「Distributed feedback laser」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an element achieving high output even at high temperatures, in regard to a distributed feedback semiconductor laser or Fabry-Perot laser with an oscillation wavelength of 1.290-1.350 μm.例文帳に追加

発振波長が1.290〜1.350μmの分布帰還型半導体レーザあるいはファブリペロー・レーザにおいて、高温下においても高出力を実現可能な素子を実現する。 - 特許庁

To provide an element achieving high output even at high temperatures, in regard to a distributed feedback semiconductor laser or Fabry-Perot laser with an oscillation wavelength of 1.530-1.565 μm.例文帳に追加

発振波長が1.530〜1.565μmの分布帰還型半導体レーザあるいはファブリペロー・レーザにおいて、高温下においても高出力を実現可能な素子を実現する。 - 特許庁

QUANTUM WELL STRUCTURE, OPTICAL CONFINEMENT TYPE QUANTUM WELL STRUCTURE, SEMICONDUCTOR LASER, DISTRIBUTED FEEDBACK SEMICONDUCTOR LASER, SPECTROGRAPH, AND MANUFACTURING METHOD OF THE QUANTUM WELL STRUCTURE例文帳に追加

量子井戸構造、光閉じ込め型量子井戸構造、半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法 - 特許庁

To provide a distributed feedback semiconductor laser which has small wavelength chirping by suppressing variation in oscillation wavelength when directly modulated.例文帳に追加

直接変調する場合の発振波長の変動を抑え、波長チャーピングの少ない分布帰還型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a distributed feedback semiconductor laser of the gain coupling DFB laser structure which does not easily introduce damage to a re-growth interface when temperature rises in the PH_3 atmosphere.例文帳に追加

分布帰還型半導体レーザに関し、ＰＨ_3 雰囲気昇温時に再成長界面にダメージが導入されにくい利得結合ＤＦＢレーザの構造を提供する。 - 特許庁

To stabilize a threshold current level for semiconductor laser oscillation against changes in an ambient temperature by applying a relatively easy process technology to a distributed feedback semiconductor laser device.例文帳に追加

分布帰還型半導体レーザに関し、比較的容易なプロセス技術により半導体レーザの発振域値電流値を周囲温度の変化に対して安定化する。 - 特許庁

To provide a TTG-DFB (turnable twin guided distributed feedback) laser device capable of sustaining an appropriate coupling coefficient and having characteristics suitable for use as an optical source for communication.例文帳に追加

適切な結合係数を維持し、通信用光源として良好な特性を有するＴＴＧ−ＤＦＢレーザを提供する。 - 特許庁

To enhance the yield of a distributed feedback semiconductor laser, which comprises a large forward optical output and a satisfactory side-mode suppression characteristic.例文帳に追加

大きな前方光出力と良好なサイドモード抑圧特性を有する分布帰還型半導体レーザの歩留まりを向上する。 - 特許庁

To stabilize the output of second-order higher harmonics within a drawing area, in an image projector that uses a distributed feedback (DFB) laser.例文帳に追加

分布帰還型（DFB）レーザを用いる画像投影装置において、描画領域内の２次高調波の出力を安定化させることである。 - 特許庁

To provide a distributed feedback semiconductor laser capable of reducing lattice defects of a diffraction grating forming layer, as compared with the prior art.例文帳に追加

従来に比して、更に、回折格子形成層の格子欠陥を低減することができる分布帰還型半導体レーザが提供される。 - 特許庁

To provide a distributed-feedback semiconductor laser element that has different oscillation wavelength, and has oscillation structure that can be easily manufactured.例文帳に追加

異なる発振波長を有し、しかも容易に作製できる発振構造を備えた、分布帰還型半導体レーザ素子を提供する - 特許庁

To improve a single-mode yield and obtain a high output efficiency on a side of a front end surface in a gain-coupled distributed feedback semiconductor laser.例文帳に追加

利得結合型分布帰還型半導体レーザにおいて、単一モード歩留まりを高くするとともに、前端面側の高出力効率を得る。 - 特許庁

To provide a distributed feedback semiconductor laser device that can prevent the accumulation of a hole or an electron in a diffraction lattice layer and improve light emission efficiency.例文帳に追加

回折格子層内でのホールや電子の蓄積を抑制でき、発光効率を向上できる分布帰還型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

A diffraction grating 25 and a distributed feedback type semiconductor laser 40 are formed by a nano-imprinting method using the mold formed by this method.例文帳に追加

この方法により形成したモールドを用いてナノインプリント法により回折格子２５および分布帰還型半導体レーザ４０を形成する。 - 特許庁

An assembly part comprises a laser light source 2, such as a distributed feedback laser (DFB) integrated along a common waveguide with a modulator, such as an electric field absorption type modulator (EAM).例文帳に追加

電界吸収型変調器（ＥＡＭ）等の変調器と共に共通の導波路に沿って集積化された分布帰還型レーザー（ＤＦＢ）等のレーザー光源（２）を含む組立部品である。 - 特許庁

The distributed-feedback semiconductor laser 1 comprises an active region 30 for generating the gain of the laser beam and a diffraction grating 13 formed in the active region 30.例文帳に追加

レーザ光の利得を発生させる利得発生領域３０と、利得発生領域３０の内部に形成された回折格子１３と、を備える分布帰還型半導体レーザ１である。 - 特許庁

To increase an efficiency by reducing leakage in a control current or a drive current in a wavelength variable laser diode of a TTG (tunable twin-guide)-DFB (distributed feedback) structure.例文帳に追加

ＴＴＧ−ＤＦＢ構造の波長可変レーザダイオードにおいて制御電流あるいは駆動電流のリークを低減し、効率を向上させる。 - 特許庁

To provide a simple and low-cost configuration reducing parasitic capacitance in the integrating structure of an electro-absorption modulator and a distributed feedback laser.例文帳に追加

電界吸収型変調器および分布帰還型レーザの集積構造において、寄生容量を低減し、かつより簡単で低コストの構成を提供する。 - 特許庁

FORMATION PROCESS OF QUANTUM WIRE OR QUANTUM WELL LAYER, AND DISTRIBUTED FEEDBACK LASER例文帳に追加

量子細線または量子井戸層の形成方法、及び該形成方法により形成された量子細線または量子井戸層を用いた分布帰還半導体レーザ - 特許庁

To provide a distributed feedback semiconductor laser diode manufactured without using complicated processes, wherein stable single vertical mode oscillation is possible.例文帳に追加

複雑なプロセスを用いることなく製造することができ、かつ安定した単一縦モード発振が可能な分布帰還型半導体レーザダイオードを提供する。 - 特許庁

The diffraction grating 25 and the distributed feedback type semiconductor laser 40 are formed by a nano-imprinting method using the mold 10 formed by this forming method.例文帳に追加

この方法により形成したモールド１０を用いてナノインプリント法により回折格子２５および分布帰還型半導体レーザ４０を形成する。 - 特許庁

A distribution feedback semiconductor laser 100 is configured to include an optical modulation region 10, a gain region 12, a phase adjustment region 14, and a distributed reflecting mirror region 16.例文帳に追加

光変調領域10、利得領域12、位相調整領域14及び分布反射鏡領域16を具えて構成される分布帰還型半導体レーザ100である。 - 特許庁

A laser beam, ranging from a visible region to an infrared region from a DFB(distributed feedback) laser or the like, is branched, amplified by a plurality of light amplification units having optical fiber amplifiers, bundled into an optical fiber bundle 19, and then converted into a laser beam LB5 in the ultraviolet region by a wavelength conversion part 20 having nonlinear optical crystals 502-504.例文帳に追加

例えばＤＦＢ（Distributed feedback）レーザ等からの可視域から赤外域のレーザ光を分岐して、光ファイバー増幅器を有する複数の光増幅ユニットを用いて増幅して光ファイバー・バンドル１９に束ねた後、非線形光学結晶５０２〜５０４を有する波長変換部２０によって紫外域のレーザ光ＬＢ５に変換する。 - 特許庁

To provide an electroabsorption optical modulation module having a monolithically integrated photodetector whereby the optical axes of the photodetector and a distributed feedback laser are readily aligned, a malfunction caused by an ambient environment is prevented in the photodetector, and electrical isolation is readily obtained between the photodetector and the distributed feedback laser.例文帳に追加

光検出器と分布帰還レーザの光軸整列の容易化、周辺環境の影響による光検出器の誤作動の防止、光検出器と分布帰還レーザとの電気的絶縁性確保の容易化が図られた、光検出器がモノリシック集積された電界吸収型光変調モジュールを提供する。 - 特許庁

To provide a forming method for a diffraction grating that can control the depth of a recessed portion with high precision and a manufacturing method for a distributed feedback semiconductor laser that can suppress variance in laser characteristics.例文帳に追加

凹部の深さを高精度に制御することが可能な回折格子の形成方法、及び、レーザ特性のばらつきを抑制することが可能な分布帰還型半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an absorption-type distributed feedback semiconductor laser device which is provided with an absorption layer, in place of a GaInAs layer, and can be operated stably with proper spectral characteristics.例文帳に追加

ＧａＩｎＡｓ層に代わる吸収層を備え、良好なスペクトル特性で安定して動作する、吸収型の分布帰還型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser diode 100 includes a distributed-feedback resonator for resonating light having a wavelength of λ_0 included in an optical emission spectrum in an active layer 103.例文帳に追加

半導体レーザダイオード１００は、活性層１０３における光放出スペクトルに含まれる波長λ_０の光を共振させる分布帰還型の共振器が形成されている。 - 特許庁

To easily and accurately make an output value of a signal light larger than an output value of monitor light as designed in a distributed feedback semiconductor laser device.例文帳に追加

分布帰還型半導体レーザ装置における信号光の出力値を設計値通りに、モニタ光の出力値よりも容易に且つ確実に大きくできるようにする。 - 特許庁

To improve a manufacturing yield of an optical semiconductor device such as an electroabsorption modulator integrated with distributed-feedback laser (EML), and to reduce cost thereof.例文帳に追加

分布帰還型レーザーと一体化された電界吸収型変調器（ＥＭＬ）アセンブリのような光半導体デバイスにおける製造歩留まりが向上、コストが削減を図る。 - 特許庁

This optical transmitter/receiver has an electron absorption modulator integrated distributed feedback laser (EML) for sending the digitally modulated RF carriers of a sub-octave frequency range.例文帳に追加

本発明の光送信機は、サブオクターブ周波数レンジのデジタル変調されたRFキャリアを送信するための電子吸収変調器統合分布帰還レーザ（EML）を備える。 - 特許庁

In the method of manufacturing a distributed-feedback semiconductor laser 1A, an etching mask 30b for forming a diffraction grating 22 is composed of a semiconductor material.例文帳に追加

本発明に係る分布帰還型半導体レーザ１Ａの製造方法においては、回折格子２２を形成するためのエッチングマスク３０ｂが半導体材料で構成されている。 - 特許庁

To provide a distributed feedback type semiconductor laser with a resonator length of 500μm or more, high single mode yield, and narrow spectrum line width even under a high output.例文帳に追加

共振器長が５００μｍ以上で、高い単一モード歩留まりを有し、且つ、高出力下でも狭いスペクトル線幅を有する分布帰還型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a distributed feedback semiconductor laser capable of reducing the effect of movement error of the stage of an electron beam drawing device on a diffraction grating.例文帳に追加

電子ビーム描画装置のステージの移動誤差が回折格子に与える影響を小さくできる分布帰還型半導体レーザを作製する方法を提供する。 - 特許庁

The apparatus for waveform shaping of signal light is equipped with a distributed feedback (DFB) laser 2 having a stop band defined as a wavelength range enabling laser to be oscillated, and with a drive circuit to supply a driving current to the DFB laser to induce laser oscillation of the DFB laser at a first wavelength in the stop band.例文帳に追加

本発明による信号光の波形整形のための装置は、レーザ発振可能な波長の範囲として定義される阻止帯域を有する分布帰還（ＤＦＢ）レーザ２と、ＤＦＢレーザが阻止帯域に含まれる第１の波長でレーザ発振するようにＤＦＢレーザに駆動電流を供給する駆動回路とを備えている。 - 特許庁

To provide an optical transmitter using a directly modulated and distributed feedback-laser diode, which reduces a penalty of dispersed optical power that occurs when transmitting an optical signal.例文帳に追加

光信号を伝送する時に発生する分散光電力ペナルティを低減することのできる直接変調分布帰還型レーザーダイオードを利用した光送信器を提供する。 - 特許庁

A SAG technique is used to grow the ridge structure in an optical semiconductor device, such as an electroabsorptive modulator assembly integrated with distributed-feedback laser (EML).例文帳に追加

分布帰還型レーザーと一体化された電界吸収型変調器（ＥＭＬ）アセンブリのような光半導体デバイスにおけるリッジ構造を成長させるために、ＳＡＧ技法が使用される。 - 特許庁

To provide a distributed feedback (DFB) semiconductor laser device which is not affected by reflected return light and includes a high single-wavelength oscillation probability.例文帳に追加

本発明の目的は、反射戻り光による影響を受けることなく、かつ高い単一波長発振確率を有する分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レーザ装置を提供可能とすることである。 - 特許庁

Asymmetric coating is applied to the gain-coupled distributed feedback semiconductor laser; wherein a front end surface 13 for emitting laser light is covered with a coating with low reflectivity, and a rear end surface 15 is covered with a coating with high reflectivity.例文帳に追加

利得結合型分布帰還型半導体レーザにおいて、レーザ光を放出する前端面１３には低反射率のコーティングが施され、後端面１５には高反射率のコーティングが施された非対称コーティングが行われている。 - 特許庁

To provide a variable wavelength laser light generating device equipped with an integrated variable wavelength laser device where TDA-DFB elements (Tunable Distributed Amplification-Distributed Feedback Laser) are arranged in an array, the device being characterized in that the TDA-DFB elements can be preheated, system constitution is simple, and control is easy.例文帳に追加

アレイ状にＴＤＡ−ＤＦＢ素子（Ｔｕｎａｂｌｅ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ−Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ Ｌａｓｅｒ）が配置された集積波長可変レーザ装置を備えた波長可変レーザ光発生装置であって、ＴＤＡ−ＤＦＢ素子の予備加熱が可能で、しかも、システム構成が簡単で且つ制御が容易な装置を提供すること。 - 特許庁

In the distributed feedback semiconductor laser having a phase shift in a grating, a phase shift amount of the phase shift is set to (8/40)Λ to (9/40)Λ (Λ is twice as much as grating interval).例文帳に追加

回折格子に位相シフト部を備える分布帰還型半導体レーザにおいて、位相シフト部の位相シフト量を（８／４０）Λ〜（９／４０）Λ（Λは回折格子間隔の２倍）に設定する。 - 特許庁

The distributed feedback semiconductor laser device is formed of a laminate which is formed of a plurality of semiconductor layers, and is provided with a resonator (optical waveguide) 30 including a MQW active layer 14.例文帳に追加

本発明に係る分布帰還型半導体レーザ装置は、複数の半導体層からなる積層体により構成され、ＭＱＷ活性層１４を含む共振器（光導波路）３０を備えている。 - 特許庁

To provide the method of forming a diffraction grating which can reduce a defect in the pattern of the diffraction grating without strongly pushing a mold to a resin body, and the method of manufacturing a distributed feedback semiconductor laser.例文帳に追加

モールドを樹脂体に強く押し付けなくとも回折格子のパターン欠陥を低減できる回折格子の形成方法および分布帰還型半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

In this distributed feedback type semiconductor laser element whose resonator length is 500μm or more, the length of a region where an InGaAsP diffraction grating 15 is formed is 50% of the resonator length or more.例文帳に追加

共振器長が５００μｍ以上の分布帰還型半導体レーザ素子は、ＩｎＧａＡｓＰ回折格子１５が形成される領域の長さが共振器長の５０％以上であある。 - 特許庁

A device for shaping waveform of signal light is provided with a distributed feedback(DFB) laser 2 having a blocking band that is defined as the range of wavelengths which can be oscillated from the laser 2, and a driving circuit 4 which supplies a driving current to the laser 2 so that the laser 2 may oscillate at a first wavelength contained in the blocking band.例文帳に追加

本発明による信号光の波形整形のための装置は、レーザ発振可能な波長の範囲として定義される阻止帯域を有する分布帰還（ＤＦＢ）レーザ２と、ＤＦＢレーザが阻止帯域に含まれる第１の波長でレーザ発振するようにＤＦＢレーザに駆動電流を供給する駆動回路とを備えている。 - 特許庁

To provide a formation technique of a quantum wire capable of demonstrating a superior shape and sufficient characteristics in a distributed feedback semiconductor laser and the like with respect to a formation process of a quantum wire formed on a grating substrate.例文帳に追加

グレーティング基板上に形成される量子細線の形成方法として、分布帰還半導体レーザ等に応用するに十分な形状、特性を発揮し得る量子細線の形成手法を提供する。 - 特許庁