「CRYSTALLOGRAPHIC」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In this book, the crystallographic conventions are adopted for planes and directions. 例文帳に追加

この本では、結晶学的な慣習が(結晶)面と方向について採用される。 - 科学技術論文動詞集

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND ITS METHOD FOR FABRICATION (SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH MULTIPLE CRYSTALLOGRAPHIC ORIENTATIONS)例文帳に追加

半導体構造およびその製作方法（複数の結晶方位を有する半導体基板） - 特許庁

This semiconductor fin has a crystallographic orientation and a piezoresistance coefficient intrinsic to an axial direction.例文帳に追加

この半導体フィンは、結晶方位および軸方向固有のピエゾ抵抗係数を有する。 - 特許庁

Then included angles of (H1, H2, H3) are crystallographically calculated from their crystallographic indices.例文帳に追加

次いで（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）の結晶指数から結晶学的な方法で（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）の挟角を求める。 - 特許庁

Related to the substrate S, an angle θ formed between the substrate surfaced and a crystallographic main surface is 1-8°.例文帳に追加

さらに前記基板Ｓは基板表面と結晶学的な主面とのなす角θが１〜８度とされる。 - 特許庁

The semiconductor structure provides a pair of semiconductor surface regions of different crystallographic orientation.例文帳に追加

この半導体構造は、異なる結晶方位の一対の半導体表面領域を提供する。 - 特許庁

The pattern 102a includes a plane 103a having the tangible crystallographic direction of (111).例文帳に追加

パターン１０２ａは、顕在化された結晶学的方位が（１１１）である面１０３ａを含む。 - 特許庁

A tuning-fork quartz crystal oscillator 1 has a crystallographic axis comprising an X axis, a Y axis, and a Z axis.例文帳に追加

音叉型水晶振動子１は、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸の結晶軸を有する。 - 特許庁

A seed 8, situated at the bottom of the crucible, presents an orientation along non-dense crystallographic planes.例文帳に追加

るつぼの底部に置かれているシード８は、密集していない結晶面に沿った配向性を示す。 - 特許庁

To provide a cylindrical single crystal having an accurately oriented crystallographic axis.例文帳に追加

正確に方位が決められた結晶軸を持つ円柱形単結晶を提供する。 - 特許庁

A crystallographic axis (5) of the birefringent material is aligned parallel to the incident luminous flux.例文帳に追加

前記複屈折材料の結晶軸（５）は入射光束と平行に整列されている。 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING CRYSTALLOGRAPHIC ORIENTATION IN POLYSILICON FILM ANNEALED BY LASER例文帳に追加

レーザでアニーリングした多結晶シリコン膜中の結晶学的配向を制御する方法 - 特許庁

To provide a crystallographic orientation ceramic which can demonstrate excellent piezoelectric characteristics, and its manufacturing method, as well as a piezoelectric material using the crystallographic orientation ceramic, a dielectric material, a thermoelectric element, and an ionic conductive element.例文帳に追加

優れた圧電特性を発揮できる結晶配向セラミックス、及びその製造方法、並びに該結晶配向セラミックスを利用した圧電材料、誘電材料、熱電変換素子、及びイオン伝導素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for creating a more uniform crystallographic orientation in a polysilicon film, and a method for selecting a desired crystallographic orientation.例文帳に追加

多結晶シリコン膜内でより均一な結晶学的配向を生成する方法、および所望の結晶学的配向を選択することが可能な方法を提供すること。 - 特許庁

In solid-state phase transformations, new crystalline phases frequently grow as small particles with specific crystallographic orientations within the parent crystal. 例文帳に追加

固体状態の相変態では、新しい結晶相は、母結晶中で特定の結晶学的方位をもつ小さな粒子として、しばしば成長する。 - 科学技術論文動詞集

The element forming substrate can be used especially for manufacturing a semiconductor laser diode, and the crystallographic surface can be used as a mirror plane.例文帳に追加

素子形成用基板は、特に、半導体レーザダイオードの製造に用いることができ、結晶学的な表面を鏡面としてもちいることができる。 - 特許庁

The semiconductor structure and its method for fabrication include a first surface semiconductor layer of a first crystallographic orientation located upon a dielectric surface of a substrate.例文帳に追加

半導体構造およびその製作方法は、基板の誘電体表面に配置された第１の結晶方位の第１の表面半導体層を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an element forming substrate which acquires a crystallographic surface while avoiding influence of polarity.例文帳に追加

極性の影響を回避するとともに、結晶学的な表面が得られる素子形成用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an organic thin film having a desirous productivity and controllable of film quality, film thickness and crystallographic properties.例文帳に追加

良好な生産性をもって、膜質や膜厚、結晶性を制御できる有機薄膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Especially, the electrically conductive agent with a needle-like shape is tin oxide with a needle-like crystallographic structure doped with antimony oxide.例文帳に追加

特に、針状形状の導電剤を、酸化アンチモンをドープした針状結晶構造の酸化スズとする。 - 特許庁

Or the growing plane of the seed crystal 7 is preferably inclined at 0.1 to 0.8° from the crystallographic orientation with respect to the horizontal plane.例文帳に追加

また、種結晶７の成長面を結晶学的方位から水平面に対して０．１〜０．８度傾斜させることが好ましい。 - 特許庁

To realize the construction of various larger-sized three-dimensional and crystallographic structure using the minimum number of elements.例文帳に追加

最小限の数の要素を使用して、より大型の様々な３次元および結晶学的な構造体の構築を実現すること。 - 特許庁

To provide a stack including a crystallographic orientation interlayer, a magnetic zero layer disposed on the interlayer, and a magnetic recording layer disposed on the magnetic zero layer.例文帳に追加

結晶配向中間層と、中間層上に配設される磁気ゼロ層と、磁気ゼロ層上に配設される磁気記録層とを含む積層体を提供する。 - 特許庁

Two length and the dimensions of the ferromagnetic elements are set to assemble the complex structure such as the classic crystallographic structure.例文帳に追加

前記２つの長さと前記強磁性要素の寸法は、複合構造体、例えば、古典的な結晶学的な構造体を組み立てできるようになっている。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor and a method of crystal growth thereof capable of improving electrical and crystallographic properties.例文帳に追加

電気的及び結晶学的特性が向上する窒化物半導体及びその結晶成長方法を提供すること。 - 特許庁

The stack layer includes a buried semiconductor layer located nearer the dielectric surface, and a second surface semiconductor layer of a second crystallographic orientation different from the first crystallographic orientation located over and not contacting the buried semiconductor layer.例文帳に追加

スタック層は、誘電体表面のより近くに配置された埋め込み半導体層と、埋め込み半導体層の上に、それと接触せずに配置された、第１の結晶方位と異なる第２の結晶方位の第２の表面半導体層とを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon wafer of crystallographic orientation <110> from a silicon single crystal ingot dislocation-freed using Dash-Necking process by floating zone (FZ) method, and to provide a silicon wafer of crystallographic orientation <110>.例文帳に追加

ＦＺ法によりダッシュネッキング法を用いて高い成功率で無転位化したシリコン単結晶インゴットから結晶方位＜１１０＞のシリコンウェーハを製造する方法および結晶方位＜１１０＞のシリコンウェーハの提供する。 - 特許庁

The primer layer or at least one of the primer layers has a crystallographic structure belonging to a first crystal system, and the electrode layer has a crystallographic structure belonging to a second crystal system which is different to the first system.例文帳に追加

該プライマー層、または該プライマー複数層の少なくとも一層は、第一結晶系に属する結晶学的構造を有しており、そして、該電極層は、第一系に対し異なる第二結晶系に属する結晶学的構造を有している。 - 特許庁

The surface-emitting laser element includes a substrate 101 with a normal direction of a mirror finished plane inclining 15 degrees toward a crystallographic orientation [1 1 1] with respect to a crystallographic orientation [1 0 0], and a mesa structure in which a cross section parallel to the substrate 101 has a long axis and a short axis.例文帳に追加

鏡面研磨面の法線方向が、結晶方位［１ ０ ０］方向に対して、結晶方位［１ １ １］方向に向かって１５度傾斜した基板１０１を用い、基板１０１に平行な断面が長軸と短軸を有するメサ構造体を有している。 - 特許庁

The optical fiber is a single mode type, having two faces being in parallel with each other formed in the birefringence crystal, a light incident/emitting end face opposed to one face of the birefringence crystal and a 45 angle made by a crystallographic axis of the λ/4 wavelength plate and a crystallographic axis in an optical surface of the birefringence crystal.例文帳に追加

光ファイバはシングルモード型とし、複屈折結晶に互いに平行な２つの面を形成し、更に光ファイバの光入出射端面を複屈折結晶の一方の面に対向させ、λ／４波長板の結晶軸と、複屈折結晶の光学面での結晶軸とのなす角度を45度に設定する。 - 特許庁

The method comprises following steps; at least one block is sliced from a single crystal in a grown state along cutting planes perpendicular to a crystallographic axis corresponding to the sought orientation of the crystal lattice of the semiconductor wafers; a lateral surface of the block is ground around the crystallographic axis; and a plurality of semiconductor wafers are sliced from the ground block along cutting planes perpendicular to the crystallographic axis.例文帳に追加

上記方法は、上記半導体ウェハの上記結晶格子の上記要求方位を示す結晶軸に垂直な切断面に沿って、成長した状態のままで存在する単結晶から少なくとも１つのブロックをスライスするステップと、上記結晶軸を中心にして上記ブロックの側面を研削するステップと、上記結晶軸に垂直な切断面に沿って、研削されたブロックから多数の半導体ウェハをスライスするステップとを備える。 - 特許庁

To provide a crystallographic method for selecting a supercooling inhibitor without conducting many experiments in searching a supercooling inhibitor for a salt hydrate and to provide a novel supercooling inhibitor.例文帳に追加

塩水和物用過冷却防止剤の探索において、多数の実験をすることなく、結晶学的方法によって過冷却防止剤を選択する方法および新規の過冷却防止剤を提供する。 - 特許庁

The catalyst material contains the homogenous catalyst immobilized in a zeolite type crystal having a non-crystallographic meso-pore system wherein the volume of meso-pores exceeds 0.25 ml/g.例文帳に追加

非結晶学的なメソ孔系を有しそしてそのメソ孔の容積が0.25ml/gを超えるゼオタイプ結晶内に不動化された均一系触媒を含んでなる触媒材料。 - 特許庁

Such MOSFETs can be readily formed by crystallographic etching of the semiconductor substrate to form the recesses with the slanted sidewall surfaces, followed by deposition of a stress-inducing dielectric layer thereover.例文帳に追加

このようなＭＯＳＦＥＴは、傾斜側壁表面を備えた陥凹部を形成するために半導体基板に結晶エッチングを施し、続いて、その上に応力誘導誘電体層を付着させることによって、容易に形成することができる。 - 特許庁

In addition, the D enzyme can be used in combination with its L-enzyme counterpart in co-crystallation admixtures to form racemic crystals for determining crystallographic structures using X-ray diffraction data.例文帳に追加

加えて、Ｄ−酵素は、Ｌ−酵素の片割れと共に、Ｘ−線解析データを用いる結晶学的構造を決定するためのラセミ結晶を生成するのに共結晶化混合物で使用すりことができる。 - 特許庁

The crystallographic plane orientation of the main surface (1S) of a nitride semiconductor single crystal wafer (1) with a flat main surface locally varies within a prescribed angle range (Δθ).例文帳に追加

平坦な主面を有する窒化物半導体単結晶ウエハ（１）において、その主面（１Ｓ）の結晶学的面方位が所定の角度範囲（Δθ）内で局所的に変動していることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a method for producing a low-stress or stress-poor single crystal having a hexagonal crystal structure with a crystallographic c-axis perpendicular to a [0001] face.例文帳に追加

［０００１］面に対して垂直な結晶学的ｃ軸をもつ六方晶系結晶構造を有する低応力あるいは応力に乏しい単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

By compensating for different thinning rates for different crystallographic surfaces, semiconductor nanowires having optimal sublithographic widths may be formed without excessive thinning or insufficient thinning.例文帳に追加

異なる結晶面に対する異なる薄化速度を補償することによって、過剰な薄化又は不十分な薄化がなされることなく、最適なサブリソグラフィ幅を有する半導体ナノワイヤを形成する。 - 特許庁

To provide an a-plane nitride semiconductor single crystal substrate having flat side-surfaces in crystallographic orientations (orientation flats) as a marker of a plane orientation to facilitate discrimination of a plane orientation.例文帳に追加

面方位の判別が容易にできるように、面方位の印として、結晶方向において扁平な側面（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｆｌａｔ）を有するａ面窒化物半導体単結晶基板を提供する。 - 特許庁

A crystallographic structure is introduced into these dielectric thin films to minimize a piezoelectric coefficient of a metal, and electromechanical stresses are reduced.例文帳に追加

これらの誘電体薄膜に結晶学的構造を導入することによって金属の圧電係数が最少化されるとともに、電気機械的応力が低減される。 - 特許庁

The operation of the diode is controlled by a bias voltage, and an anisotropy, a matching property, a reflective property or a damping property can be controlled with respect to the arriving electromagnetic waves by changing the crystallographic spacial layout of the unit cell.例文帳に追加

ダイオードの動作をバイアス電圧によって制御することと、単位セルの結晶学的な空間配置を変更して、到来電磁波に対して、異方性、整合特性、反射特性、減衰特性等を制御できるようにする。 - 特許庁

APPARATUS FOR MEASURING CRYSTALLOGRAPHIC ORIENTATION RELATIONSHIP OF ADJACENT CRYSTAL GRAINS USING GONIOMETER OF TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE, AND METHOD OF EXAMINING CHARACTERISTICS OF GRAIN BOUNDARY USING THE SAME例文帳に追加

透過電子顕微鏡のゴニオメ−タを利用した隣り合う結晶粒の結晶学的方位関係測定装置及びそれによる結晶粒界の特性の糾明方法 - 特許庁

To provide an electronic component of which growth defects produced by crystallographic defects, especially pin holes, nanopipes and/or pits and hilogs are less than those of a currently known electronic element.例文帳に追加

結晶欠陥、特にピンホール、ナノパイプ及び／又はピット及びハイログにより生成される成長欠陥が既知の電子素子より少ない電子部品を提供する。 - 特許庁

To provide a projection optical system that, for example, restrains deviation in the angle between the optical axis of fluorite and a specific crystallographic axis to a specific tolerance or less, and can secure satisfactory optical performance without being substantially affected by the birefringence of the fluorite.例文帳に追加

たとえば蛍石レンズの光軸と所定の結晶軸との角度ずれを所定の許容量以下に抑えて、蛍石の複屈折の影響を実質的に受けることなく良好な光学性能を確保することのできる投影光学系。 - 特許庁

To provide a stacked piezoelectric device and a manufacturing method thereof which is high in the degree of the orientation of crystallographic orientation ceramic in a piezoelectric ceramic layer, can exhibit excellent displacement ability, and can suppress the deterioration of a formation rate of an internal electrode.例文帳に追加

圧電セラミック層における結晶配向セラミクスの配向度が高く、優れた変位性能を示すことができ、内部電極の形成率の低下を抑制できる積層型圧電素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁