「FORWARD BIAS」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Destaticizing effect of turning off bias is increased by applying bias while paper is being passed, turning off the bias, intrapaper, forward rotation and backward rotation and then, superposing AC.例文帳に追加

通紙中はバイアス印加し、紙間、前回転、後回転時にはバイアスをオフし、かつＡＣを重畳することで、バイアスオフの効果除電効果を高める。 - 特許庁

While the forward bias voltage is applied, a reverse bias voltage is applied across a Schottky electrode 108 and the n-electrode 101.例文帳に追加

この状態でショットキ電極１０８とＡｕＧｅのｎ電極１０１との間に逆バイアス電圧を印加する。 - 特許庁

With respect to the operating voltage which is applied to the source of the MOS transistor, a substrate bias voltage of reverse bias or very shallow forward bias is applied to the substrate of the MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのソースに印加される動作電圧に対してＭＯＳトランジスタの基板には、逆バイアスまたは極めて浅い順バイアスの基板バイアス電圧が印加される。 - 特許庁

A selector 31 is connected to a bias terminal of the semiconductor optical amplifier, the optical amplifier acts like an optical attenuator with a reverse bias voltage applied to the bias terminal in the pseudo single photon mode and acts like the optical amplifier with a forward bias voltage applied to the bias terminal in the multi-photon mode.例文帳に追加

半導体光アンプのバイアス端子にはセレクタ３１が接続され、疑似単一光子モードでは逆バイアス電圧が印加されて光減衰器として作用し、多光子モードでは順バイアス電圧が印加されて光増幅器として作用する。 - 特許庁

By impression of forward bias or reverse bias, light emission occurs at a part of leak current generation when there is a problem on the organic EL element.例文帳に追加

順バイアスあるいは逆バイアスの印加によって、有機ＥＬ素子に不具合があるとリーク電流発生の箇所に発光が起きる。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus capable of applying forward bias and reverse bias to a transfer body while realizing the miniaturization of the apparatus.例文帳に追加

装置の小型化を図りつつ転写体に順バイアス及び逆バイアスを印加することが可能な画像形成装置を提供する。 - 特許庁

Related to the MIS transistor, a threshold voltage becomes higher by a reverse board bias while becoming lower by a forward board bias.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタは逆方向の基板バイアスにより閾値電圧が大きくなり、順方向の基板バイアスにより閾値電圧が小さくなる。 - 特許庁

A transmission circuit 13 applies a forward bias to the light emitting diode 11 on the basis of transmission data.例文帳に追加

送信回路１３は、送信データに基づいて発光ダイオード１１に順バイアスを印加する。 - 特許庁

Rise characteristics of the forward bias current of the pin-type thin film diodes 2a to 2n can be improved.例文帳に追加

ｐｉｎ型の薄膜ダイオード2a,2b,2c,2d,…,2nの順バイアス電流の立ち上がり特性を向上できる。 - 特許庁

The LPF 26 is provided with a diode D1 to be a forward bias when starting charging in parallel.例文帳に追加

このＬＰＦ２６に、充電開始時にて順方向バイアスとなるダイオードＤ1を並列に設ける。 - 特許庁

The facet degradation reduction electrode 50 is electrically isolated from a forward bias electrode 40.例文帳に追加

端面劣化低減電極５０は、順方向バイアス電極４０から電気的に分離される。 - 特許庁

Thereby generation of partial latchup caused by the forward bias at erasing is prevented.例文帳に追加

これにより、消去時順方向バイアスにより局所的ラッチアップが発生することを防止する。 - 特許庁

To provide a Schottky diode in which a Schottky barrier in a reverse directional bias is high and the Schottky barrier in a forward directional bias is low.例文帳に追加

逆方向バイアスにおけるショットキー障壁が高く、順方向バイアスにおけるショットキー障壁が低くできるショットキーダイオードを提供する。 - 特許庁

Furthermore, this device has a forward bias voltage supply means (row bias circuit) 21, which supplies a forward bias voltage having a voltage value reducing an off-leak current from an unselected cell to the gate electrodes of the unselected memory transistors M12 and M22 among the memory transistors M11 to M22, in the direction of the forward bias to the channel formation region.例文帳に追加

読み出し時に、複数のメモリトランジスタＭ１１〜Ｍ２２のうち非選択のメモリトランジスタＭ１２，Ｍ２２のゲート電極に、チャネル形成領域に対し順バイアスとなる方向で、かつ、非選択セルからのオフリーク電流を低減する電圧値の順バイアス電圧を供給する順バイアス電圧供給手段（行バイアス回路）２１を有する。 - 特許庁

Moreover, by making the magnitude of the reverse direction bias to be smaller than the magnitude of a forward direction bias, power consumption is also reduced while securing the improvement in the reliability.例文帳に追加

さらに、逆方向バイアスを順方向バイアスより小さくすることで、信頼性向上を確保しつつ、消費電力の低減も行える。 - 特許庁

So that the forward bias has a value smaller than an inherent potential barrier of pn junction, m and n are set.例文帳に追加

該フォーワードバイアスがｐｎ接合の固有電位障壁より小さな値となるように、ｍとｎを設定する。 - 特許庁

As the result, when the reverse bias voltage is impressed between the base-emitter of the transistors Q1, Q2, the transistors Q20, Q21 become in the states of forward bias, then the reverse bias voltage impressed between the base-emitter of the transistors Q1, Q2 is dropped to the forward bias voltage between the base-emitter of the transistors Q20, Q21.例文帳に追加

その結果、トランジスタＱ１，Ｑ２のベース−エミッタ間に逆バイアス電圧が印加された場合には、トランジスタＱ２０，Ｑ２１が順バイアスとなり、トランジスタＱ１，Ｑ２のベース−エミッタ間に印加される逆バイアス電圧が、トランジスタＱ２０，Ｑ２１のベース−エミッタ間の順バイアス電圧まで降圧されることになる。 - 特許庁

In order to heat APD, (4) a circuit for making forward bias current flow through APD is provided to make forward bias current flow, (5) APD is heated by a heating element adjacent to APD, and (6) APD is irradiated with light to optically heat APD.例文帳に追加

ＡＰＤを加熱するには、（４）ＡＰＤに順バイアス電流を流す回路を備え、順バイアス電流を流す、（５）ＡＰＤに隣接した加熱素子で加熱する、（６）ＡＰＤに光を照射して光加熱する。 - 特許庁

POWER SUPPLY MEANS, DRIVE CIRCUIT OF CONTROLLABLE SWITCHING MEANS, AND DRIVE CIRCUIT OF FORWARD BIAS CURRENT DRIVE TYPE SWITCHING MEANS例文帳に追加

電源手段、可制御スイッチング手段の駆動回路及び 順バイアス電流駆動型スイッチング手段の駆動回路 - 特許庁

On the other hand, a light emitting diode 6b in a failure detecting circuit 17b is brought into forward bias state and lighted.例文帳に追加

一方、故障検出回路１７ｂ内の発光ダイオード６ｂは順バイアス状態となるため点灯する。 - 特許庁

A forward bias voltage is applied across ohmic p-electrodes 107 and 109 and an AuGe n-electrode 101.例文帳に追加

オーミックｐ電極１０７、１０９とＡｕＧｅのｎ電極１０１との間に順バイアス電圧を印加する。 - 特許庁

The first forward bias is the bias which is set independently of state information required for setting the second forward bias and increases the potential of the transfer member 46 to a level where a toner image is transferred in the second area, when the second area passes through the nip portion N.例文帳に追加

第１順バイアスは、第２順バイアスの設定に必要な状態情報とは無関係に設定されたバイアスであり、かつ第２領域がニップ部Ｎを通過するときに第２領域においてトナー像の転写が行われる程度に転写部材４６の電位を上昇させるバイアスである。 - 特許庁

A reverse bias applying means 9 applies a reverse bias Vmb which has the negative polarity based upon the source S to the gate G of the drive transistor Tr2 to correct down upward variation in threshold voltage caused by application of a forward bias.例文帳に追加

逆バイアス印加手段９は、ドライブトランジスタＴｒ２のゲートＧにソースＳ基準で負極性となる逆バイアスＶｍｂを印加し、順バイアスの印加によって生じた閾電圧の上方変動を下方修正する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a Schottky diode that reduces stationary loss during forward bias application without increasing a leakage current during reverse bias application.例文帳に追加

逆方向バイアス印加時のリーク電流を増加させることなく、順方向バイアス印加時の定常損失を低減するショットキーダイオードを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A diode is connected between a gate terminal of IGBT and a positive electrode of a forward bias power supply for gate driving and a negative electrode of a reverse bias power supply for gate driving.例文帳に追加

ＩＧＢＴのゲート端子とゲート駆動用順バイアス用電源の正極との間、及びゲート駆動用逆バイアス用電源の負極との間にダイオードを接続する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a Schottky diode for reducing steady loss when applying forward bias without increasing a leakage current when applying reverse bias.例文帳に追加

逆方向バイアス印加時のリーク電流を増加させることなく、順方向バイアス印加時の定常損失を低減するショットキーダイオードを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

An organic EL element is applied alternately with pulses of a voltage having a reverse bias polarity and a voltage (forward voltage) having a bias polarity for emitting light.例文帳に追加

有機ＥＬ素子に、逆バイアス極性の電圧と、有機ＥＬ素子を発光させるためのバイアス極性の電圧（順方向電圧）のパルスを交互に印加している。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus capable of enhancing the efficiency of control for stably operating a forward bias application means.例文帳に追加

順バイアス印加手段を安定して動作させるための制御の効率化を図る画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

Diodes 31, 32, 33, and 34 are connected in such a manner that the supply voltage Vcc may be applied in a forward bias direction.例文帳に追加

さらにダイオード３１、３２、３３、３４は、電源電圧Ｖｃｃが順バイアス方向に印加されるように接続される。 - 特許庁

Photons are generated in the multiple gain region by applying forward bias to the lateral p-n junction.例文帳に追加

この横方向ｐ／ｎ接合に順方向バイアスをかけることによって、多重利得領域で光子の発生が起こる。 - 特許庁

To reduce on-resistance at forward bias while improving breakdown strength by reducing an electric field on a Schottky junction.例文帳に追加

ショットキー接合面での電界を緩和して耐圧を向上させつつ、順バイアス時のオン抵抗を下げることができる。 - 特許庁

When the power supply voltage gets lower than some level, it is detected and the supply of forward bias current is promptly intercepted.例文帳に追加

電源電圧があるレベル以下になったことを検出し、順方向バイアス電流の供給を速やかに遮断する。 - 特許庁

This device has a bias component setting part 28 for variably setting a bias component for generating a bias magnetic field by feeding coils 33-36 of a sensor part 30A and compensates for the measured value midpoint deviation of the forward/backward torque, by setting a direct current component by the bias component setting part 28.例文帳に追加

センサ部３０Ａのコイル３３〜３６に給電してバイアス磁界を発生させるバイアス成分を可変設定するバイアス成分設定部２８を有し、バイアス成分設定部２８による直流成分の設定により正逆トルクの計測値中点ずれを補償する。 - 特許庁

Thus, in a reverse directed bias, the potential barrier can be made high in the n- type epitaxial layer 2, and in a forward directed bias, the potential barrier can be lowered in the n- type layer 3.例文帳に追加

これにより、逆方向バイアスにおいてはｎ^- 型エピ層２にて電位障壁の高くでき、順方向バイアスにおいてはｎ^- 型層３にて電位障壁を低くすることができる。 - 特許庁

Then, the organic electroluminescent element is driven by a CPU 36 in forward bias or in reverse bias according to necessity and the organic electroluminescent element is made to emit either green or red light.例文帳に追加

そして、該有機エレクトロルミネッセンス素子をＣＰＵ３６が必要に応じて順バイアス又は逆バイアス駆動することで、有機ＥＬ素子２４を緑色又は赤色に発光させる。 - 特許庁

That is, the PNP 14 and the NPN 16 are connected so that both the PNP 14 and the NPP 16 become off states in the reverse bias state and at least one becomes on state in the forward bias.例文帳に追加

即ち、逆バイアスのときには、ＰＮＰ１４とＮＰＮ１６がいずれもオフ状態となり、順バイアスのときには、少なくとも一方がオン状態となるように接続する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device reducing both the reverse leak current at the time of reverse bias and the on voltage at the time of forward bias, and also to provide its fabricating process and a bidirectional switch employing it.例文帳に追加

逆バイアス時の逆漏れ電流と順バイアス時のオン電圧が共に低減できる半導体装置およびその製造方法とそれを用いた双方向スイッチ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode, whose breakdown voltage does not decrease by reducing the thickness of an epitaxial layer, to thereby reduce the forward bias voltage.例文帳に追加

エピタキシャル層の厚みを薄くして順方向電圧を低くし、耐圧も低下することがないショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

During the operations, the thin-film transistor Tr2 is repeatedly or continuously applied with a forward bias between the gate and source through wires.例文帳に追加

動作中、薄膜トランジスタＴｒ２には、配線を介してゲートとソースの間に反復的若しくは持続的に順バイアスがかかる。 - 特許庁

To provide a small-scale forward bias means with superior area efficiency for reducing the operating power consumption of a CMOS logical gate.例文帳に追加

ＣＭＯＳ論理ゲートの動作消費電力低減の為の小規模で、面積効率の良いフォーワードバイアス手段の提供。 - 特許庁

A source bias voltage generating circuit 12 generates a source bias voltage Vs, applies it to the source 102 of the NMOSFET 10 with high speed mode, and generates a bias voltage in the forward direction between the source 102 and the base 104.例文帳に追加

ソースバイアス電圧生成回路１２は、ソースバイアス電圧Ｖ_Sを生成し、高速モードでＮＭＯＳＦＥＴ１０のソース１０２にこのソースバイアス電圧Ｖ_Sを印加して、ソース１０２とベース１０４との間に順方向のバイアス電圧を生じさせる。 - 特許庁

A drive transistor Tr2 receives at the gate a forward bias having the positive polarity based upon the source S with the signal potential held by the hold capacitor C1 and is energized to a load element EL with a current Ids flowing between the source S and drain D according to the forward bias.例文帳に追加

ドライブトランジスタＴｒ２は、ゲートＧが保持容量Ｃ１に保持された信号電位によってソースＳ基準で正極性となる順バイアスを受け、且つ順バイアスに応じてソースＳ／ドレインＤ間に流れる電流Ｉｄｓで負荷素子ＥＬに通電する。 - 特許庁

In a drive transistor Tr2, a gate G receives forward bias that is a positive polarity, with reference to the source S by a signal potential held in the holding capacitance C1, and current Ids, flowing between the source and the drain according to the forward bias, is caused to flow to a load device EL.例文帳に追加

ドライブトランジスタＴｒ２は、ゲートＧが保持容量Ｃ１に保持された信号電位によってソースＳ基準で正極性となる順バイアスを受け、且つ順バイアスに応じてソース／ドレイン間に流れる電流Ｉｄｓで負荷素子ＥＬに通電する。 - 特許庁

To make it possible to perform a high accurate simulation for a forward bias and reverse bias in a simulation method of an electrostatic discharge protect circuit using an equivalent circuit for an electrostatic discharge protect element.例文帳に追加

ＥＳＤ保護素子に等価回路を用いるＥＳＤ保護回路のシミュレーション方法において、順方向バイアス及び逆方向バイアスに対して高精度なシミュレーションを行なえるようにする。 - 特許庁

Further, the second optical element 120 emits light 150, in the horizontal direction of substrate, when a voltage applied to the second optical element 120 is switched to forward bias by the bias direction switching means.例文帳に追加

また、第２の光素子１２０は、バイアス方向切換手段により、第２の光素子１２０に対して印加する電圧を順方向のバイアスに切り換えたときに、基板水平方向の光１５０を出射する。 - 特許庁