「HF」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To easily enable selective etching of AlGaAs of the mirror surface with an HF system etchant.例文帳に追加

ＨＦ系エッチャントで容易に鏡面のＡlＧaＡs選択エッチングを可能にする。 - 特許庁

Then, by using diluted HF solution, a small amount of arbitrary metal and oxidized copper are removed.例文帳に追加

次に、希釈したＨＦ溶液を使用して、任意の僅少な金属と酸化した銅を除去する。 - 特許庁

The coating film 10 is made of at least one of Cr, Zn, Zr, Ti and Hf.例文帳に追加

この皮膜１０は、Ｃｒ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｔｉ及びＨｆの少なくとも１つによって形成される。 - 特許庁

If the Hf content is increased, the oxygen getting capability of the NiFeHf inner layer 51 is improved.例文帳に追加

Ｈｆ含有量を高めると、ＮｉＦｅＨｆインナー層５１の酸素吸着能力が向上する。 - 特許庁

The main rf electrode is given an rf current operating at HF or VHF.例文帳に追加

主ｒｆ電極はＨＦとＶＨＦで動作するｒｆ電流が与えられる。 - 特許庁

This first solution EL_1 is a hydrofluoric acid (HF) solution of 2.5 wt.% or so.例文帳に追加

この第１電解液ＥＬ1は、２．５ｗｔ％程度の弗酸（ＨＦ）溶液である。 - 特許庁

Each shape and position of many small holes Hf and many valve holes Hm is set so that it may minimize the total effective aperture of those small holes Hf, lying in the position straddling each small hole Hf that each valve hole Hm corresponds to and a small hole Hf adjacent to it when a movable valve plate Vm is in the second sliding position X2.例文帳に追加

可動弁板Ｖｍが第２摺動位置Ｘ２にあるときには各弁孔Ｈｍが対応する各小孔Ｈｆと、それに隣接した小孔Ｈｆとに跨がる位置に在って該小孔Ｈｆの総有効開度を最小とするように、多数の小孔Ｈｆ及び多数の弁孔Ｈｍの各々の形状・位置が設定される。 - 特許庁

The backing amount of the oxide film 10 is decided by the amount of HF and an etching time.例文帳に追加

酸化膜１０の後退量はＨＦの量とエッチングの時間とにより決定される。 - 特許庁

Especially, EMI(HF)_2.3F例文帳に追加

特に、カチオンとオニウム塩を形成したＥＭＩ（ＨＦ）_２．３Ｆが水素移動能に優れる。 - 特許庁

In a second process, gaseous O_2 is introduced into the chamber which is filled with the vapor of Zr or Hf.例文帳に追加

第２過程として、Ｚｒ又はＨｆの蒸気で満たされたチャンバにＯ_2ガスを導入する。 - 特許庁

The silicide target for forming a gate oxide film is made of MSi_2.05-3.0 (M: Zr, Hf).例文帳に追加

ＭＳｉ_２．０５−３．０（Ｍ：Ｚｒ、Ｈｆ）からなるゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット。 - 特許庁

The etching solution is constituted of a mixture containing HF, HNO3 and H2SO4 preferably.例文帳に追加

前記エッチング処理液は、好ましくはＨＦ、ＨＮＯ_3 およびＨ_2 ＳＯ_4 を含む混合液からなる。 - 特許庁

When the synthesis is carrisd out through a one-step reaction, a solid amine-HF adduct is not substantially formed.例文帳に追加

この方法の１段階反応では固体のアミン‐ＨＦ生成物は実質的に生成しない。 - 特許庁

The wet-etching is performed by using a silicon-containing HF solution of ≤4 in pH.例文帳に追加

ウェットエッチングは、シリコンを含むｐＨ４以下のＨＦ水溶液を用いて行う。 - 特許庁

The substrate is subsequently subjected to deep etching surface-treatment with 15% HF (hydrofluoric acid).例文帳に追加

次に、１５％ＨＦ（フッ酸）でディープエッチング表面処理をおこなった。 - 特許庁

Before the raw material is fluorinated with HF, the raw material is sufficiently dehydrated.例文帳に追加

そしてこの原料とＨＦをフッ素化反応に供する前に、それらから水分を十二分に除去しておく。 - 特許庁

When the wafer is cleaned by the HF cleaning, oxide films are removed and the surfaces of the wafers 11 and 12 become hydrophobic.例文帳に追加

ＨＦ洗浄により酸化膜が除去され、ウェーハ表面が疎水性となる。 - 特許庁

The metal is preferably Ti, Ta, Cr, Zr, Hf, V, Nb, Mo, W or Si.例文帳に追加

金属は、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、ＷまたはＳｉであることが好ましい。 - 特許庁

In this way, HF defects are evaluated with high precision by using a particle counter.例文帳に追加

この結果、パーティクルカウンタによる測定で、ＨＦ欠陥を高精度に評価できる。 - 特許庁

One of the low-frequency pulse LF and the high-frequency pulse HF is defined as a rectangular wave.例文帳に追加

また、前記低周波パルスＬＦと前記高周波パルスＨＦの一方または双方を矩形波とする。 - 特許庁

Then, Ni silicide layers 113 are formed on the Hf silicide layers 111.例文帳に追加

その後、Ｈｆシリサイド層１１１上にＮｉシリサイド層１１３を形成する。 - 特許庁

The O_3 cleaning may be performed following to SC-1 cleaning or HF cleaning.例文帳に追加

Ｏ３洗浄はＳＣ−１洗浄またはＨＦ洗浄に引き続き洗浄しても良い。 - 特許庁

The chemical conversion film contains no organic component and the silica component selected from silica sol and fumed silica, in addition to the oxide and hydroxide of the valve metal such as Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo or W.例文帳に追加

化成皮膜は、有機成分を全く含まず、Ti，Zr，Hf，V，Nb，Ta，Mo，W等のバルブメタルの水酸化物，酸化物に加えてシリカゾル，フュームドシリカから選ばれたシリカ成分を含んでいる。 - 特許庁

This bar masher roll is constituted by molding a particle- dispersed silicon carbide sintered compact prepared by sintering the silicon carbide dispersed with Ti-Zr-B solid solution particles and/or Ti-Hf-B solid solution particles.例文帳に追加

Ti-Zr-B固溶体粒子及び/ 又はTi-Hf-B 固溶体粒子を分散した炭化珪素を焼結した粒子分散炭化珪素質焼結体を成形加工してなることを特徴とするバーマッシャーロールである。 - 特許庁

This method for separating and purifying adamantane, comprising carrying out an isomerization reaction in the presence of a HF.BF3 catalyst, separating the reaction product from the catalyst phase comprising the HF.BF3, and then extracting the deposited adamantane with an aliphatic saturated hydrocarbon solvent or aromatic hydrocarbon solvent.例文帳に追加

HF・BF_3触媒を用いて異性化反応を行った後に、HF・BF_3から成る触媒層と相分離し、析出したアダマンタンを脂肪族飽和炭化水素溶剤又は芳香族炭化水素溶剤を用いて抽出する。 - 特許庁

The file HF for home page is transmitted to a server 2 through the Internet 3 as home page information with the file HF for home page and an E-mail address.例文帳に追加

このホームページ用ファイルＨＦはホームページ用ファイルＨＦやイーメールアドレスと共にホームページ情報Ｓとして、インタネット３を介してサーバ２に送られる。 - 特許庁

Furthermore, remarkable effect can be obtained in the flaw resistance by having a nitride layer formed of one or more metals selected from among Ti, Hf and Zr between the hardened layer and the base material as an intermediate layer.例文帳に追加

さらに硬化層と基材の間に中間層としてTi,HfまたはZrのうちから１種類以上の金属からなる窒化物層を有することで、高耐傷性において格別な効果が得られる。 - 特許庁

This butterfly valve is manufactured by machining and shaping a sintered particle-dispersed silicon carbide formed, by sintering silicon carbide dispersed with Ti-Zr-B solid solution particles and/or Ti-Hf-B solid solution particles.例文帳に追加

Ti-Zr-B固溶体粒子及び/ 又はTi-Hf-B 固溶体粒子を分散した炭化珪素を焼結した粒子分散炭化珪素質焼結体を成形加工してなることを特徴とするバタフライ弁である。 - 特許庁

To provide a method for isolating difluoromethane from a crude mixture containing HCl and an azeotropic mixture of difluoromethane and HF without the need to isolate any HF azeotrope.例文帳に追加

ＨＦ共沸混合物を分離する必要なしにＨＣｌ及びジフルオルメタンとＨＦとの共沸混合物を含有する粗混合物からジフルオルメタンを分離する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for purifying a nitrogen trifluoride (NF_3) stream from a NF_3 reactor containing unreacted F_2, HF, and a nitrogen oxide, with an improved method of removing F_2 and HF, and then, removing the nitrogen oxide by adsorption.例文帳に追加

ＮＦ_3反応器からの未反応のＦ_2、ＨＦ、及び窒素酸化物を含有する三フッ化窒素（ＮＦ_3）流を精製する方法であって、Ｆ_2及びＨＦを除去し、次いで窒素酸化物を吸着により除去する方法を改良する。 - 特許庁

Then, after forming a Hf film 110 on the impurity diffusion layers 109, heat processing is performed and Hf silicide layers 111 are formed on the impurity diffusion layers 109.例文帳に追加

その後、不純物拡散層１０９上にＨｆ膜１１０を形成した後、熱処理を行って、不純物拡散層１０９上にＨｆシリサイド層１１１を形成する。 - 特許庁

After positioning a seed crystal 11 on the bottom of a crucible 4 of Iridium and filling YVO_4 raw material on it, all the raw material is melted, by applying HF power to a HF induction coil 10 to heat the crucible 4.例文帳に追加

イリジウム製ルツボ４の底に種結晶１１を配置し、その上にＹＶＯ４原料を充填した後、高周波誘導コイル１０に高周波電力を印加してルツボ４を加熱し、原料全体を融解する。 - 特許庁

A freewheeling period is provided in the HF inverter 3 every time when the first freewheeling period is provided in the cycloconverter by controlling the HF inverter.例文帳に追加

ＨＦインバータを制御することは、第１のフリーホイーリング期間がサイクロコンバータにおいて提供されるたびに、ＨＦインバータ３においてフリーホイーリング期間を提供する。 - 特許庁

Electrolyte (HF) containing fluoride is brought into contact with one surface of a semiconductor crystal substrate 15, an electrode 25 is arranged in the electrolyte (HF) containing the fluoride, and a power supply 27 is arranged between the electrode and the crystal substrate for conduction.例文帳に追加

半導体結晶基板１５の一面に、フッ化物を含有する電解液（ＨＦ）を接触させ、フッ化物を含有する電解液（ＨＦ）内に電極２５を配置し、電極と結晶基板との間に電源２７を配置して通電する。 - 特許庁

To surely measure jitter of an HF signal by surely locking a PLL clock regeneration circuit provided to a jitter measurement device of one input, even if the HF signal comes from an optical DVD.例文帳に追加

任意のＤＶＤからのＨＦ信号であっても、一入力のジッタ測定装置に具備されるＰＬＬクロック再生回路を確実にロックさせて、ＨＦ信号のジッタを確実に測定する。 - 特許庁

An etchant for removing a high dielectric constant material film is composed of sulfonic acid system having alkyl group or alkenyl group of carbon numbers of 8 or more or sulfate-based surfactant 10 ppm to 10,000 ppm (wt. ratio), HF 0.01 to 20 wt.%, and water.例文帳に追加

炭素数８以上のアルキル基またはアルケニル基をもつスルホン酸系または硫酸エステル系界面活性剤10ppm〜10000ppm（重量比）、HF 0.01-20重量％、水で構成される高誘電率材料膜除去用エッチング液。 - 特許庁

Wet treatment with a solution containing hydrofluoric acid and nitric acid is applied after applying wet treatment with concentrated HF and, subsequently, the wet treatment with the concentrated HF is applied again.例文帳に追加

濃厚ＨＦによるウエット処理を行った後、フッ化水素酸および硝酸を含む水溶液によるウエット処理を行い、ついで再度、濃厚ＨＦによるウエット処理を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing electrooptic device by which the occurrence of a defective electrooptic device caused by an HF defect can be prevented even when the HF defect occurs in the semiconductor layer of an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の半導体層にＨＦ欠陥が生じた場合にも、係る欠陥に起因するデバイスの不良が生じるのを防止することができる電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A natural oxidation film on the wafer surface is dissolved by the dropped HF solution while the metal elements or their compounds existing near the wafer surface are removed from the wafer and caused to exist in the HF solution (S102).例文帳に追加

滴下した高濃度ＨＦ溶液により、ウエハ表面の自然酸化膜を溶解させるとともに、ウエハの表面近傍に存在する金属元素またはその化合物をウエハから離脱させ、高濃度ＨＦ溶液中に存在させる（Ｓ１０２）。 - 特許庁

A base electro-conductive layer 2 and an Al-Hf alloy layer 3 (or a stacked body of the Al-Hf alloy layer 3 and an Al layer) are formed on a substrate 1 in a stacked state.例文帳に追加

基板１の上に下地導電層２とＡl−Ｈf合金層３（又は、Ａl−Ｈf合金層３とＡｌ層との積層体）とを積層して形成する。 - 特許庁

The substrate for group-III nitride semiconductor growth includes: a crystal growth substrate, at least a surface portion of which is formed of a group-III nitride semiconductor containing Al; and a single metallic layer formed of Zr or Hf and is formed on the surface portion.例文帳に追加

少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたZrまたはHfからなる単一金属層とを具えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a probe for an HF band magnetic resonance apparatus detector which is mechanically stable and securely obtains orthogonality of a magnetic field generation axis, in a continuous wave HF band magnetic resonance apparatus.例文帳に追加

連続波ＨＦ帯磁気共鳴装置において、機械的に安定で磁界発生軸方向の直交性が確実に得られるＨＦ帯磁気共鳴装置検出器用プローブを提供する。 - 特許庁

A selective etch material such as HF is used to remove the remaining dielectric layer 23 from beneath the suspended platform 17 and the flexural member 15 to free the suspended platform and the flexural member 15.例文帳に追加

HFなどの選択的腐食剤を用いて懸架プラットフォーム17および可撓部材15の下から残った誘電体層23を除去し、懸架プラットフォームおよび可撓部材15を分離する。 - 特許庁

To reduce in-plane variation in Hf density so as to suppress characteristic variation of a MOS transistor whose gate insulating film contains Hf.例文帳に追加

ゲート絶縁膜にＨｆを含むＭＯＳトランジスタの特性のばらつきを抑制するために、Ｈｆ密度の面内ばらつきを少なくすることが必要である。 - 特許庁

To provide a lithium ion secondary battery improved in the deteriorating characteristic thereof by restricting the generation of HF (hydrogen fluoride) in electrolyte when keeping the lithium ion secondary battery under a condition at a high temperature.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池において、高温保存時に電解液でのHF発生を抑制し、劣化特性を改善したリチウムイオン二次電池を提供する。 - 特許庁