「HF」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A discharge unit 20 generates active seeds, such as HF through the reaction of CF4 from a raw material gas source 26 and steam from a water- bubbling unit 30.例文帳に追加

放電ユニット２０は、原料ガス源２６からのＣＦ_4 と、水バブリングユニット３０からの水蒸気を反応させてＨＦなどの活性種を生成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing composite semiconductor substrate by which the slipping or dislocations of single-crystal semiconductor layers and the formation of lattice defects, HF defects, etc., in the semiconductor layers can be prevented.例文帳に追加

複合半導体基板の製造方法において、単結晶半導体層にスリップや転位、格子欠陥、ＨＦ欠陥等が形成されるのを防止する。 - 特許庁

An autonomic nerve activity degree calculator 24 calculates the sympathetic nerve activity degree indications (LF/HF) based on electrocardiographic data measured by an electrocardiogram monitor 14.例文帳に追加

自律神経活動度算出部２４は、心電図モニタ１４により測定された心電データに基づいて、交感神経の活動度合いを示す交感神経活動度指標（ＬＦ／ＨＦ）を算出する。 - 特許庁

To provide a method, an algorithm, architecture, a circuit, and/or a system for EAS, HF, UHF, and RFID designs suitable for multiple tag reading applications using a TTF collision prevention scheme.例文帳に追加

ＴＴＦ衝突防止スキームを用いたマルチタグ読み取りの応用に適したＥＡＳ、ＨＦ、ＵＨＦ、及びＲＦＩＤの設計のための方法、アルゴリズム、アーキテクチャ、回路、及び／又はシステムを提供する。 - 特許庁

Consequently, thermal decomposition of TEMAH is not caused in TEMAH supply piping to suppress formation of the Hf film, thereby reducing particles.例文帳に追加

前記手段により、ＴＥＭＡＨ供給配管内でＴＥＭＡＨの加熱分解が起きないため、Ｈｆ膜の形成を抑制できパーティクルを低減できる。 - 特許庁

The NiFeHf inner layer 51 is formed by, for example, simultaneously sputtering a NiFe target and a Hf target with 400 W and 200 W, respectively.例文帳に追加

ＮｉＦｅＨｆインナー層５１は、例えば、ＮｉＦｅターゲットおよびＨｆターゲットを、それぞれ４００Ｗ，２００Ｗのパワーで同時並行スパッタすることで形成される。 - 特許庁

In the cleaning processing, a fear that the built-in insulating film 102 melts by rare HF can be avoided since the built-in insulating film 102 is covered by the protection film 154.例文帳に追加

このクリーニング処理の際には、埋め込み絶縁膜１０２は保護膜１５４で覆われているので、希ＨＦにより埋め込み絶縁膜１０２が溶解する恐れを回避することができる。 - 特許庁

An evaporated insulating film 2 formed of an oxide comprising at least one type of an element selected from a group formed of Al, Hf, Zr and Si or nitride is formed on a substrate 1 by an evaporation method.例文帳に追加

基板１上に、蒸着法により、Ａｌ、Ｈｆ、Ｚｒ及びＳｉからなる群から選択された少なくとも１種の元素を含む酸化物又は窒化物からなる蒸着絶縁膜２を形成する。 - 特許庁

The hafnium silicate film is formed by the ALD method by combining Hf[N(CH_3)_2]_4 and Si(OCH_3)_4 which are compounds each having a small particle size, sufficient steam pressure at a low temperature, and high reactiveness with water.例文帳に追加

分子サイズが小さく、低温でも十分な蒸気圧を持ち、水との反応性が高い化合物である、Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_４とＳｉ（ＯＣＨ_３）_４の組み合わせによって、ＡＬＤ法にてハフニウムシリケート薄膜を形成する。 - 特許庁

Next, the Al-Hf alloy layer 3 (or the stacked body) is anodized in an acid aqueous solution to form a nanohole structure having nanoholes 8, and, if required, the nanoholes 8 are subjected to width expansion working by etching.例文帳に追加

次に、Ａｌ−Ｈｆ合金層３（又は、積層体）を酸水溶液中で陽極酸化してナノホール８を有するナノホール構造体を形成し、必要なら、エッチングによってナノホール８を拡幅加工する。 - 特許庁

There is provided the dielectric material having a film of R-Ge-Ti-O where R is selected from Zr and Hf, and the manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明は、ＲがＺｒとＨｆから選択される、Ｒ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏのフィルムを備えた誘電材料に関し、また、その製造方法に関連する。 - 特許庁

Besides a zirconyl chloride aqueous solution, other Zr compounds and water-soluble metal compounds of Ti, Hf, V, Nb, Ta, and rare earth metals (for example, Ce and La) can be used as the insolubilizing agent.例文帳に追加

不溶化剤としては塩化ジルコニル水溶液のほか他のＺｒ化合物並びにＴｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、および希土類金属（例えばＣｅ、Ｌａなど）の水溶性金属化合物を用いることができる。 - 特許庁

The helmets Hf, Hr are loaded respectively on the forward-descending inclined plane 65 and the backward-descending inclined plane 66, to thereby enable to store the two helmets on the front and the rear in the storage box 21.例文帳に追加

前下がり傾斜面６５と後下がり傾斜面６６に各々ヘルメットＨｆ，Ｈｒを載せることにより、収納ボックス２１に前後２個のヘルメットＨｆ，Ｈｒを収納できる。 - 特許庁

The ceramic phase is composed of at least one selected from the group consisting of nitrides, carbides, oxides, composite nitrides, composite carbides, composite oxides, carbonitrides, oxynitrides, carboxynitrides and carbonates of Al, Si, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo and W.例文帳に追加

セラミックス相は、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ、Ｗの窒化物、炭化物、酸化物、複合窒化物、複合炭化物、複合酸化物、炭窒化物、酸窒化物、炭窒酸化物及び炭酸化物よりなる群から選ばれる少なくとも１種である。 - 特許庁

The matrix-forming metal alloy is an alloy selected from the group consisting of W, Co, Cr, Fe, Ni, Mo, Al, Si, Cu, Y, Ag, P, Zr, Hf, B, Ta, V, Nb, and alloys thereof.例文帳に追加

マトリックス形成合金はW、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ａｇ、Ｐ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂから成るグループから選ばれる合金およびその合金類である。 - 特許庁

This apparatus outputs the voltage by changing over between the voltage consisting of the low-frequency pulse group LF and the voltage consisting of the high-frequency pulse group HF without any downtime.例文帳に追加

また、前記低周波のパルス群ＬＦからなる電圧と前記高周波のパルス群ＨＦからなる電圧を、休止時間を設けることなく切り替えて出力することにより上記の課題を解決する。 - 特許庁

Then, the downloaded html file HF is memorized in the memory 26, ranking, music names and artist names are analyzed, the music in the recording media stored in the audio system HU is selected and played back according to the ranking.例文帳に追加

そして、ダウンロードしたｈｔｍｌファイルＨＦはメモリ２６に記憶され、順位、曲名、アーティスト名を解析し、その順位に従ってオーディオ装置ＨＵに収納されている記録媒体中の曲を選曲、再生を行う。 - 特許庁

Within the movable range CD of the magnetic head 130, an angle θ between the line segment HF and the line segment JI becomes 90°, the minimum angle, when the magnetic head 130 is at a point C.例文帳に追加

磁気ヘッド１３０の可動範囲ＣＤ内では磁気ヘッド１３０が点Ｃにある時に線分ＨＦと線分ＪＩとのなす角θは最小となり、その角度は９０度である。 - 特許庁

The SOI layer surface of an SOI substrate after a first HF etching is evaluated by a particle counter and a first map of small defects is prepared.例文帳に追加

第１のＨＦエッチング後のＳＯＩ基板のＳＯＩ層表面をパーティクルカウンタで測定し、小さい欠陥をマッピングして第１のマップを作成する。 - 特許庁

To provide a ceramic composition and a ceramic capacitor using it having a high dielectric constant in a HF band, a small dielectric loss and a stable property.例文帳に追加

高周波数帯域においても比誘電率が高く、誘電損出が小さく、安定した特性を有する磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサを提供する。 - 特許庁

To more excellently, particularly highly reliably, test a parameter intrinsic to a backscatter transponder for an HF communication system using modulated back radiation.例文帳に追加

変調された後方放射を用いたＨＦ通信システムのための後方散乱型トランスポンダにおいて、トランスポンダ固有のパラメータをいっそう良好に殊に高い信頼性を伴ってテストできるようにする。 - 特許庁

The Ti alloy comprises at least one of Zr and Hf in a total mass of 0.1-5.0% and the balance Ti with impurities.例文帳に追加

ＺｒおよびＨｆの少なくとも１種が合計質量で０．１〜５．０％含有され残部がＴｉおよび不純物であることを特徴とするＴｉ合金を提供する。 - 特許庁

An autonomic nerve activity calculation section calculates a sympathetic nerve activity index (LF/HF) indicating the activity level of the sympathetic nerve based on the electrocardiographic data measured by the electrocardiogram monitor.例文帳に追加

自律神経活動度算出部は、心電図モニタにより測定された心電データに基づいて、交感神経の活動度合いを示す交感神経活動度指標（ＬＦ／ＨＦ）を算出する。 - 特許庁

To provide a lithium secondary battery, in which the lowering of the output power of the battery due to generation of power quality SEI is restrained by suppressing the effects of radical molecules and HF generated in the nonaqueous electrolyte, and the cycle characteristics is improved.例文帳に追加

非水液電解液中に発生するラジカル分子及びＨＦの影響を抑えることにより、悪質なＳＥＩの生成による電池の出力の低下を抑制し、サイクル特性を改善したリチウム二次電池を提供する。 - 特許庁

Then the NSG film 5 is etched and removed by using a mixed solution of 0.1% HF and 0.7% HCL, so that polymer residuals 7 on the NSG film 5 can be removed together with the NSG film.例文帳に追加

その後、例えば０．１％ＨＦと０．７％ＨＣＬの混合溶液を用いてＮＳＧ膜５をエッチング除去することで、ＮＳＧ膜５上のポリマー残渣７をＮＳＧ膜５とともに除去できる。 - 特許庁

Like a printer head of an ink jet printer, the discharge head section 12 is formed, linearly or zigzag, with a plurality of liquid discharge holes 16 for discharging an etchant such as an HF aqueous solution.例文帳に追加

吐出ヘッド部１２は、インクジェットプリンタのプリンタヘッドと同様に形成してあって、ＨＦ水溶液などのエッチング液を吐出する複数の液体吐出口１６が直線状または千鳥状に設けてある。 - 特許庁

Alternatively, the niobium based composite material comprises 5 to 30% Mo, 18.7 to 26% Si, 2 to 20% C, 2 to 20% Hf, and the balance Nb.例文帳に追加

また、Ｍｏを５〜３０ａｔ％、Ｓｉを１８．７〜２６ａｔ％、Ｃを２〜２０ａｔ％及びＨｆを２〜２０ａｔ％含有し、残部がＮｂからなるニオブ基複合材料。 - 特許庁

To provide an amorphous alloy having improved fatigue strength and excellent damping capacity while maintaining the excellent characteristics of a Zr based or Hf based amorphous alloy which has high hardness and strength, excellent workability and high corrosion resistance.例文帳に追加

硬度及び強度が高く、加工性に優れ、高耐食性を有するというＺｒ基又はＨｆ基非晶質合金の優れた特性を保持すると共に、さらに疲労強度が向上し、且つ耐制振性に優れた非晶質合金を提供する。 - 特許庁

To provide a nonaqueous gel composite and an electrochemical element using the gel composite which has tolerance to free acid such as HF generated from electrolyte solution.例文帳に追加

電解液から発生するＨＦ等の遊離酸に対する耐性を有する非水系ゲル状組成物および、該ゲル状組成物を用いてなる電気化学素子を提供することである。 - 特許庁

The brush holder 2 comprises a carbon case 4 constituting a guide 38 for a carbon brush 6, and a holding spring 10 and presses the carbon brush 6 against the first guide face of a guide 38 by a holding/pressing force HF.例文帳に追加

ブラシホルダ２は、ボンブラシ６のためのガイド３８を構成するカーボンケース４と、また保持ばね１０とを設け、カーボンケース６を保持押圧力ＨＦによってガイド３８の第１ガイド面に対して押圧する。 - 特許庁

A SiN film attached to the heat resistance nonmetal member in a film forming process is removed in a two-stage cleaning process which uses a mixed gas of F_2 and HF as cleaning gas.例文帳に追加

成膜工程で耐熱性非金属部材に付着したＳｉＮ膜を、クリーニングガスとしてＦ_2とＨＦとの混合ガスを用いた２段階のクリーニング工程で除去する。 - 特許庁

The hydrohalic gas may also be HF, HCl, HBr or HI, the halogen gas may also be F_2, Cl_2, Br_2 or I_2, and the doping gas may also be a B-containing gas or a P-containing gas.例文帳に追加

ハロゲン化水素ガスはＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒまたはＨＩであってもよく、前記ハロゲンガスはＦ_２、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２またはＩ_２であってもよく、ドーピングガスはＢ含有ガスまたはＰ含有ガスであってもよい。 - 特許庁

This manufacturing method of semiconductor devices comprises the etching process using an etching stock solution, consisting mainly of H2SO4 and NH4F, or H2SO4 and HF and containing H2O of 5 wt.% or lower.例文帳に追加

Ｈ_2ＳＯ_4とＮＨ_4Ｆ、もしくはＨ_2ＳＯ_4とＨＦを主成分とし、含有Ｈ_2Ｏが５wt％以下であるエッチング原液を使用するエッチング工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The acceleration control equipment (34) has a subtractor (8), the first filter (Hf) in the first circuit branch, and the second filter (Hs) in the second circuit branch.例文帳に追加

加速度制御装置（３４）は、減算器（８）と、第１の回路分岐内の第１のフィルタ（Ｈｆ）と、第２の回路分岐内の第２のフィルタ（Ｈｓ）とを備える。 - 特許庁

Material gas containing fluorine content material and H_2O or OH group content compound is passed through plasma space 5b of a generation portion 5 near atmospheric pressure, and then rectant gas containing HF and COF_2 or F_2 is generated.例文帳に追加

フッ素含有原料とＨ_２Ｏ又はＯＨ基含有化合物とを含む原料ガスを大気圧近傍の生成部５のプラズマ空間５ｂに通し、ＨＦとＣＯＦ_２又はＦ_２とを含む反応ガスを生成する。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte solution secondary with reduced HF in the electrolyte solution which can be in a state where an HP portion is reduced even if water gets mixed from an electrode or the like at battery assembly.例文帳に追加

電解液中のＨＦを低減し、且つ電池組立時に電極等から水分が混入してもＨＦ分を低減させた状態を維持することのできる非水系電解液二次電池の提供。 - 特許庁

The magnetic material satisfying the above conditions includes La(Fe, Si)_13, (Hf, Ta)Fe_2, (Ti, Sc)Fe_2, and (Nb, Mo)Fe_2 containing 50-60 atm.% transition metals such as Fe.例文帳に追加

上記の条件に適合する磁性材料として、例えば、Ｆｅなどの遷移金属類を５０〜６０原子％以上含む、Ｌａ（Ｆｅ，Ｓｉ）_１３、（Ｈｆ，Ｔａ）Ｆｅ_２、（Ｔｉ，Ｓｃ）Ｆｅ_２、（Ｎｂ，Ｍｏ）Ｆｅ_２を挙げることができる。 - 特許庁

The third layer is composed of a compound or a cobalt boron content alloy (CoBQ; Q is Ni, Mn, Tb, W, Hf, Zr, Nb, or Si) expressed by Co_100-Z B_Z (where, 10≤Z≤40).例文帳に追加

第３の層は、Ｃｏ_100-Z Ｂ_Z （但し１０≦Ｚ≦４０）で表わされる化合物、またはコバルトボロン含有合金（ＣｏＢＱ；Ｑは、Ｎｉ，Ｍｎ，Ｔｂ，Ｗ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｎｂ，またはＳｉである）からなる。 - 特許庁

Moreover, the sputter target is further comprised of 0 to 7 atomic percent X_3, wherein X_3 is an element selected from the group consisting of Ti, V, Zr, Nb, Ru, Rh, Pd, Hf, Ta, and Ir.例文帳に追加

スパッタターゲットは、更に０〜７原子パーセントまでのＸ_3を含み、前記Ｘ_3が、Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ及びＩｒからなるグループから選択された１つの元素である。 - 特許庁

When detecting a specified identification image applied to an input image, a CPU 10 extracts alternative designation information, which has an image address AD and a concealing method flag HF, from the detected specified identification image.例文帳に追加

ＣＰＵ１０は、入力画像に付与された特定識別画像を検出すると、その検出した特定識別画像から画像アドレスＡＤおよび隠し方フラグＨＦを備える代替指定情報を抽出する。 - 特許庁

To shorten the tact time by eliminating a step for stabilizing the gas state and resuming surface treatment immediately after a temporary stop for replacing an article to be treated when the surface treatment is performed using a treatment gas containing hydrogen fluoride (HF).例文帳に追加

フッ化水素（ＨＦ）を含む処理ガスにより表面処理する際、被処理物の取り替え等で一時停止した後、ガス状態の安定化工程を省き直ちに処理を再開可能にし、タクト時間を短縮する。 - 特許庁

A solder plated on a terminal 14 of a mounting parts 12 is exposed to and fluoridated by a mixed gas of HF gas and steam, and then, arranged on a gold bump 32 of a circuit substrate 30.例文帳に追加

実装部品１２の端子１４にメッキしてある半田をＨＦガスと水蒸気との混合ガスに晒してフッ化したのち、回路基板３０の金バンプ３２の上に配置する。 - 特許庁

As a substitute for a conventional gate contact, a HF signal goes to the sensitive area of a semiconductor component capacitively coupled via an insulating film, and then operates as a sensitive thyristor.例文帳に追加

ＨＦ信号は従来のゲート接触の代わりに、絶縁膜を介して容量結合された半導体コンポーネントの感応エリアに向かい、感応サイリスタとして動作する。 - 特許庁

A metallic element such as Hf is introduced to vicinity of an interface of the gate electrodes 23 and 24 and the gate insulating films 14 and 15 with face density of 1×10^13 to 5×10^14 atom/cm^2.例文帳に追加

ゲート電極２３，２４とゲート絶縁膜１４，１５との界面近傍に、１×１０^１３〜５×１０^１４原子／ｃｍ^２の面密度でＨｆのような金属元素が導入されている。 - 特許庁

The nonmagnetic metallic elements are composed of one or more kinds selected from Nb, Zr, Ta and Hf, and the film thickness of the extra-thin film is 50 to 150 angstrom.例文帳に追加

非磁性金属元素は、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、又はＨｆから選択される元素の一種又は二種以上からなり、極薄膜の膜厚は、５０〜１５０オングストロームである。 - 特許庁