「-ta」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Gero-no-ta Festival (January 21, 1981, Gifu Prefecture) 例文帳に追加

下呂の田の神祭（1981年1月21日岐阜県） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Amongst players, the shakuhachi is sometimes referred to simply as "bamboo" ("ta-ke"). 例文帳に追加

演奏者のあいだでは単に竹とも呼ばれる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Ano nageshi no naganaginata wa ta ga naganaginata zo (whose long halberd is that halberd on the horizontal piece of timber in the frame of the house)? 例文帳に追加

あの長押の薙刀は誰が長薙刀ぞ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Gero's Ta no Kami-matsuri Rice Field God Festival in Gero (January 21, 1981) 例文帳に追加

下呂の田の神祭（1981年1月21日） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

As the bulb metal, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, W, etc., are given.例文帳に追加

バルブメタルには、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ等が挙げられる。 - 特許庁

(A): Ta, Nb, V, (B): Cr, Mo, W, (C): Ti, Zr, Hf.例文帳に追加

（Ａ）Ｔａ，Ｎｂ，Ｖ、（Ｂ）Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ、（Ｃ）Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ - 特許庁

(Li, Na, K) (Nb, Ta, Sb) O3 BASED PIEZOELECTRIC MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ）Ｏ３系圧電材料、及びその製造方法 - 特許庁

(Li, Na, K, Bi)(Nb, Ta)O3 BASED PIEZOELECTRIC MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｂｉ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ３系圧電材料及びその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING PROCESS OF (Li, Na, K)(Nb, Ta)O3 TYPE PIEZOELECTRIC MATERIAL例文帳に追加

（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ３系圧電材料の製造方法 - 特許庁

(Li, Na, K)(Nb, Ta)O3 BASED PIEZOELECTRIC MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ３系圧電材料、及びその製造方法 - 特許庁

Particularly, the carbides of Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta or the like are suitable.例文帳に追加

特にＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ等の炭化物が好適である。 - 特許庁

Ta MATERIAL FOR MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置用Ｔａ材 - 特許庁

HIGH-PURITY Ta MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体デバイス用高純度Ｔａ材 - 特許庁

Ta SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

Ｔａ固体電解コンデンサおよびその製造方法 - 特許庁

A cartridge 7 supports plural tools Ta.例文帳に追加

複数の工具Ｔａを支持するカートリッジ７とする。 - 特許庁

Ta SPUTTERING TARGET AND ITS PRODUCTION METHOD例文帳に追加

Ｔａスパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁

(CoFe)ZrNb/Ta/Hf-BASED TARGET MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

（ＣｏＦｅ）ＺｒＮｂ／Ｔａ／Ｈｆ系ターゲット材およびその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING HIGH-PURITY Ta MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体デバイス用高純度Ｔａ材の製造方法 - 特許庁

In a dry etching apparatus equipped with a chamber 10 that etches the processing object, shielding plates 30 consisting of Ta, Ti or an alloy containing Ta or Ti are arranged in the chamber.例文帳に追加

被処理物をエッチングするチャンバー１０を備えたドライエッチング装置において、前記チャンバー内に、Ta、あるいはTi、あるいはTaまたはTiを含む合金からなる遮蔽板３０が配置されている。 - 特許庁

(iii) The relation among the barrel setting temperature Ta(°C) of a kneading section of the melting/kneading shaft, the softening point Tm(°C) of the binder resin, and the outflow starting temperature Tfb(°C) of the binder resin is Tfb≤Ta≤Tm.例文帳に追加

iii）該溶融混練軸のニーディング部のバレル設定温度Ta（℃）と結着樹脂の軟化点Tm（℃）及び結着樹脂の流出開始温度Tfb（℃）の関係がTfb≦Ta≦Tm。 - 特許庁

The first protection film 15 consists of Ti, Ta or Nb.例文帳に追加

第１の保護膜１５は、Ｔｉ，ＴａまたはＮｂからなる。 - 特許庁

In addition, as necessary, the composition of the overlaying metal 14 is made to contain one or more kinds among Cr, Ta and W at a rate of, in wt%, ≤6% Cr, ≤10% Ta, and ≤5% W.例文帳に追加

また必要に応じて肉盛金属１４の組成を、Cr，Ta，Wの１種若しくは２種以上を重量％でCr：≦6％，Ta：≦10％，W：≦5％で含有する組成となす。 - 特許庁

The alarm clock device (10) comprises an illumination control part (40), having a time setting part (51) for setting the rising scheduled time (Ta), an alarm part (30) for generating the alarm sound at the rising scheduled time (Ta), an illumination part (20), and first and second parts (41, 42).例文帳に追加

目覚まし装置（10）は、起床予定時刻（Ta）を設定する時刻設定部（51）、起床予定時刻（Ta）にアラーム音を発生するアラーム部（30）、照明部（20）、及び第１及び第２制御部（41,42）を有した照明制御部（40）を備えている。 - 特許庁

An error detection and correction circuit detects whether a bit D0(ta) or a bit D1(ta) includes an error by comparing bits D0(ta), D0(tb) and D1(ta), and D1(tb), and corrects a detected error.例文帳に追加

誤り検出訂正回路が、ビットＤ０（ｔａ）、Ｄ０（ｔｂ）及びＤ１（ｔａ）、Ｄ１（ｔｂ）の比較により、ビットＤ０（ｔａ）又はビットＤ１（ｔａ）が誤りを含むか否かを検出し、かつ、検出された誤りを訂正する。 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR DISCRIMINATING CRYSTAL STRUCTURE OF Ta THIN FILM例文帳に追加

Ｔａ薄膜結晶構造判別装置およびその方法 - 特許庁

The base high resistance layer 22 is made of any of a Ta-Si-O, a Ta-Si-O-N, a Ta-Si-Al-O and a Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 23 is made of the same composition.例文帳に追加

下地高抵抗層２２はＴａ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ又はＴａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎのいずれかで形成され、発熱抵抗層２３も同様の組成で形成される。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SINTERED BODY OF Bi-Sr-Ta OXIDE例文帳に追加

Ｂｉ−Ｓｒ−Ｔａ酸化物焼結体の製造方法 - 特許庁

A throttle aperture correction value (Δθ1) is set according to the length of a measuring time of the timer Ta, and a larger throttle aperture correction value (Δθ1) is set in proportion to the length of a measuring time of the timer Ta.例文帳に追加

タイマTaの計測時間の大小によってスロットル開度補正値(Δθ１)が設定され、タイマTaの計測時間の大きいほど、大きなスロットル開度補正値(Δθ１)が設定される。 - 特許庁

To provide Fe-Ni-(Nb, V, Ta) based flat metal soft magnetic powder, and to provide Fe-Ni-(Nb, V, Ta) based oxide film-coated flat metal soft magnetic powder with an oxide film formed on the surface of the same powder.例文帳に追加

Fe-Ni-(Nb,V,Ta)系扁平金属軟磁性粉末およびこの粉末の表面に酸化膜を形成したFe-Ni-(Nb,V,Ta)系酸化膜被覆扁平金属軟磁性粉末を提供する。 - 特許庁

A sputtering target composed of high purity Ta is used.例文帳に追加

高純度Ｔａからなるスパッタリングターゲットである。 - 特許庁

The sputtering target consists of a high-purity Ta material.例文帳に追加

スパッタリングターゲットは高純度Ｔａ材からなる。 - 特許庁

A broadcast CSG TA is received and the broadcast CSG TA is accessed if an identifier of the broadcast CSG TA matches the stored CSG TA identifier.例文帳に追加

ブロードキャストされたＣＳＧ ＴＡが受信され、ブロードキャストＣＳＧ ＴＡの識別子が、すでに格納されているＣＳＧ ＴＡ識別子と一致する場合には、ブロードキャストＣＳＧ ＴＡがアクセスされる。 - 特許庁

Ta SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

Ｔａスパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁

When it is set to a cooling mode and it is determined that Ta>Tr and when it is set to a heating mode and it is determined that Ta<Tr, action of the switching means 100 is stopped.例文帳に追加

冷房モードに設定され、且つ、Ta＞Trと判定されたとき、及び、暖房モードに設定され、且つ、Ta＜Trと判定されたときには、スイッチング手段100の動作を停止する。 - 特許庁

To prepare a catalyst greatly improved in an activity of HC cleaning by expanding the specific surface area of M.TiOx (M is at least one of Ta and Nb) structure coordinated with at least one of Ta and Nb to a part of Ti in TiO2.例文帳に追加

TiO_2におけるTiの一部にTa及びNbの少なくとも一種を配位させた構造体Ｍ・TiO_x（ＭはTa及びNbの少なくとも一種）の比表面積をさらに増大させ、HC浄化活性がさらに向上した触媒とする。 - 特許庁

One of the two 4-th lens groups (Gr4A, Gr4B) is switched and arranged in the optical path as the closest to image-side lens group of the objective optical system (TA), so as to optionally vary the focal length of the objective optical system (TA).例文帳に追加

対物光学系(TA)の最も像側のレンズ群として２つの第４レンズ群(Gr4A,Gr4B)のうちのいずれか１つを光路中に切替配置することにより、対物光学系(TA)の焦点距離を任意に変更しうるように構成した。 - 特許庁

A process selecting the pump to be operated at next time to make accumulated operation time in the predetermined staircase shape is performed a period Tb which is equal to or shorter than a period Ta in the fixed period Ta.例文帳に追加

積算運転時間が予め設定された分布となるように次回運転するポンプを選択する処理は、一定期間Ta内においてTa以下の期間であるTbのみ行う。 - 特許庁

HIGH PURITY SR(X)BI(Y)TA(2)O(5+X+3Y/2) SPUTTERING TARGET MATERIAL例文帳に追加

高純度ＳｒｘＢｉｙＴａ２Ｏ５＋ｘ＋３ｙ／２スパッタリングターゲット材 - 特許庁

An inertia estimator 7 estimates an inertia estimation value Jhat from the disturbance estimation values d1(ta), d2(ta), d1(tb), d2(tb) and the nominal values Jn1, Jn2 of inertia that are stored in the memory 6.例文帳に追加

イナーシャ推定器７は、メモリ６に保存された、外乱推定値d1(ta)、d2(ta)、d1(tb)、d2(tb)およびイナーシャのノミナル値Jn1、Jn2からイナーシャ推定値Jhatを推定する。 - 特許庁

The imaging interval P is calculated with a formula P=Ta-Tb.例文帳に追加

撮像間隔PはＰ＝Ｔa−Ｔｂによって求められる。 - 特許庁

The resistance line 40 is obtained by laminating NiCr thin film 41 and a Ta thin film 42, the Ta thin films 42 are arranged on the NiCr thin film 41, so as to hold the Ni Cr thin film 41.例文帳に追加

抵抗線４０は、NiCr薄膜４１とTa薄膜４２との積層膜であり、Ta薄膜４２がNiCr薄膜４１の上下に配置されて、NiCr薄膜４１を挟み込むように構成されている。 - 特許庁

The lower layer 31 is formed by any of Ta-Si-O, Ta-Si-O-N, Ta-Si-Al-O, or Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 33 is also formed by the same composition.例文帳に追加

下部層３１はＴａ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ又はＴａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎのいずれかで形成され、発熱抵抗層３３も同様の組成で形成される。 - 特許庁

The cemented carbide base material is composed of 5.0-<8.0 wt% of Co, 3.0-8.0 wt% of cubic carbide comprising Ti, Ta and Nb satisfying 0.05-0.3 of ratio Ti/(Ti+Ta+Nb), and WC as residual parts having 1.5-3.5 μm of grain diameter in the sintering condition.例文帳に追加

超硬合金基材は、5.0〜<8.0wt％のCo、Ti/(Ti+Ta+Nb)比率が0.05〜0.3のTi、Ta及びNbの3.0〜8.0wt％の立方晶炭化物、焼結状態で1.5〜3.5μｍ粒径の残部WCの組成を有する。 - 特許庁

When set up torque TS is bigger than the maximum torque TA, the maximum torque TA is established as set up torque TS (step 230, 235).例文帳に追加

設定トルクＴS が最大トルクＴA より大きいときには、最大トルクＴA を設定トルクＴS とする（ステップ２３０，２３５）。 - 特許庁

A first layer select transistor Ta has a first gate electrode 10a and is in a normally-on state on the first semiconductor layer 3a.例文帳に追加

第１のレイヤーセレクトトランジスタTaは、第１のゲート電極10aを有し、第１の半導体層3aでノーマリオン状態である。 - 特許庁