「HF」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Next, the silica protective layer is removed by etching with HF to yield a desired textured single crystal 17.例文帳に追加

つづいて、ＨＦによるエッチングで単結晶からシリカの保護層を取り除くことにより、所望のテクスチャー化単結晶１７が得られる。 - 特許庁

When there are measurement data largely deviating from the correlation of the LF+HF and the CVRR, it is determined that there is abnormality in the autonomic nerve function.例文帳に追加

ＬＦ＋ＨＦとＣＶＲＲとの相関関係から大きくはずれた測定データがあれば、自律神経機能に異常があると判定できる。 - 特許庁

The Ti-Al alloy target contains Zr and Hf, each of which is equal to or less than 100 ppb in content.例文帳に追加

このようなＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、Ｚｒ含有量およびＨｆ含有量をそれぞれ１００ｐｐｂ以下とする。 - 特許庁

Then, the relation of the calculated autonomic nerve total activity amount index (LF+HF) and CVRR is two-dimensionally displayed at a display device.例文帳に追加

そして、算出された自律神経総活動量指標（ＬＦ＋ＨＦ）とＣＶＲＲとの関係を表示装置に対して２次元表示させる。 - 特許庁

Also, the relation of the LF+HF and the CVRR is approximated by a primary function, and a straight line based on the primary function is displayed.例文帳に追加

また、ＬＦ＋ＨＦとＣＶＲＲとの関係を１次関数により近似して、この１次関数に基づく直線を表示させる。 - 特許庁

After that, the modified material 4 is removed by etching using HF to leave an air gap there.例文帳に追加

その後、変更された材料４を、ＨＦを用いたエッチングにより除去し、変更された材料４が有った場所にエアーギャップを形成する。 - 特許庁

The hardness Hs of the second intermediate layer 14 is greater than the hardness Hf of the first intermediate layer 12 and the hardness Hc of the cover 8.例文帳に追加

第二中間層１４の硬度Ｈｓは、第一中間層１２の硬度Ｈｆ及びカバー８の硬度Ｈｃよりも大きい。 - 特許庁

An alloy coating layer 5 in which Hf or the like is diffused into (Pt, Ni) Al is formed on the base material 1 by the Al diffusion coating.例文帳に追加

Ａｌの拡散コーティングにより基材１上に、（Ｐｔ、Ｎｉ）ＡｌにＨｆ等が拡散した合金コーティング層５が形成される。 - 特許庁

The primary reactant gas is condensed in a condensation generation means 30 to obtain reaction liquid comprising an HF aqueous solution.例文帳に追加

この一次反応ガスを凝結体生成手段３０にて凝縮させてＨＦ水溶液からなる反応液を得る。 - 特許庁

When the construction holes Ha to Hh are formed, they are shared until part of the way to form branch holes He to Hf from optional branch junctions D1 to D5.例文帳に追加

敷設孔Ｈａ〜Ｈｈを形成する際には、その途中までを共用し任意の分岐点Ｄ１〜Ｄ５から枝孔Ｈｅ〜Ｈｆを分岐形成する。 - 特許庁

Further, the FeCo soft magnetic target material is obtained by incorporating ≤30at% of one or more selected from among B, Nb, Zr, Ta, Hf, Ti and V into the above.例文帳に追加

さらに、上記にＢ，Ｎｂ、Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｖのいずれか１種または２種以上を３０ａｔ％以下含有させてなるＦｅＣｏ軟磁性ターゲット材。 - 特許庁

To reduce a content of harmful Sb without impairing high thermoelectric characteristics of a (Ti, Hf, Zr)-Co-Sb-based material.例文帳に追加

（Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ）−Ｃｏ−Ｓｂ系材料の高い熱電特性を損なうことなく、有害なＳｂの含有量を低減する。 - 特許庁

The dielectric powder is powder represented by ABO_3 (A is any of Ba, Ca, and Sr, and B is any of Ti, Zr, and Hf).例文帳に追加

この誘電体粉末は、ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒのいずれかであり、Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆのいずれかである。）で表される粉末である。 - 特許庁

In a first process, the natural oxide film is removed with a 10% hydrofluoric(HF) acid which is diluted with pure water (process (1)).例文帳に追加

最初の工程では、これを１０％に純水で希釈したフッ酸（ＨＦ）を用いて除去した（工程（１））。 - 特許庁

The blood pressure value of a patient is measured and also a sympathetic nerve activity index (LF/HF) is calculated on the basis of electrocardiographic data.例文帳に追加

患者の血圧値を測定するとともに、心電データに基づいて交感神経活動度指標（ＬＦ／ＨＦ）を計算する。 - 特許庁

To provide a thermoelectric material whose composition is actually changed based upon a half-Heusler composition (Ti, Zr, Hf)(Ni, Co)(Sn, Sb).例文帳に追加

ハーフホイスラー組成(Ｔｉ,Ｚｒ,Ｈｆ)(Ｎｉ,Ｃｏ)(Ｓｎ,Ｓｂ)をベースに実際に組成を変動させた熱電材料を提供する。 - 特許庁

The lamination silicide layer 114 is constituted by a Hf silicide layer 111, a boundary surface layer, and a Ni silicide layer 113 of a surface layer.例文帳に追加

積層シリサイド層１１４は、界面層であるＨｆシリサイド層１１１と、表面層であるＮｉシリサイド層１１３とから構成されている。 - 特許庁

In a SOx removing step, SOx is removed from the exhaust gas containing HF and SOx, and the resultant gas is brought into contact with solid Ca(OH)_2.例文帳に追加

ＨＦ及びＳＯｘを含む排ガスを、ＳＯｘ除去工程にて予めＳＯｘを除去してから、固体のＣａ（ＯＨ）_２ と接触させる。 - 特許庁

The anionic component contains BF_4^-, Tf, (HF_n)F^- (n is a real number of 1 to 3), SO_4^2-, HSO_4^-, PO_4^3- and HPO_4^2-.例文帳に追加

アニオン成分がＢＦ_４^−、Ｔｆ、（ＨＦ_ｎ）Ｆ^−（ｎは１〜３の実数）、ＳＯ_４^２−、ＨＳＯ_４^−、ＰＯ_４^３−及びＨＰＯ_４^２−などを含む。 - 特許庁

When the HF signal cannot be obtained, the side of an outer circumference of the next session and thereafter is judged to be an invalid session.例文帳に追加

無効領域と判定した時は読み継ぎを終了し、その手前のセッションまでを有効なセッションとして扱う。 - 特許庁

If required, the steel furthermore contains Mo, W, Se, Pb, Bi, B, Ca, Mg, rare earth metals, Nb, V, Ti, Zr, Hf and Ta.例文帳に追加

必要に応じて、その他、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｅ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｂ、Ｃａ、Ｍｇ、ＲＥＭ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａを含有することができる。 - 特許庁

After two silicon wafers 11 and 12 are cleaned by HF cleaning, the wafers 11 and 12 are rinsed with pure water, cleaned by SC1 (standard cleaning), washed with water, and dried.例文帳に追加

２枚のシリコンウェーハ１１，１２をＨＦ洗浄後、純水でリンス、ＳＣ１洗浄、水洗・乾燥する。 - 特許庁

When SOx remains in the HF-containing gas, the temperature of the Ca(OH)_2 layer is preferably set to 100-310°C.例文帳に追加

ＨＦ含有ガスにＳＯｘが残留する場合には、Ｃａ(ＯＨ)_2層の温度を１００〜３１０℃にすることが望ましい。 - 特許庁

The thin film 12 contains chiefly at least one of the metals selected out of Al, Si, Ca, Mg, Y, Zr, Hf.例文帳に追加

薄膜（１２）は、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙ、Ｚｒ、Ｈｆの中から選ばれた金属の少なくとも１種類以上の酸化物を主成分とする。 - 特許庁

A normal cleaning step and HF processing are performed, and a Co film is deposited on a substrate face through sputtering.例文帳に追加

通常の洗浄工程、ＨＦ処理を施し、Ｃｏ膜をスパッタリングにより基板面に堆積させる。 - 特許庁

Two mirror silicon wafers 11 and 12 are washed with a dilute HF solution for five minutes at a room temperature and dried.例文帳に追加

２枚の鏡面シリコンウェーハ１１，１２を室温で５分間、希ＨＦ溶液で洗浄し乾燥する。 - 特許庁

The hardness Hs of the second intermediate layer 14 is higher than the hardness Hf of the first intermediate layer 12 and the hardness Hc of the cover 8.例文帳に追加

第二中間層１４の硬度Ｈｓは、第一中間層１２の硬度Ｈｆ及びカバー８の硬度Ｈｃよりも大きい。 - 特許庁

The second element is at least one kind of element selected from a group consisting of Zr, Nb, Hf and Ta.例文帳に追加

上記第２の元素は、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ及びＴａからなる群から選択された少なくとも一種の元素からなる。 - 特許庁

To provide a film, or a dielectric material having R-Ge-Ti-O where R is selected from Zr and Hf, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

フィルム、またはＲがＺｒとＨｆから選択されたＲ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏを備えた誘電材料とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The adder circuit 312 sums delayed picture data Dt and the selected correction data Ha-Hf and generates corrected picture data DVID.例文帳に追加

加算回路３１２は遅延した遅延画像データＤｔと選択された補正データＨａ〜Ｈｆを加算して補正済画像データＤＶＩＤを生成する。 - 特許庁

In a third process, dense ZrO_2 or HfO_2 is deposited on the base plate by accelerating while causing a reaction of Zr or Hf and O in a gaseous phase.例文帳に追加

第３過程では、Ｚｒ又はＨｆとＯを互いに気相で反応させつつ加速して基板に緻密なＺｒＯ_2又はＨｆＯ_2を堆積する。 - 特許庁

A peak level at the upper side and a peak level at the lower side are detected (S4) for every focus balance of the reproduced HF signal by reproducing it after recording.例文帳に追加

記録後再生して、再生ＨＦ信号のフォーカスバランスごとに上側ピークレベル、下側ピークレベルを検出する。 - 特許庁

To provide a simple and easy method for producing LiMF_X which does not contain impurities such as HF, its by-product and the like which have a bad influence on a battery performance.例文帳に追加

電池性能に悪影響を及ぼす、ＨＦやその副生物などの不純物を含まないＬｉＭＦ_Ｘを簡便に製造する。 - 特許庁

A second punching blade 4 to punch a corner part of a hemming flange HF to a specified shape is provided on a bending blade 3.例文帳に追加

また曲げ刃３に、ヘミングフランジＨＦのコーナー部を所定の形状に抜く第２の切刃４を設ける。 - 特許庁

The metallic material may further comprise one or more selected from Co, Mo, W, Ti, Nb, B, Zr, Hf, Mg, Ca, Al, Y, La and Ce by suitable quantity.例文帳に追加

さらに、適量のＣｏ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅのうちの１種又は２種以上を含有してもよい。 - 特許庁

During the punching, the corner part of the hemming flange HF is punched with the same width T2 as that of a non-corner part by the punching and bending blade 1 and a punching blade 2.例文帳に追加

そして、 抜き加工時に抜き曲げ刃１と切刃２とでヘミングフランジＨＦのコーナー部を非コーナー部と同一幅Ｔ_2 で抜く。 - 特許庁

At least one kind from among Ta, Ti, W, Hf, Y is included as a material of the first layer 4a.例文帳に追加

第１の層４ａの材料は、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｈｆ、Ｙのうちの少なくとも１種を含んでいる。 - 特許庁

Additionally, a continuous wave HF band magnetic resonance device of CPU control is allowed by use of this detector.例文帳に追加

さらに本発明の検出器の使用によりＣＰＵ制御の連続波ＨＦ帯磁気共鳴装置が可能となる。 - 特許庁

The second gas permeates through micropores 33a, enters the internal passage 33b and reacts with water to produce a condensate dr consisting of an HF aqueous solution.例文帳に追加

この第２ガスが微細孔３３ａを透過し内通路３０ｂへ入り込み、水と反応し、ＨＦ水溶液からなる凝縮体ｄｒが生成される。 - 特許庁

In a step 130, whether or not the HF component is within an appropriate motion range (which does not reach an appropriate motion limit MB) is determined.例文帳に追加

ステップ１３０では、ＨＦ成分が（適正運動限界ＭＢに達しない）適正運動範囲内であるか否かを判定する。 - 特許庁

The meandering periodic component included in the light receiving HF signal of return light form the optical disk 10 is detected during the recording.例文帳に追加

該記録時に光ディスク１０からの戻り光の受光ＨＦ信号に含まれる前記蛇行周期成分を検出する。 - 特許庁

Preferably, it is incorporated with 30≥Cr≥10 at%, 7≥Ta>0 at%, 30≥Ni≥5 at% and 5≥(Ti+ Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au)>0 at%.例文帳に追加

好ましくは３０≧Ｃｒ≧１０ａｔ％、７≧Ｔａ＞０ａｔ％、３０≧Ｎｉ≧５ａｔ％および５≧（Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｃｕ＋Ａｇ＋Ａｕ）＞０ａｔ％を含有させる。 - 特許庁

A blower (or an ejector) 104 is arranged at the HF-free gas discharging port for sucking/discharging the gas in the column 101.例文帳に追加

また、ガス排出口には充填塔内のガスを吸引排気するブロワ（またはエゼクタ）１０４を設ける。 - 特許庁

Si(OR)_4 and Hf(NR'R")_4 are employed as materials for forming the film by chemical vapor phase epitaxial method.例文帳に追加

化学気相成長方法により膜を形成する為の材料であって、 Ｓｉ（ＯＲ）_４とＨｆ（ＮＲ’Ｒ”）_４とを用いる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus of manufacturing a semiconductor whereby the variations of the concentrations of sulfuric acid and HF can be prevent in an SFM processing.例文帳に追加

ＳＦＭ処理における硫酸、ＨＦの濃度変動を抑えることが可能な半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁