「GAAS」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

An SiO2 film 20 is formed on these layers and the SiO2 film 20 in a stripe region with about 3 μm width is removed, and the n-GaAs cap layer 19 and the n-Alx4Ga1-x4As current constriction layer 18 are etched with as a mask of the SiO2 film 20.例文帳に追加

この上に、SiO_2膜20を形成し、3μｍ程度の幅のストライプ領域のSiO_2膜20を除去し、SiO_2膜20をマスクとしてn-GaAsキャップ層19およびn-Al_x4Ga_1_-x4As電流狭窄層18をエッチングする。 - 特許庁

When an epitaxial layer is formed on a GaAs substrate by using an organic metal vapor phase growth, the epitaxial layer is formed on a slightly inclined surface from a plane (100) of the GaAs substrate.例文帳に追加

有機金属気相成長法を用いてＧａＡｓ基板上にエピタキシャル層を形成する場合、ＧａＡｓ基板の（１００）面から僅かに傾斜する面上にエピタキシャル層を形成する。 - 特許庁

The active layer 5 comprises InGaAsP which lattice-matches with the n-type GaAs substrate 2 while the p-type clad layer 7 comprises AlGaInP which lattice-matches with the n-type GaAs substrate 2.例文帳に追加

活性層５は、ｎ型ＧａＡｓ基板２と格子整合するＩｎＧａＡｓＰより成り、また、ｐ型クラッド層７は、ｎ型ＧａＡｓ基板２と格子整合するＡｌＧａＩｎＰより成る。 - 特許庁

The photodiode is formed on the substrate, and has the annular laminated structure of an i-GaAs layer 307 and a p-GaAs ayer 308 surrounding the laser element through the region 322.例文帳に追加

フォトダイオードは、基板上に形成され、素子分離領域を介してレーザ素子を取り巻くｉ−ＧａＡｓ層３０７及びｐ−ＧａＡｓ層３０８の環状積層構造を備える。 - 特許庁

To form a waveguide end face under an accurate state of intersecting the axial direction of the waveguide perpendicularly in an AlGaInP or GaInP based semiconductor laser having a reverse-mesa structure on a GaAs inclination substrate.例文帳に追加

GaAs傾斜基板上に逆メサ構造を持つAlGaInPまたはGaInP系の半導体レーザにおいて、導波路軸方向に対して正確に直交した状態に導波路端面を形成する。 - 特許庁

On an n-type GaAs substrate 12, an n-type AlGaAs lower clad layer 14, an active layer 16, a p-type AlGaAs upper clad layer 18, and a p-type GaAs cap layer 20 are successively grown.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１２上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層１４、活性層１６、ｐ−ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層１８、及びｐ−ＧａＡｓキャップ層２０を成長させる。 - 特許庁

In this semiconductor device, an AlGaInP negative strain layer 11 and an AlGaAs mixed crystal prevention layer 12 are grown on the GaAs growth substrate 1 by a vapor-phase growth method, and thereafter the thick-film AlGaAs layer 2 is grown by a liquid-phase growth method.例文帳に追加

GaAs成長基板１上にAlGaInPマイナス歪層１１及びAlGaAs混晶防止層１２を気相成長法で成長させ、その後、厚膜AlGaAs層２を液相成長法で成長させる。 - 特許庁

In a semiconductor light emitting element having electrodes including a Pt layer adjacent an Au layer 14, a Ti layer 12 of 50 nm, a Pt-Mo layer 13 of 50 nm, an Au layer 14 of 300 nm are laminated on a P-GaAs cap layer 9.例文帳に追加

Au層に隣接したPt層を含む電極を備えた半導体発光素子において、P-GaAsキャップ層９上にTi層12を50nm、Pt-Mo層13を50nm、Au層14を300nmの厚さで順次積層して形成した。 - 特許庁

A semiconductor substrate (1, 2, 3, 4, 5) is formed laminating a non-doped GaAs buffer layer 2, a non-doped InGaAs channel layer 3, an n-type AlGaAs electron supply layer 4, and an n-type GaAs contact layer 5 on a semi- insulating GaAs substrate 1 in order by epitaxial growth.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、ノンドープＧａＡｓバッファ層２，ノンドープＩｎＧａＡｓチャネル層３，ｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層４，ｎ型ＧａＡｓコンタクト層５がエピタキシャル成長により順次に積層されて、半導体基板（１，２，３，４，５）が形成されている。 - 特許庁

An Si-GaAs buffer layer 2, an Si-AlGaInP cladding layer 3, the active layer 4, an Mg-AlGaInP cladding layer 5, an Mg-AlGaInPBDR layer 6, and a Zn-GaAs contact layer 7 are laminated on an Si-GaAs substrate 1 in this order.例文帳に追加

Ｓｉ−ＧａＡｓ基板１の上には、Ｓｉ−ＧａＡｓバッファ層２、Ｓｉ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、活性層４、Ｍｇ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、Ｍｇ−ＡｌＧａＩｎＰＢＤＲ層６およびＺｎ−ＧａＡｓコンタクト層７が、この順に積層されている。 - 特許庁

When the via hole 10 is formed in a GaAs single crystal substrate 8 by dry etching, a GaAs single crystal substrate 8, in which the content of oxygen impurities is sufficiently small to an extent that an etching residual material is not formed, is used, and dry etching is applied to the GaAs single crystal substrate 8.例文帳に追加

ドライエッチングによりＧａＡｓ単結晶基板８にビアホール１０を形成するに際し、エッチング残留物が生成されない程度に酸素不純物の含有量が十分少ないＧａＡｓ単結晶基板８を用い、このＧａＡｓ単結晶基板８に対してドライエッチングを行う。 - 特許庁

The semiconductor laser element 10 has a GaAs substrate 11, a semiconductor lamination part which is formed on the GaAs substrate 11 and comprises a plurality of semiconductor layers, and an n-side electrode 19 formed on a lower surface in the side opposite to the semiconductor lamination part of the GaAs substrate 11.例文帳に追加

この半導体レーザ素子１０は、ＧａＡｓ基板１１と、ＧａＡｓ基板１１上に形成され、複数の半導体層を含む半導体積層部と、ＧａＡｓ基板１１の半導体積層部とは反対側の下面上に形成されたｎ側電極１９とを備えている。 - 特許庁

The natural convection S overcomes a forced convection formed near the solid-liquid interface by a relative rotation of the GaAs single crystal 3 and the crucible 7 and becomes the dominant convection in the GaAs melt 6, which enables the solid-liquid interface to be convexly curved toward the GaAs melt 6.例文帳に追加

これにより、ＧａＡｓ単結晶３とルツボ７との相対回転に起因する固液界面付近の強制対流に打ち勝って、ＧａＡｓ融液６内の対流は自然対流Ｓが支配的となり、固液界面形状をＧａＡｓ融液６側に凸面に制御可能となる。 - 特許庁

An active layer is formed on a semiconductor substrate where non-doped GaAs and InGaAs layers 2 and 3, and n-type AlGaAs and GaAs layers 4 and 5 are subjected to epitaxial growth on a semi-insulating GaAs substrate 1, and source and drain electrodes 6 and 7 are formed by AuGe/Ni/Au alloy.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１に、ノンドープＧａＡｓ層２，ノンドープＩｎＧａＡｓ層３，ｎ型ＡｌＧａＡｓ層４，ｎ型ＧａＡｓ層５をエピタキシャル成長した半導体基板に活性層を形成し、ソース電極６及びドレイン電極７をＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ合金で形成している。 - 特許庁

A first contact layer 12 consisting of a high density n type GaAs, an active layer 13 consisting of a low density n type GaAs and a second contact layer 14 consisting of a high density n type InGaAlP are sequentially stacked on a semiconductor substrate 11 consisting of a high density n type GaAs.例文帳に追加

高濃度ｎ型ＧａＡｓからなる半導体基板１１上に、高濃度ｎ型ＧａＡｓからなる第１のコンタクト層１２、低濃度ｎ型ＧａＡｓからなる活性層１３、及び高濃度ｎ型ＩｎＧａＡｌＰからなる第２のコンタクト層１４の順に積層する。 - 特許庁

The semiconductor device is composed of a GaAs substrate 1, an active element, i.e., comb-like gate structure field effect transistor 3A formed on the surface of the GaAs substrate 1, and a plurality of serial resonator circuits 7 formed on a multilayer wiring layer on the surface of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１の表面に形成された能動素子である櫛型ゲート構造電界効果トランジスタ３Ａと、ＧａＡｓ基板１の表面上の多層配線層に形成された複数の直列共振回路７とから構成されている。 - 特許庁

An end face of a resonator having a nitride series semiconductor laser structure is formed by an etching before a joining step for joining an LD1 wafer, comprising the nitride series semiconductor laser structure formed on a GaN substrate 101; an LD1 wafer comprising a gallium phosphide series semiconductor laser structure formed on a GaAs substrate 201, and an LD2 wafer, comprising a gallium phosphide series semiconductor laser structure formed on the GaAs substrate 201.例文帳に追加

GaN基板１０１に形成された窒化物系半導体レーザ構造からなるLD１ウェハとGaAs基板２０１に形成されたガリウム燐系半導体レーザ構造からなるLD１ウェハとGaAs基板２０１に形成されたガリウム燐系半導体レーザ構造からなるLD２ウェハとを接合する接合工程に先立ち、窒化物系半導体レーザ構造の共振器端面をエッチング加工で形成する。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device includes the GaAs substrate 1, the quantum dot active layer 3 formed over the GaAs substrate 1, a GaAs layer 4 formed above or below the quantum dot active layer 3, and the diffraction grating 7 formed from InGaP or InGaAsP and periodically provided along an propagating direction of light in the GaAs layer 4.例文帳に追加

半導体発光素子を、ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に形成された量子ドット活性層３と、量子ドット活性層３の上側又は下側に形成されたＧａＡｓ層４と、ＧａＡｓ層４の内部に、ＩｎＧａＰ又はＩｎＧａＡｓＰからなり、光の進行方向に沿って周期的に設けられた回折格子７とを備えるものとする。 - 特許庁

To form a light outputting hole (114) in a contact layer (108) in a surface emitting semiconductor laser, and form the contact layer (108) of GaAs in this constitution.例文帳に追加

面発光型の半導体レーザにおいて、 (108)コンタクト層に (114)光出射穴を設ける。 - 特許庁

INTEGRATION OF AMORPHOUS SILICON TRANSMITTING/RECEIVING STRUCTURE WITH GaAs OR InP PROCESSED DEVICE例文帳に追加

アモルファスシリコン送信及び受信構造とＧａＡｓまたはＩｎＰ加工済み装置との集積化 - 特許庁

The plane orientation of the GaAs substrate 1 is tilted at ≥0.2° to <0.5° from (100) plane.例文帳に追加

上記ＧａＡｓ基板１の面方位は、（１００）面から０．２度以上０．５度未満かたむいている。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SOI SUBSTRATE ASSOCIATING SILICON-BASED REGION WITH GaAs-BASED REGION例文帳に追加

シリコンベースの領域及びＧａＡｓベースの領域を関連付けるＳＯＩ基板の製造方法 - 特許庁

To provide a GaAs single crystal of high quality having a large diameter, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

大口径であっても高品質であるＧａＡｓ単結晶とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The high frequency switch 20 includes a field effect transistor of a GaAs compound semiconductor.例文帳に追加

高周波スイッチ２０は、ＧａＡｓ化合物半導体による電界効果トランジスタを含んでいる。 - 特許庁

Thereafter, the current constricting layer 19 and p-type InxGa1-xP layer 18 are etched by using the SiO2 film 21 as a mask.例文帳に追加

SiO_2膜21を除去し、n-GaAsキャップ層20と溝の底面のp-In_x1Ga_1-x1As_1-y1P_y_1第二エッチング阻止層17を除去する。 - 特許庁

To improve conversion efficiency of a GaAs-based solar cell formed on an Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に形成されたＧａＡｓ系太陽電池の変換効率の向上を実現する。 - 特許庁

The surface emitting laser element 100 has laminate structure formed on a GaAs substrate 101.例文帳に追加

面発光レーザ素子１００は、ＧａＡｓ基板１０１上に形成された積層構造を有する。 - 特許庁

The current constitution layer of the upper-part laser 60 is an n-type GaAs current constriction layer 24.例文帳に追加

上部レーザ部６０の電流狭窄層は、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層２４である。 - 特許庁

A gate electrode 12 of transistor for high-frequency is formed on a GaAs (gallium arsenide) substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の上に、高周波用トランジスタのゲート電極１２が形成されている。 - 特許庁

The GaAs substrate 15 is removed and the semiconductor elements are formed on the semiconductor layers (12 to 14).例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１５を除去し、半導体層（１２〜１４）上に半導体素子を形成する。 - 特許庁

A layer sequence of an InGaAlP base is grown on an Si-doped GaAs wafer.例文帳に追加

ＳｉドープされたＧａＡｓサブストレート１２にＩｎＧａＡｌＰベースの層シーケンスが成長される。 - 特許庁

Instead of the GaP layers, the GaNP layer may be formed by laminating GaAs layers and the GaN layers.例文帳に追加

ＧａＰ層のかわりにＧａＡｓをＧａＮ層と積層してＧａＮＰ層を形成してもよい。 - 特許庁

A GaAs layer 4 is grown on an InGaAs layer 3 for forming a strained semiconductor layer.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓ層３上にＧａＡｓ層４を成長させて歪系半導体層を形成する。 - 特許庁

Furthmore, the layer thickness of the undoped GaAs buffer layer 4 is formed 10 nm to 100 nm.例文帳に追加

また、アンドープＧａＡｓバッファ層４の層厚は１０ｎｍ〜１００ｎｍに形成されている。 - 特許庁

A transistor 12 and filters 13 are formed on a GaAs substrate 11 (semiconductor substrate).例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１１（半導体基板）上に、トランジスタ１２及びフィルタ１３が形成されている。 - 特許庁

Penetration of Ti can be stopped almost at a GaAs layer just under an upper semiconductor.例文帳に追加

Ｔｉの侵入は、上層半導体直下のＧａＡｓ層でほぼ停止させることができる。 - 特許庁

To selectively etch an AlGaAs layer or a GaAs layer with respect to an InGaAs layer.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ層またはＧａＡｓ層をＩｎＧａＡｓ層に対して選択的にエッチングする。 - 特許庁

A source electrode 12 (surface electrode) is formed on a surface of a GaAs substrate 10 (substrate).例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０（基板）の表面上にソース電極１２（表面電極）が形成されている。 - 特許庁

A p-GaAs cap layer 19 and an upper DBR 18 are formed as a mesa post 20.例文帳に追加

ｐ−ＧａＡｓキャップ層１９及び上部ＤＢＲ１８は、メサポスト２０として形成される。 - 特許庁

A first conductive semiconductor region 3 is provided on a GaAs semiconductor region.例文帳に追加

第１導電型半導体領域３は、ＧａＡｓ半導体領域上に設けられている。 - 特許庁

Collector layers 4 to 6 of three layer structure of InGaP/GaAs/InGaP are formed on the subcollector layer.例文帳に追加

さらに、サブコレクタ層上にはＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ／ＩｎＧａＰの３層構造のコレクタ層４乃至６が形成されている。 - 特許庁

After growth, the polyimide resin film 3 is removed, and the ridge is formed on the GaAs substrate 1.例文帳に追加

成長後、ポリイミド樹脂膜３を除去してＧａＡｓ基板１上にリッジ部を形成する。 - 特許庁

To provide a process for growing a GaAs semiconducting single crystal with a high yield of the single crystal.例文帳に追加

単結晶の収率の高いＧａＡｓ半導体単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

Thus, a p-type active layer 2a, formed of p-type GaAs is formed on the flat parts 1a and 1c and an n-type active layer 2b formed of n-type GaAs, is formed on the inclination part 1b.例文帳に追加

それにより、平坦部１ａ，１ｃ上にｐ型ＧａＡｓからなるｐ型活性層２ａが形成され、傾斜部１ｂ上にｎ型ＧａＡｓからなるｎ型活性層２ｂが形成される。 - 特許庁

A seed crystal 7 attached to the lower end of a pulling shaft 3 is brought into contact with the GaAs melt 9 and the seed crystal 7 is pulled while rotating the crucible 5 to produce a GaAs single crystal 10.例文帳に追加

その後、ＧａＡｓ融液９に引上軸３の下端に取り付けた種結晶７を接触させ、ルツボ５を回転させながら種結晶７を引き上げてＧａＡｓ単結晶１０を製造する。 - 特許庁