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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 1ゲートに関連した英語例文

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1ゲートの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3519



例文

まず、基板1上に形成された半導体薄膜2の上にゲート絶縁膜3を形成する。例文帳に追加

First, the gate insulating film 3 is formed on a semiconductor thin film 2 formed on the board 1. - 特許庁

ゲート電極3を覆うようにして多結晶シリコン膜8を基板1上に堆積する。例文帳に追加

A polycrystalline silicon film 8 is deposited on the substrate 1 so as to cover the gate electrode 3. - 特許庁

ゲート構造G1,G2と半導体基板1上の酸化膜5を覆うように、窒化膜6を形成する。例文帳に追加

A nitride film 6 is formed covering an oxide film 5 on gate structures G1, G2 and the semiconductor substrate 1. - 特許庁

ゲート回路1は、充電回路10と駆動回路20とを別回路として備える。例文帳に追加

The gate circuit 1 includes a charging circuit 10 and a drive circuit 20 as separate circuits. - 特許庁

例文

複合半導体装置1の逆方向耐圧はHEMT3のドレイン・ゲート間で決定される。例文帳に追加

The backward withstand voltage of the composite semiconductor device 1 is determined between the drain and gate of the HEMT 3. - 特許庁


例文

半導体基板1の表面上にトンネル膜7及びゲート酸化膜8を形成する。例文帳に追加

A tunnel film 7 and a gate oxide film 8 are formed on the surface of a semiconductor substrate 1. - 特許庁

次に、一のゲート構造G2脇の半導体基板1に対してイオン注入を行う。例文帳に追加

Next, ion implantation is conducted to the semiconductor substrate 1 at the side of the one gate structure G2. - 特許庁

ゲート構造5,6を覆うように、半導体基板1上に、下層絶縁膜10を形成する。例文帳に追加

In order to cover gate structures 5 and 6, a lower layer insulating film 10 is formed on a semiconductor substrate 1. - 特許庁

本発明に係るハニカム構造体1は、コルゲート加工された前記無機繊維ペーパーを有する。例文帳に追加

The honeycomb structure 1 has the inorganic fiber paper subjected to corrugation processing. - 特許庁

例文

ANDゲート1’の出力端子1cの出力は、通常はLowレベルである。例文帳に追加

The output of an output terminal 1c of the AND gate 1' is usually Low level. - 特許庁

例文

ロボット室6はゲートバルブ1にて電子ビーム描画装置本体30と接続される。例文帳に追加

The robot chamber 6 is connected to an electron beam drawing device main body 30 with a gate valve 1. - 特許庁

ゲートウェイ装置1は、配下の通信端末2に割り当てる所定数のIPアドレスを保持しておく。例文帳に追加

A gateway device 1 keeps the prescribed number of IP addresses to be assigned to a subordinate communication terminal 2. - 特許庁

キャパシタドープ層1上に、絶縁膜を介在させてゲート電極5が形成されている。例文帳に追加

On the capacitor doped layer 1, a gate electrode 5 is formed with an insulating film which is interposed. - 特許庁

半導体基板1には、一対の拡散層2が形成され、ゲート絶縁膜3が積層されている。例文帳に追加

A pair of diffusion layers 2 are formed on a semiconductor substrate 1, and a gate insulating film 3 is laminated thereon. - 特許庁

SSLゲートウェイサーバ1には、グローバルIPアドレスが付与された通信カード6を備えている。例文帳に追加

The SSL gateway server 1 is equipped with a communication card 6 given a global IP address. - 特許庁

N+活性領域1及びP+活性領域2上には、ゲート電極3が形成されている。例文帳に追加

A gate electrode 3 is formed on the n^+-type active region 1 and the p^+-type active region 2. - 特許庁

GaAs基板1の上に、高周波用トランジスタのゲート電極12が形成されている。例文帳に追加

A gate electrode 12 of transistor for high-frequency is formed on a GaAs (gallium arsenide) substrate 1. - 特許庁

p型のシリコン基板1上の全面にゲート酸化膜2を形成する。例文帳に追加

A gate oxide film 2 is formed on an entire surface of a p-type silicon substrate 1. - 特許庁

加入者端末61を宅内装置10を介してゲートウェイ装置1に収容する。例文帳に追加

A subscriber terminal 61 is accommodated in a gateway apparatus 1 via a subscriber's device 10. - 特許庁

電線挿通具1は、筒状のコルゲートチューブKに電線C1,C2を挿通させるのに用いられる。例文帳に追加

An electric wire insertion tool 1 is used to insert electric wires C1, C2 into a cylindrical corrugated tube K. - 特許庁

リモート制御コマンドは、設備側ゲートウェイ1に対して、テナント認証を経た後に、送信される。例文帳に追加

The remote control command is transmitted to a facility side gateway 1 after passing tenant authentication. - 特許庁

また、画素部は、第1ゲート信号のキックバック効果を画素電極に伝えるべき容量を備える。例文帳に追加

The pixel part has an enough capacitance to transfer the kickback effect of the first gate signal to the pixel electrode. - 特許庁

ホームゲートウェイ1は家庭内ネットワーク4及び外部ネットワーク5と接続可能である。例文帳に追加

A home gateway 1 is connectable to a domestic network 4 and an outside network 5. - 特許庁

ホームゲートウェイ1は、家庭ネットワーク2とインターネット3に接続されている。例文帳に追加

A home gate way 1 is connected to a home network 2 and the Internet 3. - 特許庁

これにより、ゲート絶縁膜4と半導体基板1との界面での界面準位密度が低下する。例文帳に追加

Consequently, the interfacial level density in the interface between the insulating film 4 and semiconductor substrate 1 falls. - 特許庁

ゲート5の下降速度は,油圧式ブレーキ装置1で制動して制御する。例文帳に追加

The moving-down speed of the gate 5 is controlled with braking operation of the hydraulic brake device 1. - 特許庁

リモート端末1は、データ通信網2を介してゲートウェイ装置3に制御情報を発信する。例文帳に追加

A remote terminal 1 transmits control information to a gateway 3 via the data communication network 2. - 特許庁

固定型1にライナー31及びこのライナー31をキャビティ3に連通させるゲート42を設ける。例文帳に追加

A liner 31 and a gate 42 which makes the liner 31 communicate with a cavity 3 are installed in a fixed mold 1. - 特許庁

レベルシフト回路1の出力はPMOSトランジスタ2のゲートに加えられる。例文帳に追加

Output from a level shift circuit 1 is applied to the gate of PMOS transistor 2. - 特許庁

ゲートドライバ(5)は、マトリクス状に配置された容量性負荷(1)を行方向に駆動する。例文帳に追加

The gate driver (5) drives capacitive loads (1) arranged in a matrix form in a row direction. - 特許庁

Si基板1上にゲート絶縁膜5および多結晶Si膜6を順次形成する。例文帳に追加

A gate insulting film 5 and a multi-crystal Si film 6 are successively formed on an Si substrate 1. - 特許庁

ゲート5の下端の両端部に、パレット1側に突出する突出部材6,6を設ける。例文帳に追加

At both the end portions of a bottom end of the gate 5, protruded members 6 and 6 are provided at the pallet side 1. - 特許庁

その後、レンズ1から支持具を取り外し、ゲート部5を切断、除去する。例文帳に追加

After that, the supporting tool is detached from the lens 1 and the gate part 5 is cut and removed. - 特許庁

このようなラッチ1、2を構成する各要素は、ゲートアレイを構成する基本セルを用いて構成した。例文帳に追加

Respective elements configuring the latches 1 and 2 are configured with basic cells configuring a gate array. - 特許庁

第1の開閉回路40は、電源電圧VccとMOSFET1のゲートとの間を開閉する。例文帳に追加

A first switching circuit 40 switches between a power source voltage Vcc and a gate of a MOSFET 1. - 特許庁

ゲートウェイ2がユーザ端末4の公開鍵をランダム化してサーバ1へ送信する。例文帳に追加

A gateway 2 randomizes a public key of a user terminal 4 and transmits the randomized public key to a server 1. - 特許庁

長尺の電線束Wに対しても容易にコルゲートチューブ1を装着すること。例文帳に追加

To easily load a corrugated tube 1 on a long wire bundle W. - 特許庁

スクリュー圧縮機1におけるゲートロータ5、6は、中央に開口21が形成されている。例文帳に追加

An opening 21 is formed in the center of gate rotors 5, 6 of a screw compressor 1. - 特許庁

シリコン基板1上に、金属シリケート膜8を介してゲート電極9を形成する。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device includes a gate electrode 9 formed on the silicon substrate 1 via the metal silicate film 8. - 特許庁

ゲートドライバ6の出力側からは各走査信号線GL1、GL2、・・・、GLnが出ている。例文帳に追加

The respective scanning signal lines GL 1, GL 2, etc., GLn are emerged from the output side of the gate driver 6. - 特許庁

仮基板51上に分離層52、下地絶縁膜1およびゲート絶縁膜4を形成する。例文帳に追加

A separation layer 52, a base insulating film 1, and a gate insulating film 4 are formed on the temporary substrate 51. - 特許庁

トレンチゲート18:ソースコンタクト24の配列比は4:1となっている。例文帳に追加

The array ratio between trench gates 18 and source contacts 24 is adjusted to 4:1. - 特許庁

収音装置1は、FFT処理部11、ノイズゲート12、及びIFFT処理部13を備える。例文帳に追加

A sound collecting device 1 includes a FFT processing section 11, a noise gate 12 and an IFFT processing section 13. - 特許庁

連続式成膜装置1は、成膜室2と、真空室3と、ゲートバルブ4とを備えている。例文帳に追加

The continuous film-forming apparatus 1 includes a film-forming chamber 2, a vacuum chamber 3 and a gate valve 4. - 特許庁

(1)まず、待機場から運び出された運搬台車が出荷ゲートを通過する。例文帳に追加

(1)First, a carrying truck transported from a stand-by place passes through a shipping gate. - 特許庁

また、ゲート電極6は、基板1との境界領域部分が逆テーパ形状に成形されている。例文帳に追加

The gate electrode 6 is tapered reversely in the boundary region to the substrate 1. - 特許庁

ビット交換作業室11内にはその前面入口を閉鎖するゲート14を格納する。例文帳に追加

A gate 14 closing the front inlet of the bit exchanging operation chamber 1 is housed in the chamber 11. - 特許庁

活性領域1とトランジスタゲート電極3とは、トランジスタを形成している。例文帳に追加

The active region 1 and transistor gates 3 form a transistor. - 特許庁

シャント素子4のゲートと高圧電源端子との間に接続された調整用容量を持つ。例文帳に追加

A shunt circuit 1 has a capacitor for adjustment, connected to a gate of a shunt element 4 and a high-voltage power supply terminal. - 特許庁

例文

金型1のキャビティ2にゲート3を通して熱可塑性樹脂4を充填する。例文帳に追加

In relation to the method for molding thermoplastic resin, thermoplastic resin 4 is filled into the cavity 2 of a die 1 through a gate 3. - 特許庁

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