「0層」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域に用いた半導体装置であって、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層は、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＞０）で表される非晶質構造中に、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＝１）で表される結晶粒を含む構造を有する。例文帳に追加

The In-Ga-Zn-O-based oxide semiconductor layer includes structure including a crystal grain expressed by InGaO_3(ZnO)_m(m=1) in amorphous structure expressed by InGaO_3(ZnO)_m(m>0). - 特許庁

元型モールド３０の表面に設けられている微細パターンをインプリントにより転写してサブマスターモールド２０を製造する際に用いられるマスクブランクスであって、化学式ＣｒＯ_ｘＮ_ｙＣ_ｚ（ただしｘ＞０）であるクロム化合物層を含むハードマスク層を基板１上に有する。例文帳に追加

The mask blank is used in producing a sub-master mold 20 by imprint-transferring the fine pattern prepared on a surface of master mold 30, and has a hard mask layer on its substrate 1, wherein the hard mask layer contains a layer of chromium compound having a chemical formula CrO_xN_yC_z (where x>0). - 特許庁

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体素子を製造する場合に、Ｒ面からＣ軸方向に−０．５°以上０°以下オフした主面を有するサファイア基板１１上に、素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１２をバッファ層を成長させることなく直接成長させる。例文帳に追加

When the semiconductor device using a nitride-based group III-V compound semiconductor is manufactured, the nitride-based group III-V compound semiconductor layer 12, forming the device structure, is grown directly on the sapphire substrate 11 having a principal surface which is -0.5 to 0° off an R surface, in a C-axial direction without making a buffer layer grow. - 特許庁

（成分Ａ）加水分解性シリル基及び／又はシラノール基を有する化合物を含有し、且つ、（成分Ｂ）バインダーポリマーを含有しないか、又は、全質量に対して２質量％未満含有するレーザー彫刻用樹脂組成物の熱架橋層を架橋レリーフ形成層として支持体上に有するレーザー彫刻用レリーフ印刷版原版。例文帳に追加

The original plate of a relief printing plate for laser engraving contains: (Component A) a compound having hydrolyzable silyl group and/or silanol group ; and (Component B) a thermal crosslinking layer of resin compound for laser engraving, which contains less than 2%, including 0%, by mass of a binder polymer with respect to the total mass, as a crosslinking relief forming layer on the support body thereof. - 特許庁

本発明は、基紙の両面にプラスチックフィルムを貼り合わせてなり、少なくとも片面のプラスチックフィルムがトナー受理層を有し、該トナー受理層がガラス転移温度が０〜８０℃の樹脂、低抵抗処理剤および有機ポリマー微粒子を含むことを特徴とする耐水性を有する電子写真用受像紙である。例文帳に追加

The electrophotographic image receiving sheet with water resistance is obtained by bonding plastic films to both surfaces of a base sheet, at least one of the plastic films has a toner-receiving layer and the toner-receiving layer contains a resin of 0 to 80°C glass transition temperature, a low-resistance processing agent and organic polymer particulate. - 特許庁

硬化後に動的粘弾性測定により求めた貯蔵弾性率が０℃において１．０×１０^９〜４．０×１０^９Ｐａ、１００℃において１×１０^５〜１×１０^^８Ｐａであり、かつ厚さ３ｍｍのシートにおけるヘイズが３以下である樹脂を与えるアクリル系シラップからなる接着剤、および該接着剤を用いて透明硝子板と透明アクリル樹脂板とを積層一体化させた積層板。例文帳に追加

The adhesive comprises an acrylic syrup which yields a resin showing a storage elastic modulus, obtained from the dynamic viscoelasticity measured after curing, of from 1.0×109 to 4.0×109 Pa at 0°C and from 1×105 to 1×108 Pa at 100°C, and a haze of 3 in the form of a sheet with a thickness of 3 mm. - 特許庁

本発明では、ＧａＡｓ基板上に、Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長させる化合物半導体の成長方法において、該Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-_yＮ層に、原子半径がＮよりも大きいＶ族元素を1×１０^17ｃｍ^-3から１×１０^23ｃｍ^-3までの濃度範囲だけ添加する工程を含む化合物半導体の成長方法を提供する。例文帳に追加

The method of growing a compound semiconductor, in which an InxGayAl1-x-yN layer (0≤x, y≤1) is grown on a GaAs substrate includes a process of adding group V elements, having an atomic radius larger than that of N, in a density that ranges from 1×1017 to 1×1023 cm-3, to the InxGayAl1-x-yN layer. - 特許庁

また、導電性支持体上に少なくとも感光層を有する電子写真感光体において、その感光層が、電荷輸送物質、電荷発生物質及び酸化防止剤を少なくとも含有し、電荷輸送物質のイオン化ポテンシャルの値から、電荷発生物質のイオン化ポテンシャルの値を引いた値が０ｅＶ以下とする。例文帳に追加

Alternatively, the electrophotographic photoreceptor has at least a photosensitive layer on a conductive support, wherein the photosensitive layer contains at least a charge transport material, a charge generating material, and an antioxidant, with value given by subtracting the ionization potential value of the charge generating material from that of the charge transport material being set to ≤0 eV. - 特許庁

本発明の積層シートは、一軸延伸熱可塑性樹脂シートの両面に、ポリ塩化ビニル系樹脂９７〜８８重量％とアクリレート系共重合体粒子３〜１２重量％からなるポリ塩化ビニル系樹脂組成物シートが積層されてなり、０℃におけるアイゾット衝撃値が１０ｋＪ／ｍ^2 以上であることを特徴とする。例文帳に追加

The laminated sheet comprises laminating a polyvinyl chloride resin composition including a polyvinyl chloride resin of 97 to 88 wt.% and an acrylate copolymer particle of 3 to 12 wt.% on both face of a uniaxially drawn thermoplastic resin sheet, and having an Izot impact value of 10 kJ/m^2 or more at 0°C. - 特許庁

基板とホトレジスト層との間に下層膜を形成するための下地材であって、下記一般式（Ｉ）［式中、Ｒ^１は脂環式基を表し、Ｒ^２はナフチル基またはアントリル基を表し、ｎは０または１の整数を表す］で表される構成単位を有するフェノール樹脂を含有することを特徴とする下地材。例文帳に追加

The base material for forming the underlayer film between a substrate and a photoresist layer contains a phenolic resin having a constitutional unit represented by formula (I), wherein R^1 represents an alicyclic group; R^2 represents naphthyl or anthryl; and n represents an integer of 0 or 1. - 特許庁

合成樹脂製ライナー材で形成された中空容器と、該中空容器の外層に設けられた補強材で形成された補強材層とを有し、かつ少なくとも１つの口金部材を有する圧力容器であって、該合成樹脂製ライナー材は、接着性樹脂１００〜０．５重量％と熱可塑性樹脂０〜９９．５重量％とを含んでなる圧力容器圧力容器及びその製造方法による。例文帳に追加

The pressure container comprises: a hollow container made of synthetic resin liner material; a reinforcing material layer made of reinforcing material provided on the outer layer of the hollow container; and at least one mouth ring member, and is manufactured such that the synthetic resin liner material contains 0.5 to 100 wt.% of adhesive resin, and 0 to 99.5 wt.% of thermoplastic resin. - 特許庁

この第１の発光素子と２０第２の発光素子３０との間には、ＡｌＮ、ＢＮ、ＳｉＣまたはＧａＮを含んで構成された第１絶縁層４１と、ＡｌＮＯｘ、ＢＮＯｘ、ＳｉＯ２またはＧａＮＯｘを含んで構成されると共に膜厚が０ｎｍより大きく１０ｎｍより小さな第２絶縁層４２とが形成されている。例文帳に追加

A first insulating layer 41 made of AlN, BN, SiC or GaN and a second insulating layer 42 made of AlNOx, BNOx, SiO2 or GaNOx of which film thickness is 0 nm or more and 10 nm or less are formed between the first light emitting element 20 and the second light emitting element 30. - 特許庁

基材フィルムの片面に感圧性接着剤層を形成してなり、感圧性接着剤層はアクリル酸アルキルエステル単量体４０〜９０重量％、アルコキシ基含有エチレン性不飽和単量体１０〜６０重量％を含む単量体混合物を共重合して得られる実質的にゲル分率が０重量％で、重量平均分子量が１００万以上の共重合体を主体とする。例文帳に追加

A pressure-sensitive adhesive layer is formed on one side of a backing film, the pressure-sensitive adhesive layer is principally a copolymer whose gel content is 0 wt.% and average molecular weight is one milion or higher and which is obtained by copolymerizing a monomer mixture containing 40 to 90 wt.% alkylester acrylate monomer and 10 to 60 wt.% ethylenically unsaturated monomer containing an alkoxy group. - 特許庁

多層膜干渉フィルタ１２ａは、異なる反射率の膜を蒸着法により多層形成することにより形成されており、結像レンズ１２への光線の入射角度が０°の時、長波長側の透過率が５０％を示す波長を６３０〜６８０ｎｍとし、短波長側の透過率が５０％を示す波長を３５０〜４００ｍとする。例文帳に追加

The filter 12a is formed by performing multilayer formation of films whose reflectance is different by a deposition method, and when an incident angle of light to the lens 12 is 0°, the wavelength where the transmittance of a long-wavelength side shows 50% is set at 630 to 680 nm, and the wavelength where the transmittance of a short-wavelength side shows 50% is set at 350 to 400 m. - 特許庁

六方晶構造を有しかつ導電性を有する単結晶基板１０の一主面上に、発光部を含みＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（ただし、０≦ｘ＜１）であらわされる窒化物半導体層を形成してなるとともに、この窒化物半導体層上に一方電極１７を形成してなり、かつ単結晶基板１０の他主面上に他方電極１８を形成してなる半導体装置とする。例文帳に追加

In a semiconductor device, a nitride semiconductor layer containing a light emitting part and expressed by Al_xGa_1-xN (where 0≤x<1) is formed on one main surface of a single crystalline conductive substrate 10 of a hexagonal structure, one electrode 17 is formed on the nitride semiconductor layer, and the other electrode 18 is formed on the other main surface of the single crystalline substrate 10. - 特許庁

多層基板１２の層間には、第１および第２の帯域阻止フィルタＢＥＦ１およびＢＥＦ２と、９０°ハイブリッド回路ＨＹＢと、第１および第２の高域通過フィルタＨＰＦ１およびＨＰＦ２と、０°デバイダ回路ＤＩＶの大部分と、第１および第２の低域通過フィルタＬＰＦ１およびＬＰＦ２の大部分とが形成されている。例文帳に追加

First and second band rejection filters BEF1 and BEF2, a 90° hybrid circuit HYB, first and second high-frequency bandpass filters HPF1 and HPF2, a large part of a 0° divider circuit DIV, and a large part of first and second low-pass filters LPF1 and LPF2 are formed between layers of the multilayer board 12. - 特許庁

ウレタンアクリレート系紫外線硬化型樹脂からなる被覆材料を塗布、硬化してなる被覆層が設けられた光ファイバ素線を０℃で２ヶ月放置したときに、前記被覆層中に析出する結晶粒子の粒径が１０μｍ以下あるいは、結晶粒子の数を光ファイバ１０ｃｍ当たり１個以下とした。例文帳に追加

An optical fiber stand with a jacket layer formed by applying and curing a coating material comprising a urethane acrylate-base UV-curable resin is prepared and the grain diameter of grains which separate out in the jacket layer when the optical fiber stand is allowed to stand at 0°C for 2 months in made ≤10 μm of the number of the grains is made ≤1 piece per 10 cm optical fiber. - 特許庁

支持体上に六方晶系フェライト粉末と結合剤を含む磁性層を少なくとも１層設けた磁気記録媒体において、前記六方晶系フェライト粉末の平均板径が１５〜３５ｎｍであり、かつ磁気記録媒体当りのベンゾヒドロキサム酸との鉄錯体形成量Ｃ_Fe/Sが０〜６．０ｐｐｍ／ｇであることを特徴とする磁気記録媒体。例文帳に追加

In the magnetic recording medium having at least one layer of magnetic layer containing hexagonal ferrite powder and a binder on a supporting body, the average particle size of the hexagonal ferrite powder is 15 to 35 nm and the amount of iron complex CF_e/S with benzohydroxamic acid per unit magnetic recording medium is 0 to 6.0 ppm/g. - 特許庁

第１シート部材と、第２シート部材との間に所定の厚みの電子部品を備え、少なくとも前記第１シート部材と第２シート部材と電子部品とを０℃〜８０℃で接着することが可能な光硬化型接着剤部材を介在して貼り合わせた積層構造を有する画像記録体からなる個人認証カードが、光又は熱硬化型樹脂層で保護されていることを特徴とする個人認証カード。例文帳に追加

This personal identification card formed of the image recording body which is equipped with an electronic component of specific thickness between 1st and 2nd sheet members and constituted in laminated structure by sticking at least the 1st and 2nd sheet members and electronic component across a photosetting adhevie member capable of adhering them at 0 to 80°C is protected by a photosetting or thermosetting resin layer. - 特許庁

くし歯状電極部１３、１４と圧電性基板１２の間に、ＴｉＮ、またはＴｉＯｘＮｙ（ただし０＜ｘ＜０．２，ｘ＋ｙ＝１）からなる第１下地層２０、２４と、Ｃｒからなる第２下地層２１、２５を設けることにより、くし歯状電極部１３、１４に空隙部が発生することを防止でき、耐電力特性を向上させることができる。例文帳に追加

First underlying layers 20, 24 formed of TiN or TiOxNy (here, 0<x<0.2, x+y=1), and second underlying layers 21, 25 formed of Cr, are provided between comb-tooth-shaped electrodes 13, 14 and a piezoelectric substrate 12, thereby preventing generation of gaps in the interdigital electrodes 13, 14, and improve the power durability characteristic. - 特許庁

基材２の上に、接着層３、ポリオレフィン系押し出し樹脂又はオレフィンと他のモノマーとの共重合樹脂からなるオレフィン系押し出し樹脂層４、及びシーラント層５がこの順序で設けられていて、接着層３がポリエステルポリオール、ポリエーテルポリオール、アクリルポリオールのいずれかから成るポリオールと、イソシアネート化合物からなる硬化剤とを、０：１００〜２０：８０の割合で含有する。例文帳に追加

An bond layer 3, an olefinic extruded resin layer 4 comprising a polyolefinic extruded resin or a copolymer resin of an olefine and another monomer, and sealant layer are arranged on the base material 2 in this order, and the bond layer 3 contains a polyol comprising any one of a polyester polyol, a polyether polyol, and an acrylic polyol and a hardener comprising an isocyanate compound in a ratio 0:100 to 20:80. - 特許庁

静電容量を有する正極とレドックス容量を有する負極とリチウム塩を含む電解液を有するハイブリッド電気二重層キャパシタにおいて、前記負極では前記リチウム塩の陽イオンがインターカレーションし、前記正極では前記リチウム塩の陽イオン及び陰イオンが吸着脱離し、かつ放電終止電圧が０Ｖである。例文帳に追加

In the hybrid electric double layer capacitor having a positive electrode having electrostatic capacity, a negative electrode having redox capacity and an electrolyte containing lithium salt, cations of the lithium salt are subjected to intercalation in the cathode, cations and anions of the lithium salt are subjected to absorbing/releasing in the anode, and a discharge stop voltage is 0 V. - 特許庁

プラズマアドレス表示装置は、列状の信号電極Ｙを備えた表示セル及び行状に配され且つアノード電極Ａとカソード電極Ｋを有する放電チャネル５を備えたプラズマセルを積層して、各信号電極Ｙと各放電チャネル５の交差部に画素１１を設けたフラットパネル０を用いる。例文帳に追加

The plasma address display device uses a flat panel 0 wherein a display cell with signal electrodes Y arranged in column and a plasma cell with discharge channels 5 arranged in rows and comprising anode electrodes A and cathode electrodes K are layered, and wherein pixels 11 are arranged at respective intersections of respective signal electrodes Y and respective discharge channels 5. - 特許庁

透明基材上５１に導電性繊維１１、導電性高分子２１及び水溶性バインダー樹脂３１を含有する透明導電層４１を有し、該水溶性バインダー樹脂のＧＰＣにより求めた分子量が１０００以下の低分子量成分の含有率が０〜５質量％であることを特徴とする透明電極。例文帳に追加

The transparent electrode has a transparent conductive layer 41 containing conductive fiber 11, conductive polymer 21 and water-soluble binder resin 31 on a transparent base material 51, with a content ratio of a low-molecule ingredient having a molecular volume found by GPC of the water-soluble binder resin of 1,000 or less by 0 to 5% by mass. - 特許庁

重合性基を有するユニット（Ａ）、ＣｌｏｇＰが０以下であるアクリルアミドモノマー由来のユニットであり、めっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する非解離性官能基を有するアクリルアミドユニット（Ｂ）、および疎水性基を有し、重合性基を有しないユニット（Ｃ）を含むポリマー、を含有する被めっき層形成用組成物。例文帳に追加

The composition for forming the layer to be plated comprises a polymer including: a unit (A) having a polymerizable group; an acrylamide unit (B) derived from an acrylamide monomer in which C log P is ≤0, and having a non-dissociative functional group forming an interaction with a plating catalyst or a precursor thereof; and a unit having a hydrophobic group and not having a polymerizable group. - 特許庁

ペロブスカイト構造を有し且つ化学式がＡ_1-xＢ_xＮｉＯ_3（但し、Ａは希土類元素から選択された１種類の元素であり、ＢとしてＡ以外の少なくとも１種類の希土類元素であって、ｘは０≦ｘ≦１を満たす実数である）で表される複合酸化物からなる単結晶膜をチャンネル層に用いる。例文帳に追加

A single crystal film, which has a perovskite structure and comprises a composite oxide represented by chemical formula : A_1-xB_xNiO_3, where A is one element selected from rare earth elements, B is at least one element of the rare earth elements except A, and x is an actual number satisfying 0≤x≤1), is used for a channel layer. - 特許庁

光触媒層は、１質量部以上２０質量部未満の光触媒粒子と、７０質量部を超え９９質量部以下の無機酸化物粒子と、銅元素と、銀元素と、任意成分として０質量部以上１０質量部未満の加水分解性シリコーンを、光触媒粒子、無機酸化物粒子、および加水分解性シリコーンの合計量が１００質量部となるように含んでなる。例文帳に追加

The photocatalyst layer contains a photocatalyst particle of 1 to <20 parts mass, an inorganic oxide particle of >70 to 99 parts mass, a copper element, a silver element and hydrolyzable silicone of 0 to <10 parts mass so that the total amount of the photocatalyst particle, the inorganic oxide particle and the hydrolyzable silicone becomes 100 parts mass. - 特許庁

光触媒層は、１質量部以上２０質量部未満の光触媒粒子と、７０質量部超え９９質量部以下の無機酸化物粒子と、銅元素と、銀元素と、任意成分として０質量部以上１０質量部未満の加水分解性シリコーンを、光触媒粒子、無機酸化物粒子、および加水分解性シリコーンの合計量が１００質量部となるように含んでなる。例文帳に追加

The photocatalyst layer contains ≥1 and <20 pts.mass of photocatalyst particles, >70 and ≤99 pts.mass of inorganic oxide particles, a copper element, a silver element and ≥0 and <10 pts.mass of hydrolyzable silicone being an arbitrary component so that the sum total amount of the photocatalyst particles, the inorganic oxide particles and the hydrolyzable silicone amounts to 100 pts.mass. - 特許庁

２層スタックゲート構造ＭＯＳトランジスタにおいて、基板に近いゲートを（１）フローテングにする事によりフラッシュメモリを、（２）書き込み・読み出し用パストランジスタのドレインに接続して０，１のデータに対応した電荷を蓄積した後、パストランジスタをオフにする事によりＤＲＡＭを実現した同一基板フラッシュ・ＤＲＡＭ混載半導体装置。例文帳に追加

The identical substrate flash memory/DRAM hybrid semiconductor device obtain a DRAM by (1) floating a gate near a substrate and (2) connecting the flash memory to the drain of a write/read pass transistor in a two-layer stack gate structure MOS transistor, storing charges corresponding to data '0', '1', and then turning off the pass transistor. - 特許庁

光触媒層は、１質量部以上２０質量部未満の光触媒粒子と、７０質量部を超え９９質量部以下の無機酸化物粒子と、０質量部以上１０質量部未満の加水分解性シリコーンとを、光触媒粒子、無機酸化物粒子、および加水分解性シリコーンの合計量が１００質量部となるように含み、さらに艶調整剤を含んでなる。例文帳に追加

The photocatalyst layer contains photocatalyst particles of 1 or more and less than 20 pts.mass, inorganic oxide particles of more than 70 and 99 or less pts.mass, and hydrolytic silicones of 0 or more and less than 10 pts.mass so that the total of the photocatalyst particles, the inorganic oxide particles and the hydrolytic silicones becomes 100 pts.mass, and further contains a gloss adjusting agent. - 特許庁

炭化珪素半導体基板上に形成する半導体装置として、基板の（０００−１）面から０°超で以上１°未満傾斜した面上に成長したエピタキシャル層に、Ｐ型あるいはＮ型領域をイオン注入により選択的に形成して製造したダイオード、トランジスターなどとする。例文帳に追加

As the semiconductor device formed on a silicon carbide semiconductor substrate, a diode and a transistor, etc. are manufactured by selectively forming in the epitaxial layer grown on the surface which is inclined from a (000-1) surface of the substrate by 0 or more degree of the angle and less than 1 degree of the angle, by ion implanting a P-type or N-type region. - 特許庁

少なくとも金属塩を形成するスルホ基を有する芳香族ポリエステルポリオールを含有したポリオール混合物とジイソシアネートとの重付加反応によって得られ、−２００〜０℃および２０〜１００℃にそれぞれガラス転移温度を有するポリウレタン、ならびに該ポリウレタンを使用した染料受容層を設けた熱転写受像シートを提供する。例文帳に追加

A polyurethane having glass transition temperatures at -200 to 0°C and 20 to 100°C is produced by a polyaddition reaction of a polyol mixture containing an aromatic polyester polyol at least having a sulfo group forming a metal salt and a diisocyanate, and the thermal image transfer recording sheet having a dye receiving layer using the polyurethane is also produced. - 特許庁

光触媒層は、５質量部以上１５質量部以下の光触媒粒子と、７５質量部を超え９５質量部以下の無機酸化物粒子と、銅元素と、銀元素と、０質量部以上１０質量部未満の加水分解性シリコーンとを、光触媒粒子、無機酸化物粒子、および加水分解性シリコーンの合計量が１００質量部となるように含んでなる。例文帳に追加

The photocatalyst layer contains 5-15 pts.mass of photocatalyst particles, >75 and ≤95 pts.mass of inorganic oxide particles, a copper element, a silver element and ≥0 and <10 pts.mass of hydrolyzable silicone so that the sum total amount of the photocatalyst particles, the inorganic oxide particles and the hydrolyzable silicone amounts to 100 pts.mass. - 特許庁

層間酸化膜８の上面８ｂに形成された凹凸を有する非晶質シリコン膜１１の上面１１ｂに対して、大電流機を用いて注入量８×１０^15ａｔｏｍ／ｃｍ^2 、注入エネルギー２０Ｋｅｖ、入射角０度で矢印１３で示すイオン注入を行うことにより、上面１４ｂが平坦化された非晶質シリコン膜１４を形成する。例文帳に追加

An amorphous silicon film 14 whose top 14b is flattened is made by subjecting it to ion implantation shown by the arrow 13, with 0 degrees for incident angle, 20 keV of implantation energy, and 8×1015 atom/cm2, using a large current machine, to the topside of the amorphous silicon film having a recess made in an upper side 8b of an interlayer oxide film 8. - 特許庁

本発明は、水分５％以下の基紙の両面に、プラスチックフィルムを貼り合わせてなり、少なくとも片面のプラスチックフィルムはガラス転移温度が０〜８０℃の樹脂を主成分とし表面抵抗１×１０^７〜１×１０^１１Ω／□のトナー受理層を有することを特徴とする耐水性を有する電子写真用受像紙である。例文帳に追加

The electrophotographic image-receiving paper having water resistance is obtained by sticking plastic films to both faces of a base paper having ≤5% moisture, and at least one of the plastic films has a toner receptivity layer which mainly consists of a resin having a glass transition temperature of 0 to 80°C and has a surface resistance of 1×10^7 to 1×10^11Ω/sq. - 特許庁

（Ａ）メチル−１−ペンテン系重合体１００〜５０重量部、および（Ｂ）液体飽和炭化水素、ブテン−１を単量体として重合したポリブテン、および水素化石油系炭化水素樹脂より選ばれる１種以上０〜５０重量部を含む組成物からなる層を少なくとも有する毛髪処理用フィルム。例文帳に追加

The film for the hair treatment comprises at least a layer composed of a composition containing (A) 100 to 50 pts.wt. of a methyl-1-pentene polymer and (B) 0 to 50 pts.wt. of one or more kinds selected from saturated liquid hydrocarbon, polybutene which is obtained by polymerizing butene-1 as a monomer and a hydrogenated petroleum hydrocarbon resin. - 特許庁

多結晶シリコンからなる半導体薄膜５と、シリコンの酸化物からなる酸化膜３と、ゲート電極膜とを含む積層構造を有する薄膜トランジスタを製造する為に、先ず、絶縁性の基板０に非晶質シリコンからなる半導体薄膜５を形成する薄膜形成工程を行なう。例文帳に追加

In order to manufacture the thin film transistor, having a laminated structure provided with a semiconductor thin film 5 composed of polycrystalline silicon, an oxidized film 3 composed of the oxide of silicon and a gate electrode film and a thin-film forming process for forming the semiconductor thin film 5 composed of an amorphous silicon on an insulating substrate 0 is carried out first. - 特許庁

ビスフェノールＡのモノクロロベンゼン懸濁溶液中に、０℃から２０℃の温度範囲で硝酸を滴下しニトロ化反応をさせ、６０℃から１００℃の温度範囲で有機層をアルカリ水洗浄、続いて水洗浄した後、貧溶媒を装入して２，２−ビス（３−ニトロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパンを製造する。例文帳に追加

Nitric acid is dropped into a solution of monochlorobenzene suspension of bisphenol A within the range of 0°C to 20°C and an organic layer is washed with an alkali within the range of 60°C to 100°C and successively washed with water and a poor solvent is charged thereinto to produce 2,2-bis(3- nitro-4-hydroxyphenyl)propane. - 特許庁

この発明は、階層化された隣り合うカラムのグローバルビット線で同一ビットが構成され、同一ビットを構成する一方のグローバルビット線ＧＢに接続された書き込み・読み出し回路２（０）又は他方のグローバルビットＧＢに接続された書き込み・読み出し回路２（１）をマルチプレクサ３によりＣＰＵバス又はシステムバスに選択的に接続して構成される。例文帳に追加

One bit is composed of global bit lines of adjacent columns which are made hierarchical a write/read circuit 2(0) which is connected to one global bit line GB constituting the bit or a write/read circuit 2(1) which is connected to the other global bit GB is connected to a CPU bus or system bus selectively through a multiplexer 3. - 特許庁

親水性表面を有する金属製支持体上に光重合性感光層が形成された光重合性感光性平版印刷版の製造方法において、該光重合性感光性平版印刷版を所望のサイズに裁断する際に、裁断用スリッターの上刃と下刃との隙間を、０μｍ〜３０μｍに設定することを特徴とする。例文帳に追加

In the method for manufacturing the photopolymerization type photosensitive lithography printing plate in which a photopolymerization type photosensitive layer is formed on a metallic supporting body having a hydrophilic surface, when the photopolymerization type photosensitive lithography printing plate is cut into a required size, a clearance between the upper and the lower blades of a slitter for cutting is set to be 0 to 30 μm. - 特許庁

本願発明の強誘電体薄膜素子は、Ｓｉ基板と、Ｓｉ基板上にエピタキシャル成長させたＮａＣｌ結晶構造を有する導電性薄膜と、導電性薄膜上に形成された酸化物の強誘電体薄膜とを含む強誘電体薄膜素子であって、導電性薄膜は、組成式Ｔｉ_1-x Ａｌ_x Ｎ（ただし、０＜ｘ≦０．４）で表される層を含む。例文帳に追加

This ferroelectric thin film element composed of an Si substrate, a conductive thin film having NaCl crystalline structured on the Si substrate and a conductive thin film containing ferroelectric thin film made of an oxide formed on the conductive thin film element while the conductive thin film contains a layer represented by a composition formula of Ti1-x Alx N (wherein 0<x≤0.4) - 特許庁

支持基材と支持基材の裏面側に設ける粘着層とからなる保護用フィルムであって、上記支持基材が、ガラス転移点が０℃以下且つ融点が１２５℃以下である生分解性樹脂(Ａ成分)および融点が１３０℃以上の生分解性樹脂(Ｂ成分)の混合物からなる生分解性保護用フィルム。例文帳に追加

The film for protection consists of an adhesive layer provided on a supporting base material and the rear side of it and the supporting base material consists of a compound made up of a biodegradable plastic (component A) whose glass transition point is below 0 and the biodegradable plastic (component B) whose melting point is above 130. - 特許庁

６０°以上の急峻なセンサ端部傾斜角度により磁気抵抗効果センサの電磁変換特性が改善し、前記下部絶縁ギャップ層の平坦部における掘り込みが０ナノメートルから２ナノメートルの範囲であることによって、絶縁破壊を防止し狭い読み取りギャップ長の磁気抵抗効果ヘッドが実現できる。例文帳に追加

By the sharp sensor end inclined angle of 60° or higher, electromagnetic conversion characteristics of the magneto-resistance effect sensor are improved and, by setting the digging on the flat part of the lower insulating magnetic gap layer in the range of 0 nanometer to 2 nanometer, insulation destruction is prevented to realize the magneto-resistance effect head of a narrow reading gap. - 特許庁

透明基板上に少なくとも複数の着色層、および遮光用のブラックマトリクスが形成されたカラーフィルタにおいて、ブラックマトリクスの最表面から深さ０〜５０ｎｍにおけるフッ素元素濃度分布が、最表面から深さ５０〜１００ｎｍにおけるフッ素元素濃度分布の３倍以上であることを特徴とするカラーフィルタ。例文帳に追加

In the color filter wherein at least a plurality of color layers and a black matrix for light shielding are formed on a transparent substrate, fluorine concentration distribution at a depth of 0 to 50 nm from the outermost surface of the black matrix is three or more times as high as that at a depth of 50 to 100 nm from the outermost surface. - 特許庁

直径が２５０ｍｍ以上の露光ドラムを有する画像記録装置を用いて、該露光ドラム上でレーザービームを照射し画像形成する、プラスチック支持体上に画像形成機能層を有する印刷版材料において、該印刷版材料の巻癖カールが０ｍｍ以上９０ｍｍ以下であることを特徴とする印刷版材料。例文帳に追加

In the printing plate material having an image forming function layer on a plastic support, in which the image recording device having the exposure drum of 250 mm or more in diameter is used to form an image by being irradiated with a laser beam on the exposure drum, the printing plate material has a winding habit curl of 0 mm to 90 mm. - 特許庁