「-ta」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a structural member made of a cemented carbide and manufactured by a powder metallurgy process, in which at least one additive for controlling growth of crystals of V, Cr, Ti, Ta and Nb, shows a concentration transition in a step-by-step manner at least partially, and thereby the mechanical characteristics show the gradual change, and to provide a method for manufacturing the structural member.例文帳に追加

Ｖ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ及びＮｂの結晶の成長を抑制する少なくとも１つの添加物が、少なくとも局部的に段階を辿る濃度推移を示し、それによりその機械的特徴も漸進的な推移を示す、粉末冶金法により製造される超硬合金から成る構造部材とこの構造部材の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this high frequency heating device 1 capable of performing cooking while generating steam, the temperature of a heating chamber 3 in cooking matter to be heated is detected by an internal thermistor 11, and an announcement means 12 is operated when the temperature in the heating chamber 3 is a predetermined value Ta or higher, whereby the attention to the operation of an opening and closing door 9 is drawn.例文帳に追加

蒸気発生させながら、加熱調理が可能な高周波加熱調理装置１において、被加熱物を加熱調理する際の加熱室３内の温度を、庫内サーミスタ１１で検知し、加熱室３内の温度が所定値Ｔａ以上の際に報知手段１２を動作させることにより、開閉扉９の操作に対する注意を促すようにした。 - 特許庁

After calculating a difference between cooling water temperature Tw and intake air temperature Ta at current time as a restart time temperature difference Δtr in Step S31, a damper temperature estimating part 54 searches estimated parking time Tp from a parking time estimation map based on a first stop time temperature difference Δt1 stored in a nonvolatile storage and the restart time temperature difference Δtr in Step S32.例文帳に追加

ダンパ温度推定部５４は、ステップＳ３１で現時点における冷却水温Ｔｗと吸気温Ｔａとの差を再始動時温度差Δｔｒとして算出した後、ステップＳ３２で、不揮発性メモリーに記憶されていた第１停止時温度差Δｔ１と再始動時温度差Δｔｒとに基づき、停車時間推定マップから推定停車時間Ｔｐを検索する。 - 特許庁

This invented silver paste is consisted of a vehicle and a metallic powder which contains silver as a principle constituent, Pd of 0.1-5.0 wt.%, and plural elements of 0.1-5.0 wt.% in total chosen from among the group comprising Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, and Si.例文帳に追加

本発明に係る銀ペーストは、金属粉末及びビヒクルからなる銀ペーストであって、上記金属粉末は、Ａｇを主成分とし、Ｐｄを０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた複数の元素を合計で０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有するものである。 - 特許庁

The lamp control board 600 determines whether a predetermined condition is met or not, and directs the board lamp 23 or the like to emit light after just a predetermined delay time ΔT has passed from at the time TA when the third control information γ was received from the performance control board 400 if determined that the predetermined condition is met.例文帳に追加

ランプ制御基板６００は、予め設定された所定条件を満たすか否かを判定し、この所定条件を満たすと判定された場合に、演出制御基板４００から第３制御情報γを受け付けた時点ＴＡから、予め設定された遅延時間ΔＴだけ経過した後に、盤ランプ２３等に対して発光を指示する。 - 特許庁

IP phone system comprises an IP phone terminal adapter 10 which is connected to terminal1, a light device 20 which is connected to TA 10, a light parent device 30 which is connected to the light device 20 through FTTH 60, An IP phone server 40 which is connected to the light parent device 30 through IP network 70.例文帳に追加

ＩＰ電話システムは、端末１に接続されるＩＰ電話ターミナルアダプタ（ＴＡ）１０と、ＴＡ１０に接続される光装置２０と、光装置２０にＦＴＴＨ６０を介して接続される光親機３０と、光親機３０にＩＰネットワーク７０を介して接続されるＩＰ電話サーバ４０とを備える。 - 特許庁

To reduce magnetic head floating attitude instability and a floating amount fluctuation increase caused by contamination entering between a slider floating surface and a medium surface, the increase of contacting frequency and a TA(thermal asperity) phenomenon caused by the reduction of a floating amount, and an output reduction phenomenon and an error caused by a spacing loss.例文帳に追加

低浮上の磁気ディスク装置において、スライダ浮上面と媒体面との間に侵入するコンタミネーションによる磁気ヘッド浮上姿勢不安定、浮上量変動増大、浮上量低下による接触頻度の増大や、ＴＡ現象、スペーシングロスによる出力低下現象やエラーを低減する。 - 特許庁

To a second insulating film 6 in an MIM capacitor forming region A, a MIM capacitor 15 is formed including a lower electrode 12 formed of a barrier film such as Ta/TaN, a capacity insulating film 13 formed of a metal oxide film such as Al_2O_3, and an upper electrode 14 formed of a barrier film such as TiN.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタ形成領域Ａの第２の絶縁膜６には、Ｔａ／ＴａＮのようなバリア膜からなる下部電極１２とＡｌ_2Ｏ_3のような金属酸化膜からなる容量絶縁膜１３とＴｉＮのようなバリア膜からなる上部電極１４とを有するＭＩＭキャパシタ１５が形成されている。 - 特許庁

When the elapsed time Ta from the time after the absolute value of the wheel speed VW of each wheel becomes not less than the wheel speed threshold value KVW becomes not less than a specified time KT, or when an accelerator pedal or a parking lever is operated, the CPU again reduces the brake liquid pressure BP in each wheel cylinder at the first pressure reducing speed Va.例文帳に追加

そして、ＣＰＵは、各車輪の車輪速度ＶＷの絶対値が車輪速度閾値ＫＶＷ以上になってからの経過時間Ｔａが規定時間ＫＴ以上になった場合、又はアクセルぺダルやパーキングレバーが操作された場合に、各ホイールシリンダ内のブレーキ液圧ＢＰを再び第１の減圧速度Ｖａにて減圧させる。 - 特許庁

Further, a Pd alloy powder comprising 1-60 at%, in total, of at least one selected from among V, Nb, and Ta with the balance comprising Pd and unavoidable impurities is made by an atomization method, and the obtained Pd alloy powder is heated and molded under pressure to produce the Pd alloy sputtering target.例文帳に追加

また、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａのうちの少なくとも１種以上を合計で１〜６０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＰｄ合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Ｐｄ合金粉末を加圧下で加熱して成形してＰｄ合金系スパッタリングターゲットを製造する。 - 特許庁

The digital broadcast tuner 1 outputs uplink information in real time and an information collection device 7 receives and collects in real time the uplink information from a D-channel of an ISDN line via a TA 2, a DSU 3, a switch 5 having the D-channel permanent connection service and an IP network 6.例文帳に追加

デジタル放送チューナ１からはアップリンク情報がリアルタイムで出力され、このアップリンク情報はＩＳＤＮ回線のＤチャネルからＴＡ２、ＤＳＵ３、Ｄチャネル常時接続機能を有する交換機５、ＩＰ網６を介して情報収集装置７でリアルタイムに受信して収集される。 - 特許庁

Carbon nano fibers are produced through the catalytic CVD process by using a carbon-containing gas as a raw material in the presence of a catalyst comprising one kind or plural kinds of materials selected from at least Cr, Mn, Fe, Co, Ni or their oxides and one kind or plural kinds of materials selected from Cu, Al, Si, Ti, V, Nb, Mo, Hf, Ta, W or their oxides.例文帳に追加

少なくともＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ又はこれらの酸化物よりなる群から選ばれた１つ又は複数の材料と、Ｃｕ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ又はこれらの酸化物よりなる群から選ばれた１つ又は複数の材料からなる触媒を使用して、炭素含有ガスを原料とした触媒ＣＶＤ法によりカーボンナノ繊維を製造する。 - 特許庁

In the magnetic recording medium, a plurality of non-magnetic metal intermediate layers are formed between a base layer and a magnetic layer, one layer thereof consists of at least one element of Ru, Re and Os and contains oxygen and another layer thereof consists of a CoCr alloy containing at lest one element of Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ta, W, Re, Os, Ir and Pt.例文帳に追加

下地層と磁性層との間に複数の非磁性金属中間層を形成した構成とし、その内の一つを、Ｒｕ，Ｒｅ，Ｏｓのうちの少なくとも1つの元素からなり、かつ酸素を含有する構成とするとともに、さらに別の一つを、Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔのうちの少なくとも1つの元素を含むＣｏＣｒ合金からなる構成とする。 - 特許庁

In the EB vapor deposition device, a shielding plate 12 made of a metal having a high melting point such as hafnium(Hf), ruthenium(Ru), iridium(Ir), niobium(Nb), molybdenum(Mo), tantalum (Ta), rhenium(Re) and tungsten(W) is disposed along the inner wall of a magnesia(MgO) crucible 4 so as to prevent direct contact between the cobalt(Co) 13 and the crucible 4.例文帳に追加

このＥＢ蒸着装置においては、マグネシア（ＭｇＯ）製ルツボ４の内壁に沿ってハフニウム（Ｈｆ），ルテニウム（Ｒｕ），イリジウム（Ｉｒ），ニオブ（Ｎｂ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ），レニウム（Ｒｅ），タングステン（Ｗ）等の高融点金属からなる遮蔽板１２を配置し、コバルト（Ｃｏ）１３と、ルツボ４とが直接接触しないようにしている。 - 特許庁

A measurement circuit 23 measures a leading time and a trailing time of a voltage across a load I2 in proportional relation to the load current IL, and a gradation control circuit 24 controls a gradual increasing ratio and a gradual decreasing ratio of the trapezoidal wave signal Sb so that the leading time and the trailing time are respectively equal to a reference leading time Ta and a reference trailing time Tb.例文帳に追加

計測回路２３は、負荷電流ＩL と比例関係にある負荷１２の両端電圧ＶL の立上り時間および立下り時間を測定し、傾き制御回路２４はその立上り時間および立下り時間がそれぞれ基準立上り時間Ｔａおよび基準立下り時間Ｔｂに等しくなるように台形波信号Ｓｂの漸増割合および漸減割合を制御する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an interlayer insulation film 36 formed above a semiconductor substrate 10, the conductor 50 containing Cu formed in the interlayer insulation film 36, and a barrier metal film 46 formed between the interlayer insulation film 36 and the conductor 50 and formed of a multilayer film of a Ti film 42 and a Ta film 44, and an interface layer 54 containing Ti and Si is formed on the surface of the conductor 50.例文帳に追加

半導体基板１０の上方に形成された層間絶縁膜３６と、層間絶縁膜３６内に形成されたＣｕより成る配線５０と、層間絶縁膜３６と配線５０の間に形成され、Ｔｉ膜４２とＴａ膜４４との積層膜より成るバリアメタル膜４６とを有し、配線５０表面に、ＴｉとＳｉとを含む界面層５４が形成されている。 - 特許庁

The change in catalyst temperature (Tb-Ta) and the change in oxygen storage capacity (OSCb-OSCa) corresponding to the change in catalyst temperature has a constant relation, the change in oxygen storage capacity corresponding to the change in catalyst temperature is changed according to presence/absence of the poisoning of the catalyst (a continuous line indicates that the catalyst is not poisoned, and a broken line indicates that the catalyst is poisoned).例文帳に追加

触媒温度の変化（Ｔｂ−Ｔａ）とこの触媒温度の変化に対応した酸素吸蔵容量の変化（ＯＳＣｂ−ＯＳＣａ）との間には一定の関係があり、また、触媒温度の変化に対応した酸素吸蔵容量の変化は触媒の被毒の有無（実線が被毒無し、破線が被毒有り）によって変化する。 - 特許庁

Related to an X-ray mask having a structure, where an absorber pattern 11 of such material as absorbs X-ray is placed on a mask substrate through which X-ray is transmitted, the absorber pattern 11 comprises at least a Ta, having a structure where at least one layer among Ru, Cr, TiN, and TaN is formed as its base material layer 15.例文帳に追加

Ｘ線を透過するマスク基板上に、Ｘ線を吸収する材料からなる吸収体パタンを載置した構造のＸ線マスクにおいて、吸収体パタンは、少なくともＴａで構成されており、その下地材料層としてＲｕ、Ｃｒ、ＴｉＮ、ＴａＮのうちの少なくとも１層を形成した構造のＸ線マスクとする。 - 特許庁

The section of the hood 1a located outside the flexible plate has such a tapered shape that the thickness t_2 of the region X from the base end Ta to a curved part Tb decreases gradually, while the section of the region Y from the curved part Tb to the inner base end Tc has such a shape with the thickness t_1 kept uniform.例文帳に追加

可撓性板状体の外側に位置する外幌１ａの肉厚は、基端部Ｔａから湾曲部Ｔｂまでの領域Ｘの肉厚ｔ_２ を徐々に薄くしたテーパ断面形状に構成し、前記湾曲部Ｔｂから内側基端部Ｔｃまでの領域Ｙの肉厚ｔ_１ を、均一の断面形状に形成してある。 - 特許庁

A digital camera monitors the input situation of an operating signal and shifts to a power saving mode when there is no input of the operating signal for a specified period of time Ta (30 seconds); further, a power source is automatically switched off when there is no input of the operating signal for a specified period of time Tb (2 minutes) after shifting to the power saving mode.例文帳に追加

デジタルカメラは、操作信号の入力状況を監視して、所定時間Ｔａ（３０秒）の間、操作信号の入力がない場合には、省電力状態に移行し、さらに、省電力状態に移行した後、所定時間Ｔｂ（２ｍｉｎ）の間、操作信号の入力がないと自動的に電源をオフする。 - 特許庁

LiMF_X is produced by bringing LiF into contact with an element M and/or a fluoride of the element M in the presence of fluorine gas and at 100°C or higher in a reaction vessel (wherein, M is an element selected from the group consisting of B, P, As, Sb, Bi, V, Nb and Ta; x is a number between 4-6).例文帳に追加

ＬｉＦと、Ｍ元素及び／又はＭ元素のフッ化物とを、フッ素ガス存在下において、反応槽内にて１００℃以上の温度で接触させることによりＬｉＭＦ_Ｘ（ＭはＢ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｖ、Ｎｂ、及びＴａよりなる群から選択される元素を示し、ｘは４〜６の数である。）を製造する。 - 特許庁

This superalloy compsn. contg., by weight, 10 to 14% Co, 10 to 13% Cr, 0.1 to 3% Mo, 4 to 8% W, 4 to 6% Al, 1 to 4% Ti, 4 to 8% Ta, 0.1 to 0.5% Hf, ≤2% Re, and the balance Ni base with inevitable impurities.例文帳に追加

重量％で、Ｃｏ：１０％以上１４％以下、Ｃｒ：１０％以上１３％以下、Ｍｏ：０．１％以上３％以下、Ｗ：４％以上８％以下、Ａｌ：４％以上６％以下、Ｔｉ：１％以上４％以下、Ｔａ：４％以上８％以下、Ｈｆ：０．１％以上０．５％以下およびＲｅ：２％以下を含有し、残部がＮｉ基および不可避的不純物からなることを特徴とする。 - 特許庁

A material with a thermal coefficient of expansion of 10×10-6/°C or less and a specific resistance (resistivity) of 50 μΩcm or more such as FeNi invar or metallic boride, a high melt-point silicide, one-constituent nitride such as Ta, and an alloy containing another constituent such as W in platinum is used for a heater layer 1 of a thin-film gas sensor.例文帳に追加

薄膜ガスセンサのヒーター層１に、熱膨張係数が１０×１０^-6／℃以下で、比抵抗（抵抗率）が５０μΩｃｍ以上の材料（例えばＦｅＮｉ系インバーや金属ホウ化物，高融点シリサイド，Ｔａ等の一成分の窒化物，白金にＷ等の他の一成分を含む合金等）を用いることにより、掲記課題の解決を図る。 - 特許庁

Consequently, the control circuit 14 detects the shape change (degree of deformation) of the side part Ta of the tire T by operation based on the driving signal and the detection signal, detects a stress (especially, a transversal stress) applied to a wheel W from the road surface P according to a detection result of the shape change, and generates a data signal D of the detection result of the stress.例文帳に追加

従って、制御回路１４は、前記駆動信号と前記検出信号とに基づく演算により、タイヤＴの側面部分Ｔａの形状変化（変形度合）を検出し、その形状変化の検出結果に従って路面Ｐから車輪Ｗにかかる応力（特に横応力）を検出し、その応力の検出結果のデータ信号Ｄを生成する。 - 特許庁

The lens contains a resin composition having such properties that the difference between the temperature Ta (°C) where the peak value in first order differentiation of a weight reduction curve measured by thermogravimetric analysis in an air environment is maximum and the temperature Tb (°C) where the peak value in first order differentiation of the weight reduction curve measured by thermogravimetric analysis in an air environment is within a predetermined range.例文帳に追加

空気雰囲気下の熱重量分析で測定された重量減少曲線の一次微分のピーク値が最大となる温度Ｔａ（℃）と、空気雰囲気下の熱重量分析で測定された重量減少曲線の一次微分のピーク値が最小となる温度Ｔｂ（℃）の差が所定範囲内である樹脂組成物を含有する。 - 特許庁

When a word is recognized, weighting values Wa and Wx showing the importance of the word and binary values of excitation time values Ta to Tx set corresponding to the importance of the word are computed and when a computed value T reaches plural thresholds Vths, messages of alarms and warnings corresponding to a specific state are generated, so that a communication means transmits the specific state to other places together with additional information.例文帳に追加

言葉が認識された時、言葉の重要度を示す重み付け値Ｗａ〜Ｗｘと言葉の重要度に応じて設定した励起時間値Ｔａ〜Ｔｘの２値を演算し、演算値Ｔが設定した複数の閾値Ｖｔｈに達した時に、特定の状況に応じた複数の警報や警告等のメッセージを発生し、通信手段により他の場所に特定の状況を付加情報と共に伝送する。 - 特許庁

To improve an acoustic measurement arrangement and method for measuring a fluid temperature momentally comprising means 12, 14, 16, 18, 20; 48, 48', 60, 54, 62 for monitoring acoustic velocity in a fluid and generating output signals about the acoustic velocity, and signal processors 4; 46 constituted to receive the output signals so as to measure the momental fluid temperature TA.例文帳に追加

流体中の音響速度を監視しかつ該音響速度に関する出力信号を生成する手段１２、１４、１６、１８、２０；４８、４８'、６０、５４、６２と、出力信号を受信して瞬間的な流体温度Ｔ_Ａを測定するように構成された信号処理プロセッサ４；４６とから成っている瞬間的な流体温度を音響測定アレンジメントおよび方法の改良。 - 特許庁

When the display objects Ha, Hb, and Hc are brought close to an IC reader 60, the IC reader 60 reads the tag IDs from the IC tags Ta, Tb and Tc, and a material data extraction means 70 extracts the material data corresponding to any of a plurality of read tag IDs from the material data storage means 10 to present them on a presentation means 80.例文帳に追加

この表示物Ｈａ、Ｈｂ、ＨｃをＩＣリーダ６０に近付けると、ＩＣリーダ６０がＩＣタグＴａ、Ｔｂ、ＴｃからタグＩＤを読み取り、素材データ抽出手段７０が、読み取った複数のタグＩＤのいずれにも対応する素材データを素材データ記憶手段１０から抽出し、提示手段８０に提示する。 - 特許庁

Then, a character image corresponding to the object image Hn extracted corresponding to the imitation target part (Tx/Ta) is acquired from pose image memories 12d, 12e, 12f, 12i of the selected and set character types, comosited and displayed by replacement with or addition to the object image Hn in the photographed image 12gn.例文帳に追加

すると、そのまね対象部分（Ｔｘ／Ｔａ）に対応して抽出された被写体画像Ｈｎに対応するキャラクタ画像が、前記選択設定したキャラクタ種類のポーズ画像メモリ１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｉから取得され、前記撮影画像１２ｇｎにおける被写体画像Ｈｎとの置き換え又は追加によって合成され表示される。 - 特許庁

When an ON-position signal is inputted from an ignition switch 17, a process for reducing an opening TA of an electronic throttle valve (an opening/closing valve) 3 for a prescribed opening Tai is performed by an ECU 10 so as to control a throttle valve 3 in the closing direction.例文帳に追加

吸気通路内に設けられた電子制御スロットル弁によって内燃機関の運転状態に応じた空気量が供給される内燃機関の吸気制御装置において、内燃機関のイグニッションスイッチがアクセサリ位置、オン位置、スタータ位置の何れの状態にあるかを検出しておき、イグニッションスイッチがオン位置にされた時に、電子制御スロットル弁が全閉位置に制御される。 - 特許庁

A magnetic film, which contains as a main component at least one kind of element selected from among Co and Fe, and as an auxiliary component at least one kind selected from among Ni, Ta, Zr, Nb, silicon oxide, aluminum oxide, tantalum oxide, and titanium oxide, has at least one kind of element selected from among Pt, Pd and Rh added thereto.例文帳に追加

Ｃｏ及びＦｅの内より選ばれる少なくとも１種類の元素を主成分とし、Ｎｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｎｂ，酸化シリコン，酸化アルミニウム，酸化タンタル，酸化チタンの内より選ばれる少なくとも１種類の元素を副成分として含む磁性膜に、添加剤としてＰｔ，Ｐｄ及びＲｈの内より選ばれる少なくとも１種類の元素を添加する。 - 特許庁

After the first control, the liquid droplet jetting apparatus performs second control in which a pulse group 50E, continuously outputting a nonjet driving pulse 50B with the driving period Ta, for unjetting the ink onto recording paper P a plurality of number of times, is applied to the actuator 31, so that only vibrations can be applied to the meniscus of the ink near a nozzle 15.例文帳に追加

その第１の制御に続いて、駆動周期Ｔａの、インクを記録用紙Ｐへ噴射させない非噴射駆動パルス５０Ｂを複数回連続して出力するパルス群５０Ｅを、アクチュエータ３１に対して印加することでノズル１５近傍のインクのメニスカスに振動のみを加える第２の制御を行う。 - 特許庁

When a reinforcing tape T is stuck to the part from the terminal part 11 of a liquid crystal panel 10 to the folding part 22 of a flexible board 20, a pair of left and right cut parts 23 and 24 provided for raising a part of the flexible board 20 are formed on the flexible board 20 along the corner parts Ta and Tb of the reinforcing tape T.例文帳に追加

液晶パネル１０の端子部１１からフレキシブル基板２０の折り曲げ部２２にかけて補強テープＴを貼着するにあたって、フレキシブル基板２０に補強テープＴのコーナー部Ｔａ，Ｔｂに沿ってフレキシブル基板２０の一部分を切り起こし可能とする左右一対の切込み部２３，２４を形成する。 - 特許庁

The cathode electrode 6 for plating the wafer for supplying plating current to the wafer 2 by coming into contact with the end edge 10 of the wafer consists of a base layer 13 formed of Au, an intermediate layer 14 formed of Ti and a wafer contact layer 15 formed of any one among TiN, WN, TaN, W and Ta.例文帳に追加

ウェーハ２の縁端部１０と接触しめっき電流を供給するためのウェーハめっき用カソード電極６において、カソード電極６は、Ａｕにより形成されたベース層１３と、Ｔｉにより形成された中間層１４と、ＴｉＮ、ＷＮ、ＴａＮ、Ｗ、Ｔａのいずれか１つにより形成されたウェーハ接触層１５とからなるものとした。 - 特許庁

This electronic throttle control device inputs a target opening TAR set by an acceleration sensor 8 and an AD value TA for an actual opening detected by a throttle sensor 6 to a microcomputer 11 and outputs a controlled variable DUTY calculated from a deviation between these input values from the microcomputer 11 to a motor 5 to feedback control the electronic throttle 1 with PWM control.例文帳に追加

電子スロットル制御装置は、アクセルセンサ８で設定される目標開度ＴＡＲと、スロットルセンサ６で検出される実開度のＡＤ値ＴＡとをマイコン１１に入力し、それら入力値の偏差から算出される制御量ＤＵＴＹをマイコン１１よりモータ５へ出力して、電子スロットル１をＰＷＭ制御によりフィードバック制御するものである。 - 特許庁

To surely replenish a processing solution to a stock tank ST in a processing solution replenishing device S provided with a storage part ST for storing the processing solution sent from a cartridge C and a replenishing means SP for sending the processing solution stored in the storage part ST to a processing tank Ta for processing a photosensitive material.例文帳に追加

本発明は、カートリッジＣから送られる処理液を貯留する貯留部ＳＴと、貯留部ＳＴの処理液を感光材料の処理を行う処理槽Ｔａに送る補充手段ＳＰとを備えた処理液補充装置Ｓにおいて、ストックタンクＳＴへの処理液の充填を確実に行うことを目的とする。 - 特許庁

When the terminal TB side decides approval acceptance/rejection, the terminal TA transmits the contents of the file TPF to a server DBS for DB management on the condition that the decision content can be approved and data update is instructed, the server DBS updates a database DB according to the content.例文帳に追加

承認処理用端末ＴＢ側で承認可否が決定された場合に、変更データ管理用端末ＴＡはその決定内容が承認可であることを条件に一時ファイルＴＰＦの内容をＤＢ管理用サーバＤＢＳへ送信し、データ更新を指示すると、ＤＢ管理用サーバＤＢＳはその内容にしたがってデータベースＤＢを更新する。 - 特許庁

A reset pulse output control circuit 14 outputs no reset pulse to a retiming circuit 9 when a synchronization establishing signal 8-02 being an output of a DPLL 8 is set in the case that a reset circuit 13 outputs the reset pulse because the transmission pause time Ta is shorter than the signal delay time Td.例文帳に追加

リセットパルス出力制御回路１４は、伝送休止時間Ｔａが信号遅延時間Ｔｄよりも短かくなったために、リセット回路１３からリセットパルスが出力されたときにＤＰＬＬ８の出力である同期確立信号８−Ｏ２がオンであると、リセットパルスをリタイミング回路９に出力しない。 - 特許庁

The lithium secondary battery comprises an electrolyte between a positive electrode and a negative electrode, and the negative electrode is formed of a sintered body composed of lithium titanate which has a ramsdellite-type crystal structure in which at least one kind of element selected from a group consisting of Nb, Ta, Al, and Fe is dissolved.例文帳に追加

正極と負極との間に電解質を有するリチウム二次電池において、負極が、Ｎｂ、Ｔａ、ＡｌおよびＦｅからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素が固溶しているラムスデライト型の結晶構造を有するチタン酸リチウムからなるチタン酸リチウム焼結体により形成されている。 - 特許庁

A time transmitting device creates transmission data including time correction data that is formed by adding, to current time data, a processing time Ta required when reading the current time data and creating the transmission data, and a waiting time Tb until a next data transmission, and transmits the transmission data at transmission timing for every prescribed time interval.例文帳に追加

時刻送信装置が、現在時刻データに、当該現在時刻データを読み出して送信データを作成する際に掛かる処理時間Ｔａと、次のデータ送信までの待ち時間Ｔｂとを付加した時刻修正用データを含んだ送信データを作成するとともに、この送信データを所定の時間間隔ごとの送信タイミングで送信する。 - 特許庁

This layer is formed by sputtering at a substrate temperature of 200°C higher or depositing through sputtering at a substrate temperature lower than 200°C and heat treating at temperatures of 200°C higher, or depositing through sputtering at a substrate temperature of 200°C or higher and exposing the Ta film to a nitrogen plasma for nitrifying it.例文帳に追加

このバリア層は、基板温度２００℃以上の条件でスパッタリングにより形成されるか、または基板温度２００℃未満の条件でスパッタリングにより堆積した後に２００℃以上の温度で熱処理して形成されるか、または基板温度２００℃以上の条件でＴａ膜をスパッタリングにより堆積した後に該Ｔａ膜を窒素プラズマに晒して窒化して形成される。 - 特許庁

The light shielding film has a composition consisting of 5-50% Ta, 1-6% Mo and the balance Ni with inevitable impurities or further containing 1-10%, in total, of Cu and/or V and 0.5-3% Nb.例文帳に追加

Ｔａ：５〜５０％、Ｍｏ：１〜６％を含有し、さらに必要に応じてＣｕおよびＶの内の１種または２種を合計で１〜１０％含有し、さらに必要に応じてＮｂ：０．５〜３％を含有し、残りがＮｉおよび不可避不純物からなる組成を有するブラックマトリックスを形成するための遮光膜およびその遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

A control part 90 changes stepwise the number of printed sheets A until the refreshing, using an indoor humidity Hi or an indoor temperature Ti transmitted from an indoor temperature-humidity sensor 40, or computed average humidity Ha or average temperature Ta and the internal-external humidity difference ΔH or temperature difference ΔT, and determines the appropriate refreshing timing according to the environmental information.例文帳に追加

制御部９０は、機内温湿度センサ４０から送信された機内湿度Ｈｉ若しくは機内温度Ｔｉを用いて、或いは算出された平均湿度Ｈａ若しくは平均温度Ｔａ、機内及び機外の湿度差ΔＨ若しくは温度差ΔＴを用いて、リフレッシュ工程が実行されるまでの印刷枚数Ａを段階的に変化させ、環境情報に応じた適切なリフレッシュ工程の実行タイミングを決定する。 - 特許庁

In this air conditioner, regardless of a target indoor temperature set by a user and a temperature detected by a room temperature sensor, a compressor is started by a start-up frequency (Fa) higher than a minimum operation frequency (Fmin), and the start-up frequency is maintained until a first prescribed time (Ta) passes from the starting of the compressor.例文帳に追加

本発明の空気調和機では、ユーザにより設定された室内温度の目標温度及び室温センサで検出される温度に拘わらず、圧縮機は、最低運転周波数（Ｆｍｉｎ）よりも大きい起動周波数（Ｆａ）で起動され、圧縮機起動時から第１所定時間（Ｔａ）が経過するまで起動周波数で維持される。 - 特許庁

By controlling flow rates of Ar and He gases which flow in a condensed cluster deposition device and a length of a cluster growth area in plasma gas, Ta clusters having an average diameter of from 4 to 10 nm are deposited on an insulating substrate (glass, plastic substrate) to form transition metal clusters assembly having low-magnetic resistance.例文帳に追加

絶縁体基板（ガラス、プラスティック）の上に、プラズマガス中凝縮クラスター堆積装置を用いて、該装置に導入するＡｒやＨｅガスの流量、クラスター成長領域長さ等を制御することにより、平均サイズ４−１０ｎｍのサイズの揃ったＴａクラスターを堆積させて低磁気抵抗遷移金属クラスター集合体を製造する。 - 特許庁