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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > FLASH memoryの意味・解説 > FLASH memoryに関連した英語例文

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FLASH memoryの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4423



例文

To provide a computer system in which a NAND flash memory can be used for system driving and data storage more easily.例文帳に追加

NANDフラッシュメモリをシステム駆動用及びデータ貯蔵用としてより容易に使用できるコンピュータシステムを提供する。 - 特許庁

To provide an erasing method for a flash memory element having fixed erasure speed independently of variation of internal voltage.例文帳に追加

内部電圧の変化にもかかわらず、一定の消去速度を有するフラッシュメモリ素子の消去方法を提供すること。 - 特許庁

The flash memory and SRAM are embedded within an application specific integrated circuit (ASIC) to provide improved access times.例文帳に追加

改善されたアクセス時間を備えるフラッシュ及びSRAMメモリを特定用途集積回路(ASIC)の中に埋込む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein an yield is improved and the semiconductor device includes a reliable flash memory cell.例文帳に追加

歩留まりが向上して信頼性の高いフラッシュメモリセルを備えた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

例文

A write time calculation section 11 calculates time (average write time) of writing data to a flash memory 16a.例文帳に追加

書き込み時間計算部11は、フラッシュメモリ16aに対するデータの書き込み時間(平均書き込み時間)を算出する。 - 特許庁


例文

Spectral sensitivity characteristics Es (λ) of a photographic element, corresponding to still image photographing, is stored in a flash memory 201c.例文帳に追加

Flashメモリ201cに静止画撮影時に対応する撮像素子の分光感度特性Es(λ)を記憶しておく。 - 特許庁

The plurality of advertisement images and various kinds of information related to the selection of advertisement images are recorded in a flash memory 9.例文帳に追加

フラッシュメモリ9には、複数の広告画像と、広告画像の選択に関係する各種の情報が記録されている。 - 特許庁

The register file receives a command and performance information from a host processor for controlling operation of the NAND flash memory.例文帳に追加

レジスタファイルはホストプロセッサからNANDフラッシュメモリの動作を制御するためのコマンド及び動作情報を受領する。 - 特許庁

To provide an integrated circuit device allowing high-speed writing operation into a flash memory and reduction of a chip area.例文帳に追加

フラッシュメモリーへの高速書き込み動作及びチップ面積の縮小化を可能とする集積回路装置を提供する。 - 特許庁

例文

To avoid conduction between a source region and a drain region accompanying microfabrication of a NAND type flash memory.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリにおいて、微細化にともなうソース領域およびドレイン領域の導通を回避できるようにする。 - 特許庁

例文

To properly detect the amount of remaining substitutive blocks in a flash memory that is a recording medium, in accordance with characteristics of a recording apparatus.例文帳に追加

記録媒体であるフラッシュメモリの代替ブロックの残量を、記録装置の特性に応じて適切に検知する。 - 特許庁

The VLCD booster circuit 28 outputs a voltage VPP obtained by boosting the reference voltage VREF2 to the flash memory 22.例文帳に追加

VLCD昇圧回路28は、基準電圧VREF2を昇圧した電圧VPPをフラッシュメモリ22に出力する。 - 特許庁

The flash memory stores the program for detecting an error for the program protection and the program for the error restoration.例文帳に追加

また、フラッシュメモリに対して、プログラム保護のためのエラー検出のためのプログラムとエラー修復のためのプログラムを記憶させる。 - 特許庁

To provide a flash memory provided with a sense amplifier which has sufficient read-margin and performs accurate verifying operation.例文帳に追加

十分なリードマージンを有しかつ正確なベリファイ動作を行なうことが可能なセンスアンプを備えたフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

The data up to the additive address located a certain distance outward from the forward delay address are stored in the flash memory 110.例文帳に追加

転送遅延アドレスから一定距離外周に位置する付加アドレスまでのデータをフラッシュメモリ110に記憶する。 - 特許庁

To provide a flash memory element, having improved electrostatic discharge characteristics in which current failure of internal circuit can be prevented.例文帳に追加

内部回路の電流フェールを防止することができ静電放電特性が改善されたフラッシュメモリ素子を提供する。 - 特許庁

The rewriting program B21 is so disposed in the flash memory A2 by a compiler and a linker as to be read by the 8-bit bus width.例文帳に追加

書き換えプログラムB21をフラッシュメモリA2内に8ビットバス幅で読み出せるようにコンパイラとリンカにより配置する。 - 特許庁

Then, user data 22 of the NAND type flash memory 13 are copied to a DRAM, and a main program is executed by the main CPU.例文帳に追加

そして、NAND型フラッシュメモリ13のユーザデータ22をDRAMへコピーして、メインCPUがメインプログラムを実行する。 - 特許庁

Storage controllers 1A, 1B of respective sites each comprise a hard disk and a flash memory device, which consume different amounts of power.例文帳に追加

各サイトの記憶制御装置1A,1Bは、消費電力の異なるハードディスク及びフラッシュメモリデバイスをそれぞれ備える。 - 特許庁

PAGE BUFFER CIRCUIT OF FLASH MEMORY DEVICE HAVING IMPROVED OPERATION PERFORMANCE, ITS READ-OUT METHOD, AND PROGRAM OPERATION CONTROL METHOD例文帳に追加

向上した動作性能を有するフラッシュメモリ装置のページバッファ回路とその読み出し及びプログラム動作制御方法 - 特許庁

The print data conversion software operates on a CPU and converts image data memorized in a flash memory 26 to the print data.例文帳に追加

プリントデータ変換ソフトはCPU20上で動作し、フラッシュメモリ26に記憶されている画像データをプリントデータに変換する。 - 特許庁

FLASH MEMORY DEVICE HAVING FUNCTION OF SELECTIVELY CHANGING PRECHARGE VOLTAGE FOR SENSING NODE, AND READ OPERATION METHOD THAREOF例文帳に追加

センシングノード用プリチャージ電圧を選択的に変更する機能を有するフラッシュメモリ装置及びその読出し動作方法 - 特許庁

The data recovery system includes a server 2 accessible via a network 1 and a plurality of information processing devices 3 having a flash memory 5.例文帳に追加

ネットワーク1を介してアクセス可能なサーバ2や、フラッシュメモリ5を備える複数の情報処理装置3を含む。 - 特許庁

The electronic device is provided with a P-ON microcomputer 2, a main IC 3, a power source part 4, an optical disk drive 51, an HDD 52, and a flash memory 7.例文帳に追加

P−ONマイコン2、メインIC3、電源部4、光ディスクドライブ51、HDD52、フラッシュメモリ7を備える。 - 特許庁

To provide a method for forming gate structures in a flash memory device capable of securing a margin between an active area and a floating gate.例文帳に追加

活性領域とフローティングゲートとの間のマージンを確保したフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供すること。 - 特許庁

The first CPU reads out data from a flash memory and writes it to the first and second nonvolatile memories simultaneously.例文帳に追加

CPU1は、FLASHメモリからデータを読み出して、揮発性メモリ1と揮発性メモリ2に同時に書き込みを行う。 - 特許庁

DATA ACCESS METHOD IN WHICH THE NUMBER OF TIMES OF ERASION OF FLASH MEMORY CAN BE REDUCED, DATA CORRECTION USING THE METHOD, AND ACCESS DEVICE例文帳に追加

フラッシュメモリの消去回数減少可能なデータアクセス方法と該方法を使用するデータ補修及びアクセス装置 - 特許庁

To allow data stored in each of sectors of a flash memory including a boot sector to be rewritten by a single download operation.例文帳に追加

1回のダウンロード作業にて、ブートセクタを含むフラッシュメモリの各セクタに格納されたデータの書換えを実現可能とする。 - 特許庁

A photographer selects a template composite imaging mode and selects a template image built in a Flash Memory 10.例文帳に追加

撮影者はテンプレート合成撮影モードを選択し、Flash Memory10に内蔵のテンプレート画像を選択する。 - 特許庁

To provide an erasure method for a flash EEPROM which erases a memory cell by controlling accumulation of electric charge.例文帳に追加

電荷の蓄積を制御することによりメモリセルを消去するフラッシュEEPROMの消去方法を提供する。 - 特許庁

Next, the stored operation log information is collated with abnormal log information previously stored in an abnormal log information storage region 262 of the flash memory.例文帳に追加

次に、フラッシュメモリの異常ログ情報記憶領域262に予め記憶した異常ログ情報と照合する。 - 特許庁

In this unit 10, picture data to be uploaded/downloaded to the information device like a programmable display device is stored in a flash memory 13.例文帳に追加

プログラマブル表示器などの情報機器に対してアップロード/ダウンロードされる画面データは、フラッシュメモリ13に記憶される。 - 特許庁

To provide an ECC controller for a flash memory device which stores M-bit data (M is a positive integer equal to or greater than 2).例文帳に追加

ここには、Mビットのデータ(Mは2以上の正数)を格納するフラッシュメモリ装置のECC制御器が提供される。 - 特許庁

Thus, the writing program 7b is executed, and written in a storage region of the operation program 8a of the flash memory 8.例文帳に追加

この結果、書込みプログラム7bが実行されてフラッシュメモリ8の運用プログラム8a格納領域へ書き込まれる。 - 特許庁

To reduce a difference in level developed on the upper surface of a layer insulation film, in a semiconductor device including a flash memory or the like.例文帳に追加

フラッシュメモリなどを含む半導体装置において層間絶縁膜の上面に現れる段差を低減する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a flash memory device with which an overlay margin is improved between an active region and a floating gate.例文帳に追加

アクティブ領域とフローティングゲートとの間のオーバーレイマージンを高めるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the access speed of the flash memory 21 is higher than that of the IC card, high-speed operation (high-speed rewriting operation) can be attained.例文帳に追加

フラッシュメモリは、ICカードよりもアクセス速度がより短いため、高速動作(高速な書き換え動作)が可能である。 - 特許庁

To provide a method of forming a split gate type flash memory which enables to form a tip of a floating gate into an acute angle.例文帳に追加

フローティングゲートのチップ部分を鋭角に形成することができるスプリットゲート型フラッシュメモリ形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory device capable of repairing word line which repairs not only a failure bit line but also a failure word line.例文帳に追加

不良ビットラインだけでなく、不良ワードラインまでリペアすることができる、ワードラインリペアが可能なフラッシュメモリ素子の提供。 - 特許庁

In another described implementation, the system uses a write pointer that advances through the circular sequence of the flash memory location.例文帳に追加

もう1つの記載された実施では、システムが書き込みポインタを使用し、これはフラッシュメモリ位置の円形シーケンス中を進む。 - 特許庁

Further, target modulation degree is stored in a flash memory 42 being related to the number of over-writing of the optical disk 50.例文帳に追加

なお、フラッシュメモリ42には、光ディスク50の上書き回数に関連付けられて、目標変調度が記憶されている。 - 特許庁

An error correction code ECC2 that is applied to data of the NVRAM 22 is stored in the NAND type flash memory 21.例文帳に追加

NVRAM22のデータに適用されるエラー訂正コードECC2が、NAND型フラッシュメモリ21内に保持されている。 - 特許庁

To provide an MONOS type flash memory securing a required amount of electric charge stored sites in an electric charge stored film.例文帳に追加

MONOS型のフラッシュメモリにおいて、電荷蓄積膜中の電荷蓄積サイトの量を必要量確保すること。 - 特許庁

To achieve shortening a copy time and reduction of a load of a mem ory device of copy origin when data is copied in a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリにデータをコピーする際、コピー時間短縮およびコピー元の記憶装置の負荷低減を実現する。 - 特許庁

The HDD 1 updates a segment table 243 in a DRAM 24, and also preserves it in the flash memory 25 at predetermined timing.例文帳に追加

HDD1は、セグメント・テーブル243をDRAM24上で更新すると共に、所定タイミングでフラッシュ・メモリ25に保存する。 - 特許庁

Image data in a DRAM are preserved in a flash memory with the file name settled in the step S103 (step S110).例文帳に追加

次に、DRAM内の画像データを、ステップS103で確定済のファイル名でフラッシュメモリに保存する(ステップS110)。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a flash memory element reducing interference between cells and improving a coupling ratio.例文帳に追加

セル間の干渉を減らしかつカップリング比を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the reliability and yield of such a thin semiconductor device that is used in a stacked flash memory, etc.例文帳に追加

スタック型フラッシュメモリ等で使用されるような薄型半導体装置の信頼性を向上し、歩留まりを向上する。 - 特許庁

To provide a flash memory in which increase of chip area can be suppressed and high speed operation can be performed.例文帳に追加

本発明は、チップ面積増大を抑止でき、且つ高速動作が可能なフラッシュメモリを提供することを目的とする。 - 特許庁

例文

Processes from step B4 are repeated to initialize a predetermined number of storage areas of the flash memory.例文帳に追加

また、ステップB4からの処理が繰り返されることにより、フラッシュメモリにおいて所定個数の記憶領域が初期化される。 - 特許庁




  
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