「HF」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

A crystal raw material consisting of a composition containing a terminal component more than a stoichiometrical composition represented by chemical formula XB_2 (wherein X contains at least one kind selected from Zr, Hf, Ti, W, Mo, and Cr) is heat-melted in a sealed crucible made of a weldable metal having a melting point of ≥2,000°C, and cooled to be crystallized and grown.例文帳に追加

融点が２０００℃以上の溶接可能な金属製の密閉坩堝の中で化学式ＸＢ_２（但し、ＸはＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒの少なくとも一種を含む）で表わされる化学量論組成よりも端成分に富む組成からなる結晶原料を加熱融解し冷却することによって結晶化して育成する。 - 特許庁

This superalloy compsn. contg., by weight, 10 to 14% Co, 10 to 13% Cr, 0.1 to 3% Mo, 4 to 8% W, 4 to 6% Al, 1 to 4% Ti, 4 to 8% Ta, 0.1 to 0.5% Hf, ≤2% Re, and the balance Ni base with inevitable impurities.例文帳に追加

重量％で、Ｃｏ：１０％以上１４％以下、Ｃｒ：１０％以上１３％以下、Ｍｏ：０．１％以上３％以下、Ｗ：４％以上８％以下、Ａｌ：４％以上６％以下、Ｔｉ：１％以上４％以下、Ｔａ：４％以上８％以下、Ｈｆ：０．１％以上０．５％以下およびＲｅ：２％以下を含有し、残部がＮｉ基および不可避的不純物からなることを特徴とする。 - 特許庁

The inorganic particles which are used as a dental material and comprise 70 to 98 wt.% of silica and the oxides of one or more elements selected from Zr, Ti, La, Ba, Sr, Hf, Y, Zn, Al, and B, is characterized in that 5 to 70 wt.% and 95 to 30 wt.% of the silica originate from an acidic acid solution and a silica sol, respectively.例文帳に追加

この歯科材料用無機粒子は、含有量が７０〜９８重量％の範囲のシリカとＺｒ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｂから選ばれる１種または２種以上の元素の酸化物とからなり、前記シリカの５〜７０重量％が酸性珪酸液に由来し、前記シリカの３０〜９５重量％がシリカゾルに由来するものである。 - 特許庁

The information recording medium has an oxide dielectric layer containing an oxide D1 (D1 is an oxide having at least one element selected from Zr, Hf, Y, In, Al, Ti, Cr and Si) and an oxide D2 (D2 is an oxide having at least one element selected from Sb, Sn, Te and Bi) as a second interface layer 14 and a first interface layer 16.例文帳に追加

酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含む酸化物誘電体層を第２界面層１４および第１界面層１６として備えることを特徴とする情報記録媒体。 - 特許庁

In the circuit board, at least a metal circuit layer principally comprising Cu out of the metal circuit layer and a heat dissipation layer is bonded onto a ceramic substrate through a solder material comprising 6.0-60% of Sn, 2.0-9.5% of at least one kind of Ti, Nb, Hf and Zr, and the remainder of Cu and not containing Ag.例文帳に追加

本回路基板はセラミック基板上にＣｕを主成分とした金属回路層及び放熱層のうちの少なくとも金属回路層がろう材によって各々接合されており、上記ろう材は、６．０〜６０％のＳｎ、２．０〜９．５％のＴｉ、Ｎｂ、Ｈｆ及びＺｒのうちの少なくとも１種、及び残部Ｃｕとからなり、Ａｇを含有しない。 - 特許庁

In this heat exchanger wherein a length L1 in the tube longitudinal direction X of the core portion 2 is over 1.5 times of a length L2 in the tube stacking direction Y of the core portion 2, fins 4 are bent in a state of snaking along the air flowing direction Z, and a linear bent portion 42 is formed over the whole area of fin height Hf.例文帳に追加

コア部２におけるチューブ長手方向Ｘの長さＬ１が、コア部２におけるチューブ積層方向Ｙの長さＬ２の１．５倍を超える熱交換器において、フィン４は、空気流れ向きＺに沿って蛇行するように折り曲げられて、直線状の折り曲げ部４２がフィン高さＨｆ全域に渡って形成されている。 - 特許庁

The ring or plate-shaped element includes an open area 5 in an area of the through hole, the ring or plate-shaped element has a thickness DR reduced by, at least, a height HF of the open area in the opening area, and the thickness is determined so that the through hole can be punched out from the ring or plate-shaped element having the reduced thickness.例文帳に追加

リング状またはプレート状の部材が貫通孔の領域に開放領域５を有しており、リング状またはプレート状の部材が開放領域で少なくとも開放領域の高さＨＦだけ低減された厚みＤＲを有しており、該厚みは、低減された厚みをもつリング状またはプレート状の部材から貫通孔を打抜くことができるように選択されていることを特徴とする。 - 特許庁

The hydrogen storage alloy electrode comprises a hydrogen storage alloy as an inner core alloy containing at least Ti and having a body- centered cubic crystal structure, the hydrogen storage alloy serving as an active material where at least a portion of the surface of the inner core alloy is provided with an outer periphery alloy portion containing at least Ni and M (M: at least one type selected from Zr, Hf and Mn).例文帳に追加

少なくともＴｉを含み結晶構造が体心立方構造である水素吸蔵合金を内核合金とし、前記内核合金の表面の少なくとも一部に、少なくともＮｉとＭ（ＭはＺｒ、Ｈｆ、Ｍｎから選ばれる少なくとも一種）とを含有した外周合金部を形成した水素吸蔵合金を活物質としたことを特徴とする水素吸蔵合金電極。 - 特許庁

In this removal method for removing a silicon oxide film formed on a surface of a processing object W in a processing vessel 4 capable of being vacuumed, a removal process of removing the silicon oxide film by using HF gas and NH_3 gas and setting a set range of processing temperature to 150-200°C is executed.例文帳に追加

真空引き可能になされた処理容器４内にて、被処理体Ｗの表面に形成されているシリコン酸化膜を除去するための除去方法において、ＨＦガスとＮＨ_３ ガスとを用いると共に、処理温度の設定範囲として１５０〜２００℃の範囲内に設定することによりシリコン酸化膜を除去する除去工程を行うようにした。 - 特許庁

The composition for highly weather-resisting coating material comprises permission juice, an organometallic compound (wherein, the metal is Ti, Zr or Hf) and colcothar which is mixed in the permission juice or the organometallic compound or, when used, mixed in the permission juice or the organometallic compound.例文帳に追加

本発明の高耐候性塗料用組成物は、柿渋と、使用時に該柿渋に混合される有機金属化合物（但し、金属はチタン、ジルコニウム又はハフニウムである）と、柿渋若しくは前記有機金属化合物に混合されているか又は使用時に柿渋及び前記有機金属化合物と混合されるベンガラとからなる。 - 特許庁

In this method for producing the fluoroalcohol by reacting methanol with tetrafluoroethylene or hexafluoropropylene in the presence of an alkyl peroxide, liquid after finishing the reaction is distilled in the presence of water and HF to separate the liquid into a fraction containing an alcohol derived from the peroxide and a bottom liquid containing the above fluoroalcohol and then, the bottom liquid is purified to recover the fluoroalcohol.例文帳に追加

メタノールとテトラフルオロエチレンまたはヘキサフルオロプロピレンとをアルキル過酸化物の存在下に反応させてフッ化アルコールを製造する方法において、反応終了後の液を水及びＨＦの共存下で蒸留して該過酸化物由来のアルコールを含む留分と該フッ化アルコールを含むボトム液とに分離し、次にボトム液を精製して該フッ化アルコールを回収する。 - 特許庁

Organic substances sticking on the silicon wafer surface are removed using a mixed liquid of ammonia and a hydrogen peroxide solution etc., a natural oxide film on the silicon surface is removed with an HF solution, and passivation is carried out by an iodine ethanol method, so that the recombination lifetime of a carrier is measured by a reflective microwave photoconduction attenuation method.例文帳に追加

まずシリコンウェーハ表面に付着した有機物をアンモニアと過酸化水素水との混合液等を用いて除去し、次にＨＦ溶液によりシリコンウェーハ表面の自然酸化膜を除去し、ヨウ素エタノール法によりパッシベーションを行い、反射マイクロ波光導電減衰法によりキャリアの再結合ライフタイムを測定する。 - 特許庁

The CW erase of an HF signal recorded by predetermined recording power is carried out by different power (Pe), then the pit level (I11L) of a remaining 11T signal is measured.例文帳に追加

所定の記録パワーで記録されたＨＦ信号を異なるパワー（Ｐｅ）でＣＷイレースした後、残存する１１Ｔ信号のピットレベル（Ｉ１１Ｌ）を測定し、ｄ（Ｉ１１Ｌ）／ｄ（Ｐｅ）が最大となるＰｅをＰｅ１、ｄ（Ｉ１１Ｌ）／ｄ（Ｐｅ）が最小となるＰｅをＰｅ２とし、Ｐｅ２−Ｐｅ１をΔＰｅとした時、下記の関係式（１）を満足するＰｅを最適ＣＷイレースパワー（Ｐｅｃｗ）とすることを特徴とする相変化型光ディスクのＣＷイレースパワー決定方法。 - 特許庁

In the production of 2,3,3,3-tetrafluoropropene (HFO-1234yf), HCFC-244bb can be obtained in high purity by distilling azeotropic or azeotrope-like composition of 2-chloro-1,1,1,2-tetrafluoropropane (HCFC-244bb), which is useful as an intermediate, and hydrogen fluoride (HF) and by separating hydrogen fluoride.例文帳に追加

２，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｙｆ）の生産において中間体として有用である２−クロロ−１，１，１，２−テトラフルオロプロパン（ＨＣＦＣ−２４４ｂｂ）およびフッ化水素（ＨＦ）の共沸または共沸様組成物を蒸留し、フッ化水素を分離することにより、ＨＣＦＣ−２４４ｂｂを純度よく得ることができる。 - 特許庁

The control unit 11 effects the phase-coherent coupling of a high-frequency signal S_HF applied to the modulator 7 in one of the two states in order to generate a predetermined sound field in the modulator 7, and a switching signal S_Switch designed to switch the modulator 7 periodically between the two states.例文帳に追加

制御装置１１は、変調器７で所定の音場を発生させるべく２つの状態のうちの一方で変調器７に供給される高周波信号Ｓ_ＨＦと、２つの状態の間で変調器７を周期的にスイッチングするためのスイッチング信号Ｓ_Ｓｗｉｔｃｈとを位相同期させて結合する。 - 特許庁

To prevent the deactivation of a catalyst and the accumulation of a high-boiling organic substance and to efficiently and continuously obtain the subject useful product in fluorinating a specific raw material with HF in the presence of a catalyst to produce 1,1,1,3,3-pentafluoropropane and/or 1- chloro-3,3,3-trifluoropropene.例文帳に追加

特定の原料を触媒の存在下にＨＦによりフッ素化して、有用な１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパン及び／又は１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンを製造するに際し、触媒の失活と高沸点有機物の蓄積を防止し、有用な前記目的生成物を効率よく連続的に製造すること。 - 特許庁

This method for producing the carboxylic acid or carboxylic acid ester comprises reacting an olefin with carbon monoxide and water or an alcohol in the presence of HF, so as to obtain a reaction product containing the carboxylic acid or carboxylic acid ester, and then heat-treating at least a part of the reaction product in the presence of an acid catalyst and an acid adsorbent.例文帳に追加

ＨＦの存在下、オレフィンを一酸化炭素及び水あるいはアルコールと反応させてカルボン酸あるいはカルボン酸エステルを含む反応生成物を得、次いで、該反応生成物の少なくとも一部を、酸触媒及び酸吸着剤の存在下に加熱処理することを特徴とするカルボン酸あるいはカルボン酸エステルの製造方法。 - 特許庁

The thickness of the adsorbing layer 17 is, for example, 100nm to 500nm, and the advsorbing layer 17 consists of getter materials such as titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), tantalum (Ta), niobium (Nb), vanadium (V), barium (Ba), strontium (Sr), calcium (Ca), platinum (Pt), palladium (Pd) or nickel (Ni).例文帳に追加

この吸着層１７は、例えば厚さが１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、ゲッタリング作用を有する材料、例えばチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、バナジウム（Ｖ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、またはニッケル（Ｎｉ）からなる。 - 特許庁

The thickness of the electron emitting part is 5-150 nm and the oxide is an oxide made of mainly at least one or more kinds of elements of Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, Mo, and W and the substrate conductive film is made of these metals or precious metals, and the electron emitting part and the substrate conductive film are Schottky jointed.例文帳に追加

電子放出部の厚みは５〜１５０ｎｍであって、該酸化物としてはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１種類以上の元素を主体とする酸化物であり、下地導電膜はこれらの金属もしくは貴金属で、電子放出部と下地導電膜間がショットキー接合されている。 - 特許庁

The polyetherester elastomer has 7-8.10 of logE'_-50 (a common logarithmic value of storage modulus by dynamic viscoelasticity measurement at -50°C in vertical vibration), 0-8mJ/mg endothermic calorie ▵Hf between -50°C-100°C and 400-10,000 number average molecular weight of polyalkylene ether glycol segments.例文帳に追加

縦振動での動的粘弾性測定の−５０℃における貯蔵弾性率の常用対数の値（ｌｏｇＥ’_−５０）が、７≦ｌｏｇＥ’_−５０≦８．１０であり、−５０℃〜１００℃の間の吸熱熱量ΔＨｆが０ｍＪ／ｍｇ〜８ｍＪ／ｍｇで、ポリアルキレンエーテルグリコールセグメントの数平均分子量が４００〜１００００であることを特徴とするポリエーテルエステルエラストマーに存している。 - 特許庁

An aggregate signature σ, in which each signer uses an own node to sign to mutually different messages and the signatures are collected, is represented by power operation by a signature key of each signer and a prescribed value differing for each hierarchy to which oneself belongs to a hash hf-q of a message mf-q.例文帳に追加

互いに異なるメッセージに対して各署名者が自身のノードを用いて署名を行い、これら署名を集めたアグリゲート署名σを、メッセージｍｆ−ｑのハッシュｈｆ−ｑに対して各署名者の署名鍵と、自身が属する階層ごとに異なる所定値と、でべき乗演算を行うことで表す。 - 特許庁

In a reflective mask blank for EUV lithography where a layer 12 reflecting EUV light, a layer 14 for absorbing EUV light, and a low reflection layer 15 for the inspection light (wavelength 190-260 nm) of a mask pattern are formed on a substrate 11 in this order, the low reflection layer 15 contains hafnium Hf, nitrogen N and oxygen O at content in total of 80 at% or more.例文帳に追加

基板１１上に、ＥＵＶ光を反射する反射層１２と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層１４と、マスクパターンの検査光（波長１９０〜２６０ｎｍ）に対する低反射層１５が、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記低反射層が、ハフニウム（Ｈｆ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）を合計含有率で８０ａｔ％以上含有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first dielectric film 23 provided on a semiconductor substrate 11 and containing lantern aluminum silicon oxide or oxynitride, a second dielectric film 24 provided on the first dielectric film 23 and containing oxide or oxynitride containing at least one of hafnium (Hf), zirconium (Zr), titanium (Ti), and rare-earth metal, and an electrode 14 provided on the second dielectric film 24.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１上に設けられ、かつランタンアルミシリコン酸化物若しくは酸窒化物を含む第１の誘電体膜２３と、第１の誘電体膜２３上に設けられ、かつハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、及び希土類金属のうち少なくとも１つを含む酸化物若しくは酸窒化物を含む第２の誘電体膜２４と、第２の誘電体膜２４上に設けられた電極１４とを含む。 - 特許庁

In a method for fabricating an electron emitting material, raw powder or its mold is baked in a nitrogen gas containing atmosphere in a state located near carbon, wherein the method includes an oxynitride producing process for producing oxynitride perovskite containing a first component composed of at least one kind of Ba, Sr and Ca and a second component composed of at least one kind of Ta, Zr, Nb, Ti and Hf as metallic element components.例文帳に追加

原料粉末またはその成形体に対し炭素を近接配置した状態とし、窒素ガス含有雰囲気中で焼成することにより、Ｂａ、ＳｒおよびＣａの少なくとも１種からなる第１成分と、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、ＴｉおよびＨｆの少なくとも１種からなる第２成分とを金属元素成分として含む酸窒化物ペロブスカイトを生成させる酸窒化物生成工程を有する電子放出材料の製造方法。 - 特許庁

The noncontact type communication device includes: an energy interface configured to activate the noncontact type communication device or a noncontact type communication partner based on a first carrier signal; and a noncontact type high speed data interface configured to enable data communication between the noncontact type communication device and the noncontact type communication partner based on a second carrier signal having a frequency greater than a high frequency (HF).例文帳に追加

非接触型通信装置は、第１のキャリア信号に基づいて、非接触型通信装置または非接触型通信パートナーをアクティブにするように構成されたエネルギーインターフェースと、高周波（ＨＦ）よりも高い周波数を有する第２のキャリア信号に基づいて、非接触型通信装置と非接触型通信パートナーとの間のデータ通信を可能にするように構成された非接触型高速データインターフェースとを備える。 - 特許庁

The composition for a transparent conductive film used for forming the transparent conductive film contains a material for the transparent conductive film composed of fine particles of conductive metal oxide and/or a precursor thereof, hydrogen fluoride or an HF generating material capable of generating hydrogen fluoride, and fluid medium 1 dissolving or dispersing at least a part of the material for the transparent conductive film.例文帳に追加

本発明の透明導電膜形成用組成物は、透明導電膜の形成に用いられる透明導電膜形成用組成物であって、導電性を有する金属酸化物微粒子および／またはその前駆体で構成される透明導電膜材料と、フッ化水素、または、フッ化水素を発生し得るＨＦ発生材料と、少なくとも透明導電膜材料の一部を溶解または分散する液状媒体とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

For the purpose of reducing the short-circuit defects between wirings and enhancing the yield in the manufacturing stage, the semiconductor layer is patterned utilizing the dry etching construction method, then etched by using dilute HF before a thin film is deposited in the next stage to remove the polymer generated at the time of patterning of the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層のパタンニング時に発生するポリマを除去し、ショート不良を低減し製造工程における歩留まりの向上を達成するために、半導体層のパタンニングをドライエッチ工法を利用して行い、エッチングした後、次の薄膜堆積前に希ＨＦにてエッチングすることによって、半導体層のパタンニング時に発生するポリマを除去し、配線間のショート不良を低減し製造工程における歩留まりの向上につなげる。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized by comprising a semiconductor substrate and a p-channel MOS transistor provided on the semiconductor substrate, the transistor including a first gate insulating film 106 including Hf, a second insulating film 108 provided on the first insulating film and including aluminum oxide and silicon oxide, and a first metal silicide gate electrode 109 provided on the second gate insulating film.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたｐチャネルＭＯＳトランジスタであって、Ｈｆを含む第１のゲート絶縁膜１０６と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられ、アルミニウム酸化物とシリコン酸化物とを含む第２のゲート絶縁膜１０８と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属シリサイドゲート電極１０９とを含む前記ｐチャネルＭＯＳトランジスタとを具備してなることを特徴とする。 - 特許庁

A method of sampling high frequency received signals which is decreased into a low frequency base band for processing signals is as follows: High frequency received signals HF are given to a analog-digital converter 5 with high clock operation directly, are converted into lower frequency through clocking at the analog-digital converter 5, and are decreased into low frequency base band by digital demodulation again.例文帳に追加

信号処理のため低周波のベース帯域に周波数逓減混合される高周波受信信号のサンプリング方法において、高周波受信信号ＨＦが直接高クロック作動のアナログ・ディジタル変換器５に与えられ、そのアナログ・ディジタル変換器５においてクロックに関係してより低い周波数に変換され、その後ディジタル復調により再び低周波のベース帯域に周波数逓減混合される。 - 特許庁