「BackSide」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A tank and a ball delivery device are equipped on the backside upper part of the Pachinko machine.例文帳に追加

パチンコ機１の裏側上部には、タンク２１及び球払出装置２３が設けられる。 - 特許庁

To prevent soiling of backside of transfer material and image failure due to scattering of dropped toner from the developing part.例文帳に追加

現像部から落下し飛散したトナーによる転写材の裏汚れや画像不良を防止する。 - 特許庁

When fixing this at the edge of a right ilium and bring it to a backside, it stops at the second foramen sacrale.例文帳に追加

これを右腸骨の縁に留め、後に持っていくと仙骨孔の２番に止まる。 - 特許庁

To increase the number of continuously photographable frames in a backside incidence type imaging device with which high speed photography is attainable.例文帳に追加

高速撮影可能な裏面入射型の撮像素子において、連続撮影可能フレーム数を増やす。 - 特許庁

To provide a sample stage enabling emission analysis from the backside of a semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップの裏面から発光解析が可能なサンプルステージを提供する - 特許庁

The backside of the die is directly fixed on the substrate, and a first buffer layer is formed on the substrate.例文帳に追加

ダイの裏面は基板上に直接固着され、第１バッファー層が基板上に形成される。 - 特許庁

Next, the backside of the semiconductor wafer 21 is ground until at least the first groove 24 is exposed.例文帳に追加

次に、半導体ウエハ２１の裏面を少なくとも第１の溝２４が露呈するまで研削する。 - 特許庁

To provide a solar cell module capable of draining water to the backside of a solar cell panel.例文帳に追加

太陽電池パネルの裏面側への排水を可能とする太陽電池モジュールを得る。 - 特許庁

Moreover, after the resist layer 7 is removed, a plating layer 5 is formed on the backside of the lead frame 2.例文帳に追加

そして、レジスト層７を取り除いた後に、リードフレーム２の裏面にメッキ層５を形成する。 - 特許庁

An aluminum coating layer 33 as a heat reflection layer is formed on the backside of the exterior wall plate 31.例文帳に追加

外壁板３１の裏面には熱反射層としてのアルミニウム塗料層３３が形成されている。 - 特許庁

Backside 38a of the casting bead is decompressed to (atmospheric pressure -300) Pa by a decompression chamber 36.例文帳に追加

減圧チャンバ３６により、流延ビード背面３８ａ側を（大気圧−３００）Ｐａに減圧する。 - 特許庁

A portion or the whole of the backside of a wafer is separated from the electrode pad 3a electrically.例文帳に追加

ウェハ裏面の一部または全部が電極パッド３ａと電気的に分離される。 - 特許庁

Then, the center of the backside of the semiconductor wafer 1 is ground by using a grinding stone.例文帳に追加

そして、半導体ウェハ１の裏面側の中央部を、砥石を用いて研削する。 - 特許庁

In doing so, hydrochloric acid and hydrogen peroxide solution are discharged onto a backside of a semiconductor substrate, respectively, for a predetermined time.例文帳に追加

このとき、半導体基板の裏面に、塩酸と過酸化水素水とをそれぞれ所定時間吐出させる。 - 特許庁

The charge pump circuit 1 is driven while the light is emitted from the backside of a glass substrate 15.例文帳に追加

ガラス基板15の裏面から光を照射した状態でチャージポンプ回路１を駆動する。 - 特許庁

A wafer is subjected to dicing for changing the semiconductor chip into individual pieces, and the backside of the semiconductor chip is polished.例文帳に追加

ウェハをダイシングして半導体チップを個片化した後、半導体チップの裏面を研削する。 - 特許庁

The plate material 21 has larger surface roughness on the top surface 21a than that on the backside 21b.例文帳に追加

板材２１は、おもて面２１ａの表面粗度が裏面２１ｂの表面粗度よりも大きい。 - 特許庁

The clip seat 23 is positioned more apart from the backside of the frontal protector 5 than is the guide surface 27.例文帳に追加

クリップ着座部23をガイド面部27よりも前側プロテクタ5裏面から離れて位置付ける。 - 特許庁

A pair of protrusions 51 are each provided in the vicinity of upper ends on the left and right sides at the backside of the panel 50.例文帳に追加

前パネル５０の裏面には、その上端近傍に左右に一対の突片５１が設けられている。 - 特許庁

However, the backside of the substrate and the cooling surface are not contacted in almost all remaining areas.例文帳に追加

しかし、残りの大部分の領域において、基板裏面と冷却面が接触していない。 - 特許庁

The glass 12 is a plate member containing the sampling surface 12a and a backside 12b opposed thereto.例文帳に追加

ガラス１２体は、採取面１２ａとそれとは反対の裏面１２ｂとを含む板状体である。 - 特許庁

The polysilicon layer may be formed only on the backside without being formed on both the surfaces of the wafer.例文帳に追加

ウェーハの両面ではなく、裏面にのみポリシリコン層を形成してもよい。 - 特許庁

IMAGE SENSOR HAVING BACKSIDE ILLUMINATION STRUCTURE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE IMAGE SENSOR例文帳に追加

背面照明構造のイメージセンサー及びそのイメージセンサーの製造方法 - 特許庁

Then, a backside sheet 8 made of EVA resin is placed to cover the solar cells 6.例文帳に追加

次に、太陽電池セル６を覆うようにＥＶＡ樹脂からなる裏面側シート８が載置される。 - 特許庁

The semiconductor substrate 11 is made so laminar as to receive light from its backside surface 11a side.例文帳に追加

半導体基板１１は、裏面１１ａ側から受光を行うように薄板化されている。 - 特許庁

An opening (6) is formed at the backside of an insulation housing (2), and an actuator (5)is arranged in the opening (6).例文帳に追加

絶縁ハウジング（２）の後方に開口部（６）を設け、この開口部（６）にアクチュエータ（５）を配す。 - 特許庁

The silicon substrate 11 is polished from its backside, and has a thickness smaller than 0.6 mm.例文帳に追加

シリコン基板１１は、裏面から研磨されて、０．６mm未満の厚みを有する。 - 特許庁

Also, the sealing resin 14 covers the peripheral portion of the backside of the circuit substrate 11.例文帳に追加

更に、封止樹脂１４は、回路基板１１の裏面の周辺部も被覆している。 - 特許庁

After the backside of the wafer 16 is polished, the surface protective tape 14 is peeled off from the wafer 16.例文帳に追加

ウェハ１６の裏面を研磨した後に、表面保護テープ１４をウェハ１６から剥がす。 - 特許庁

The backside 21b of the plate material has an RMS roughness of ≤2 nm in a region of 1×1 μm.例文帳に追加

板材の裏面２１ｂは、１μｍ×１μｍの領域のＲＭＳ粗さが２ｎｍ以下である。 - 特許庁

PHOTO-SENSOR AND PIXEL ARRAY USING BACKSIDE ILLUMINATION AND METHOD OF FORMING PHOTO-SENSOR例文帳に追加

背面照射を用いる光センサおよびピクセル・アレイ、ならびに光センサを形成する方法 - 特許庁

FRONT SIDE/BACKSIDE DISCRIMINATION/SUPPLY APPARATUS FOR LID OF CRYSTAL OSCILLATOR OR FOR CRYSTAL FILTER例文帳に追加

水晶発振器用または水晶濾波器用リッドの表裏判別・供給装置 - 特許庁

To provide a wafer processing method capable of flatly grinding the backside of a wafer with bumps.例文帳に追加

バンプ付ウェハの裏面を平坦に研削することができるウェハ処理方法を提供する。 - 特許庁

To suppress a decrease in characteristics due to contact between an intermediate layer and a backside electrode.例文帳に追加

中間層と裏面電極との間の接触による特性の低下を抑制する。 - 特許庁

BACKSIDE INCIDENT TYPE LINEAR IMAGE SENSOR, ITS DRIVING METHOD, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

裏面入射型リニアイメージセンサ、その駆動方法、及びその製造方法 - 特許庁

INSPECTION METHOD FOR SILICON WAFER BACKSIDE PROJECTION AND PRODUCTION PROCESS OF SILICON WAFER例文帳に追加

シリコンウェーハ裏面の突起検査方法およびシリコンウェーハの製造方法 - 特許庁

MASK ETCH PLASMA REACTOR WITH BACKSIDE OPTICAL SENSOR AND MULTIPLE FREQUENCY CONTROL OF ETCH DISTRIBUTION例文帳に追加

裏面光学センサ及びエッチング分布の多周波数制御を備えたマスクエッチングプラズマリアクタ - 特許庁

The stiffening plate 3 is formed in a prescribed region of a backside of a base insulating layer 1.例文帳に追加

ベース絶縁層１の裏面の所定の領域に補強板３が形成されている。 - 特許庁

The diode also includes a semiconductor light emitting element 1 fixedly bonded at its backside to the base member 2.例文帳に追加

また、ベース部材２上に裏面が接着固定された半導体発光素子１を備える。 - 特許庁

The first tearing line is made of a first breaking groove 36 formed in the backside.例文帳に追加

第一テアーラインは、裏面に形成された第一破断溝３６により構成されている。 - 特許庁

The nitride film 16 serves as a protective film for protecting the backside of the Si substrate 12 against the flaw 32.例文帳に追加

窒化膜１６がＳｉ基板１２の裏面を傷３２から守るための保護膜となる。 - 特許庁

A second panel includes a touchscreen display on a display side and a housing on a backside.例文帳に追加

第２のパネルは、ディスプレイ側にタッチスクリーンディスプレイを、及び背面側にハウジングを含む。 - 特許庁

A solder bump 12 is formed on an electrode pad 10b on the backside of the wiring board 10.例文帳に追加

配線基板10の裏面の電極パッド10bには半田バンプ12が形成されている。 - 特許庁

The solar cell module uses the backside sealing material 1A for the solar cell.例文帳に追加

また、太陽電池用裏面側封止材１Ａを用いた太陽電池モジュール。 - 特許庁

To compactly accommodate a headrest in a recess formed at the backside of a seat back.例文帳に追加

ヘッドレストをシートバックの背面部に設けられた凹部内にコンパクトに収められるようにする。 - 特許庁