「-ta」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To etch a slug after blowing a Cu fuse (30) containing a barrier metal liner (18) such as Tax, Ny, Ta, Ti, and TixNy by a laser.例文帳に追加

バリヤー金属ライナー(18)（例えば、Ｔａ_xＮ_y、Ｔａ、Ｔｉ、Ｔｉ_xＮ_y）を含むＣｕヒューズ(30)をレーザーでとばした後のスラグのエッチング。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING METAL POWDER OR METAL HYDRIDE POWDER OF ELEMENTS Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta AND Cr例文帳に追加

元素Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒの金属粉末もしくは金属水素化物粉末の製造方法 - 特許庁

Each insertion layer includes at least one of Cr, Ta, Ti, W, Ru, V, Cu, Mg, aluminum oxide, and MgO.例文帳に追加

各挿入層は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｒｕ、Ｖ、Ｃｕ、Ｍｇ、酸化アルミニウム、ＭｇＯのうち少なくとも一つを含む。 - 特許庁

The throttle opening TA of the throttle valve 5 is corrected according to a coolant temperature THW of the internal combustion engine 1.例文帳に追加

この際、内燃機関１の冷却水温ＴＨＷに応じてスロットルバルブ５のスロットル開度ＴＡが補正される。 - 特許庁

The torque Ta at the time of accelerator-off generates creep torque of power running in which the number of revolution of a motor is at most N2.例文帳に追加

アクセルオフ時のトルクＴａは、モータ回転数Ｎ２以下で、力行のクリープトルク発生となる。 - 特許庁

NF2 is a metal oxide film, preferably an oxide of Ta, deposited on NF1 at a thickness of about 0.2-1.0 nm.例文帳に追加

ＮＦ２は、約０．２〜１．０ｎｍの厚さにＮＦ１上に堆積される、好ましくはＴａ酸化物の金属酸化物膜である。 - 特許庁

The relation of the target blowout temperature TA required to obtain the target ion generation amount IA to the target suction temperature Tintα is decided previously.例文帳に追加

目標イオン発生量ＩＡを得るために必要な目標吹出温度ＴＡと目標吸込温度Ｔｉｎｔαの関係を予め定める。 - 特許庁

Specifically, the insulation film 12 is formed on the capacitor unit 11 and then a Ta film is formed on the insulation film 12 by a sputtering method.例文帳に追加

すなわち、キャパシタユニット１１上に絶縁膜１２を被覆し、その上にスパッタ法によりＴａ膜を形成する。 - 特許庁

A lower conductive layer (Ta layer) 8 and an upper conductive layer (Al layer) 9 are laminated sequentially on a resin substrate 1.例文帳に追加

樹脂基板１上に、下層導電層（Ｔａ層）８および上層導電層（Ａｌ層）９を順次積層する。 - 特許庁

This constitution allows determining the damper compensation requisite torque Ta having a nonlinear characteristic similar to the actual phenomenon using a small number of constants.例文帳に追加

この構成によって、少ない定数で実際の現象に近い非線形特性であるダンパ補償必要トルクＴａを求めることができる。 - 特許庁

A conductivity sensor 4 detects conductivity Ta of a cooling medium for cooling the fuel cell stack 1.例文帳に追加

導電率センサ４は、燃料電池スタック１を冷却する冷却媒体の導電率Ｔaを検出する。 - 特許庁

A pixel P2 in which the columnar spacer SOC is arranged has a transparent area TA and a columnar spacer base SOC-B.例文帳に追加

柱状スペーサＳＯＣが設置された画素Ｐ２には透過領域ＴＡと柱状スペーサの台座ＳＯＣ−Ｂを有している。 - 特許庁

Steam temperature Ts and rotor chamber air temperature Ta are measured with thermometers 40, 41 (step S1).例文帳に追加

蒸気温度Ｔｓおよび車室空気温度Ｔａは温度計４０および４１で測定される（ステップＳ１）。 - 特許庁

Position control of throttle valve 14 is performed with feed back control based on throttle opening TA.例文帳に追加

スロットル開度ＴＡに基づくフィードバック制御を通じてスロットルバルブ１４の位置制御を行う。 - 特許庁

A first metal layer 14 is formed above and on a gate electrode 9 and a source electrode 11, and contains at least one of Pt, Ti, Mo, W, and Ta.例文帳に追加

第１金属層１４は、ゲート電極９とソース電極１１との上に形成され、かつ、Ｐｔ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａのうち少なくとも１種を含んでいる。 - 特許庁

In the one unit circuit Ui, the semiconductor layer 31 of each of the current source transistors TA is arrayed in the laser longitudinal axis direction DA.例文帳に追加

ひとつの単位回路Ｕiにおいては、各電流源トランジスタＴAの半導体層３１がレーザ長軸方向ＤAに配列する。 - 特許庁

Occasionally, the formed liquid immersion space is formed across the front face Pa of the substrate P and an upper face Ta of the plate member T.例文帳に追加

形成された液浸空間が、基板Ｐの表面Ｐａとプレート部材Ｔの上面Ｔａとに跨って形成される場合がある。 - 特許庁

On the p-type GaN contact layer 11, the p-type electrode 15 having a Pd layer 16 and a Ta layer 17 is formed.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮコンタクト層１１上に、Ｐｄ層１６とＴａ層１７とを有するｐ型電極１５を形成する。 - 特許庁

The hydrogen radicals are allowed to react with carbon in the ta-C film deposited on the substrate 41 to break the C-C bond.例文帳に追加

生成された水素ラジカルは基板４１に形成されたｔａ−Ｃ膜のカーボンと反応し、Ｃ−Ｃ間の結合は外れる。 - 特許庁

This time acceleration corresponding forced torque Ta is made to pass through a filter 82 of responsiveness in a reducing side markedly lower than in an increasing side.例文帳に追加

そして、このときの加速対応拘束トルクＴaを、減少側の応答性が増加側より大幅に低いフィルタ８２に通過させる。 - 特許庁

Then, the fixing test images TA to TC are formed again periodically at a specified timing (S5 to S7).例文帳に追加

次いで、所定のタイミングで定期的に、再び定着テスト画像ＴＡ〜ＴＣが作成される（Ｓ５〜Ｓ７）。 - 特許庁

A plasma welding material and a tool material welded with the melding material are constituted of a composition consisting of Fe, C, Cr, V, Mo, W, Nb, Ta, Zr, Al and lanthanides elements.例文帳に追加

Ｆｅ，Ｃ，Ｃｒ，ＶおよびＭｏ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ａｌ，ランタノイド系元素からなるプラズマ溶接用材料および該材料を溶接した工具材で構成される。 - 特許庁

The metal oxide catalyst is characterized in that the metal ions of the metal oxide catalyst are ions of In, Ga, Al, B, Si, Ge, Sn, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Sb, Bi, W, Mo or Cr, or combination of these metals.例文帳に追加

金属イオンは、Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ，Ｂ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ、または、これらの組み合わせであることを特徴とする。 - 特許庁

The conductive material includes a conductor selected among Ta, Mo, Ti and any given combination of these elements.例文帳に追加

伝導性材料は、Ｔａ，Ｍｏ，Ｔｉおよびそれらの任意の組合せを含む群から選ばれた導体を含む。 - 特許庁

The TMR upper electrode 31 is formed with Ta of film thickness 30-100nm, and functions as a hard mask during a manufacturing process.例文帳に追加

ＴＭＲ上部電極３１はＴａにより３０〜１００ｎｍの膜厚で形成され、製造工程時においてハードマスクとしても機能する。 - 特許庁

Further, a Ta film (ground layer 14) is formed on the magnetization fixed layer 15 on the side opposite to the insulation layer 16 side.例文帳に追加

さらに磁化固定層１５の絶縁層側とは反対側の面に接してＴａ膜（下地層１４）が形成されている。 - 特許庁

Specifically, an optimum ageing condition is determined while a change of Ta-N coupling is observed by the X-ray diffraction method.例文帳に追加

具体的には、Ｘ線回折法によりＴａーＮ結合の変化を観察しながら、最適なエージング条件を決める。 - 特許庁

A sputtering target is formed of high-purity Ta which contains 0.1 to 2 at.% nitrogen and high-purity TaN or high-purity TaN.例文帳に追加

0.1〜2at%の範囲の窒素を含有する高純度Ｔａおよび高純度ＴａＮ、あるいは高純度ＴａＮからなるスパッタターゲットである。 - 特許庁

Tantalum Ta having a lower melting point than that of tungsten is arranged on the boundary between the electrode core rod 1 and the electrode head 2 as a solvent.例文帳に追加

電極芯棒１と電極ヘッド２の境目部分に、タングステンより融点の低いタンタルＴaを溶剤として配置する。 - 特許庁

The CPU 200 sets a corresponding characteristic region CA corresponding to the characteristic region TA in an object image f(a) (a=1, 2, 3).例文帳に追加

ＣＰＵ２００は、対象画像ｆ(a)(a=1,2,3)において、特徴領域ＴＡに対応する対応特徴領域ＣＡを設定する。 - 特許庁

Along with starting control, cold water temperature Ta and coolant evaporation pressure Pa of the secondary-side coolant circuit are measured (S201).例文帳に追加

制御開始に伴い、冷水温度Ｔａ及び二次側冷媒回路の冷媒蒸発圧力Ｐａを計測する（Ｓ２０１）。 - 特許庁

Since Ta, TaN and WB are environmentally harmless and Sn and In are similarly nontoxic, environmental problems are reduced.例文帳に追加

Ｔａ、ＴａＮ、ＷＢは環境的に無害であり、同様にＳｎまたはＩｎも無毒であるので、環境問題を少なくすることができる。 - 特許庁

Next, annealing is conducted, preferably in vacuum, to remove the hydrogen absorbed at least on the surface of the Ta film.例文帳に追加

次に、好ましくは真空中でアニールを行なって少なくともＴａ膜表面に吸着した水素を除去する。 - 特許庁

Its niobium content is higher than 50%, preferably higher than 80%, and the rest mainly comprises Ta and Zr.例文帳に追加

ニオブ含量は５０％よりも高く、有利には８０％より高く、合金の残りは主にＴａおよびＺｒからなる。 - 特許庁

Accordingly, a word coincident with a retrieval keyword is extracted from among words of the L channel within an intermediate file Ta.例文帳に追加

したがって、中間ファイルＴａのうち、Ｌチャネルの単語の中から、検索キーワードに一致する単語を抽出する。 - 特許庁

When the main power source is turned off at time (ta), the voltage of the 24V power source drops as shown by the characteristic (C) and becomes 0V at time (tc).例文帳に追加

時刻ｔａで主電源が遮断（オフ）すると、２４Ｖ電源は特性（Ｃ）のように電圧が低下し、時刻ｔｃで０Ｖになる。 - 特許庁

Where, M is a metal selected from among metals of a group of Ta, Ti, Nb, Al, Hf, Zr, and V.例文帳に追加

ここで、ＭはＴａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｈｆ、ＺｒおよびＶからなる群の金属から選択された金属である。 - 特許庁

A control section turns a pulse motor 32 to cause rotation of a feed roller 23 thus feeding a TA paper 20.例文帳に追加

制御部は、パルスモータ３２を回転させることにより、フィードローラ２３を回転させ、ＴＡペーパ２０を搬送させる。 - 特許庁

Thus, a foreign matter such as residual toner Ta is prevented from adhering to the photoreceptor 13.例文帳に追加

これによって、例えば残留トナーＴａ等の異物が、感光体１３に付着することを防止することが可能になる。 - 特許庁

Floating quantity is monitored from TA generated by contact of the projection head 22 and a head element part 36, and head floating quantity is adjusted and optimized.例文帳に追加

その突起２２とヘッド素子部３６との接触により発生するＴＡから浮上量をモニターし、ヘッド浮上量を調整して最適化する。 - 特許庁

To provide a cathodic-arc film deposition method by which a high- toughness carbon film (ta-C film) can be deposited.例文帳に追加

靱性の高いカーボン膜（ｔａ−Ｃ膜）を形成することができるカソーディックアーク成膜方法の提供。 - 特許庁

The target material may contain 0<B≤25 at.% and 0<(Ti+Zr+Hf+V+Nb+Ta+Mo+W+Mn+Re+Ru+Os+Rh+Ir+Ni+Pd+Cu+Ag+Au+C)≤40 at.%.例文帳に追加

さらに０＜Ｂ≦２５ａｔ％、０＜（Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｔａ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｍｎ＋Ｒｅ＋Ｒｕ＋Ｏｓ＋Ｒｈ＋Ｉｒ＋Ｎｉ＋Ｐｄ＋Ｃｕ＋Ａｇ＋Ａｕ＋Ｃ）≦４０ａｔ％含むことも可能である。 - 特許庁

A first cap layer 51 made from NiFeHf and a second cap layer 52 made from Ta/Ru are sequentially formed on the free layer 50.例文帳に追加

フリー層５０の上にＮｉＦｅＨｆからなる第１のキャップ層５１と、Ｔａ／Ｒｕからなる第２のキャップ層５２とを順次形成する。 - 特許庁

The aluminum-based thin film preferably contains Ta and/or Nd in the range of 0.5-5 atom%.例文帳に追加

上記アルミニウム系薄膜は、Ｔａおよび／またはＮｄを０．５〜５原子％の範囲内で含有することが好ましい。 - 特許庁

In idle running, the estimation is performed also by a specified number of times for each specified time Tb longer than the specified time Ta, (t1, t3, t5, t7, t8, and t9).例文帳に追加

アイドル走行時には所定時間Ｔａよりも長い所定時間Ｔｂ毎に同じく所定回数実行する（ｔ１，ｔ３，ｔ５，ｔ７，ｔ８，ｔ９）。 - 特許庁