「HF」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent an HF aqueous solution from infiltrating into the interior from between a silicon substrate 1 and a resist 11 during cleaning.例文帳に追加

洗浄時にＨＦ水溶液が、シリコン基板１とレジスト１１の間から内部に染み込むことを防止する。 - 特許庁

The SiF linkage is attacked by the HF molecules and the Si on the surfaces of the wafers 11 and 12 are desorbed as SiF4 and the surface is terminated with hydrogen.例文帳に追加

ＳｉＦ結合はＨＦ分子で攻撃され、表面のＳｉがＳｉＦ_４として脱離し表面が水素で終端される。 - 特許庁

The trap insulating film can be formed of an insulating film, which is mainly composed of an oxide comprising Al, Hf, Zr or Ln (lanthanoids).例文帳に追加

トラップ絶縁膜は、Ａｌ，Ｈｆ、Ｚｒ又はＬｎ（ランタノイド元素）を含む酸化物を主成分とする絶縁膜により形成すればよい。 - 特許庁

The catalyst for the olefin polymerization includes a transition metal compound represented by formula (1) (wherein, M is Ti, Zr or Hf), and a cocatalyst component for activation.例文帳に追加

式（１）の遷移金属化合物および活性化用助触媒成分を含むオレフィン重合用触媒。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING HF-BAND IC CARD WITH NO JUMPER CROSSING COIL, HAVING ELECTRONIC FINGERPRINT AND ELECTRONIC SIGNATURE FUNCTION, AT LOW COST例文帳に追加

電子指紋と電子署名機能を持つ、コイルを横切るジャンパーのないＨＦ帯の格段にコストダウンされたＩＣカードの製造方法 - 特許庁

SUBSTANCE EQUIPPED WITH Zr-Ge-Ti-O OR Hf-Ge-Ti-O DIELECTRIC MATERIAL, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

Ｚｒ−Ｇｅ−Ｔｉ−ＯまたはＨｆ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏの誘電材料を備えた物質とその製造方法 - 特許庁

A second HF etching follows, and the surface is again evaluated by the particle counter and a second map is prepared, wherein defects larger than in the first map are covered.例文帳に追加

この後、第２のＨＦエッチングを行い、その表面をカウンタで測定して上記より大きい欠陥について第２のマップを作成する。 - 特許庁

The metal oxide catalyst is characterized in that the metal ions of the metal oxide catalyst are ions of In, Ga, Al, B, Si, Ge, Sn, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Sb, Bi, W, Mo or Cr, or combination of these metals.例文帳に追加

金属イオンは、Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ，Ｂ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ、または、これらの組み合わせであることを特徴とする。 - 特許庁

A gear ratio is fixed in a mode-switching point M during the switching from a low mode LF to a high mode HF.例文帳に追加

ローモードＬＦからハイモードＨＦへの経路時に、モード切換ポイントＭにおいて変速比を固定する。 - 特許庁

To provide a substrate processing method for forming a silicon nitride film having a small etching grade against an HF system solution without raising a film forming temperature.例文帳に追加

ＨＦ系溶液に対するエッチングレートが小さいシリコン窒化膜を、成膜温度を上げることなく形成する基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The etching liquid for a low-k film contains (1) HF and/or a alt thereof, (2) H_2SO_4, or depending on necessity, (3) further contains water.例文帳に追加

（１）ＨＦ及び／又はその塩、（２）Ｈ_２ＳＯ_４及び必要に応じてさらに（３）水を含むｌｏｗ−ｋ膜用のエッチング液。 - 特許庁

A polysilicon film as the gate-electrode material film 7 is formed on the Hf aluminate film 5 at a temperature of 570°C or higher by an LPCVD method.例文帳に追加

Ｈｆアルミネート膜５上にゲート電極材料膜７としてのポリシリコン膜をＬＰＣＶＤ法により５７０℃以上の温度で形成する。 - 特許庁

To manufacture an optical element for laser at low cost which has high reliability by using Zr or Hf as a vapor deposition material.例文帳に追加

Ｚｒ又はＨｆを蒸着材料として、信頼性に優れ且つ安価なレーザー用光学素子を製造する。 - 特許庁

Where, M is a metal selected from among metals of a group of Ta, Ti, Nb, Al, Hf, Zr, and V.例文帳に追加

ここで、ＭはＴａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｈｆ、ＺｒおよびＶからなる群の金属から選択された金属である。 - 特許庁

To implement a multilayer interconnection using a FSG film as an insulation film between Cu wirings which is capable of reducing an influence of HF.例文帳に追加

ＨＦの影響を軽減できる、Ｃｕ配線間の絶縁膜としてＦＳＧ膜を用いた多層配線を実現すること。 - 特許庁

The target material may contain 0<B≤25 at.% and 0<(Ti+Zr+Hf+V+Nb+Ta+Mo+W+Mn+Re+Ru+Os+Rh+Ir+Ni+Pd+Cu+Ag+Au+C)≤40 at.%.例文帳に追加

さらに０＜Ｂ≦２５ａｔ％、０＜（Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｔａ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｍｎ＋Ｒｅ＋Ｒｕ＋Ｏｓ＋Ｒｈ＋Ｉｒ＋Ｎｉ＋Ｐｄ＋Ｃｕ＋Ａｇ＋Ａｕ＋Ｃ）≦４０ａｔ％含むことも可能である。 - 特許庁

The brazing material contains Ag or Ag-Cu, and contains, as active metal, at least one selected from the group of Ti, Hf and Zr.例文帳に追加

また、上記ろう材はＡｇ或いはＡｇ−Ｃｕを含み上記ろう材が、活性金属としてＴｉ，Ｈｆ，Ｚｒの少なくとも１種を含む。 - 特許庁

A bead apex rubber 8 has rubber hardness of 70-90°, and its height H1 is reduced to 1.2-2.0 times the flange height Hf.例文帳に追加

ビードエーペックスゴム８は、７０〜９０°のゴム硬度を有し、その高さＨ１をフランジ高さＨｆの１．２〜２．０倍に減じる。 - 特許庁

The barrier layer is formed by covering it with Cr, Zr, Ti, Ta, Nb, Hf, Y, Sc, Th, U, Mo, and their alloys.例文帳に追加

バリヤ層は、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｙ、Ｓｃ、Ｔｈ、Ｕ、Ｍｏ、およびそれらの合金で被覆することで形成される。 - 特許庁

Element X is an element (Mg, Hf, Zr, Nb, and Ta, etc.) having a larger oxide potential than that of Ni and Fe.例文帳に追加

元素Ｘは、ＮｉおよびＦｅよりも酸化電位が大きい元素（Ｍｇ、Ｈｆ、Ｚｒ、ＮｂおよびＴａ等）である。 - 特許庁

A selector 316 selects the correction data Ha-Hf based an address signal ADR, and outputs the data to an adding circuit 312.例文帳に追加

セレクタ３１６はアドレス信号ＡＤＲに基づいて補正データＨａ〜Ｈｆを選択して加算回路３１２に出力する。 - 特許庁

The signal indicates the level of the reflection light component (to be called as "I-TOP" hereafter) of the HF signal.例文帳に追加

このピークホールド信号は、ＨＦ信号の反射光成分（以下「Ｉ−ＴＯＰ」と呼ぶ）のレベルを示す信号である。 - 特許庁

To remove a high dielectric constant film, especially, HfO_2 without any etching residue when carrying out etching by using HF water solution.例文帳に追加

高誘電率膜、特にＨｆＯ_２を、ＨＦ水溶液を用いたエッチングの際にエッチング残渣なく除去する。 - 特許庁

The metal layer 28b is made of material, such as Zr, Hf, etc, which is higher than Ru in binding energy to oxygen.例文帳に追加

金属層２８ａは、Ｚｒ，Ｈｆ等の、Ｒｕより酸素との結合エネルギーの高い材料で構成される。 - 特許庁

To prevent an FSG film from discharging fluorine nor generating HF when the film is used as an interlayer insulating film between two layers of Al wiring.例文帳に追加

Ａｌ配線間の層間絶縁膜にＦＳＧ膜を用いた場合におけるＦＳＧ膜中からのフッ素の放出およびＨＦの発生を防止すること。 - 特許庁

The metal of the metal-based oxide (Hf when the oxide is HfO_2) used as the gate insulating film of the transistor is used as an electrode material.例文帳に追加

電極材料としてゲート絶縁膜として使用した金属系酸化物の金属（Ｈｆ０２であればＨｆ）を使用する。 - 特許庁

To provide a film, or a dielectric material having R-Ge-TI-O where R is selected from Zr and Hf, and its manufacturing method.例文帳に追加

フィルム、またはＲがＺｒとＨｆから選択されたＲ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏを備えた誘電材料とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The alloy is an alloy containing Ni, Ta, Ru, Co or Zr and having ≥10at% fraction of Hf or Zr.例文帳に追加

合金はＮi、Ｔa、Ｒu、Ｃo、またはＺrとの合金であり、ＨfまたはＺrの分率が１０ａｔ％以上である。 - 特許庁

RAW MATERIAL LIQUID FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND METHOD OF PRODUCING Hf-Si CONTAINING COMPLEX OXIDE FILM USING THE RAW MATERIAL LIQUID例文帳に追加

有機金属化学気相成長法用原料液及び該原料液を用いたＨｆ−Ｓｉ含有複合酸化物膜の製造方法 - 特許庁

The metal contains at least one substance from among Al, Hf, Zr, Zn, W, Co, Au, Pt, Ru, Ir or Ti.例文帳に追加

前記金属は、Ａｌ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｗ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＩｒまたはＴｉのうち少なくとも何れか一つの物質を含む。 - 特許庁

Display magnification can be changed based upon the size of the face (HF) of the observer on an imaging screen.例文帳に追加

観察者の顔（ＨＦ）の撮像画面上の大きさに基づいて表示倍率を変更するようにしても良い。 - 特許庁

The heating unit is used as a movable heater 53 in a heater heating system or an electrode 51 in an HF heating system.例文帳に追加

そして加熱ユニットをヒータ加熱方式における可動ヒータ５３あるいはＨＦ加熱方式における電極５１として用いる。 - 特許庁

A process gas containing HF as a reactive component is blown off from a blow-off port 21 into contact with a treated object 90 to etch a silicon film 93.例文帳に追加

反応成分としてＨＦを含む処理ガスを吹出し口２１から吹き出して被処理物９０に接触させ、シリコン膜９３をエッチングする。 - 特許庁

The frequency control section 7 detects ON/OFF of the half flag HF to output a frequency increasing/decreasing command to the PLL circuit 5.例文帳に追加

周波数制御部７は、ハーフフラグＨＦのオン・オフを検出して、前記ＰＬＬ回路５に対して周波数の増減指令を出力する。 - 特許庁

The discharge unit 18 generates gas discharge to cause reaction of CF4 and vapor, and a reactive fluorine gas is produced such as HF and COF2.例文帳に追加

放電ユニット１８は、気体放電を発生させてＣＦ_4 と水蒸気とを反応させ、ＨＦ、ＣＯＦ_２ などの反応性のフッ素系ガスを生成する。 - 特許庁

The fluoric intermediate gases COF_4 react with water and become fluoric etching gases of HF or the like with oxide silicon etching ability.例文帳に追加

フッ素系中間ガスのＣＯＦ_４は、水と反応して酸化シリコンのエッチング能を有するＨＦ等のフッ素系エッチングガスとなる。 - 特許庁

Total concentration of water (H2O) and hydrofluoric acid (HF) included in nonaqueous solution within cell is set to less than 10,000 ppm.例文帳に追加

電池内非水電解液中に含まれる水（Ｈ_2Ｏ）とフッ化水素酸（ＨＦ）の合計濃度を１００００ｐｐｍ以下とした。 - 特許庁

The propylene polymer resin and the vessels made of the above propylene polymer resin satisfy the following equation (1), Equation (1): HF≥95-6.8×(C2)+2×log例文帳に追加

以下の式（１）を満足するプロピレン重合体樹脂、および該プロピレン重合体樹脂からなる容器。 - 特許庁

The HfSiO film uses, for instance, an alloy wherein a weight ratio of Hf to Si is 1:1 is used as a target, and formed by sputtering.例文帳に追加

ＨｆＳｉＯ膜は例えばＨｆ及びＳｉの重量比が１対１の合金をターゲットとして用い、スパッタリングにより成膜する。 - 特許庁

The exhaust gas containing HF and SOx is brought into contact with solid Ca(OH)_2 after removing SOx in advance in a SOx removing process.例文帳に追加

ＨＦ及びＳＯｘを含む排ガスを、ＳＯｘ除去工程にて予めＳＯｘを除去してから、固体のＣａ(ＯＨ)_2と接触させる。 - 特許庁

The ratio of hydrofluoric acid to nitric acid in the etching solution is 0.07≤[HF]wt/[HNO3]wt≤0.59 by weight.例文帳に追加

エッチング液中におけるフッ酸と硝酸の比が、重量比で、０．０７≦［ＨＦ］_wt／［ＨＮＯ_3］_wt≦０．５９を満たす。 - 特許庁

To suppress electrification as small on the base plate surface during the period of an ion beam radiation while HF(High Frequency) discharge-type plasma generation equipment is in use.例文帳に追加

高周波放電型のプラズマ発生装置を用いつつ、イオンビーム照射の際の基板表面の帯電を小さく抑制する。 - 特許庁

Thus, the transmitter-receiver for an HF wireless channel can automatically conduct excellent communication with the proper frequency at the highest transfer rate.例文帳に追加

このことから、ＨＦ無線回線用送受信装置は、最適な周波数および最高の伝送速度で良好な通信を自動的に行うことができる。 - 特許庁

An oxide of such an element as Ta, Hf, Si, Ni or Co, or an rare earth element (e.g., Gd or Ce) is employed in the high resistance layer 3A.例文帳に追加

高抵抗層３Ａとしては、Ｔａ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｃｏの各元素や、希土類元素（例えばＧｄやＣｅ）等の酸化物を用いる。 - 特許庁

An electrolysis of HF (Hydrogen Fluoride) is performed by applying voltage between the negative pole 5 and the positive pole 6.例文帳に追加

陰極５および陽極６の間に電圧が印加されることにより、ＨＦ（フッ化水素）の電気分解が行われる。 - 特許庁