「HF」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter, an oxide film 10 is backed by 3 nm or more in the surface direction of the substrate 1 by diluted HF.例文帳に追加

その後、希釈したＨＦにより酸化膜１０を３ｎｍ以上、基板１の表面方向に後退させる。 - 特許庁

To provide a hydroform (HF) forming method and device that can effectively suppress forming defects due to difference in base materials between manufacturing lots.例文帳に追加

製造ロット間の素材差に起因する成形不良を効果的に抑制しうるハイドロフォーム（ＨＦ）成形方法および装置を提供する。 - 特許庁

Nitric acid fluoride is written generally as HF(a)HNO_3(b)H_2O(c)(where, the unit of a, b and c is wt.%, and a+b+c=100).例文帳に追加

フッ硝酸は、一般にＨＦ（ａ）ＨＮＯ_3（ｂ）Ｈ_2Ｏ（ｃ）（ここで、ａ、ｂ及びｃの単位はｗｔ％、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００）と書ける。 - 特許庁

A substrate 1 formed of p-type Ge is cleaned with pure water and 0.1% HF, and then is rinsed with ultrapure water (refer to a process (a)).例文帳に追加

ｐ型Ｇｅからなる基板１は、純水および０．１％ＨＦによって洗浄され、その後、超純水によってリンスされる（工程（ａ）参照）。 - 特許庁

An amount of Zr substitution and an amount of Hf substitution to a Ti site of the half Heusler compound are less than one at%, respectively.例文帳に追加

前記ハーフホイスラー化合物のＴｉサイトへのＺｒ置換量及びＨｆ置換量は、それぞれ、１ａｔ％未満。 - 特許庁

The flow field HF or a virtual field of receiving influence of the flow field is mapped on a surface of an object arranged in the object space.例文帳に追加

流れ場ＨＦ又は該流れ場の影響を受けた仮想場は、オブジェクト空間に配置されるオブジェクトの表面に、マッピングされる。 - 特許庁

In a following step 230, as an index posterior to an age amendment, low frequency components/high frequency components (LF/HF) is obtained, for instance.例文帳に追加

続くステップ２３０では、年齢補正した指標として、例えば低周波成分／高周波成分（ＬＦ／ＨＦ）を求める。 - 特許庁

The transmission side starts data communication by determining the communication speed in the HF band based on the received response signal (processing 208).例文帳に追加

送信側は、受信した応答信号に基づいてＨＦ帯における通信速度を決定してデータ通信を開始する（処理２０８）。 - 特許庁

And, a crystal is quietly and slowly grown in the whole space of the crucible, with the crucible being cooled down while controlling the flow rate of the helium gas and the HF power.例文帳に追加

そしてヘリウムガス流量および高周波電力を制御しながら降温し、静かにゆっくりとルツボ一杯に結晶を成長させる。 - 特許庁

A selector 316 selects any of the correction data Ha-Hf based on an address signal ADR and outputs them to an adder circuit 312.例文帳に追加

セレクタ３１６はアドレス信号ＡＤＲに基づいて補正データＨａ〜Ｈｆを選択して加算回路３１２に出力する。 - 特許庁

The operator used in the calculation questions is determined by the random number value (RND) and the values of the flags TF, HF, KF and DF.例文帳に追加

計算問題で利用される演算子は、乱数値（ＲＮＤ）とＴＦ，ＨＦ，ＫＦ，ＤＦの各フラグの値とに基づいて決定される。 - 特許庁

Dilute HF solution of a about 50 μl is dropped in the groove 11 of the container 1 as a solution.例文帳に追加

容器１の溝１１に溶解液３として希ＨＦ水溶液を約５０μl(マイクロリットル)滴下する。 - 特許庁

A receiving side or reproducing side device 3 has a file hf, of produced therefrom and data Im for the production.例文帳に追加

受信側又は再生側の装置３が、ファイルｈｆと、これから生成されるｏｆ及びその生成用データＩｍを有する。 - 特許庁

A receiving side or reproducing side device 3 has a file HF, an OF to be generated from now on and a non-regular matrix TC for generation.例文帳に追加

受信側又は再生側の装置３が、ファイルＨＦと、これから生成されるＯＦ及びその生成用の非正則行列ＴＣを有する。 - 特許庁

A mixing container 30 for diffusing and mixing the HF solution and pure water is set to the feed tank 13.例文帳に追加

供給タンク１３には、ＨＦ液と純水を拡散して混合する混合容器３０が取り付けられている。 - 特許庁

The gate oxide film is constituted by using one or two or more chemical elements selected from the group consisting of Zr, Hf and Ln and by using Si, O and N.例文帳に追加

Ｚｒ，Ｈｆ，Ｌｎの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の元素と、Ｓｉと、Ｏと、Ｎとが用いられて構成されてなるゲート酸化膜。 - 特許庁

To provide a reaction apparatus in which water (a first substance) is reacted with COF_2 (a second substance) without condensing steam to produce gaseous HF (a third substance).例文帳に追加

水（第１物質）とＣＯＦ_２（第２物質）とを、水が結露しないようにしながら反応させてＨＦ（第３物質）のガスを生成する。 - 特許庁

To provide a method and device for analyzing a reading signal of an optical storage medium suited to an HF signal read specially from a DVD disk.例文帳に追加

特にＤＶＤディスクから読み込まれたＨＦ信号に適合した光記憶媒体の読み出し信号解析方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The Hf(NMe_2)_4 has very high purity of having contents of impurities of Li, K, Cr, Ni, Ca, Cu, Mg, Na, Fe, Al, Zn, Co, Mn, Th and U regulated so as to be ≤20 ppb respectively, and Cl regulated so as to be ≤1 ppm.例文帳に追加

それはＬｉ，Ｋ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｃａ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｎａ，Ｆｅ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｔｈ，Ｕの不純物含有量が各々２０ｐｐｂ以下で、かつＣｌが１ｐｐｍ以下と非常に高純度であった。 - 特許庁

The silicide target for forming the gate oxide film excellent against fragility is made from MSi0.8-1.2 (M:Zr, Hf).例文帳に追加

ＭＳｉ_０．８−１．２（Ｍ：Ｚｒ、Ｈｆ）からなる耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット。 - 特許庁

All or part of the composing members are composed of a β-type titanium alloy which is represented by the formula of Ti_3(Nb, Ta, V)+(Zr, Hf)+O, wherein the principal component is titanium.例文帳に追加

構成部材の全部若しくは一部を、チタンを主成分とするＴｉ_３（Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ）＋（Ｚｒ，Ｈｆ）＋Ｏと表わされるβ型チタン合金にする。 - 特許庁

The matrix is composed of an Ni based alloy, a Ti based alloy or the like, and the hard grains are, e.g. composed of the carbides, borides, silicides or oxides of Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo and W.例文帳に追加

マトリックスは、Ｎｉ基合金、Ｔｉ基合金等、硬質粒子はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗの炭化物、硼化物、珪化物、又は酸化物等である。 - 特許庁

When SOx remains in the HF-containing gas, the temperature of the layer 110 is preferably adjusted to be 100 to 310°C.例文帳に追加

ＨＦ含有ガスにＳＯｘが残留する場合には、Ｃａ（ＯＨ）_２ 層の温度を１００〜３１０℃にすることが望ましい。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor layer; the gate insulating film formed on the semiconductor layer and containing at least either of Hf and Zr; and a gate electrode formed on the gate insulating film and containing carbonitride containing at least either of Hf and Zr.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体層と、半導体層の上に設けられ、Ｈｆ及びＺｒの少なくともいずれかを含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に設けられ、Ｈｆ及びＺｒの少なくともいずれかを含む炭窒化物を含むゲート電極と、を備えている。 - 特許庁

The height H of the upper end of the member 13d from the die 3 is larger than 2/5 of the height Hf of the frost line F of the bubble B from the die 3 and is smaller than the height Hf of the frost line F.例文帳に追加

整流部材１３ｄ上端のインフレーション成形用ダイ３からの高さ寸法Ｈは、バブルＢのフロストラインＦのインフレーション成形用ダイ３からの高さ寸法Ｈｆの２／５よりも大きく、フロストラインＦの高さ寸法Ｈｆよりも小さくなっている。 - 特許庁

This fluorine-containing elastomer composition is provided by containing the polyol crosslinkable fluorine-containing elastomer, polyol-based crosslinking agent and a tetrabutyl phosphonium hydrogen fluoride crosslinking promotor, expressed by general formula: (C_4H_9)_4PF-(HF)_n [wherein, n is 1 or 2].例文帳に追加

ポリオール架橋性含フッ素エラストマー、ポリオール系架橋剤および一般式(C_4H_9)_4PF・(HF)_n (ここで、nは1または2である)で表わされるテトラブチルホスホニウムハイドロジェンフルオライド架橋促進剤を含有してなる含フッ素エラストマー組成物。 - 特許庁

An automatic nerve activity calculation section 24 calculates a sympathetic nerve activity index (LF/HF) indicating the activity level of the sympathetic nerve and a parasympathetic nerve activity index (HF) indicating the activity level of the parasympathetic nerve based on electrocardiographic data measured by an electrocardiogram monitor 14.例文帳に追加

自律神経活動度算出部２４は、心電図モニタ１４により測定された心電データに基づいて、交感神経の活動度合いを示す交感神経活動度指標（ＬＦ／ＨＦ）および副交感神経の活動度合いを示す副交感神経活動度指標（ＨＦ）を算出する。 - 特許庁

To provide a hydroforming method of a metal tube enabling HF- forming of the metal tube with the strength at which the corner shaping is impossible with the maximum internal pressure of the specification even without remodeling any pressure system in an existing HF-forming device.例文帳に追加

既設のＨＦ成形装置における圧力系統を何ら改造しなくても、その仕様上の最大内圧ではコーナーシェーピングが不可能となるような強度を有する金属管のＨＦ成形をも可能にした、金属管のハイドロフォーム成形方法を提供する。 - 特許庁

An alloy film is formed onto at least a part of the surface excluding electron emission part such as cold cathode array and group electrodes, the alloy film is composed of the one selected from the group consisting essentially of or at least one selected from the group consisting of Ti, Zr and Hf.例文帳に追加

冷陰極アレイ、あるいはグリット電極等の電子放出部以外の表面の少なくとも一部に、 TiまたはZrおよびHfからなる群の中から選ればれた少なくとも１種またはそれを主成分とする合金の膜を形成する。 - 特許庁

An insulation film formed on a Si substrate and containing Hf or Zr and a deposited film present on the upper or lower layer thereof or in the film are removed by repeating dry etching and wet etching one or more times by putting the wet etching first.例文帳に追加

Si基板上に形成されたHfあるいはZrを含む絶縁膜とその上層あるいは下層あるいは膜中に存在するMg,YあるいはAlとを含む堆積膜の除去を、ドライエッチングとウエットエッチングを、ウエットエッチングを先にして少なくとも1回繰り返して行う。 - 特許庁

To provide a fluoride residue recovery device which is capable of preventing a fluorine gas and a radioactive substance from leaking to the outside of a fluorine atmosphere system and of preventing production of HF and material corrosion due to the HF by mixing moisture into the fluorine atmosphere system to react the moisture with an F_2 gas.例文帳に追加

フッ素雰囲気系外へのフッ素ガス、放射性物質の漏えいを防止することができるとともに、フッ素雰囲気系内へ湿分が混入しＦ_２ガスとの反応によりＨＦ生成及びＨＦによる材料腐食を防止できるフッ化物残渣回収装置を提供することにある。 - 特許庁

The HF control section 44 transmits an instruction of releasing the reply holding and a request of setting a voice channel to the AG control section 34 automatically or on the basis of an operation entry from an HF operation section 45, and the AG control section 34 receives them to release the reply holding and set the voice channel 6.例文帳に追加

ＨＦ制御部４４は、自動的に又はＨＦ操作部４５からの操作入力に基づいて、ＡＧ制御部３４に対して応答保留解除の指示及び音声チャネルの設定要求を送信し、ＡＧ制御部３４はこれらを受けて応答保留を解除すると共に音声チャネル６を設定する。 - 特許庁

The mixing apparatus 10 supplies a chemical liquid (HF solution) stored in a HF tank 11 and pure water produced by a pure water production apparatus 21 to a supply tank 13, mixes them at a prescribed ratio and supplies the mixed solution to a semiconductor fabrication apparatus 45 installed at the downstream side of the supply tank 13.例文帳に追加

混合装置１０は、ＨＦタンク１１に貯溜された薬液（ＨＦ液）と、純水製造装置２１により生成された純水とを供給タンク１３に供給して所定の割合で混合し、この混合液を供給タンク１３の下流側に設置された半導体製造装置４５に供給する。 - 特許庁

Si and one selected from Zr, Ti, TiB, Hf and V are added to an Al-Cu-Mg based alloy to obtain an aluminum alloy for casting containing, by weight, 1.0 to 3.0% Si and one selected from Zr, Ti, TiB, Hf and V by ≤0.3%.例文帳に追加

Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｇ系合金にＳｉおよびＺｒ、Ｔｉ、ＴｉＢ、ＨｆおよびＶより選択された１つを添加し、Ｓｉを１．０〜３．０重量％、Ｚｒ、Ｔｉ、ＴｉＢ、ＨｆおよびＶより選択された１つを０．３重量％以下含有した鋳造用アルミニウム合金を得る。 - 特許庁

Then, the condition of drunkenness is evaluated by a variation of the heart rate (HR value) obtained from the result of the above analysis and comparison analysis of high-frequency spectral value (HF value) and a ratio of LF/HF (LF value: low-frequency spectral value) which is an index of an active mass of the sympathetic nerve before and after drinking.例文帳に追加

その解析結果から得られる心拍数の変化（ＨＲ値）、高周波スペクトル値（ＨＦ値）、及び交感神経活動量の指標であるＬＦ／ＨＦ比（ＬＦ値：低周波スペクトル値）を飲酒前後で比較分析することによって、酔いの状態を評価する。 - 特許庁

A plurality of notches 7 are provided on support bars 6, and an angle θmade by a support plate 4 with respect to a support 5, that is, an angle at which the etchant discharging device 3 pours the etchant (water solution of HF:NH_4F=9:1, and HF:NH_4F=5:5) is made variable.例文帳に追加

支持棒６に複数の刻み７を設けて支持板４が支持台５に対してなす角度θ、すなわちエッチング液放出装置３からエッチング液（ＨＦ：ＮＨ_４Ｆ＝９：１、ＨＦ：ＮＨ_４Ｆ＝５：５の水溶液）を浴びせる際の角度を可変とする。 - 特許庁

The time sequential data of the heart rate are frequency-analyzed to obtain the time sequential data of the power spectrum of LF/HF, and the point of time at which the temporary rising change of the value appears in the time sequential data of the power spectrum of the LF/HF is judged as a falling sleep predictive period.例文帳に追加

本発明は、心拍数の時系列データを周波数解析してＬＦ／ＨＦのパワースペクトルの時系列データを求め、このＬＦ／ＨＦのパワースペクトルの時系列データの中で、その値の一時的な上昇変化が出現した時点を入眠予兆期と判定している。 - 特許庁

A difference (Hf-Hr) between the height Hf of the protector apex from a bead base line BL and the flange height Hr of the rim is 0.5 mm or more and set to a value 0.45 or less times height Hw from a bead base line BL and a carcass maximum width point.例文帳に追加

プロテクタ頂点のビードベースラインＢＬからの高さＨｆと前記リムのフランジ高さＨｒとの差（Ｈｆ−Ｈｒ）は、０．５mm以上かつ前記ビードベースラインＢＬからカーカス最大巾点までの高さＨｗの０．４５倍以下とする。 - 特許庁

To provide a reactant gas supply method of a dry etching device which can prevent a gas composition from altering by the generation of H_2, when HF or a gas containing HF is used as a reactant gas, and can prevent reaction of an etching process from altering, to conduct etching of high accuracy.例文帳に追加

反応ガスとしてＨＦやＨＦを含むガスを用いる場合に、Ｈ_２の発生によりガス組成が変化するのを防ぎ、エッチングプロセスの反応が変化するのを防いで精度の良いエッチング処理を行うことが可能になるドライエッチング装置の反応ガス供給方法を提供する。 - 特許庁

Then, in a process shown in Figure 1 (c), while the liquid 16 as pure water keeps staying on the resist mask 13 and the silicon oxide film 12 (water applied in layer), the substrate is dipped into a buffer hydrofluoric acid water solution (a mixture of HF/H_2O and HF/NH_4F).例文帳に追加

次に、図１（ｃ）に示す工程で、液体１６である純水が、レジストマスク１３およびシリコン酸化膜１２上に残留した状態（層状に塗布された状態）で、緩衝フッ化水素酸水溶液（ＨＦ／Ｈ_2ＯとＨＦ／ＮＨ_4Ｆとの混合液）に基板を浸す。 - 特許庁

To provide a double-tuned circuit of a nuclear magnetic resonance apparatus capable of preventing generation of an unintended resonance component near HF by not adopting a conventional method for adding an LC circuit to a long cylindrical conductor 11 for fine adjustment of a resonance frequency of an HF resonance circuit.例文帳に追加

ＨＦ共振回路の共振周波数の微調整のために棒状導体１１にＬＣ回路を付加する従来の方法を採用しないことにより、ＨＦ付近に意図しない共振成分が発生することのない核磁気共鳴装置の複同調回路を提供する。 - 特許庁

The measuring device detects an integration value (HF power) of a high-frequency band higher than a specific frequency from a power spectrum acquired by performing Fourier transformation on the fluctuations of heartbeat intervals of the subject in the exercise state in a prescribed period of time and detects the exercise load of the subject from the detected HF power.例文帳に追加

この測定装置は、運動状態にある被験者の所定時間における心拍間隔の変動をフーリエ変換して得られるパワースペクトルから、特定周波数よりも高い高周波帯域の積分値（ＨＦpower）を検出し、検出されたＨＦpowerから被験者の運動負荷を検出する。 - 特許庁

To provide a detector for an HF band magnetic resonance device having an oscillation circuit and a peripheral circuit so as to smoothly vary not only the frequency but also the oscillation level from a minute value to a large value with external control voltage, in a continuous wave HF band magnetic resonance device for making a signal feeble.例文帳に追加

信号が微弱になる連続波ＨＦ帯磁気共鳴装置において、周波数のみでなく、発振レベルも外部制御電圧によって微少な値より大きな値までスムースに変えられるような発振回路および周辺回路を備えたＨＦ帯磁気共鳴装置用検出器を得ることである。 - 特許庁

A pressure adjusting valve 28, which adjusts the pressure supplied to the HF tank 12 to predetermined pressure, and a Coriolis mass flowmeter 30, which measures the flow rate of the gas supplied to the HF tank 12, are arranged to the gas supply pipeline 26.例文帳に追加

そして、ガス供給管路２６には、ＨＦタンク１２に供給される圧力を所定圧に調整する圧力調整弁２８と、ＨＦタンク１２に供給されるガスの流量を計測するコリオリ式の質量流量計３０とが配設されている。 - 特許庁

When it is detected that vehicle equipment such as wipers 16, a sun roof 17 or a driver's seat side window 18 is operated, a control circuit 2 changes HF parameters set to a voice controller 9 into HF parameters stored in a memory 26 in accordance with an operational state of the vehicle equipment.例文帳に追加

制御回路２は、車両機器であるワイパー１６、サンルーフ１７、運転席側の窓１８が動作したことを検出したときは、音声コントローラ９に設定されているＨＦパラメータを車両機器の動作状態に対応してメモリ２６に記憶されているＨＦパラメータに変更する。 - 特許庁