「0層」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

反射防止膜はさらに、０〜６５％の空気層を含む。例文帳に追加

The antireflective film further includes an air layer by 0 to 65%. - 特許庁

活性層１６は、Ｉｎ_ｘＧａ_yＡｌ_１−（x＋y）Ｎ（０≦x，y≦１、０≦x＋y≦１）から構成されている。例文帳に追加

The active layer 16 is formed of In_xGa_yAl_1-(x+y)N (0≤x, y≤1, 0≤x+y≤1). - 特許庁

ｐ型半導体領域は、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ≧０，ｙ≧０，ｚ≧０）層２６から形成されている。例文帳に追加

The p-type semiconductor region is formed with an Al_xIn_yGa_zN (x+y+z=1, x≥0, y≥0, and z≥0) layer 26. - 特許庁

キャリア基板の上には、Ａｌ_ｘ１Ｇａ_ｙ１Ｉｎ_ｚ１Ｎ（ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１、ｘ１≧０、ｙ１≧０、ｚ１≧０）の第１の半導体層が形成される。例文帳に追加

Above the carrier substrate, a first semiconductor layer 115 of Al_x1Ga_y1In_z1N (x1+y1+z1=1, x1≥0, y1≥0, z1≥0) is formed. - 特許庁

バッファ層は、例えばＩｎ_ｍＡｌ_ｎＧａ_１−ｍ−ｎＡｓ（０≦ｍ＜１、０＜ｎ≦１、０＜ｎ＋ｍ≦１）のエピタキシャル結晶からなる。例文帳に追加

The buffer layer is composed of, for instance, an In_mAl_nGa_1-m-nAs (0≤m<1, 0<n≤1, 0<n+m≤1) epitaxial crystal. - 特許庁

発光層３と、発光層３からの発光波長に対して透明な透明基板２との間に(Al_yGa_1-y)_zIn_1-zP（0≦y≦1、0＜z＜1）からなるコンタクト層８を備えることを特徴とするAlGaInP系の半導体発光素子。例文帳に追加

The AlGaInP semiconductor light-emitting element has a light-emitting layer 3 and a contact layer 8 formed of (Al_yGa_1-y)_zIn_1-zP(0≤y≤1, 0<z<1) between a light-emitting layer 3 and a transparent substrate 2 which is transparent to a light-emitting wavelength from the light-emitting layer 3. - 特許庁

縦型ＦＥＴ１では、ＧａＮ基板１０上に、六方晶のＧａＮ、ＡｌＧａＮを、｛ 0 0 0 1｝面を成長面として、エピタキシャル成長させており、ｎ型ＧａＮキャップ層１８における鉛直な面Ｓ１は、｛ 1-1 0 0｝面（ｍ面）となる。例文帳に追加

In vertical type FET1, hexagonal GaN and AlGaN are epitaxially grown on the GaN substrate 10 with a {0001} surface as a growth surface, and a vertical surface S1 in an n-type GaN cap layer 18 is to be {1-100} surface (m surface). - 特許庁

ディスクは、積層方向に複数の記録層（レイヤー０〜３）を有している。例文帳に追加

The disk includes a plurality of recording layers (layers 0 to 3) in a laminating direction. - 特許庁

前記チャネル層は、Ａｌ_XＧａ_1-XＮ層（０＜Ｘ＜１）によって形成されている。例文帳に追加

The channel layer is formed by an AlXGa1-XN layer (0<X<1). - 特許庁

最外層は、窒化アルミニウム又は炭窒化アルミニウムからなり、最外層中に塩素を0超0.5原子％以下含有する。例文帳に追加

The outermost layer is composed of aluminum nitride or aluminum carbonitride and contains over 0 and up to 0.5 atom% of chlorine. - 特許庁

最外層は、窒化アルミニウム、又は炭窒化アルミニウムからなり、最外層中に塩素を0超0.5原子％以下含有する。例文帳に追加

The outermost layer is composed of aluminum nitride or aluminum carbonitride and contains over 0 and up to 0.5 atom% of chlorine. - 特許庁

最外層は、窒化アルミニウム、炭窒化アルミニウムから選ばれる1種以上からなり、最外層中に塩素を0超0.5原子％以下含有する。例文帳に追加

The outermost layer is composed of one kind or more selected from aluminum nitride and aluminum carbonitride, and includes chlorine by 0 to 0.5 atomic % or less in the outermost layer. - 特許庁

前記電子放出層は、少なくとも１つのＧａ_xＳｃ_(1-x)Ｎ／Ａｌ_yＧａ_(1-y)Ｎ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１）層からなることが好ましい。例文帳に追加

It is preferable that the electron emission layer comprise at least one layer of Ga_xSc_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N(0≤x<1, 0≤y<1). - 特許庁

Ｍｇ、Ｚｎ、ＣｄがドープされたＧａＮまたはＡｌ_xＩｎ_yＧａ_1-x-yＮ層（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を、この層に使用することができる。例文帳に追加

A GaN layer or an AlxInyGa1-x-yN layer (0≤x≤1, 0≤y≤1) which are doped with Mg, Zn and Cd can be used for the interface layer 16. - 特許庁

この高キャリア濃度ｎ^+ 層１３の上には、ノンドープのIn_x Ga_1-X N (0<x<1) から成る膜厚約３０００Åの中間層１４が形成されている。例文帳に追加

On top of this, an intermediate layer 14 of film thickness of about 3,000 Å comprising non-doped InxGa1-xN (0<x<1) is formed. - 特許庁

トレンチ４２に露出する半導体下地層１０の表面８ａの少なくとも一部が、In_xAl_yGa_(1-x-y)N (0≦x≦1，0.00001≦y≦0.01，0＜1-x-y≦1)で示されるAlドープ窒化物である。例文帳に追加

At least a part of a top surface 8a of the semiconductor base layer 10 which is exposed in the trench 42 is an Al-doped nitride represented by In_xAl_yGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0.00001≤y≤0.01, and 0<1-x-y≤1). - 特許庁

所定の基板１１上又は該基板上に必要に応じて形成した中間層上に、非晶質のSiO_xC_y（ｘ≧0、ｙ≧0、ｘ＋ｙ＝2）薄膜１３を形成することを特徴とする。例文帳に追加

The amorphous SiO_xC_y (x≥0, y≥0, and x+y=2) thin film 13 is formed on a designated substrate 11 or on an intermediate layer formed on the substrate 11 as the need arises. - 特許庁

Li_2-xMO_3-y(Mは、Mn, Tiおよび Snからなる群から選択される少なくとも一種, 0≦x＜2、0≦y≦1)中に、リチウムフェライト(LiFeO_2)を鉄の割合が0.21≦Fe/(Fe+M)≦0.75となるように固溶させた層状岩塩型構造を有する単相リチウムフェライト系複合酸化物。例文帳に追加

The single phase lithium ferrite complex oxide having a layer rock salt structure and deforming lithium ferrite (LiFeO2) into Li2-xMO3-y (M is at least one selected from the group consisting of Mn, Ti, and Sn; 0≤x≤2, 0≤y≤1) so as to attain Fe ratio of 0.21≤Fe/(Fe+M)≤0.75. - 特許庁

また、各障壁層(33)(34)はＧａ_x（ＡｌＩｎ）_1-xＰ（ｘ＝０）を含む。例文帳に追加

Further, each of the barrier layers (33) and (34) includes Ga_x(AlIn)_1-xP(x=0). - 特許庁

プライマリ層１２の０℃での引裂強度は１．０〜７．０ｋｇ／ｍｍである。例文帳に追加

The tear strength of the primary layer 12 at 0°C is 1.0 to 7.0 kg/mm. - 特許庁

高屈折率膜としては、ＳｉＮ_y層（０≦ｙ≦１．３）３等を形成する。例文帳に追加

As the high refractive index film, a SiNy layer (0≤y≤1.3) 3 and others are formed. - 特許庁

また、活物質層２００は、厚さが０μｍ超１０μｍ未満である。例文帳に追加

A thickness of the active material layer 200 is more than 0 μm and less than 10 μm. - 特許庁

また、Ａｌ_w Ｉｎ_x Ｇａ_1-w-x Ｎ（０＜ｗ＜１，０＜ｘ＜１）からなる層と、Ａｌ_y Ｉｎ_z Ｇａ_1-y-z Ｎ（０＜ｙ＜ｗ，ｘ＜ｚ＜１）からなる層とを交互に積層してなる多重構造を有していても良い。例文帳に追加

They may comprise a multiplex structure, where a layer of Al_wIn_xGa_1-w-xN (0<w<1, 0<x<1) and a layer of Al_yIn_zGa_1-y-zN (0<y<w, x<z<1) are laminated alternately. - 特許庁

このため、０°ベルト層３０と角度付きベルト層３２のタイヤ周方向伸びの変位差を小さくでき、０°ベルト層３０と角度付きベルト層３２との間のせん断歪みを低減できるため、０°ベルト層３０と角度付きベルト層３２との間の層間剥離を防止できる。例文帳に追加

Consequently, it is possible to reduce a displacement difference of extension in the tire circumferential direction of the 0° belt layer 30 and the angled belt layer 32 and to reduce shearing distortion between the 0° belt layer 30 and the angled belt layer 32, and accordingly, it is possible to prevent delamination between the 0° belt layer 30 and the angled belt layer 32. - 特許庁

この緩衝層１２の組成においては、下端側においてｐ＝０（ＧａＮ）となった領域（基板接続領域１２１）が、上端側（電子走行層１３側）においてもｐ＝０（ＧａＮ）となった領域（能動層接続領域１２２）が、それぞれ設けられている。例文帳に追加

In a composition of the buffer layer 12, a region (substrate connection region 121) where the value of p is set to 0 (p=0) (GaN) is formed on the lower end side, and a region (active layer connection region 122) where the value of p is also set to 0 (p=0) (GaN) is formed on the upper end side (electron transit layer 13 side). - 特許庁

ｎ層側クラッド層１０３は、Ｉｎ_y Ｇａ_1-y Ｎ（０＜ｙ＜１）層１３１、Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ（０＜ｘ＜１）層１３２、及び、ＧａＮ層１３３の周期構造から成る超格子層である。例文帳に追加

The n-type-layer-side cladding layer 103 is a superlattice layer having a periodic structure of In_yGa_1-yN (0<y<1) layer 131, Al_xGa_1-xN (0<x<1) layer 132 and a GaN layer 133. - 特許庁

ｎ型下部クラッド層４中に薄層のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）緩衝層５が形成され、ｐ型上部クラッド層７中に薄層のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）緩衝層８が形成されている。例文帳に追加

In an n-type lower clad layer 4, thin buffer layers 5 of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) are formed, and in a p-type upper clad layer 7, thin buffer layers 8 of Al_xGa_1-xN(0≤x≤1) are formed. - 特許庁

Ｓｉ基板上１に不純物添加したＺｎＯバッファ層２を用いてＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１， ０≦ｙ≦１， ０≦ｚ≦１， ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）系半導体層３を成長する。例文帳に追加

An AlxGayInzN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1 and x+y+z=1) semiconductor layer 3 is grown by using an impurity added ZnO buffer layer 2 on a Si substrate 1. - 特許庁

第１および第２導電型クラッド層の少なくとも一方がＩｎ_xＡｌ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ層（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜１）であり、厚みのばらつきが６％以内である。例文帳に追加

At least one of the first and second conductivity-type clad layers is an In_xAl_yGa_(1-x-y)N layer (0<x<1, 0<y<1, 0<x+y<1), and the dispersion in the thickness lies within 6%. - 特許庁

最上層にＩn組成比ｘが(０＜ｘ＜１)のＩn_xＧa_1-xＰ電流拡散層１６を形成する。例文帳に追加

An InxGa1-xP current diffusion layer 16 whose In composition ratio x (0<x<1) is formed at a top layer. - 特許庁

金属層間誘電体による拡散防止バリヤ層を有する集積回路およびその製造方法。例文帳に追加

INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING DIFFUSION-PREVENTIVE BARRIER LAYER WITH INTER-METAL LAYER 0, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

ここで、ｐ型Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ｎ（０≦ｘ≦１）層１２は、例えばｘ＝０．０８のｐ型Ａｌ_0.08Ｇａ_0.92Ｎ層である。例文帳に追加

The p-type Al_xGa_(1-x)N (0≤x≤1) layer 12 is, for example, a p-type Al_0.08Ga_0.92N - 特許庁

その他の層の乗算ウエイトは、０からＫ２までが１、Ｋ２から右下がりとなりＫ０で０の関数である。例文帳に追加

The multiplication weights of the other layers are functions that are 1 from 0 to K2 and that drop to the right from K2 and become 0 at K0. - 特許庁

また、本発明のレーザ素子は、前記超格子層はＡｌ_xＧａ_1-xＮ／Ｉｎ_yＧａ_1-yＮ（０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）からなる超格子構造を有することを特徴とする。例文帳に追加

The laser element has a superlattice structure, which consists of AlxGa1-xN/InyGa1-yN (0<x<1, 0≤y<1). - 特許庁

組成式：Li_1+x(Mn_1-m-nFe_mAl_n)_1-xO_2 (0<x<1/3, 0.05≦m≦0.75, 0.01≦n≦0.5, 0.06≦m+n<1)で表され、層状岩塩型構造を有するリチウムフェライト系複合酸化物。例文帳に追加

The lithium ferritic compound oxide is expressed by the compositional formula of Li_1+x(Mn_1-m-nFe_mAl_n)_1-xO_2 (0<x<1/3, 0.05≤m≤0.75, 0.01≤n≤0.5, 0.06≤m+n<1), and has layered rock salt structure. - 特許庁

活性層１５としてＩn_1-xＧa_xＮ_1-y-zＡs_yＰ_z［但し、０≦ｘ,ｙ,ｚ＜１］からなる半導体層を形成し、この活性層を挟むクラッド層１４,１６としてＡl_aＩn_bＧa_1-a-bＮ_1-c-dＡs_cＰ_d［但し、０≦ａ,ｂ,ｃ,ｄ≦１］からなる半導体層を形成する。例文帳に追加

As an active layer 15, a semiconductor layer of In1-xGaxN1-y-zAsyPz (where, 0≤x,y,z<1) is formed, while as clad layers 14 and 16 for sandwiching the active layer, a semiconductor layer comprising AlaInbGa1-a-bN1-c-dAscPd (where 0≤a,b,c,d≤1) is formed. - 特許庁

基板11上に形成されたGaNからなる動作層12の上に、Al_xGa_(1-x)N(0＜x≦1)からなる障壁層13が積層されており、動作層12と障壁層13とからヘテロ接合界面が形成されている。例文帳に追加

A barrier layer 13 formed of Al_xGa_(1-x)N (0<x≤1) is laminated on an operating layer 12 composed of GaN formed on a substrate 11, and a hetero-junction interface is formed of the operating layer 12 and the barrier layer 13. - 特許庁

Ｉｎ_xＧａ_1-XＮ_yＡｓ_1-y（０＜ｘ≦１，０＜ｙ≦１）井戸層と、該井戸層の上下に隣接するＧａＮ_zＡｓ_1-z（０＜ｚ≦１）バリア層とを含む量子井戸活性層を基板上に有することを特徴とする半導体光デバイス装置及びその製造方法。例文帳に追加

In this semiconductor optical device and its manufacturing method, a quantum well active layer which includes an InxGa1-xNyAs1-y (0<x≤1, 0<y≤1) quantum well layer and GaNzAs1-z (0<z≤1) barrier layers which are adjacent to the upper part and the lower part of the quantum well layer is arranged on a substrate. - 特許庁

電流拡散層を(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で構成し、電流狭窄層をAl_ZGa_1-ZAs（０≦ｚ≦１）で構成すると、電流狭窄層１を部分的にエッチング除去する際の電流拡散層のオーバーエッチングが有効に防止できる。例文帳に追加

When the current diffusion layer is composed of (AlxGa1-x)yIn1-yP (0≤x≤1, 0≤y≤1) and the current constriction layer is composed of AlzGa1-zAs (0≤z≤1), overetching of the current diffusion layer can be prevented effectively at the time of removing the constriction layer 1 partially by etching. - 特許庁

Ｉｎ_xＧａ_1-XＮ_yＡｓ_1-y（０＜ｘ≦１，０＜ｙ≦１）井戸層と、該井戸層の上下に隣接するＧａＰ_zＡｓ_1-z（０＜ｚ≦１）バリア層とを含む量子井戸活性層を基板上に有することを特徴とする半導体光デバイス装置及びその製造方法。例文帳に追加

In this semiconductor optical device and its manufacturing method, a quantum well active layer which includes an InxGa1-xNyAs1-y (0<x≤, 0<y≤1) quantum well layer and GaPzAs1-z (0<z≤1) barrier layers which are adjacent to the super part and the lower part of the quantum well layer is arranged on a substrate. - 特許庁

次いで、ＡｌＮ下地層２に、Ａｌ_ｐＧａ_ｑＩｎ_１−ｐ−ｑＮ（０≦ｐ≦１，０＜ｑ≦１）なる組成を有するバッファ層３を形成し、このバッファ層３上に、ＧａＮ半導体層群４を形成する。例文帳に追加

Next, a buffer layer 3, having composition of Al_pGa_qIn_1-p-qN (0≤p≤1, 0<q≤1), is formed on the AlN base layer 2, and a group 4 of GaN semiconductor layers are formed on this buffer layer 3. - 特許庁

このスペーサ層は、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＡｓを有する第１の半導体層（１≧ｘ＞０）と、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ（１＞ｙ＞０、かつ、ｘ＞ｙ）を有する第２の半導体層とが積層されることにより構成されている。例文帳に追加

The spacer layer is a laminated structure that includes a first semiconductor layer having a composition of Al_XGa_1-XAs (1≥x>0) and a second semiconductor layer having a composition of Al_yGa_1-yAs (1>y>0 and x>y). - 特許庁

ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓバッファ層を形成し、ＧａＡｓバッファ層上に、ＧａＳｂ_ｘＡｓ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）層を導入し、ＧａＳｂ_ｘＡｓ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）層上に、ＩｎＡｓ量子ドットを自己形成する。例文帳に追加

A GaAs buffer layer is formed on a GaAs substrate, a GaSb_xAs_1-x (0<x≤1) layer is introduced onto the GaAs buffer, and InAs quantum dots are self-formed on the a GaSb_xAs_1-x (0<x≤1) layer. - 特許庁

一方、前記超格子層は、ＩｎＮ層とＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）層が交互に積層された構造である。例文帳に追加

The superlattice layer is the structure where the InN layer and In_xGa_1-xN (0≤x<1) layer are alternately laminated. - 特許庁

ベルト層を構成する０°ベルト層と角度付きベルト層との間の層間剥離を防止できる空気入りタイヤを得る。例文帳に追加

To provide a pneumatic tire capable of preventing delamination between a 0° belt layer constituting a belt layer and an angled belt layer. - 特許庁