「Cell Block」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

This production method of bioprosthesis includes a mixing step S3 for mixing the cell with ceramic microparticles with a particle size of approximately 10-100 μm, and an introduction step S4 for introducing the mixture formed in the mixing step S3 into a block-like or granular ceramic porous body with a pore size of approximately 100-1000 μm.例文帳に追加

粒径約１０〜１００μｍのセラミック微小粒子と細胞とを混合する混合ステップＳ３と、該混合ステップＳ３において生成された混合物を、気孔径約１００〜１０００μｍのブロック状または顆粒状のセラミック多孔体に導入する導入ステップＳ４とを備える生体組織補填体の製造方法を提供する。 - 特許庁

A electrode electrolyte for a solid polymer fuel cell includes: a polyarylene block copolymer which has a polymer segment having a sulfonic acid group (A); and a polymer segment (B) having substantially no sulfonic acid group, wherein the polymer segment (B) having substantially no sulfonic acid has a structural unit represented by the formula (1).例文帳に追加

スルホン酸基を有するポリマーセグメント（Ａ）およびスルホン酸基を実質的に有しないポリマーセグメント（Ｂ）を有し、前記スルホン酸基を実質的に有しないポリマーセグメント（Ｂ）が下記式（１）で表わされる構造単位を有するポリアリーレン系ブロック共重合体を含むことを特徴とする固体高分子型燃料電池用電極電解質。 - 特許庁

The method implements global routing for signals among blocks by using a global floor plan 50 that specifies the coordinates of region and macro-block and the net list 10 (S52), inserts a temporary repeater into the net list 10 on the basis of wiring capacitance and resistance 56 (S58), and layouts a cell based upon an insertion result of the temporary repeater (S62).例文帳に追加

リージョンやマクロブロックの座標値を規定した概略フロアプラン５０とネットリスト１０を使用してブロック間信号の概略配線を行い（Ｓ５２）、概略配線の結果得られる配線容量，抵抗５６に基づいてネットリスト１０に仮リピータを挿入し（Ｓ５８）、仮リピータ挿入の結果に基づいてセルの配置を行う（Ｓ６２）。 - 特許庁

The transmission rate control method includes: a step where the mobile station receives an acknowledgement signal with respect to the uplink user data from a serving cell; and a step where the mobile station increases the transmission rate of the uplink user data to be transmitted at a prescribed point of time on the basis of a transmission data block size of the uplink user data the acknowledgement signal of which the mobile station receives.例文帳に追加

かかる伝送速度制御方法は、移動局が、サービングセルから上りユーザデータに対する肯定的な送達確認信号を受信する工程と、移動局が、肯定的な送達確認信号を受信した上りユーザデータの送信データブロックサイズに基づいて、所定の時点に送信する上りユーザデータの伝送速度を増加させる工程とを有する。 - 特許庁

This device is provided with predecoders (3A, 3B) predecoding an applied address signal, address latch circuits (4A, 4B) latching respectively output signals of these predecoders, and decode circuit (5A, 5B) decoding respective output signals of the address latch circuits and performing memory cell selection operation in a corresponding memory block (MBA, MBB).例文帳に追加

メモリブロック（ＭＢＡ，ＭＢＢ）それぞれに対応して、与えられたアドレス信号をプリデコードするプリデコーダ（３Ａ，３Ｂ）と、これらのプリデコーダの出力信号をそれぞれラッチするアドレスラッチ回路（４Ａ，４Ｂ）と、アドレスラッチ回路それぞれの出力信号をデコードして対応のメモリブロックにおいてメモリセル選択動作を行なうデコード回路（５Ａ，５Ｂ）とを設ける。 - 特許庁

A composite block in which the logics of a combinational circuit and a non-combinational circuit coexist is analyzed, and the logic of the non- combinational circuit is extracted (S102), and the extracted non-combinational circuit is replaced with the cell of an RTL library prepared in advance whose logic is the same as that of the extracted non-combinational circuit (S106).例文帳に追加

組み合わせ回路と非組み合わせ回路の論理が混在する複合ブロックを解析し、非組み合わせ回路の論理を抽出し（Ｓ１０２）、予め準備されているＲＴＬライブラリのセルであって抽出された非組み合わせ回路と論理が同一であるセルによって、抽出された非組み合わせ回路を置き換える（Ｓ１０６）。 - 特許庁

When it is in a burst mode, an address decoder 50 outputs internal address signals AN and ANB and block coding signals ANI-I and ANO-I, the data of plural memory cells connected to a same word lines W/L of memory cell blocks 61 to 64 are simultaneously read and a multiplexer 100, which is controlled by a decoding signal COS from a counter 40, successively outputs the data to the external.例文帳に追加

バーストモード時には、アドレスデコーダ５０が内部アドレス信号ＡＮ，ＡＮＢ及びブロックコーディング信号ＡＮＩ＿Ｉ，ＡＮＯ＿Ｉを出力することにより、メモリセルブロック６１〜６４の同じワードラインＷ／Ｌに接続する複数のメモリセルのデータが同時にリードされ、カウンタ４０からのデコーディング信号ＣＯＳにより制御されるマルチプレクサー１００により順次外部に出力される。 - 特許庁

Plural memory cells are divided into blocks of one or more, memory cells in each block are provided on the same semiconductor substrate 10, and a memory cell is composed of a field effect transistor having a source 14a, a drain 14b, a floating gate 16, and a control gate 18, and their sources are commonly coupled so as to be connected electrically.例文帳に追加

複数のメモリセルは１以上のブロックに分割され、各ブロック内のメモリセルは、同一の半導体基体１０上に設けられ、ソース１４ａ・ドレイン１４ｂ、浮遊ゲート１６および制御ゲート１８を有する電界効果トランジスタによりそれぞれ構成され、それらのソースが互いに電気的に接続されるように共通に繋がっている。 - 特許庁

The method includes, within an OFDM cell, transmitting MCCH scheduling information in a system information block in an OFDM broadcast channel, and using the MCCH scheduling information to receive the MCCH containing MTCH scheduling information to indicate to the UE which sub-frame carries MTCH.例文帳に追加

本方法は、ＯＦＤＭセル内で、システム情報ブロック内のＭＣＣＨスケジューリング情報をＯＦＤＭブロードキャストチャネルにおいて送信すること、及び、ＭＣＣＨスケジューリング情報を使用して、ＭＣＣＨを受信することを含み、当該ＭＣＣＨは、いずれのサブフレームがＭＴＣＨを搬送するかをＵＥに対し示すＭＴＣＨスケジューリング情報を含む。 - 特許庁

To solve the problem that degree of integration of a memory cell group composed of cross points of word lines and bit lines becomes lower than a logically ideal one in a semiconductor memory constituted of cross points, because the areas occupied by transistors generally become larger than the allowable intervals between the bit lines and word lines when the semiconductor memory is constituted in the conventional functional block type.例文帳に追加

クロスポイント構成の半導体メモリにおいて、従来の機能ブロックの構成をとるとトランジスタの占める領域がビット線とワード線の許容間隔より一般的に大きい為にワード線とビット線のクロスポイント構成からなるメモリセル群の集積度が理論上の理想の集積度より低下するという課題を解決する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes: a memory cell array with a plurality of blocks each being the erasing unit; a ready/busy control circuit that outputs a busy signal when an internal operation is being done to the blocks; and a control unit that registers the blocks as defective blocks when the ready/busy control circuit outputs the busy signal in receiving an input of a bad block command.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、消去単位であるブロックを複数有するメモリセルアレイと、ブロックに対する内部動作の実行期間中は、ビジー信号を出力するレディ／ビジー制御回路と、バッドブロックコマンドの入力を受けた時に、レディ／ビジー制御回路がビジー信号を出力している場合は、ブロックを不良ブロックとして登録する制御部と、を具備する。 - 特許庁

Disclosed is a mutant Rhabdovirus having one or more mutation in a gene encoding a protein involved in blocking transport of mRNA or protein to nuclei in an infected cell, wherein the one or more mutation results in the mutant Rhabdovirus having a decreased ability to block transport of mRNA or protein to nuclei when compared to the wild-type virus.例文帳に追加

感染細胞においてｍＲＮＡもしくはタンパク質の核への輸送を遮断することに関連するタンパク質をコードする遺伝子に、一以上の変異を有する変異体ラブドウイルスであって、該一以上の変異が、野生型ウイルスと比較して、ｍＲＮＡもしくはタンパク質の核への輸送を遮断する能力の低下した変異体ラブドウイルスを生じる、変異体ラブドウイルスが提供される。 - 特許庁

There is provided a mutant Rhabdovirus having one or more mutations in a gene encoding a protein involved in blocking nuclear transport of mRNA or protein in an infected cell, wherein the one or more mutations result in generation of the mutant Rhabdovirus having a decreased ability to block nuclear transport of mRNA or protein when compared to the wild-type virus.例文帳に追加

感染細胞においてｍＲＮＡもしくはタンパク質の核への輸送を遮断することに関連するタンパク質をコードする遺伝子に、一以上の変異を有する変異体ラブドウイルスであって、該一以上の変異が、野生型ウイルスと比較して、ｍＲＮＡもしくはタンパク質の核への輸送を遮断する能力の低下した変異体ラブドウイルスを生じる、変異体ラブドウイルスが提供される。 - 特許庁

At least one memory block B0-B7 includes a plurality of electrically erasable programmable bilevel memory cells each constituted to store 1-bit information, and read means 2, 5, 3 which access and read one multilevel memory cell or, access and read simultaneously N electrically erasable programmable bilevel memory cells depending on an address signal A0-A21 supplied to the memory device.例文帳に追加

前記少なくとも１つのメモリブロック（B0-B7）は１セルにつき１ビットの情報を記憶するよう構成された複数の電気的消去可能プログラマブルバイレベルメモリセルも含み、且つメモリデバイスに供給されるアドレス信号(A0-A21)に依存して、前記マルチレベルメモリセルの１つをアクセスし読み出すか、前記電気的消去可能プログラマブルバイレベルメモリセルのＮ個を同時にアクセスし読み出す手段(2,5,3)が設けられている。 - 特許庁

A connection block 80 installed in the central part of the assembled manifold 16 has a fuel gas supply port 98a, a fuel gas exhaust port 98b, an oxidizer gas supply port 100a, an oxidizer gas exhaust port 100b installed on a front and a back, and fuel gas and oxidizer gas are equally supplied to the first and second fuel cell stacks 12, 14.例文帳に追加

集合マニホールド１６の中央部に設けられる連結ブロック８０は、燃料ガス供給口９８ａ及び燃料ガス排出口９８ｂと、酸化剤ガス供給口１００ａ及び酸化剤ガス排出口１００ｂとが表裏に配置され、前記第１及び第２燃料電池スタック１２、１４に対して燃料ガス及び酸化剤ガスを均等に供給している。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory having proper cell operation characteristics, by suppressing impairment of film quality resulting from a post-heating process, when a rare earth oxide, a rare earth nitride or a rare earth oxinitride containing a rare earth element is employed as an inter-electrode insulating film or a block insulating film, thereby avoiding crystallization or deterioration in the permittivity.例文帳に追加

本発明の課題は、希土類元素を含む希土類酸化物、希土類窒化物、または、希土類酸窒化物を電極間絶縁膜やブロック絶縁膜として用いる場合、後熱工程に起因する膜質劣化を抑制し結晶化や誘電率低下を回避して、セル動作特性の良好な不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

This polymer electrolyte for the solid polymer fuel cell comprises an aromatic polyether sulfone block copolymer comprising a hydrophilic segment containing a sulfo group and a hydrophobic segment containing no sulfo group, and the ratio of weight fraction W1 of the hydrophobic segment and weight fraction W2 of the hudrophilic segment is present in a range of 0.6<W2/W1<2.0.例文帳に追加

スルホン酸基を含有する親水性セグメントとスルホン酸基を含有しない疎水性セグメントとからなり、疎水性セグメントの重量分率Ｗ１と親水性セグメントの重量分率Ｗ２との比が、０．６＜Ｗ２／Ｗ１＜２．０の範囲にある芳香族ポリエーテルスルホンブロック共重合体からなることを特徴とする固体高分子型燃料電池用高分子電解質。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage device includes a memory cell array having a plurality of blocks respectively including a plurality of memory cells to store normal data in normal blocks among the plurality of blocks and store a time code set in each of the normal blocks and for including time data corresponding to a time when the last write operation of the normal block is executed in time code blocks among the plurality of blocks.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリセルをそれぞれ含む複数のブロックを有し、前記複数のブロックのうちの通常ブロックに、通常のデータが記憶され、前記複数のブロックのうちのタイムコードブロックに、前記通常ブロック毎に設定され且つ前記通常ブロックの最後の書き込み動作を実行した時間に対応する時間データを含むタイムコードが記憶されたメモリセルアレイを備える。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes a plurality of the blocks which respectively include the memory cell arrays and output data signals and redundancy signals, at least one first multiplexer which selects one of a plurality of the blocks connected to a plurality of the blocks and a second multiplexer which executes redundancy processing in accordance with the data signal and redundancy signals after the block selection outputted from the first multiplexer.例文帳に追加

半導体記憶装置は、各々がメモリセルアレイを含みデータ信号と冗長信号とを出力する複数のブロックと、複数のブロックに接続され複数のブロックの１つを選択する少なくとも１つの第１のマルチプレクサと、第１のマルチプレクサから出力されるブロック選択後のデータ信号と冗長信号とに基づいて冗長処理を実行する第２のマルチプレクサを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A readout transistor 10 which reads data out by detecting the deviation of the polarization of the ferroelectric film of a selected ferroelectric capacitor 30 is connected to one end of a series circuit constituted by connecting multiple ferroelectric capacitors 30 successively in a bit-line direction and a memory cell block is composed of multiple ferroelectric capacitors 30, selection transistors 20, and one readout transistor 10.例文帳に追加

複数個の強誘電体キャパシタ３０がビット線方向に連続に接続されてなる直列回路の一端には、選択された強誘電体キャパシタ３０の強誘電体膜の分極の偏位を検知することによりデータを読み出す読み出しトランジスタ１０が接続されており、複数個の強誘電体キャパシタ３０、複数個の選択トランジスタ２０及び１個の読み出しトランジスタ１０によってメモリセルブロックが構成されている。 - 特許庁

A restorable RAM block comprises plural segment of a RAM memory cell being restorable respectively, a state machine generating restoring data for restoring one or plural defective segments, a scan address machine generating data discriminating one or plural defective segments, and a mapping circuit mapping restored data generated by a state machine to one or plural defective segments discriminated by the scan address machine.例文帳に追加

本発明は、それぞれ修復可能なＲＡＭメモリセルの複数のセグメントと、1つまたは複数の欠陥セグメントを修復するための修復データを生成する状態機械と、１つまたは複数の欠陥セグメントを識別するデータを生成するスキャンアドレスマシンと、スキャンアドレスマシンにより識別された１つまたは複数の欠陥セグメントに状態機械により生成された修復データをマップするマッピング回路と、を含む修復可能なＲＡＭブロックを提供する。 - 特許庁

In the fuel battery cell in which a fuel electrode opposes an oxidizing gas electrode while holding a solid macromolecular electrolyte, power is collected from the plurality of sides of the electrode, power is collected from the plurality of sides of the electrode made of an electrode base and a catalyst layer, and power is collected from a plurality of sides of the electrode made of the electrode base and the catalyst layer including an electrode block.例文帳に追加

固体高分子電解質を挟んで燃料極と酸化ガス極を対峙させた燃料電池セルにおいて、電極の複数側辺から集電することを特徴とする燃料電池であり、電極基材および触媒層からなる電極の複数側辺から集電することを特徴とする燃料電池であり、電極ブロックを含む電極基材および触媒層からなる電極の複数側辺から集電することを特徴とする燃料電池である。 - 特許庁

The treating block 2 is constituted of a substrate part 5 keeping contact with the heating and cooling side of the thermomodule 3, and formed by using a ceramic material and/or a graphite material having a thickness Lb set to about ≤3 mm, and a cell part C arranged on the upper face of the substrate part 5 and composed of a material different from the ceramic material and the graphite material.例文帳に追加

ＤＮＡ検体を含む反応溶液を収容可能なセル部Ｃ…を有する処理ブロック２と、この処理ブロック２を加熱冷却するペルチェ素子ｄ…を用いたサーモモジュール３…を備えるとともに、特に、処理ブロック２を、サーモモジュール３…の加熱冷却側に当接し、かつ厚さＬｂを略３〔ｍｍ〕以下に選定したセラミックス素材又は／及びグラファイト素材を用いて形成した基盤部５と、この基盤部５の上面に配し、かつセラミックス素材及びグラファイト素材とは異なる素材により形成したセル部Ｃ…により構成する。 - 特許庁