「HF」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The insulating film 5d can emanate Fermi pinning and has high dielectric constant, because it is formed from a metallic compound containing at least one kind of Hf, Zr, Al, Ta and La.例文帳に追加

絶縁膜５ｄは、Ｈｆ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｌａのうちの少なくとも１種を含む金属化合物により形成されているため、フェルミピニングを生じることができ、誘電率が高い。 - 特許庁

To provide a method and system for removing fly ash by treating coal with hydrogen fluoride and thereafter, regenerating substantially all of the hydrogen fluoride used during the process (thereby significantly reducing the amount of HF on site).例文帳に追加

石炭をフッ化水素で処理してフライアッシュを除去し、その後、工程中に使用されたフッ化水素の略全てを再生する（それにより、施設内のＨＦ量を大幅に減少させる）方法およびシステムを提供すること。 - 特許庁

The insertion layer contains at least one magnetic element selected from Fe, Co and Ni, and at least one nonmagnetic element selected from Ta, Ti, W, Zr, Hf, Nb, Mo, V, Mg and Cr.例文帳に追加

挿入層は、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉから選択される少なくとも一種の磁性元素と、Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｖ，ＭｇおよびＣｒから選択される少なくとも一種の非磁性元素とを含む。 - 特許庁

On the basis of electrocardiographic data measured by an electrocardiogram monitor, an autonomic nerve total activity amount index (LH+HF) indicating the entire activity amount of autonomic nerve total activity, and CVRR (electrocardiogram R-R interval variation coefficient) are calculated.例文帳に追加

心電図モニタにより測定された心電データに基づいて、自律神経活動の全体的な活動量を示す自律神経総活動量指標（ＬＨ＋ＨＦ）および、ＣＶＲＲ（心電図Ｒ−Ｒ間隔変動係数）を算出する。 - 特許庁

To provide an electrolyte for a lithium secondary battery contributing to improvement of durability of a collector, through restraint of side reaction between produced HF and a collector.例文帳に追加

発生するＨＦと集電体との副反応を抑制し、集電体の耐久性向上に寄与するリチウム二次電池用電解質を提供することを課題とする - 特許庁

The proximity sensor part detects that the detected object approaches the outer surface 10S at a 3D display height Hf that is a distance from the outer surface set based on parallax information such as a parallax pixel pitch P included in the video signal.例文帳に追加

このような近接センサ部は、映像信号に含まれる視差画素ピッチＰ等の視差情報に基づいて設定された外面との距離である３Ｄ表示高さＨｆで被検出物が外面１０Ｓに近接したことを検出する。 - 特許庁

The material for forming an alumina thin film comprises: alumina powder; and compound powder including at least one kind of element selected from the group consisting of Hf ad Zr, and is used for the formation of an environmental barrier coating film.例文帳に追加

本発明のアルミナ薄膜形成用材料は、アルミナ粉末と、Ｈｆ及びＺｒからなる群のうちの少なくとも１種の元素を含む化合物粉末と、を含有し、環境バリアコーティング膜の形成に用いられる。 - 特許庁

Since the electromagnetic waves of an LF or HF band generate reflection by an eddy current on a metal plate surface, as countermeasures, a slit-like cut is formed on the metal plate and the inlet is arranged immediately below the cut.例文帳に追加

ＬＦやＨＦ帯の電磁波は金属板表面で渦電流による反射を生ずるため、対策として金属板にスリット状の切込みを入れ、その直下にインレットを配置する。 - 特許庁

The protective film 5 contains oxide of at least one element selected from the group consisting of Al, Si, Ti, Hf, Zr, Cr, Ta, Y, Ce and Ni, and nitride of Al or Si.例文帳に追加

さらに、保護膜５は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｙ、ＣｅおよびＮｉよりなる群から選択された少なくともいずれかの元素の酸化物、または、ＡｌまたはＳｉの窒化物を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the method for manufacturing a capacitor, a capacitance film is formed by the atomic layer depositing method by using organic raw materials containing one or two or more metallic elements selected from a group constituted of Zr, Hf, La and Y as film formation gas.例文帳に追加

本発明のキャパシタの製造方法において、容量膜は、Ｚｒ、Ｈｆ、ＬａおよびＹからなる群から選択される一または二以上の金属元素を含む有機原料を成膜ガスとして原子堆積法により成膜される。 - 特許庁

The Li-β-alumina ceramic material contains in the crystal structure one or two or more elements selected from the group consisting of Mg, Zn, Ga, Ge, Zr, Sn and Hf.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｓｎ及びＨｆからなる群から選択される１種又は２種以上の元素を結晶構造内に有するＬｉ−β−アルミナ系セラミックス材料。 - 特許庁

The long-afterglow fluorophor is doped with 0.1 to 1.0 mol% of Ce and either one or more of Hf, Ti, Zr, W and Pb, the sum being 0.1 to 1.0 mol%, and has one or more peaks in the wavelength of 400 to 450 nm.例文帳に追加

Ｃｅを０．１〜１．０モル％と、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｗ、またはＰｂのいずれか一つ以上を合計で０．１〜１．０モル％とをドープしてなり、４００〜４５０ｎｍの波長に１以上の吸収ピークを持つ。 - 特許庁

To provide a method for cleaning a film forming apparatus and a method for forming a silicon-based thin film, reducing an amount of HF gas generated when the film forming chamber for forming a silicon-based thin film is opened to the atmosphere.例文帳に追加

シリコン系薄膜の成膜を行なうための成膜室が大気開放される際に生じるＨＦガスの量を抑制することができる、成膜装置のクリーニング方法およびシリコン系薄膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

After the film thinning stop layer is exposed by thinning a laminated wafer from the side of a wafer for an active layer, the film thinning stop layer is made porous with an HF solution, and removed only by polishing.例文帳に追加

貼り合わせウェーハを活性層用ウェーハ側から薄膜化して薄膜化ストップ層を露出後、薄膜化ストップ層をＨＦ溶液によりポーラス化し、薄膜化ストップ層を研磨のみで除去する。 - 特許庁

In the Co-Fe-based alloy, the element M1 in the formula is one or more elements selected from (Zr, Hf, Y), and the element M2 is one or more elements selected from (Ta, Nb).例文帳に追加

この軟磁性膜用Ｃｏ−Ｆｅ系合金は、組成式のＭ１元素が（Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ）から選ばれる１種もしくは２種以上の元素、組成式のＭ２元素が（Ｔａ、Ｎｂ）から選ばれる１種もしくは２種の元素であることを特徴とする。 - 特許庁

When the insulating part 21 is deteriorated by the exposure to the HF-containing gas to form a pore, electrical continuity is produced between the first and second conductive parts 24 and 25 to be detected by the ammeter 23.例文帳に追加

ＨＦ含有ガスへの曝露によって絶縁部２１が劣化して孔が生じると第一の導電部２４と第二の導電部２５の間に電気的導通が発生し、電流計２３によって検知される。 - 特許庁

The garnet type oxide may be expressed by a composition formula Li_5+XLa_3(Zr_X,A_2-X)O_12 (wherein A is one or more elements selected from the group of Sc, Ti, V, Y, Nb, Hf, Ta, Al, Si, Ga and Ge, and X is 1.4≤X<2).例文帳に追加

このガーネット型酸化物は、組成式Ｌｉ_5+XＬａ_3（Ｚｒ_X，Ａ_2-X）Ｏ_12（式中、ＡはＳｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｙ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｇａ及びＧｅからなる群より選ばれた１種類以上の元素、Ｘは１．４≦Ｘ＜２）で表されるものとしてもよい。 - 特許庁

Radial height Ha of an outer end 20U in the tire radial direction of the bead reinforcement rubber layer 20 is 1.5 times or higher the flange height Hf of the rim J and is made smaller than radial height Hw of the tire maximum width position Pm.例文帳に追加

ビード補強ゴム層２０のタイヤ半径方向外端２０Ｕの半径方向高さＨａは、リムＪのフランジ高さＨｆの１．５倍以上かつタイヤ最大幅位置Ｐｍの半径方向高さＨｗより小とした。 - 特許庁

When the silicon wafer to the surface of which a metal adheres is dipped in the HF-based solution and kept in the illuminated state, paired electron-holes (e^--h^+) are generated.例文帳に追加

表面に金属が付着するシリコンウェーハがＨＦ系溶液に浸漬され、シリコンウェーハが明状態下にある場合は、電子正孔対（ｅ^−−ｈ^＋）が生成される。 - 特許庁

In the thermal treatment of SOI base substance in a reducing atmosphere whose temperature is lower than the melting point of single-crystal silicon, in order to prevent generation of HF defects, at least the surface of a retainer for retaining the SOI base substance is made of silicon.例文帳に追加

単結晶シリコンの融点より低い温度の還元性雰囲気中でＳＯＩ基体の熱処理において、ＨＦ欠陥を防止するために前記ＳＯＩ基体を保持する保持具の少なくとも表面を珪素にする。 - 特許庁

HF, HBr or HI, optical band gap of the amorphous silicon thin film is not higher than 2.0 eV and the peak strength ratio I(SiH_2)/I(SiH) between the SiH_2 bond and SiH bond of an obtained amorphous silicon thin film may be lower than 0.2.例文帳に追加

得られる非晶質シリコン薄膜のＳｉＨ_２結合とＳｉＨ結合とのピーク強度比Ｉ（ＳｉＨ_２）／Ｉ（ＳｉＨ）が０．２未満であってもよい。 - 特許庁

If required, the alloy contains 0.0005 to 0.015% Pb and/or one or two or more kinds among Be, Al, Ti, V, Cr, Co, Zr, Nb, Mo, Ag, In, Hf, Ta and B by ≤1% in total.例文帳に追加

必要に応じて、Ｐｂ：０．０００５〜０．０１５％、又は／及びＢｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｂの１種又は２種以上を総量で１％以下含有する。 - 特許庁

The electromagnetic wave absorbing material is partially formed of a composition represented by a formula: ACu_3B_4O_12, wherein A is an alkaline earth or a mixture of alkaline earth elements, and B denotes Ti, Zr, Hf, Fe, or a mixture of them.例文帳に追加

ＡＣｕ_３ Ｂ_４ Ｏ_１２（Ａはアルカリ土類もしくはアルカリ土類の混合体、ＢはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｆｅもしくはこれらの混合体）である組成物を少なくとも一部に用いたことを特徴とする電磁波吸収材料である。 - 特許庁

In a step 110, a frequency analysis of FFT(fast Fourier transform) is preformed on data of a pulse interval to find HF component, or pulse interval fluctuation component.例文帳に追加

ステップ１１０では、脈拍間隔のデータに対してＦＦＴの周波数解析を実施し脈拍間隔ゆらぎ成分であるＨＦ成分を求める。 - 特許庁

Another manufacturing method of the InSbO_4-contained transparent conductive membrane is to sputter simultaneously, in addition to the above target, targets of more than one kind of substances selected from groups consisting of Sn, SnO_2, Hf and HfO_2.例文帳に追加

上記ターゲットに加えて、Ｓｎ、ＳｎＯ_2、ＨｆおよびＨｆＯ_2からなる群から選ばれる１種以上からなるターゲットを同時にスパッタするＩｎＳｂＯ_4含有透明導電性膜の製造方法。 - 特許庁

The trivalent or higher valent metal is at least one metal selected from the group consisting of Ti, Zr, Hf, V, Cr, Mo, W, Mn, Fe, Ru, Co, Ni, Cu, Ag, and Au.例文帳に追加

前記一般式のＢを構成する三価以上の金属は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕからなる群から選択される少なくとも１種である。 - 特許庁

It is preferable that total 0.05-10 wt.% of one or two or more kind of elements out of B, C, Al, Si, Ti, Fe, Zr, Mo, W, Hf, Nb and V other than Cr, N, O are contained in at least B layer of the hard coating 3.例文帳に追加

硬質皮膜３の少なくともＢ層には、Ｃｒ，Ｎ，Ｏの他に、Ｂ，Ｃ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｈｆ，Ｎｂ，及びＶの中の一種又は二種以上を合計で０．０５〜１０重量％含有していることが好ましい。 - 特許庁

To stably and efficiently treat fluorine-containing waste water by a continuous electric deionization device by solving the problem of the corrosion of an anode by HF when the continuous electric deionization device is applied to the treatment of the fluorine-containing waste water.例文帳に追加

フッ素含有排水の処理に連続式電気脱イオン装置を適用した場合のＨＦによる陽極の腐食の問題を解決し、フッ素含有排水を連続式電気脱イオン装置により安定かつ効率的に処理する。 - 特許庁

A natural oxide film formed on the surface of a silicon 1 is removed by etching the silicon 1 with a hydrofluoric acid-based solution (e.g. HF) to expose the cleaned silicon surface.例文帳に追加

シリコン１をフッ酸系溶液(例えばＨＦ)を用いてエッチングして表面に形成された自然酸化膜を除去し、清浄なシリコン表面を露出させる。 - 特許庁

A change in a physical quantity with the lapse of time at respective points of a simulation space is found by the fluid simulation operation, and a flow field HF is determined on the physical quantity.例文帳に追加

シミュレーション空間の各点での時間経過に伴う物理量の変化を流体シミュレーション演算により求め、その物理量についての流れ場ＨＦを求める。 - 特許庁

By making the composition ratio of Hf and Ta proper, satisfactory soft magnetic characteristics and satisfactory corrosion resistance are made compatible and by applying the membrane to the magnetic film of an MIG head, the magnetic head improved in head characteristics and reliability can be provided.例文帳に追加

ＨｆとＴａの組成比を適正なものとするにより、優れた軟磁気特性と耐腐食性能が両立され、これをＭＩＧヘッドの磁性膜に適用することで、ヘッド特性、信頼性に優れた磁気ヘッドが実現される。 - 特許庁

The leakage control layer is formed of one selected from a group of Mg layer, Ta layer, Al layer, Zr layer, Hf layer, polysilicon layer, conductive carbon group layer and Nb layer.例文帳に追加

漏洩制御膜は、Ｍｇ膜、Ｔａ膜、Ａｌ膜、Ｚｒ膜、Ｈｆ膜、ポリシリコン膜、導電性炭素群膜及びＮｂ膜からなる一群から選択された一つで形成される。 - 特許庁

The method and device are effectively used for such separation of potassium fluorosilicate after the addition of potassium fluoride into an HF cleaning liquid used in the cleaning process of glass.例文帳に追加

ガラスの洗浄工程で使用されるＨＦ洗浄液にフッ化カリウムを添加した後のフルオロ珪酸カリウム等の分離処理に有用である。 - 特許庁

The Ru alloy target is expressed by compositional formula Ru_1-xA_x (wherein, A is at least one metal element selected from Ta, Ti and Hf; and x is 0.05 to 0.30).例文帳に追加

本発明のＲｕ合金ターゲットは、組成式Ｒｕ_１−ｘＡ_ｘ（但し、ＡはＴａ、Ｔｉ、Ｈｆから選択される少なくとも一つの金属元素を示し、ｘは０．０５以上０．３０以下である）で表されることを特徴とする。 - 特許庁

An amorphous carbon film having a film thickness of ≥5 μm, and containing metal consisting of one or two kinds of elements selected from W, Ta, V, Ti, Cr, Mo, Nb, Zr and Hf is deposited on the surface of a base metal of a sliding member.例文帳に追加

摺動部材の母材表面に、膜厚が５μｍ以上のＷ，Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆの１種又はそれらの金属から選ばれる２種以上の元素からなる金属を含有する非晶質炭素膜を形成する。 - 特許庁

When the degree of change of MAP is small with respect to the sympathetic nerve activity index (LF/HF), it is determined that a sclerosis phenomenon occurs in a peripheral vessel so as to increase peripheral vessel resistance.例文帳に追加

平均血圧（ＭＡＰ）の交感神経活動度指標（ＬＦ／ＨＦ）に対する変化の度合いが小さい場合には、末梢血管に硬化現象がおきて末梢血管抵抗が増加していると判定する。 - 特許庁

The high-Cr cast iron may further comprise one or more selected from elements among Nb, Ti, V, Zr, Hf and Ta by ≤0.5% in total and/or one or more selected from elements Ce, La, Pr, Nd and Y by ≤1.0% in total.例文帳に追加

さらに、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａの元素の内、１種以上を合計で０．５％以下及び／又はＣｅ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｙの元素の内、１種以上を合計で１．０％以下を含有することができる。 - 特許庁

A heater 9 of a resistance heating type is provided around the outer periphery of a processing chamber 3 to heat an atmosphere within the chamber 3 and to increase the temperature of the entire semiconductor substrate 1 to a level nearly corresponding to the temperature (HF: 50°C) of the chemical solution.例文帳に追加

処理チャンバー３の外周に抵抗加熱方式のヒーター９を配置し、処理チャンバー３内の雰囲気を熱し、半導体基板１全体を薬液温度（ＨＦ：５０℃）と同じ５０℃相当にまで上昇させる。 - 特許庁

And after a cleaning step with use of the HF aqueous solution and before the surface of the substrate is contaminated by the air, a cleaning solution of hydrophilization is supplied onto the surface of the substrate to form an oxide film on the substrate surface.例文帳に追加

そして、ＨＦ水溶液による洗浄工程の後に、空気によって半導体基板の表面が汚染される前に、半導体基板の表面に親水化用洗浄液を供給して半導体基板の表面に酸化膜を生成する。 - 特許庁

The magnetic material compatible to the above condition includes, for example, La (Fe, Si)_13, (Hf, Ta)Fe_2, (Ti, Sc)Fe_2, and (Nb, Mo)Fe_2 containing equal to or more than 50-60 atom% transition metal such as Fe.例文帳に追加

上記の条件に適合する磁性材料として、例えば、Ｆｅなどの遷移金属類を５０〜６０原子％以上含む、Ｌａ（Ｆｅ，Ｓｉ）_１３、（Ｈｆ，Ｔａ）Ｆｅ_２、（Ｔｉ，Ｓｃ）Ｆｅ_２、（Ｎｂ，Ｍｏ）Ｆｅ_２を挙げることができる。 - 特許庁

Here, the natural oxide film 14 on the polysilicon layer 13 is removed, by DHF cleaning (with diluted HF), as shown in Fig. (b).例文帳に追加

そこで、（ｂ）に示すように、上記ポリシリコン層１３上に存在する自然酸化膜１４をＤＨＦ洗浄（希釈ＨＦによる洗浄）によって除去する。 - 特許庁

This method for producing a fluorinated organic compound is characterized by adding the iodine fluoride(IF) to the carbon-carbon triple bond of the organic compound in the presence of IF_5, iodine, HF and an organic base and/or an ambient-temperature molten salt.例文帳に追加

有機化合物の炭素−炭素三重結合に、ＩＦ_5、ヨウ素、ＨＦ、および、有機塩基及び／又は常温溶融塩の存在下にフッ化ヨウ素（ＩＦ）を付加することを特徴とするフッ素化有機化合物の製造法。 - 特許庁

This is formed by directly fluorinating the surface of the carbon particle using at least one kind selected from a group of fluorine gas, a mixed gas of C4F8/CH4, HF gas, SF4 and a complex of IF5/Et3N-3HF.例文帳に追加

これは、フッ素ガス，Ｃ4Ｆ8/ＣＨ4の混合ガス，ＨＦガス，ＳＦ4，ＩＦ5/Ｅt3Ｎ−３ＨＦ錯体よりなる群から選ばれた少なくとも１種を用いて，カーボン粒子の表面を直接フッ素化したものである。 - 特許庁

After the surface of the silicon substrate is cleaned, the substrate is immersed in an aqueous solution HF of 0.5 vol% concentration, to remove impurities and a natural oxide film 9 on an active area 4.例文帳に追加

シリコン基板１の表面を洗浄した後、濃度０．５vol.％のＨＦ水溶液に５分間浸漬し、活性領域４上の不純物及び自然酸化膜９を除去する。 - 特許庁

To realize a uniform, stabilized cleaning treatment in a wet cleaning technique for a substrate using an aqueous cleaning liquid of hydrofluoric acid as an effective component by suppressing the increase of hydrogen fluoride(HF) concentration in the cleaning liquid which occurs with processing of cleaning time.例文帳に追加

有効成分としてフッ化水素酸を水に溶解した洗浄液を使用する基板の湿式洗浄技術において、洗浄時間経過に伴う上記洗浄液のＨＦ濃度上昇を抑えて洗浄処理を均一・安定化する。 - 特許庁