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.biを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 2227



例文

BI-EVALUATION OF PROGRAMMING STATEMENT例文帳に追加

プログラミング・ステートメントの二重評価 - 特許庁

In this figure, the dashed lines show the bulk phase diagrams and the solid lines interpolate the experimental observations into the phase diagrams of Bi-Pb nanoparticles. 例文帳に追加

この図では、点線がバルク相図を示し、実線が実験で得た観察(結果)をBi-Pbナノ粒子の相図に内挿する。 - 科学技術論文動詞集

The names are formed by taking the first syllable of the names of the decimal prefix with roughly the same size, followed by "bi" for "binary". 例文帳に追加

名前は、だいたい同じくらいの 10 進接頭語の最初の音節に、2 進数であることを意味する "bi" を足したものになる。 - JM

However, the lantern yokai has often been reported not as a Chochin Obake (literally, lantern ghost) but as a fire of mysterious or suspicious origin, such as the kitsune-bi and chochin-bi (lantern light). 例文帳に追加

しかし提灯お化けのような妖怪ではなく、狐火や提灯火のような怪火として伝承されていることが多い。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

例文

A jet 9 of molten metal composed of the Sn-Bi alloy is injected through a nozzle 8 into the cooling liquid layer and solidified.例文帳に追加

その冷却液体層中にノズル8から、Sn−Bi系合金より作った溶融金属のジェット9を噴射し凝固させる。 - 特許庁


例文

Upon the manufacture of the sliding material, Cu-Sn alloy powders and Bi powders are nonuniformly mixed, the mixture is then scattered on a steel plate, and the same is sintered.例文帳に追加

そのような摺動材料の製造に際しては、Cu-Sn合金粉末と、Bi粉末を不均一に混合してから鋼板上に散布し、それを焼結する。 - 特許庁

The crystallization promoting layer 13 is formed in ≤5 nm massive film thickness from Bi and/or a Bi compound.例文帳に追加

結晶化促進層13は、Bi及び/又はBi化合物から5nm以下の質量膜厚で形成する。 - 特許庁

As the solder 3, a low temperature leadless solder which is mainly formed of Sn-Zn or Sn-Zn-Bi or Sn-Bi is used.例文帳に追加

はんだ3にはSn−ZnまたはSn−Zn−BiあるいはSn−Bi主成分とする低温無鉛はんだを使用する。 - 特許庁

To inhibit the remarkable lowering of the yield factor of a Bi amount in a thin film formed with the use of an Ag-Bi alloy sputtering target.例文帳に追加

Ag−Bi系合金スパッタリングターゲットを使用して形成される薄膜中のBi量の歩留まりの著しい低下を抑制する。 - 特許庁

例文

COATING LIQUID FOR FORMING Bi-BASED DIELECTRIC THIN FILM WITH PARAELECTRIC OR FERROELECTRIC PROPERTY, AND Bi-BASED DIELECTRIC THIN FILM例文帳に追加

常誘電性あるいは強誘電性のBi系誘電体薄膜形成用塗布液、およびBi系誘電体薄膜 - 特許庁

例文

To make better the sinterability, seizure resistance, fatigue resistance and corrosion resistance of a Cu-Bi based sintered alloy used for a fuel injection pump component.例文帳に追加

燃料噴射ポンプ部品に使用されるCu-Bi系焼結合金において焼結性、耐焼性、耐疲労性および耐食性を良好にする。 - 特許庁

The device to be verified transmits Yi(=Ri) where bi=0, and transmits Yi(=TRi mod n) where bi=1 (S4).例文帳に追加

被検証装置は、bi=0のときYi(=Ri)を、bi=1のときYi(=TRi mod n)を送る(S4)。 - 特許庁

The wear resistance of the overlay layer 4 can be improved by containing hard particles while using Bi or Bi alloy.例文帳に追加

このようにBiまたはBi合金を用いるようにしながらも、硬質粒子を含有させることで、オーバレイ層4の耐摩耗性を向上できる。 - 特許庁

The magnesium alloy exhibiting an age precipitation phenomenon is characterized in that the additional elements for age precipitation are composed of Bi and Zn.例文帳に追加

本発明は、時効析出現象を示すマグネシウム合金であって、前記時効析出用の添加元素が、BiとZnからなることを特徴とする。 - 特許庁

The overlay layer 4 is formed of a material containing hard particles of 0.05-25 vol.% in Bi or Bi alloy.例文帳に追加

オーバレイ層4は、BiまたはBi合金に硬質粒子を0.05〜25vol %含有させた材料により形成する。 - 特許庁

To improve a decoding error rate in bi-phase decoding processing for decoding bi-phase encoded data.例文帳に追加

バイフェーズ符号化されたデータを復号するバイフェーズ復号処理において、復号誤り率を改善する。 - 特許庁

MATERIAL FOR FORMING Bi BASED FERROELECTRIC THIN FILM, Bi BASED FERROELECTRIC ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING THE ELEMENT例文帳に追加

Bi系強誘電体薄膜形成用材料、Bi系強誘電体素子、およびBi系強誘電体素子の製造方法 - 特許庁

The lead-free solder alloy or solder alloy powder, is composed of, by weight, 0.14% Ni, 0.08% Al, 0.06% Ge, 0.5% Bi and the balance Sn.例文帳に追加

Ni:0.14wt%; Al:0.08wt%; Ge:0.06wt%; Bi:0.5wt%;; 残部Snからなる鉛フリー半田合金又は半田合金粉末である。 - 特許庁

DEVICE FOR ADJUSTING INCIDENCE POSITIONS OF BI-OCULAR IMAGES AND CONVERGENCE POINT IN GAME MACHINE FOR DISPLAYING BI-OCULAR STEREOSCOPIC IMAGES例文帳に追加

二眼式立体映像を表示するゲーム機の両眼映像入射位置および輻輳点の調整装置 - 特許庁

LOCKING DEVICE FOR BI-WIRE TYPE STEERING DEVICE, STEERING ANGLE DETECTING DEVICE AND LOCKING METHOD FOR BI-WIRE TYPE STEERING DEVICE例文帳に追加

バイワイヤ方式操舵装置のロック装置、舵角検出装置、及びバイワイヤ方式操舵装置のロック方法 - 特許庁

FORMING METHOD OF Bi-BASED FERROELECTRIC THIN FILM, AND ADJUSTING METHOD OF COATING SOLUTION FOR FORMATION OF Bi-BASED FERROELECTRIC THIN FILM例文帳に追加

Bi系強誘電体薄膜の形成方法、およびBi系強誘電体薄膜形成用塗布液の調製方法 - 特許庁

To provide a tape-shaped superconductive wire including a Bi-based oxide superconductor having high relative density and excellent in electric characteristics.例文帳に追加

Bi系酸化物超電導体の相対密度が高く、電気特性に優れるテープ状超電導線材を提供する。 - 特許庁

An operation part 44 obtains a remainder bi of the number Bi of black pixels by a reference value p with respect to the object block Ai (S112).例文帳に追加

演算部44が対象ブロックA_iについて基準値pによる黒画素数B_iの剰余b_iを求める(S112)。 - 特許庁

The multiplexed signal light that has been amplified in the Bi based EDF (130) is outputted from an output terminal (102) via an optical coupler (114), an optical isolator (123), and an optical coupler (112).例文帳に追加

Bi系EDF(130)において増幅された多重化信号光は、光カプラ(114)、光アイソレータ(123)及び光カプラ(112)を経て出力端(102)から出力される。 - 特許庁

Preferably, the crystallization promoting layer contains Bi and the recording layer has a metastable Sb_3Te phase belonging to the space group Fm3m.例文帳に追加

結晶化促進層はBiを含み、記録層は空間群Fm_3mに属する準安定Sb_3Te相を有することが好ましい。 - 特許庁

This leadless solder is composed by incorporating, by weight %, 0.1 to 2.0% Cu, 0.01 to 20.0% In, 0.01 to 1.5% P, 0.1 to 6.5% Bi and the balance Sn into the solder.例文帳に追加

本発明による無鉛半田は重量%で、Cu:0.1〜2.0%、In:0.01〜2.0%、P:0.01〜1.5%、Bi:0.1〜6.5%、残量Snを含んで組成される。 - 特許庁

COATING LIQUID FOR DEPOSITING Bi-BASED FERROELECTRIC THIN FILM, AND METHOD OF DEPOSITING Bi-BASED FERROELECTRIC THIN FILM USING THE SAME例文帳に追加

Bi系強誘電体薄膜形成用塗布液およびこれを用いたBi系強誘電体薄膜の形成方法 - 特許庁

The target is provided in which the atom ratio of Bi to Ti as metal components of the BiTi-based oxide target is Bi:Ti=6:x (3<x<7).例文帳に追加

BiTi系酸化物ターゲットの金属成分としてのBiとTiとの原子比が、Bi:Ti=6:x(3<x<7)であるターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a sliding member which has excellent resistance against seizure and comprises an overlay layer formed by adding Sn or an Sn alloy to Bi or Bi alloy.例文帳に追加

BiまたはBi合金にSnまたはSn合金を添加して形成されるオーバレイ層を有し、非焼付性に優れる摺動部材を提供する。 - 特許庁

Also, as melting temperature lowering elements, at least one element among Bi, In and Zn may be added in an amount of not more than 5 mass% in total.例文帳に追加

また、融点低下元素として、Bi、InおよびZnの少なくとも1種を合計で5質量%以下添加してもよい。 - 特許庁

To provide a method of electrolytically processing lead, by which high purity lead is recovered even for a high Bi grade anode.例文帳に追加

Bi品位のアノードに対しても高純度の鉛を回収することができる鉛の電解方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of electrolytically processing lead, by which high purity lead is recovered even for a high Bi grade anode.例文帳に追加

Bi品位のアノードに対しても高純度の鉛を回収することができる鉛の電解方法が要望されている。 - 特許庁

A Bi concentration in the Sn-Bi layer is desirably 1 to 20 wt.% for obtaining sufficient wettability.例文帳に追加

このSn−Bi層中のBi濃度は、十分なぬれ性を得るために1〜20重量%であることが望ましい。 - 特許庁

To provide a manufacturing method suitable for manufacturing a fine wire of an Sn-Bi alloy as low melting point solder and to contribute hereby to lead-free soldering.例文帳に追加

低融点はんだであるSn−Bi系の合金細線を製造するのに適した製造方法を提供し、これによりはんだの鉛フリー化に寄与すること。 - 特許庁

To provide a bi-metal coin corresponding type coin sensor for surely identifying a bi-metal coin from an edge coin or the like.例文帳に追加

バイメタルコインをエッジコインなどから確実に識別できるバイメタルコイン対応型のコインセンサを提案すること。 - 特許庁

To obtain a bi-directional receiving system by which reception quality is improved in a server and also in a bi-directional receiver.例文帳に追加

サーバ及び双方向受信機両方の受信品質を向上させることができる双方向受信システムを得る。 - 特許庁

Bi concentration in the Sn-Bi layer should preferably be 1-2 wt.% for improved wetting properties.例文帳に追加

このSn−Bi層中のBi濃度は、十分なぬれ性を得るために1〜20重量%であることが望ましい。 - 特許庁

A Bi concentration in the Sn-Bi layer is desirably 1 to 20 wt.%, to obtain the sufficient wettability.例文帳に追加

このSn−Bi層中のBi濃度は、十分なぬれ性を得るために1〜20重量%であることが望ましい。 - 特許庁

In short, the light-emitting layer of the light-emitting diode is represented by a general formula InxGa1-xN1-yXy (0<x<1; X=P, As, Ab, Bi; y=0<y<0.01/0<y<0.005).例文帳に追加

すなわち、本発明に係る発光ダイオードの発光層は一般式In_xGa_1-xN_1-yX_y(0<x<1;X=P,As,Sb,Bi;y=0<y<0.01/0<y<0.005)で表される。 - 特許庁

To provide a sliding member in which Bi can be used for a material of an overlay layer by reducing the brittle property of Bi.例文帳に追加

Biの脆いという性質を軽減し、オーバレイ層の材料にBiを用いることができるようにする。 - 特許庁

Preferably, the concentration of the Bi in the Sn-Bi layer is 1 to 20 wt.% for the sufficient wettability.例文帳に追加

このSn−Bi層中のBi濃度は、十分なぬれ性を得るために1〜20重量%であることが望ましい。 - 特許庁

To provide a thermoelectric conversion material and a thermoelectric conversion element which has increased mechanical strength while keeping the figure of merit of a Bi-Te-based thermoelectric material.例文帳に追加

Bi-Te系の熱電材料の性能指数を高く保ちながらその機械的強度を向上させた熱電変換材料と熱電変換素子の提供。 - 特許庁

Also as a melting point depressing element, 5 or less percent by mass in the total of at least one type among Bi, In and Zn may be added.例文帳に追加

また、融点低下元素として、Bi、InおよびZnの少なくとも1種を合計で5質量%以下添加してもよい。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for bi-directional current detection for a synchronous rectifier bi-directional converter system.例文帳に追加

同期整流器の双方向変換器システム向けの双方向電流感知のための方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a Bi series (2212) oxide superconductor in which deterioration of characteristics by composition fluctuations at heat treatment is prevented.例文帳に追加

熱処理時の組成変動による特性の低下を防止したBi系(2212)酸化物超電導体を提供する。 - 特許庁

To provide a compact and low-cost bi-directional communication optical waveguide for achieving bi-directional communication, and to provide an optical transmitter-receiver provided with the optical waveguide.例文帳に追加

双方向通信を実現するための小型でかつ低コストの双方向通信用光導波路及び光送受信器を提供する。 - 特許庁

To provide a bi-polar transistor which is hardly affected by the difference of a bias voltage due to the manufacturing error of base width, and a method for manufacturing the bi-polar transistor.例文帳に追加

ベース幅の製造誤差によるバイアス電圧の偏差の影響を受けにくいバイポーラトランジスタとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce jitters of a digital signal, such as a bi-phase digital voice signal which has been subjected to bi-phase mark modulation.例文帳に追加

バイフェーズマーク変調されたデジタル音声信号のようなデジタル信号のジッタを低減する。 - 特許庁

Also, as a melting point depressing element, 5 or less percent by mass in the total of at least one type among Bi, In and Zn may be added.例文帳に追加

また、融点低下元素として、Bi、InおよびZnの少なくとも1種を合計で5質量%以下添加してもよい。 - 特許庁

例文

The Bi-containing hot-dip galvanizing is characterized in that the content of a Bi component in a molten zinc in a plating bath is 0. 00-2.5% by mass.例文帳に追加

メッキ浴の溶融亜鉛中にBi成分が0.050〜2.5質量%の範囲で含有していることを特徴とする。 - 特許庁

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