳に追加

そして、雑音測定部７は、複数のシンボルにわたって、変数nomにおけるシンボル内平均値の絶対値を平均化すると共に、変数denomにおけるシンボル内平均値を平均化し、シンボル間平均値をそれぞれ求め、変数denomにおけるシンボル間平均値から変数nomにおけるシンボル間平均値を減算し、雑音電力Ｎを求める。 - 特許庁

The controller 7 contains control means 12-20 for selectively performing governor control for controlling the amount of fuel f* to be injected into the turbine 3 in response to the revolution (n) of the turbine 3 or load limit control for controlling the amount of fuel f* in response to the output (p), and a hunting detection means 11 for detecting frequency hunting in the system 2.例文帳に追加

制御装置（７）は、ガスタービン（３）のガスタービン回転数（ｎ）に応答してガスタービン（３）への燃料投入量（ｆ^＊）を制御するガバナ制御と、発電機出力（ｐ）に応答して燃料投入量（ｆ^＊）を制御するロードリミット制御とのいずれかを選択的に行う制御手段（１２〜２０）と、電力系統（２）の周波数ハンチングを検出するハンチング検出手段（１１）とを含む。 - 特許庁

Whether or not a soft decision likelihood value is to be corrected is decided based on the fluctuation quantity of a noise power component in a received signal or presence/absence of fluctuation of the S/N and based on the decided result, the soft decision likelihood value is corrected as needed, so that an error-correction capability is prevented from being lowered by the unwanted correction.例文帳に追加

受信信号の雑音電力成分の変動量、又はＳ／Ｎの変動の有無に基づいて軟判定尤度値の補正の必要性を判断し、その判断結果に基づいて軟判定尤度値の補正を必要に応じて行うことにより、不要な補正による誤り訂正能力の低下を防止することである。 - 特許庁

Using a side wall of the element, a mirror plane 7 with a flat bottom surface 1, or a funny mirror plane 8, the same post-incidence light which was incoming once is reflected regularly and irregularly many times to pass the light from P-type layer to I-type layer and from N-type layer to I-type layer.例文帳に追加

一度入射した入射後の光を高効率良く起電力への変換を行うために、光発電素子のＰＮ型層２，４、若しくは、ＰＩＮ型層半導体２，３，４に透明半導体を使用し、一度入射した光を素子の壁面、底面１の平らな鏡面７、若しくは、凹凸鏡面８で同じ光を何度も反射、乱反射させＰ型層からＩ型層、Ｎ型層からＩ型層へ光を横切らせる。 - 特許庁

At least one out of the lines between an AC power input terminal IN and an output terminal OUT to high voltage equipment is set to parallel branch lines (a) and (b), and an externally mounted device is composed by connecting the series connection body between diodes da and db and P-N junction elements ta and tb to both branch circuits, thus facilitating the utilization by a general user.例文帳に追加

交流電力入力端子ＩＮと電磁機器への出力端子ＯＵＴとの間のラインの少なくとも１本のラインを、並列分岐ラインａ、ｂとし、両分岐回路にダイオードｄａ、ｄｂとＰＮ接合素子ｔａ、ｔｂとの直列接続体を接続してなる外付け装置を構成して、一般ユーザー段階での利用を容易化した。 - 特許庁

A system performs nonuniform modulation-demodulation for arranging each signal points nonuniformly so that roughness and density occurs between signal points in a signal space face, and enables a large difference to be made in a bit error ratio of the each type in a multi-type accommodated binary signal for a modulation signal C/N (ratio of carrier to noise power) of a multivalued modulation section and a multivalued demodulation section.例文帳に追加

信号空間平面において信号点同士の間隔に粗密が生じるように不均等に各信号点を配置するように不均等変復調を行い、多値変調部及び多値復調部の変調信号のＣ／Ｎ（搬送波対雑音電力比）に対して、収容される複数系列の２値信号についての系列毎のビット誤り率に大きな差が開くようにする。 - 特許庁

On the other hand, when even a single one of all the PCs on the network is detected not to be in the sleep state (S11;N), the power saving function of the single PC transfers a standby command to all the printers on the network (S13) and repeats the process of detecting the performance of PCs (S11).例文帳に追加

一方、ネットワーク上の全てのＰＣ装置のうち１台でもスリープ状態でないと判断された場合（Ｓ１１；Ｎ）、該当するＰＣ装置の省電力機能は、スタンバイコマンドをネットワーク上の全てのプリンタ装置に転送し（Ｓ１３）、ＰＣ装置の動作状況を判断するＳ１１の処理を繰り返す。 - 特許庁

The heating blower includes a fan for blowing air and a motor M for driving the fan, a heating part H heating the air made to flow by the fan, a detecting part N detecting voltage or current with which the motor is energized, and a control part C performing duty control of the power supplied to the heating part according to the result of detection of the detecting part.例文帳に追加

送風用のファン及びファンの駆動用のモータＭと、ファンによって流れる空気を加熱する加熱部Ｈと、上記モータに通電される電圧または電流を検知する検出部Ｎと、上記加熱部に供給する電力を上記検出部の検出結果に応じてデューティ制御する制御部Ｃとを備える。 - 特許庁

The photovoltaic element 1 includes semiconductor each layer (2 to 4, 9 and 10), including an n-type single crystal silicon substrate 2, and a ZnO layer 7 formed on the semiconductor each layer (2 to 4, 9 and 10) and comprising an optically transparent material, and having, on an incidence side of light, a through-hole 7a that extends in the film thickness direction.例文帳に追加

この光起電力素子１では、ｎ型単結晶シリコン基板２を含む半導体各層（２〜４、９および１０）と、半導体各層（２〜４、９および１０）上に形成され、光が入射する側に、膜厚方向に延びる貫通孔７ａを有する透光性材料からなるＺｎＯ層７とを備えている。 - 特許庁

In a low power consumption mode, a second step-down power supply circuit 20 outputs the internal power supply voltage VDDP to the control system circuit 5 and in a standby mode, the internal power supply voltage VDDP stepped down by an N channel MOS transistor of a third step-down power supply circuit 21 is outputted to the control system circuit 5.例文帳に追加

低消費電力モードでは、第２降圧電源回路２０によって内部電源電圧ＶＤＤＰが制御系回路５に出力され、スタンバイモードにおいては、第３降圧電源回路２１のＮチャネルＭＯＳトランジスタによって降圧された内部電源電圧ＶＤＤＰが制御系回路５に出力される。 - 特許庁

Voltage detection means 3a, 3b detect the terminal voltage across a load 7 driven by a power converter 1, and a voltage phase operating means 10 acquires the detected voltage value at a given sampling cycle for estimating the phase θ_n+1 of the terminal voltage across the load 7 at the next phase control command timing.例文帳に追加

電力変換器１によって駆動される負荷７に対する端子電圧を電圧検出手段３ａ，３ｂで検出し、電圧位相演算手段１０でこの電圧検出値を所定のサンプリング周期で取り込んで次回の位相制御指令時刻における負荷７の端子電圧の位相θ_ｎ＋１を推定する。 - 特許庁

A power semiconductor element is provided with first and second conductivity type semiconductor regions 1 and 3 provided in a substrate, where part of a P-N junction 2 formed between the regions 1 and 3 is sharpened and the radius of curvature of these sharpened parts is 0.5 μm or smaller.例文帳に追加

基板に設けられた第１導電型半導体領域１と、第２導電型半導体領域３とを備え、第１導電型半導体領域１と第２導電型半導体領域３との間に形成されるＰＮ接合２の一部が先鋭化されており、この先鋭化された部分の曲率半径が０．５μｍ以下である電力用素子を提供する。 - 特許庁

When the middle point to a detection signal of the steering torque TRQ, electric power for actuating the EPS control device 10 is supplied from the operation reference point setting device 14 only to the EPS control device 10 through the connector 13, and a neutral point trigger signal N_SCS for instructing execution of middle point setting operation is sent.例文帳に追加

操舵トルクＴＲＱの検出信号に対する中点を設定する際に、コネクタ１３を介して動作基準点設定装置１４からＥＰＳ制御装置１０のみにＥＰＳ制御装置１０を作動させるための電力を供給すると共に、中点の設定動作の実行を指示する中立点トリガ信号Ｎ＿ＳＣＳを送出するように設定した。 - 特許庁

Inter-subcarrier interference noise power caused by a reference leak of the local oscillator is suppressed so as to reduce the deterioration amount of the C/N of an output signal by matching a comparison frequency of the local oscillator connected to a mixer with an integer multiple of a subcarrier of the orthogonal frequency division multiplex signal subjected to the frequency conversion.例文帳に追加

周波数変換する直交周波数分割多重信号のサブキャリア間隔の整数倍に、混合器に接続する局部発振器の比較周波数を合致させることで、局部発振器のリファレンスリークに起因するサブキャリア間干渉雑音電力を抑圧し、出力信号のＣ／Ｎ劣化量を低減する。 - 特許庁

To reduce power consumption for deciding a logic level of a data bus supplied with the memory cell read-out data in a synchronous DRAM output circuit and to generate an output of a nearly source voltage level by latching the memory cell read-out data, generating a boosted voltage based on the latched data and driving an n-channel field effect transistor.例文帳に追加

シンクロナスＤＲＡＭの出力回路において、メモリセル読み出しデータが供給されるデータバスの論理レベルを確定するための消費電力を低減するとともに、メモリセル読み出しデータをラッチし、ラッチしたデータに基づいて昇圧された電圧を発生させてｎチャネル電界効果トランジスタを駆動することでほぼ電源電圧レベルの出力を発生できるようにする。 - 特許庁

In a photovoltaic device provided with a substantially intrinsic amorphous silicon layer containing hydrogen between an n-type single crystal silicon substrate and a p-type amorphous silicon layer containing hydrogen, a trap layer is formed between the p-type amorphous silicon layer and the intrinsic amorphous silicon layer, wherein the hydrogen concentration of the trap layer is lower than that of the intrinsic amorphous silicon layer.例文帳に追加

この発明は、ｎ型単結晶シリコン基板と水素を含有するｐ型非晶質シリコン層との間に、水素を含有する実質的に真性な非晶質シリコン層を設けた光起電力装置において、前記ｐ型非晶質シリコン層と前記真性な非晶質シリコン層との間に、前記真性な非晶質シリコン層の水素濃度より水素濃度が低いトラップ層を設ける。 - 特許庁

To solve the problem, wherein when a monitoring result of a monitoring unit Ui for monitoring each state of blocks Bi (i=1 to n) constituting a battery pack 10 is outputted to a microcomputer 16 via a photocoupler 26 by a monitoring unit Un, the capacity dispersion between the blocks becomes large, resulting from power consumption on the primary side of the photocoupler 26.例文帳に追加

組電池１０を構成するブロックＢｉ（ｉ＝１〜ｎ）のそれぞれの状態を監視する監視ユニットＵｉの監視結果を、監視ユニットＵｎによりフォトカプラ２６を介してマイコン１６に出力するに際し、フォトカプラ２６の１次側での電力消費に起因してブロック間の容量のばらつきが大きくなること。 - 特許庁

It is preferable to connect a switching means 16 for switching, by at least one control signal between a light receiving state such that a photoelectromotive force is generated in a direction in which the P-N junction is biased when light is received and a light emitting state that a forward voltage is applied to the light emitting diode 14 to emit light.例文帳に追加

そして、少なくとも一つの制御信号によって、光を受光した場合にＰＮ接合をバイアスする向きに光起電力を生じさせる受光状態と、発光ダイオード１４に対して順方向電圧を加え発光させる発光状態とに切り替える切り替え手段１６を接続するのが好ましい。 - 特許庁

This unit input voltage detecting method takes the procedure of calculating the input voltage in each group from the detected information of a voltage detecting circuit 106 which is provided on the side of primary winding 120 of a three-phase transformer 102 so as to detect and convert the secondary voltage applied to the three-phase input terminals of three-phase/single-phase power converters out of 3×n pieces of units.例文帳に追加

三相トランス１０２の１次巻線１２０側に３×ｎ個のユニット内の三相／単相電力変換器の三相入力端子に印加される２次電圧を変換・検出する電圧検出回路１０６を設け、その検出情報から各グループの入力電圧情報を演算するという手順をとるものである。 - 特許庁

This electrical system of a rice transplanter is characterized by disposing an AC-operated seedling exhaustion warning system N and an AC-operated head lamp 86 as electric loads to be operated with electric power generated with a power generator 101 rotated and driven with an engine 23 and further disposing a resistance 113 for validating a voltage range of a warning buzzer 114 of the electric load to the power generator 101.例文帳に追加

田植機の電装システムにおいて、エンジン２３で回転駆動される発電機１０１によって発電された電力で作動する電気負荷として、共に交流電源で作動する苗切れ警報装置Ｎと前照灯８６とを設け、電気負荷である警報ブザー１１４の発電機１０１に対する電圧範囲を有効とするための抵抗１１３を設ける。 - 特許庁

The material for which the P-type or N-type impurity semiconductor layer of thickness 2 nm-40 μm composed of poly crystalline silicon containing the dopant of boron or phosphorus or the like, and the true semiconductor layer of the thickness 2 nm-40 μm composed of the polycrystalline silicon, are laminated on a base material in the order, is used as this substrate for the photovoltaic element.例文帳に追加

硼素やりん等のドーパントを含む多結晶シリコンからなる厚さ２ｎｍ〜４０μｍのＰ型又はＮ型の不純物半導体層、及び多結晶シリコンからなる厚さ２ｎｍ〜４０μｍの真性半導体層が基材上にこの順番で積層されたものを光起電力素子用基板として用いる。 - 特許庁

A thermo-module 10 is constituted by joining a plurality of pairs of P type thermoelectric semiconductor elements 13a and N type thermoelectric semiconductor elements 13b between a ceramic substrate 11 on the heat dissipation side and a ceramic substrate 12 on the cooling side, and joining a lead wire 15 or a post 16 for power supply to a lead wire mounting land part 112a-1 of the ceramic substrate 11.例文帳に追加

サーモモジュール１０は、放熱側のセラミック基板１１と冷却側のセラミック基板１２との間にＰ型熱電半導体素子１３ａとＮ型熱電半導体素子１３ｂを複数対接合し、セラミック基板１１のリード線取付ランド部１１２ａ−１に電力供給用のリード線１５またはポスト１６を接合して成る。 - 特許庁