「Forward bias」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide an image forming apparatus capable of applying forward bias and reverse bias to a transfer body while realizing the miniaturization of the apparatus.例文帳に追加

装置の小型化を図りつつ転写体に順バイアス及び逆バイアスを印加することが可能な画像形成装置を提供する。 - 特許庁

By impression of forward bias or reverse bias, light emission occurs at a part of leak current generation when there is a problem on the organic EL element.例文帳に追加

順バイアスあるいは逆バイアスの印加によって、有機ＥＬ素子に不具合があるとリーク電流発生の箇所に発光が起きる。 - 特許庁

Moreover, by making the magnitude of the reverse direction bias to be smaller than the magnitude of a forward direction bias, power consumption is also reduced while securing the improvement in the reliability.例文帳に追加

さらに、逆方向バイアスを順方向バイアスより小さくすることで、信頼性向上を確保しつつ、消費電力の低減も行える。 - 特許庁

Related to the MIS transistor, a threshold voltage becomes higher by a reverse board bias while becoming lower by a forward board bias.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタは逆方向の基板バイアスにより閾値電圧が大きくなり、順方向の基板バイアスにより閾値電圧が小さくなる。 - 特許庁

Thereby generation of partial latchup caused by the forward bias at erasing is prevented.例文帳に追加

これにより、消去時順方向バイアスにより局所的ラッチアップが発生することを防止する。 - 特許庁

Rise characteristics of the forward bias current of the pin-type thin film diodes 2a to 2n can be improved.例文帳に追加

ｐｉｎ型の薄膜ダイオード2a,2b,2c,2d,…,2nの順バイアス電流の立ち上がり特性を向上できる。 - 特許庁

The facet degradation reduction electrode 50 is electrically isolated from a forward bias electrode 40.例文帳に追加

端面劣化低減電極５０は、順方向バイアス電極４０から電気的に分離される。 - 特許庁

The LPF 26 is provided with a diode D1 to be a forward bias when starting charging in parallel.例文帳に追加

このＬＰＦ２６に、充電開始時にて順方向バイアスとなるダイオードＤ1を並列に設ける。 - 特許庁

A transmission circuit 13 applies a forward bias to the light emitting diode 11 on the basis of transmission data.例文帳に追加

送信回路１３は、送信データに基づいて発光ダイオード１１に順バイアスを印加する。 - 特許庁

A selector 31 is connected to a bias terminal of the semiconductor optical amplifier, the optical amplifier acts like an optical attenuator with a reverse bias voltage applied to the bias terminal in the pseudo single photon mode and acts like the optical amplifier with a forward bias voltage applied to the bias terminal in the multi-photon mode.例文帳に追加

半導体光アンプのバイアス端子にはセレクタ３１が接続され、疑似単一光子モードでは逆バイアス電圧が印加されて光減衰器として作用し、多光子モードでは順バイアス電圧が印加されて光増幅器として作用する。 - 特許庁

In order to heat APD, (4) a circuit for making forward bias current flow through APD is provided to make forward bias current flow, (5) APD is heated by a heating element adjacent to APD, and (6) APD is irradiated with light to optically heat APD.例文帳に追加

ＡＰＤを加熱するには、（４）ＡＰＤに順バイアス電流を流す回路を備え、順バイアス電流を流す、（５）ＡＰＤに隣接した加熱素子で加熱する、（６）ＡＰＤに光を照射して光加熱する。 - 特許庁

Furthermore, this device has a forward bias voltage supply means (row bias circuit) 21, which supplies a forward bias voltage having a voltage value reducing an off-leak current from an unselected cell to the gate electrodes of the unselected memory transistors M12 and M22 among the memory transistors M11 to M22, in the direction of the forward bias to the channel formation region.例文帳に追加

読み出し時に、複数のメモリトランジスタＭ１１〜Ｍ２２のうち非選択のメモリトランジスタＭ１２，Ｍ２２のゲート電極に、チャネル形成領域に対し順バイアスとなる方向で、かつ、非選択セルからのオフリーク電流を低減する電圧値の順バイアス電圧を供給する順バイアス電圧供給手段（行バイアス回路）２１を有する。 - 特許庁

Destaticizing effect of turning off bias is increased by applying bias while paper is being passed, turning off the bias, intrapaper, forward rotation and backward rotation and then, superposing AC.例文帳に追加

通紙中はバイアス印加し、紙間、前回転、後回転時にはバイアスをオフし、かつＡＣを重畳することで、バイアスオフの効果除電効果を高める。 - 特許庁

With respect to the operating voltage which is applied to the source of the MOS transistor, a substrate bias voltage of reverse bias or very shallow forward bias is applied to the substrate of the MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのソースに印加される動作電圧に対してＭＯＳトランジスタの基板には、逆バイアスまたは極めて浅い順バイアスの基板バイアス電圧が印加される。 - 特許庁

The reverse bias application means 63 applies the reverse bias of the lower limit value to the transfer means 30 at least before application of the forward bias to the transfer means 30.例文帳に追加

逆バイアス印加手段６３は、少なくとも順バイアスが転写手段３０に印加される前に、下限値の逆バイアスを転写手段３０に印加する。 - 特許庁

A reverse bias applying means 9 applies a reverse bias Vmb which has the negative polarity based upon the source S to the gate G of the drive transistor Tr2 to correct down upward variation in threshold voltage caused by application of a forward bias.例文帳に追加

逆バイアス印加手段９は、ドライブトランジスタＴｒ２のゲートＧにソースＳ基準で負極性となる逆バイアスＶｍｂを印加し、順バイアスの印加によって生じた閾電圧の上方変動を下方修正する。 - 特許庁

The first forward bias is the bias which is set independently of state information required for setting the second forward bias and increases the potential of the transfer member 46 to a level where a toner image is transferred in the second area, when the second area passes through the nip portion N.例文帳に追加

第１順バイアスは、第２順バイアスの設定に必要な状態情報とは無関係に設定されたバイアスであり、かつ第２領域がニップ部Ｎを通過するときに第２領域においてトナー像の転写が行われる程度に転写部材４６の電位を上昇させるバイアスである。 - 特許庁

This device has a bias component setting part 28 for variably setting a bias component for generating a bias magnetic field by feeding coils 33-36 of a sensor part 30A and compensates for the measured value midpoint deviation of the forward/backward torque, by setting a direct current component by the bias component setting part 28.例文帳に追加

センサ部３０Ａのコイル３３〜３６に給電してバイアス磁界を発生させるバイアス成分を可変設定するバイアス成分設定部２８を有し、バイアス成分設定部２８による直流成分の設定により正逆トルクの計測値中点ずれを補償する。 - 特許庁

As the result, when the reverse bias voltage is impressed between the base-emitter of the transistors Q1, Q2, the transistors Q20, Q21 become in the states of forward bias, then the reverse bias voltage impressed between the base-emitter of the transistors Q1, Q2 is dropped to the forward bias voltage between the base-emitter of the transistors Q20, Q21.例文帳に追加

その結果、トランジスタＱ１，Ｑ２のベース−エミッタ間に逆バイアス電圧が印加された場合には、トランジスタＱ２０，Ｑ２１が順バイアスとなり、トランジスタＱ１，Ｑ２のベース−エミッタ間に印加される逆バイアス電圧が、トランジスタＱ２０，Ｑ２１のベース−エミッタ間の順バイアス電圧まで降圧されることになる。 - 特許庁

A forward bias voltage is applied across ohmic p-electrodes 107 and 109 and an AuGe n-electrode 101.例文帳に追加

オーミックｐ電極１０７、１０９とＡｕＧｅのｎ電極１０１との間に順バイアス電圧を印加する。 - 特許庁

By two rectifier diodes and two resistors, the reverse bias voltage is set at lower voltage than the forward voltage, thereby the deterioration of electroluminescent element is prevented.例文帳に追加

また、２つの整流ダイオードと２つの抵抗により、逆バイアス電圧を順方向電圧より低く設定し、有機ＥＬ素子の劣化を抑える。 - 特許庁

The resistor 2 regulates the electric current and it impresses the organic electroluminescent element 20 with forward voltage and also impresses reverse bias voltage of reverse direction voltage.例文帳に追加

抵抗２で電流制御し、有機ＥＬ素子２０に順方向電圧を印加するとともに逆方向電圧を逆バイアス電圧として印加する。 - 特許庁

To reduce on-resistance at forward bias while improving breakdown strength by reducing an electric field on a Schottky junction.例文帳に追加

ショットキー接合面での電界を緩和して耐圧を向上させつつ、順バイアス時のオン抵抗を下げることができる。 - 特許庁

Succeedingly, it is possible to apply a forward bias voltage nearly equal to a threshold value of the diode D1 to the diode D1 of the detection circuit section 2.例文帳に追加

したがって、検波回路部２のダイオードＤ１に、ダイオードＤ１の閾値付近の順方向バイアス電圧をかけることが可能になる。 - 特許庁

Photons are generated in the multiple gain region by applying forward bias to the lateral p-n junction.例文帳に追加

この横方向ｐ／ｎ接合に順方向バイアスをかけることによって、多重利得領域で光子の発生が起こる。 - 特許庁

On the other hand, a light emitting diode 6b in a failure detecting circuit 17b is brought into forward bias state and lighted.例文帳に追加

一方、故障検出回路１７ｂ内の発光ダイオード６ｂは順バイアス状態となるため点灯する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode, whose breakdown voltage does not decrease by reducing the thickness of an epitaxial layer, to thereby reduce the forward bias voltage.例文帳に追加

エピタキシャル層の厚みを薄くして順方向電圧を低くし、耐圧も低下することがないショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

The modulator region 118 has a small varying forward current or reverse bias voltage which controls the light output of the laser.例文帳に追加

変調領域１１８は、レーザの光出力を制御する、可変である小さな順方向電流または逆バイアス電圧を有する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging module for preventing production of an overcurrent caused by applying a forward bias to a junction of a CCD area sensor.例文帳に追加

ＣＣＤエリアセンサの接合に順バイアスが印加される事による過電流の発生を防止する固体撮像モジュールを提供する。 - 特許庁

Diodes 31, 32, 33, and 34 are connected in such a manner that the supply voltage Vcc may be applied in a forward bias direction.例文帳に追加

さらにダイオード３１、３２、３３、３４は、電源電圧Ｖｃｃが順バイアス方向に印加されるように接続される。 - 特許庁

Then, by applying a forward bias to the drive transistor T3, a drive current Ioled is generated, and luminance of an organic EL element OLED is set by the drive current.例文帳に追加

そして、駆動トランジスタＴ3に順バイアスを印加することにより、駆動電流Ｉoledを発生し、これにより、有機ＥＬ素子OLEDの輝度を設定する。 - 特許庁

A method for improving analog circuits performance using a circuit design using forward bias and a modified mixed-signal process is presented.例文帳に追加

順方向バイアスおよび修正された混合信号プロセスを用いた回路設計を用いて、アナログ回路性能を向上させる方法が提示される。 - 特許庁

By connecting the two organic electroluminescent elements in parallel, the forward voltage and reverse bias voltage are alternately impressed on the two organic electroluminescent elements.例文帳に追加

また、２つの有機ＥＬ素子を逆並列に接続し、順方向電圧と逆バイアス電圧を２つの有機ＥＬ素子間で交互に印加する。 - 特許庁

So that the forward bias has a value smaller than an inherent potential barrier of pn junction, m and n are set.例文帳に追加

該フォーワードバイアスがｐｎ接合の固有電位障壁より小さな値となるように、ｍとｎを設定する。 - 特許庁

POWER SUPPLY MEANS, DRIVE CIRCUIT OF CONTROLLABLE SWITCHING MEANS, AND DRIVE CIRCUIT OF FORWARD BIAS CURRENT DRIVE TYPE SWITCHING MEANS例文帳に追加

電源手段、可制御スイッチング手段の駆動回路及び 順バイアス電流駆動型スイッチング手段の駆動回路 - 特許庁

Then, by applying a forward bias to the driving transistor T3, a driving current Ioled is generated, and luminance of an organic EL element OLED is set by the driving current.例文帳に追加

そして、駆動トランジスタＴ3に順バイアスを印加することにより、駆動電流Ｉoledを発生し、これにより、有機ＥＬ素子OLEDの輝度を設定する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus capable of enhancing the efficiency of control for stably operating a forward bias application means.例文帳に追加

順バイアス印加手段を安定して動作させるための制御の効率化を図る画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

When the power supply voltage gets lower than some level, it is detected and the supply of forward bias current is promptly intercepted.例文帳に追加

電源電圧があるレベル以下になったことを検出し、順方向バイアス電流の供給を速やかに遮断する。 - 特許庁

During the operations, the thin-film transistor Tr2 is repeatedly or continuously applied with a forward bias between the gate and source through wires.例文帳に追加

動作中、薄膜トランジスタＴｒ２には、配線を介してゲートとソースの間に反復的若しくは持続的に順バイアスがかかる。 - 特許庁

To provide a small-scale forward bias means with superior area efficiency for reducing the operating power consumption of a CMOS logical gate.例文帳に追加

ＣＭＯＳ論理ゲートの動作消費電力低減の為の小規模で、面積効率の良いフォーワードバイアス手段の提供。 - 特許庁

In a drive transistor Tr2, a gate G receives forward bias that is a positive polarity, with reference to the source S by a signal potential held in the holding capacitance C1, and current Ids, flowing between the source and the drain according to the forward bias, is caused to flow to a load device EL.例文帳に追加

ドライブトランジスタＴｒ２は、ゲートＧが保持容量Ｃ１に保持された信号電位によってソースＳ基準で正極性となる順バイアスを受け、且つ順バイアスに応じてソース／ドレイン間に流れる電流Ｉｄｓで負荷素子ＥＬに通電する。 - 特許庁

In various image forming methods, the shaving of the photoreceptor is kept down by eliminating or shortening the time for electrifying bias in a forward rotation, carrying out DC electrification only for applying bias in the forward rotation, shortening the AC electrifying time or also shortening the DC electrification application time.例文帳に追加

いくつかの画像処理法にともない、前回転時の帯電バイアス時間をなくす、もしくは短く、または、前回転時のバイアス印加のみＤＣ帯電する、もしくは、ＡＣ帯電時間を短縮する、または、そのときのＤＣ帯電印加時間も短くして、感光体の削れを抑える。 - 特許庁

A drive transistor Tr2 receives at the gate a forward bias having the positive polarity based upon the source S with the signal potential held by the hold capacitor C1 and is energized to a load element EL with a current Ids flowing between the source S and drain D according to the forward bias.例文帳に追加

ドライブトランジスタＴｒ２は、ゲートＧが保持容量Ｃ１に保持された信号電位によってソースＳ基準で正極性となる順バイアスを受け、且つ順バイアスに応じてソースＳ／ドレインＤ間に流れる電流Ｉｄｓで負荷素子ＥＬに通電する。 - 特許庁

To provide a Schottky diode in which a Schottky barrier in a reverse directional bias is high and the Schottky barrier in a forward directional bias is low.例文帳に追加

逆方向バイアスにおけるショットキー障壁が高く、順方向バイアスにおけるショットキー障壁が低くできるショットキーダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a Schottky diode for reducing steady loss when applying forward bias without increasing a leakage current when applying reverse bias.例文帳に追加

逆方向バイアス印加時のリーク電流を増加させることなく、順方向バイアス印加時の定常損失を低減するショットキーダイオードを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁