「電力 n」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

This photovoltaic device includes a photoelectric conversion layer made of an n-type single crystal silicon substrate 1 in which the light is incident from a surface side, a transparent conductive film 4 made of an ITO film formed on the photoelectric conversion layer, and a collector electrode 5 formed on a predetermined region on the transparent conductive film 4.例文帳に追加

この光起電力装置は、表面側から光が入射されるｎ型単結晶シリコン基板１からなる光電変換層と、光電変換層上に形成されたＩＴＯ膜からなる透明導電膜４と、透明導電膜４上の所定領域に形成された集電極５とを備えている。 - 特許庁

The transmitter power is determined as a function of N(t)/M(t), such that the change in the data rate in the multiple channels or the rate of the transmission data signal is compensated, in advance of the quality of data based adjustment, associated with such a data rate change.例文帳に追加

送信電力をＮ（ｔ）／Ｍ（ｔ）の関数として算定し、複数チャンネルにおけるデータ速度変動または送信データ信号のデータ速度の変動がその種のデータ速度変動に伴うデータ品質ベースの調整よりも前に補償されるようにする。 - 特許庁

Since a period where the first P type MOS transistor and the first N type MOS transistor are turned on simultaneously can be shortened, a converted signal can be transited from a high level to a low level at a high rate and power consumption can be reduced by reducing a through current.例文帳に追加

従って、第１のＰ型ＭＯＳトランジスタと第１のＮ型ＭＯＳトランジスタが同時にオンしている期間を短縮することができるので、変換後の信号がハイレベルからローレベルに遷移するのを高速化することができると共に、貫通電流を削減して低消費電力化を図ることができる。 - 特許庁

Therefore, power is supplied to the drive circuit 3 at the high electrical potential side, without the transistor Tr2 at the low electrical potential side switched on for preventing malfunction of the driving circuit 3, thus it is possible to prevent short circuiting between the bus-bar P and the bus-bar N of the transistors Tr1 and Tr2.例文帳に追加

これにより、低電位側のトランジスタＴｒ２をＯＮにすることなく高電位側の駆動回路３に電力が供給されて該駆動回路３の誤動作を防止でき、これらトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２で母線Ｐ−母線Ｎ間が短絡するのを防止できる。 - 特許庁

In the input and output circuit, the high level of the logical signal to be outputted by the voltage limiting n channel type transistor 19 is reduced to the voltage of a second power source VDD2 so that a small amplitude operation can be attained while the power consumption of the second power source VDD2 can be reduced.例文帳に追加

入出力回路は、電圧制限ｎチャネル型トランジスタ１９が出力する論理信号のハイレベルを第２の電源ＶＤＤ２の電圧に抑えるので、第２の電源ＶＤＤ２の消費電力が少ない小振幅動作が行える。 - 特許庁

In order to solve the problem, the distortion compensating device 91 changes the signal power in a distortion compensation table from an operating point (0) to an operating point (N), and increases and successively decreases the distortion compensation amount at the operating point, thereby correcting the distortion compensation amount.例文帳に追加

上記目的を達成するために、歪補償装置９１は、歪補償テーブルにおける信号電力を操作点（０）から操作点（Ｎ）として、当該操作点での歪補償量を順に増減させることで歪補償量を修正することを特徴とする。 - 特許庁

When the estimated temperature of the electric wire is lower than a predetermined upper limit temperature, calculation of the temperature rise ΔTw(n) is repeated; and when the estimated temperature of the electric wire exceeds the predetermined upper limit temperature, power supplying fom a power supply to the load is stopped, and the electric wire is protected.例文帳に追加

推定電線温度が所定の上限温度未満の場合は、上昇温度ΔＴｗ（ｎ）の算出が繰り返され、推定電線温度が所定の上限温度以上となった場合、電源から負荷への電力の供給を停止され、電線が保護される。 - 特許庁

In the case of the power saving standby mode, the CPU is activated by an interruption (S4), the CPU counts the detection of the call signal, waits until the count value becomes a value resulting from subtracting '1' from the preset value N (S6 and S7), when the count value becomes that value, a response is performed and that signal is received (S8).例文帳に追加

低消費電力スタンバイモードの場合は、割り込みでＣＰＵが起動され（Ｓ４）、ＣＰＵは呼出信号の検出を計数し、計数値が予め設定された設定値Ｎから１減算した値になるのを待ち（Ｓ６，７）、なったら応答し受信する（Ｓ８）。 - 特許庁

The electric power from the main generators GEN1 and GEN2, auxiliary power unit APU, dispersive generators FC1, FC2, FC3, FC4, batteries BAT1 and BAT 2, and emergency power supply FC5 is distributed to respective electric loads by a dispersive power distribution network N including the main power line 2 and a plurality of distribution devices 3a, 3b, 3c.例文帳に追加

メイン発電機GEN1，GEN2、補助動力装置APU、分散発電機FC1，FC2，FC3，FC4、バッテリBAT1，BAT2及び緊急時電源FC5からの電力は、主幹電線２及び複数の配電装置３ａ，３ｂ，３ｃを含む分散配電ネットワークＮによって、各電気負荷に配電される。 - 特許庁

A primary side wound wire of a transformer is connected to a LAN side terminal 21A of a communication control portion 21, and terminals P1, P2 on both ends of a secondary side wound wire and an intermediate tap are connected to voltage-side wires L1, L2 of the respective single phase three wire power line and grounding-side wire N through capacitors.例文帳に追加

通信制御部２１のＬＡＮ側端子２１Ａにトランスの一次側捲線を接続し、二次側捲線の両端の端子Ｐ１，Ｐ２および中間タップＰ３を、それぞれ単相３線電力線の電圧側電線Ｌ１，Ｌ２および接地側電線Ｎにそれぞれコンデンサを介して接続する。 - 特許庁

In the reflection type liquid crystal display device having a plurality of data line pairs consisting of two pieces of wiring each, scanning lines, and pixels, a pair of complementary inverters consisting of P-channel type thin film transistors and N-channel type thin film transistors is arranged for the pixels, to make the device to be of low power consumption.例文帳に追加

２本の配線でなるデータ線対と、走査線と、画素をそれぞれ複数有する反射型液晶表示装置において、画素には、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタとＮチャネル型の薄膜トランジスタとでなる相補型インバータを１対設け、低消費電力とする。 - 特許庁

This driving circuit of a semiconductor switch element 22 constituted of (n) channel MOSFET 22a and 22b whose gate terminals and whose source terminals are commonly connected to each other is provided with a light emitting element 11, and photoelectric element 21 optically coupled with the light emitting element 11 for generating a photovoltaic power.例文帳に追加

ゲート端子同士およびソース端子同士がそれぞれ共通接続されたｎチャネルＭＯＳＦＥＴ２２ａ，２２ｂからなる半導体スイッチ素子２２の駆動回路であって、発光素子１１と、発光素子１１に光結合され光起電力を発生する光電素子２１とを備える。 - 特許庁

When N-channel TRs are adopted for the load TRs, an output control circuit 62 applies a gate bias voltage in the moving picture image pickup mode lower than that in a still picture image pickup mode to the load TRs so as to reduce the current of the source follower circuit thereby reducing the power consumption of the output amplifier 46.例文帳に追加

そこで、負荷トランジスタがＮチャネルである場合には、出力制御回路６２は動画撮像モードにおいて静止画撮像モードよりも低いゲートバイアス電圧を供給して、ソースフォロワ回路の電流を低減し、出力アンプ４６の消費電力を低減する。 - 特許庁

To provide a delta-sigma modulator and its control method in which electric power consumption is restrained, and further an S/N is improved by simultaneously realizing two technologies of zero point shift and double sampling.例文帳に追加

ゼロ点シフト技術とダブルサンプリング技術の２つを同時に実現することにより、消費電力を抑制し、さらに信号対雑音比を改善することができるデルタシグマ変調器の制御方法およびデルタシグマ変調器を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition method where power by the fed high frequency power can be sufficiently consumed at a plasma side, thus a dense silicon nitride film having reduced N-H bonds and having high gas barrier properties can be formed, and to provide a gas barrier film.例文帳に追加

供給した高周波電力によるパワーを十分にプラズマ側で消費することができ、これによりＮ−Ｈ結合が少なく、緻密でガスバリア性の高い窒化珪素膜を成膜する成膜方法およびガスバリアフィルムを提供する。 - 特許庁

A detection beam selecting part 43 notifies the beam power detecting part 41 in the second and succeeding beam switching unit time periods, of beam numbers of m pieces of the beams adjacent to the selected beam and the beam numbers of n pieces of the beams among the beams other than the m pieces.例文帳に追加

検出ビーム選択部４３は２番目以降のビーム切替え単位時間以降に、選択されたビームに隣接するｍ個のビームのビーム番号及びそのｍ個以外のビームのうちのｎ個のビームのビーム番号をビーム電力検出部４１に通知する。 - 特許庁

To maintain a high S/N and high power efficiency white flexibly adapting to various multiplexities in a spread signal multiplexing circuit for frequency-multiplexing a plurality of spread signals generated on the basis of an SSMA system.例文帳に追加

本発明は、ＳＳＭＡ方式に基づいて並行して生成された複数の拡散信号を周波数多重化する拡散信号多重化回路に関し、多様な多重度に柔軟に適応し、かつＳＮ比および電力効率が高く維持されることを目的とする。 - 特許庁

Further, in the photovoltaic element, a conductive paste having a spread conductive matter in a resin is coated on the semiconductor layers (3, 4) laminated by sequentially coating an n-type semiconductor coating agent and a p type semiconductor coating agent, resulting in formation of a back face electrode layer 5 opposing to the transparent electrode 2.例文帳に追加

また、この光起電力素子は、ｎ型半導体塗布液およびｐ型半導体塗布液を順次塗布して積層した半導体層（３，４）の上に、樹脂中に導電性物質を分散させた導電性ペーストを塗布することにより、透明電極２に対向する背面電極層５を形成する。 - 特許庁

To provide a two-wire transmitter that increases the S/N ratio of physical quantity detection signals to increase accuracy of measuring physical quantities by increasing electric power supplied to a physical quantity detection unit including sensors, so as not to interfere with the operation of the two-wire transmitter.例文帳に追加

２線式伝送器に関し、２線式伝送器の動作に支障を生じない範囲で、センサを含む物理量検出部へ供給する電力を増加することにより、物理量検出信号のＳ／Ｎ比を大きくして、物理量の測定精度を向上する２線式伝送器を提供すること。 - 特許庁

When the change amount of the reception level is smaller than a threshold when the change amount of the C/N is larger than the threshold, a line status is estimated to be in a disturbance state such as erosion, and a reception level detection result is selected to compensate transmission power.例文帳に追加

Ｃ／Ｎの変化量がしきい値より大きい場合において、受信レベルの変化量がしきい値より小さいとき、回線状況は蝕等の外乱状態であると推定し、受信レベル検出結果を選択して送信電力補正を行う。 - 特許庁

Thus, no difference is generated by the rate in the sum of receiving powers of C and N inputted to an A/D converter 9 and the sufficient number of quantized bits in respect to a carrier component is prevented from being not secured in the saturating operation or digital demodulating processing of the A/D converter.例文帳に追加

これにより、Ａ／Ｄ変換器９に入力されるＣとＮとの受信電力の和がレートによって差が生じなくなり、Ａ／Ｄ変換器が飽和動作し、またディジタル復調処理する際にキャリア成分に対する量子化ビット数が十分確保できなくなったりすることが防止される。 - 特許庁

To obtain a stable intermediate potential by reducing the power consumption of a circuit for producing intermediate potential for producing intermediate-potential the capacitive load of a signal line by charging and discharging electricity by a p-channel transistor and an n-channel transistor.例文帳に追加

ｐチャンネル・トランジスタとｎチャンネル・トランジスタとにより、信号線の容量性負荷を充電・放電するようにして中間電位化する中間電位化回路の消費電力を削減して、安定した中間電位がえられるようにする。 - 特許庁

When either of the copy start key of the display of a selection key to which the function of the copy start key is set, is depressed to instruct the copy operation (N of step S5), the usual standby is maintained (step S1) and the shift to the power saving mode (step S8) is not performed.例文帳に追加

コピー動作を指令するために、ディスプレイのコピースタートキーまたはこのコピースタートキーの機能を設定された選択キーのいずれかを押下したときは（ステップＳ５のＮ）、通常の待機状態を維持して（ステップＳ１）、省電力モードへの移行（ステップＳ８）を行わない。 - 特許庁

Since an electric potential of the N- epi-layer 2 of the ineffective region can be made equal to that of the P+ diffusion layer 3, even when electrons are injected into the element formation region by the back electromotive force of the load of the inductance L, supplying of the electrons from the P+ diffusion layer 3 to the ineffective region is restrained.例文帳に追加

無効領域のＮ−エピ層２とＰ＋拡散層３を同電位にすることができるため、インダクタンスＬの負荷の逆起電力により素子形成領域に電子が注入された場合であっても、Ｐ＋拡散層３から無効領域への電子の供給を抑止できる。 - 特許庁

In a wireless communication system 100, pass bandwidths of band pass filters 310, 350 of a wireless transmitting apparatus and a wireless receiving apparatus are switched while maintaining transmission power in accordance with communication quality of a transmission signal from the wireless transmitting apparatus, and an S/N is adjusted.例文帳に追加

本発明の無線通信システム１００は、無線送信装置からの送信信号の通信品質に応じて、送信電力を維持しつつ無線送信装置および無線受信装置の帯域通過フィルタ３１０、３５０の通過帯域幅を切り換え、信号対雑音比を調整する。 - 特許庁

To make an output signal processor, which removes noise components from the output signal of a solid-state image pickup element and outputs a signal component with good S/N, small in space and low in power consumption suitably to, specially, small-sized equipment.例文帳に追加

固体撮像素子の出力信号から雑音成分を除去してＳ／Ｎ比の良い信号成分を出力する出力信号処理装置に関し、とくに小型機器に適した省スペース化および低消費電力化を図ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a display device that comprises a scanning line drive circuit including either an N-channel transistor or P-channel transistor, in which the power consumption is reduced when an inversion signal or an approximately inverted signal of one of two types of scanning lines is output to the other.例文帳に追加

Ｎチャネル型トランジスタ及びＰチャネル型トランジスタのいずれか一方によって構成される走査線駆動回路を有する表示装置において、２種の走査線の一方に対して他方の反転信号又は略反転信号を出力する場合における消費電力を低減する。 - 特許庁

In the photovoltaic device having pin junction using a-SiGe: H where an unbonding hand is terminated by hydrogen for (i) layer, the amount of hydrogen in a film decreases from a P-layer side to an n-layer side in the (i) layer, and at the same time the amount of Ge decreases in linkage.例文帳に追加

この発明は、未結合手を水素により終端したａ−ＳｉＧｅ：Ｈをｉ層に用いたｐｉｎ接合を備えた光起電力装置において、ｉ層でｐ層側からｎ層側へ向かって膜中の水素量が減少するとともにＧｅ量が連動して減少する。 - 特許庁

In a photovoltaic device with an i-type microcrystal silicon semiconductor film present as a power generating layer 6 between an n-type semiconductor layer 5 and a p-type semiconductor layer 8, the power generating layer 6 contains carbon of concentration of ≥7×10^19atom/cc and ≤1.7×10^20atom/cc.例文帳に追加

この発明は、ｎ型半導体層５とｐ型半導体層８の間にｉ型微結晶シリコン半導体膜が発電層６として存在する光起電力装置において、前記発電層中６に７×１０^19ａｔｏｍ／ｃｃ以上１．７×１０^20ａｔｏｍ／ｃｃ以下の濃度の炭素を含有させる。 - 特許庁

Under control of the charge controller 6, a charging current A corresponding to the waveform portion 27a after some phase 28 in the positive voltage waveform 27 of the generation power V is supplied to the battery 4, and the phase 28 is delayed as the rotational speed N of the internal combustion engine 2 decreases.例文帳に追加

充電制御装置６による制御により、発電電力Ｖの正の電圧波形２７におけるある位相２８の後の波形部分２７ａに相当する充電電流Ａをバッテリ４に供給するようにし、内燃機関２の回転速度Ｎが減少するに従い、位相２８を遅くさせるようにする。 - 特許庁

This method for manufacturing a photovoltaic device comprises the steps of forming a substantially true i-type amorphous silicon layer 2a on the surface of an n-type single crystal silicon substrate 1, and thereafter introducing hydrogen into the substantially true i-type amorphous silicon layer 2a.例文帳に追加

この光起電力装置の製造方法は、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面上に実質的に真性なｉ型非晶質シリコン層２ａを形成する工程と、この後、前記実質的に真性なｉ型非晶質シリコン層２ａに水素を導入する工程とを備えている。 - 特許庁

Power assigned to a tone equivalent to part of a higher noise at a receiver side, as shown in solid lines (a) in Figure 4, is assigned to a tone equivalent to part of a smaller noise at the receiver side so as to enhance the S/N ratio at the part of the small noise shown in solid lines (b).例文帳に追加

図４における（ａ）の実線に示されるように受信側でノイズの大きい部分に相当するトーンに割り当てていた電力を受信側でノイズの小さい部分に相当するトーンに割り当てて、（ｂ）の実線に示されるようにノイズの小さい部分のＳ／Ｎ比を改善する。 - 特許庁

To position a 1/2 pulsation DC armature 2 capable of giving such effectiveness as not to increase the torque for turning between a pole of the armature 2 and a portion of poles N, S 1 and to suppress arcs generated on a rectifier 3 for increasing electric energy.例文帳に追加

電機子２の極とＮ、Ｓ極１部位との間で回すためのトルクが大きくならない効力を与えることが出来る１／２脈動直流用電機子２の位置決め、電力量を増やす、整流子３の上に発生するアークを抑制する事。 - 特許庁

A photovoltaic element 20 is composed by successively laminating an insulating board 21, a transparent electrode 22, an n-type semiconductor layer 23, a first p-type semiconductor layer 24, a second p-type semiconductor layer 25 (second p-type semiconductor layer), and a back electrode layer 26.例文帳に追加

光起電力素子２０は、絶縁性基板２１と、透明電極２２と、ｎ型半導体層２３と、第１のｐ型半導体層２４と、第２のｐ型半導体層２５（第２ｐ型半導体層）と、背面電極層２６とが順に積層されて構成されている。 - 特許庁

In a middle portion of a power line 3 connecting a positive-side terminal (+) of a battery 4 and the communication line 3, a capacitor 9 is connected with a ground at a position where a line length from a connecting point 6 becomes (n×λ/2+λ/4) for a wavelength λ of a high frequency signal, thereby providing a structure equivalent with a short stub.例文帳に追加

バッテリ４の正側端子（＋）と通信線３との間を接続する電力線３の途中部位において、接続点６から線路長が高周波信号の波長λについて（ｎ×λ／２＋λ／４）となる位置でグランドとの間にコンデンサ９を接続することで、ショートスタブと等価な構造をなす。 - 特許庁

The photovoltaic element is achieved by forming an n-type semiconductor layer 3 composed of a material containing basic dyes with an electron receptive inorganic compound as a main component, between two electrodes (2, 5) of which at least one has translucency; and a p-type semiconductor layer 4 composed of a material containing an electron receptive compound with an electron donor organic compound as a main component.例文帳に追加

少なくとも一方が透光性を有する２つの電極（２，５）の間に、電子受容性無機物を主成分とし、塩基性染料を含有する材料から構成されたｎ型半導体層３と、電子供与性有機物を主成分とし、電子受容性化合物を含有する材料から構成されたｐ型半導体層４とからなるヘテロ接合半導体膜を形成し、光起電力素子とする。 - 特許庁

A weight calculator 40 inputs the impulse response of a transmission path converted into a frequency region by FFTs 12-1-1 to 12-M-N, a chip noise power estimated by a chip noise estimator 16 and the correction coefficient β_m calculated by the correction coefficient calculator 41, and calculates the weight of a filter by an MMSE.例文帳に追加

ウエイト計算部４０は、ＦＦＴ部１２−１−１〜１２−Ｍ−Ｎで周波数領域に変換した伝送路のインパルス応答、チップ雑音推定部１６で推定したチップ雑音電力および補正係数計算部４１で計算した補正係数β_mを入力し、ＭＭＳＥにより、フィルタのウエイトを計算する。 - 特許庁

To provide a means which has a small number of components, is easily assembled and manufactured and can obtain a satisfactory S/N ratio by suppressing the influence of radiation noise from a switching regulator in a radio receiver provided with the switching regulator for providing a power feeding means with stabilization voltage.例文帳に追加

電力供給手段に安定化電圧を得るためのスイッチング・レギュレータが備えられてなるラジオ受信装置において、部品点数が少なく且つ組立・製造が簡便であって、受信手段がスイッチング・レギュレータから輻射ノイズ影響を抑えて良好なＳ／Ｎ比を得ことを目的とする。 - 特許庁

A tap (a) is drawn near from the maximum utilizing power level of a primary side winding wire N, while performing impedance matching with a load circuit as well and connected via an additional capacitor C' for DC cutoff to the winding start or end of a secondary side winding wire N3 of an antenna-tuning transformer T1 or a tap drawn to the winding wire N3.例文帳に追加

タップａは、１次側巻線Ｎの最大利用電力レベル箇所付近から負荷回路とのインピーダンス整合も併せて行いながら引き出し、直流遮断用の付加容量素子Ｃ′を介してアンテナ同調トランスＴ１の２次側巻線Ｎ３の巻き始め、または巻き終り、あるいは巻線Ｎ３に引き出したタップに接続する。 - 特許庁

In a P-type semiconductor 4 and an N-type semiconductor 5 mutually connected by a first electrode 1, a second and a third electrodes 3, 4 are provided in the opposite side of the first electrode 1 in the respective semiconductors, wherein the temperature change at the first electrode part is detected by a thermoelectromotive force generated by a time difference of temperature conductance to the second and the third electrode parts.例文帳に追加

第１の電極１で互いに接続されたＰ型半導体４、Ｎ型半導体５と各半導体において第１の電極と反対側に第２、第３の電極３、４を有し、第一の電極部での温度変化を第２、第３の電極部への温度伝達の時間差により生じる熱起電力により検知する。 - 特許庁

In the circuit for detecting a failed thyristor 2u in a power converter where an unit arm is constituted by connecting a plurality of series circuits of m pieces of thyristors 2u in parallel, a failure of the thyristor 2u is detected based on the potential difference of the n-th semiconductor switching element from the anode side of the first series-connected thyristor 2u constituting the same arm.例文帳に追加

ｍ個のサイリスタ２ｕを直列接続した回路を複数個並列に接続して単位アームを構成した電力変換装置における故障したサイリスタ２ｕを検出する素子故障検出回路において、同一アームを構成する第１番目の直列接続されたサイリスタ２ｕのアノード側から第ｎ番目の半導体スイッチング素子の電位差に基づき当該サイリスタ２ｕが故障であることを検出する。 - 特許庁

The plurality of radio-light conversion nodes 13 (n) respectively include a photoelectronic transducer 131 which converts a part of steady light to power, a wireless receiver circuit 132 which receives the detection data from the sensor by radio, and a light modulator 133 which modulates other part of the steady light to generate a signal light in which the detection data is embedded.例文帳に追加

複数の無線・光変換ノード１３（ｎ）は、それぞれ、定常光の一部を電力に変換する光電変換器１３１と、センサノードからの検出データを無線受信する無線受信回路１３２と、定常光の他の一部に変調を加え検出データが埋め込まれた信号光を生成する光変調器１３３とを備える。 - 特許庁

Delivering and receiving power between power elements 41a, 41b and a neutral point N side of the respective power units 40a, 40b can be controlled by time ratio of the closing conditions of switches 42, 43, according to the magnitude relation between the voltage of the power elements 41a, 41b and the voltage across the power supply units 40a, 40b.例文帳に追加

各電源ユニット４０ａ，４０ｂの電源要素４１ａ，４１ｂと中性点Ｎ側との電力の授受は、電源要素４１ａ，４１ｂの電圧と電源ユニット４０ａ，４０ｂの両端間電圧との大小関係に応じて、開閉スイッチ４２，４３の閉状態の時間比率により制御することができる。 - 特許庁

To provide a radar system for detecting a vehicle in blind corner, the radar system having high average transmission wave power and capable of improving S/N ratio of a weak signal of diffraction wave, capable of detecting an object such as vehicle entering from a dead angle into an intersection having no signal, and accordingly reducing accidents such as head-on crash.例文帳に追加

送信波の平均電力が高く、回折波の微弱な信号のＳ／Ｎ比を改善することができ、信号機のない交差点で死角から進入する見通し外の車両等目標物を高精度に検知することができ、出会いがしらの衝突といった事故を減少させることができる死角車両検出レーダーシステムを得る。 - 特許庁

This photovoltaic power apparatus includes a photoelectric conversion layer made of an n-type single crystal silicon substrate 1 in which light is incident from the surface side, and the transparent conductive film 4 formed on the surface of the photoelectric conversion layer including an indium oxide layer having the surface orientation (222) and including two peaks of the surface (222) of the indium oxide layer.例文帳に追加

この光起電力装置は、表面側から光が入射されるｎ型単結晶シリコン基板１からなる光電変換層と、光電変換層の表面上に形成され、（２２２）面の配向を有する酸化インジウム層を含むとともに、酸化インジウム層における（２２２）のピークが、２つのピークを含む透明導電膜４とを備えている。 - 特許庁